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Avaliação de genotoxicidade de trabalhadores expostos à sílica / Evaluation of genotoxicity of silica-exposed workersJoca, Francisco José Guimarães January 2009 (has links)
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Previous issue date: 2009 / A exposição ocupacional a poeiras de sílica está associada a diversosefeitos adversos sobre o sistema respiratório dentre os quais é possível destacar a pneumoconiose clássica, também conhecida como silicose. Espécies reativas de oxigênio (EROs) são geradas diretamente pelo depósito de poeiras fibrogênicas no tecido pulmonar. A produção contínua de EROs, ou sua ineficaz remoção, podeimpactar o sistema antioxidante, induzir estresse oxidativo e provocar danoscelulares nos pulmões. Diferentes estudos em matrizes biológicas apontaram o Ensaio Cometa como um indicador altamente sensível para a exposição a agentes carcinógenos e extremamente sensível para uma variedade de classes de danos aoDNA. É um teste de genotoxicidade simples, de baixo custo, versátil, rápido e extremamente sensível para qualquer população de célula eucariótica. O objetivo deste estudo foi avaliar danos genotóxicos e alterações em enzimas do estresse oxidativo decorrentes da exposição à sílica em trabalhadores expostos e não expostos atendidos no Ambulatório de Pneumatologia Ocupacional do Centro de Estudo da Saúde do Trabalhador e Ecologia Humana (CESTEH) da Escola Nacional de Saúde Pública (ENSP/FIOCRUZ). Ensaio Cometa demonstrou ser ummétodo sensível e confiável na detecção de danos ao DNA, causados pelaexposição à sílica. Variações na atividade da enzima GST podem ser usadas para estudos de silicose como um indicador biológico de efeito, pois estas mudanças podem estar presentes precocemente nesta doença. Neste estudo foi confirmado o risco dos pacientes silicóticos desenvolverem tuberculose. Isto demonstra quanto afisiopatologia desta doença pode impactar o sistema imunológico. / O hábito de fumar mostrou uma associação com o desenvolvimento da silicose e da tuberculose. Nos trabalhadores expostos à sílica, a exposição ocupacional parecesobrepujar um possível efeito do tabaco nos níveis dos indicadores enquanto queem uma população não exposta à sílica o tabagismo mostrou-se impactante.
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Transporte eletrônico em semicondutores porosos baseado na equação de Schrodinger dependente do tempo / Electronic transport in porous semiconductors based in time dependent Schrodinger equationSilva, Francisco Wellery Nunes January 2012 (has links)
SILVA, Francisco Wellery Nunes. Transporte eletrônico em semicondutores porosos baseado na equação de Schrodinger dependente do tempo. 2012. 77 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2012. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-04-23T21:11:22Z
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Previous issue date: 2012 / We propose in this work a theoretical study, of the properties of a electronic pulse, injected under a external bias, on a porous silicon layer, so that we could define fundamentally the shape of T X V and R X V curves, where T is the transmission coefficient and R is the reflection coefficient of the wave packet, trough the porous region. With this, we could make a simple calculation and obtain information about the electrical current in this material, using the very simple model I=Q/t, where we defined the time of transmission, as the time interval necessary for the electronic pulse to be consumed completely. This kind of approach is already known in the literature, propose by Lebedev and co-workers (1998). Using the definition of charge carrier mobility, we obtained information about it, since the principal aim of this work is the electronic transport in this kind of material, that despite a strong research on porous silicon, since the beginning of the nineties, the transport properties still remains a relatively unexplored area. The major incentive for this study is due to the strong possibility of application of this material in new optoelectronic devices such as LEDs. Along the development of this dissertation, we applied well known techniques for the computational modelling such as effective mass theory, for example, associated with methods like the periodic boundary conditions, and the absorbing boundary conditions. Treating of a quantum system, we begin all the work solving the time dependent Schröedinger equation. To do this task, we have used the numerical method known as Split-Operator, in order to obtain the solutions for this equation. Initially, the calculations in this dissertation where based in an isotropic effective mass, in order to optimise the calculation parameters. After this, we made calculations using an anisotropic effective mass for the different valleys of silicon. All these things leads us to believe that this work have a great importance regarding the contribution to the understanding of transport in electronic systems based on porous silicon, to maintain for some time the applications of this kind of material that was so revolutionary in the twentieth. / Neste trabalho, propomos um uma pesquisa teórica onde estudamos as propriedades de um pulso eletrônico em uma camada de silício poroso, injetado sob uma certa voltagem externa V. Desta forma, podemos definir fundamentalmente a forma das curvas T X V e R X V, onde T é o coeficiente de transmissão e R é o coeficiente de reflexão do pacote de onda através da região porosa. Aliado a estes dados, podemos fazer um cálculo simples e obter informações a respeito da corrente elétrica que atravessa o material, utilizando o modelo I=Q/t, onde definimos o tempo como o intervalo necessário para que o pulso seja consumido completamente, como proposto por Lebedev e colaboradores (1998). Utilizando a definição para mobilidade de portadores de carga, obtivemos informações sobre a mesma, pois este trabalho foca-se principalmente no estudo do transporte eletrônico neste tipo de material poroso, que apesar de um estudo intenso em silício poroso desde o início da década de noventa, as propriedades de transporte ainda permanecem um pouco inexploradas. O principal incentivo para que estudemos este material é devido à grande possibilidade da criação de dispositivos em opto-eletrônica tais como LEDs (Light Emissor Diode). Ao longo do desenvolvimento, empregamos técnicas já bem conhecidas para a modelagem de semicondutores, como a teoria da massa efetiva, por exemplo, associadas a técnicas de modelagem computacional, como o emprego de condições periódicas de contorno e condições de contorno absorvente. Por se tratar de um sistema quântico, tudo parte da solução da equação de Schrödinger dependente do tempo, e para executar esta tarefa fizemos uso de um método numérico conhecido como Split-Operator. Assim obtemos as soluções para a equação. Inicialmente, os cálculos realizados neste trabalho foram baseados em uma massa efetiva isotrópica, a fim de otimizar os parâmetros de cálculo, e só em seguida foram feitos cálculos baseando-se em massa efetiva anisotrópica para os diversos vales do silício poroso. Tudo isto nos leva a crer que este trabalho possui uma grande importância no que diz respeito à contribuição para o entendimento do transporte eletrônico em sistemas baseados em silício poroso, de forma a manter por mais algum tempo a aplicação deste tipo de material que foi tão revolucionário no século XX.
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Transporte eletrônico em semicondutores porosos baseado na equação de Schrodinger dependente do tempo / Electronic transport in porous semiconductors based in time dependent Schrodinger equationSilva, Francisco Wellery Nunes January 2012 (has links)
SILVA, Francisco Wellery Nunes. Transporte eletrônico em semicondutores porosos baseado na equação de Schrodinger dependente do tempo. 2012. 77 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2012. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-10-16T21:34:35Z
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Previous issue date: 2012 / We propose in this work a theoretical study, of the properties of a electronic pulse, injected under a external bias, on a porous silicon layer, so that we could define fundamentally the shape of T X V and R X V curves, where T is the transmission coefficient and R is the reflection coefficient of the wave packet, trough the porous region. With this, we could make a simple calculation and obtain information about the electrical current in this material, using the very simple model I=Q/t, where we defined the time of transmission, as the time interval necessary for the electronic pulse to be consumed completely. This kind of approach is already known in the literature, propose by Lebedev and co-workers (1998). Using the definition of charge carrier mobility, we obtained information about it, since the principal aim of this work is the electronic transport in this kind of material, that despite a strong research on porous silicon, since the beginning of the nineties, the transport properties still remains a relatively unexplored area. The major incentive for this study is due to the strong possibility of application of this material in new optoelectronic devices such as LEDs. Along the development of this dissertation, we applied well known techniques for the computational modelling such as effective mass theory, for example, associated with methods like the periodic boundary conditions, and the absorbing boundary conditions. Treating of a quantum system, we begin all the work solving the time dependent Schröedinger equation. To do this task, we have used the numerical method known as Split-Operator, in order to obtain the solutions for this equation. Initially, the calculations in this dissertation where based in an isotropic effective mass, in order to optimise the calculation parameters. After this, we made calculations using an anisotropic effective mass for the different valleys of silicon. All these things leads us to believe that this work have a great importance regarding the contribution to the understanding of transport in electronic systems based on porous silicon, to maintain for some time the applications of this kind of material that was so revolutionary in the twentieth. / Neste trabalho, propomos um uma pesquisa teórica onde estudamos as propriedades de um pulso eletrônico em uma camada de silício poroso, injetado sob uma certa voltagem externa V. Desta forma, podemos definir fundamentalmente a forma das curvas T X V e R X V, onde T é o coeficiente de transmissão e R é o coeficiente de reflexão do pacote de onda através da região porosa. Aliado a estes dados, podemos fazer um cálculo simples e obter informações a respeito da corrente elétrica que atravessa o material, utilizando o modelo I=Q/t, onde definimos o tempo como o intervalo necessário para que o pulso seja consumido completamente, como proposto por Lebedev e colaboradores (1998). Utilizando a definição para mobilidade de portadores de carga, obtivemos informações sobre a mesma, pois este trabalho foca-se principalmente no estudo do transporte eletrônico neste tipo de material poroso, que apesar de um estudo intenso em silício poroso desde o início da década de noventa, as propriedades de transporte ainda permanecem um pouco inexploradas. O principal incentivo para que estudemos este material é devido à grande possibilidade da criação de dispositivos em opto-eletrônica tais como LEDs (Light Emissor Diode). Ao longo do desenvolvimento, empregamos técnicas já bem conhecidas para a modelagem de semicondutores, como a teoria da massa efetiva, por exemplo, associadas a técnicas de modelagem computacional, como o emprego de condições periódicas de contorno e condições de contorno absorvente. Por se tratar de um sistema quântico, tudo parte da solução da equação de Schrödinger dependente do tempo, e para executar esta tarefa fizemos uso de um método numérico conhecido como Split-Operator. Assim obtemos as soluções para a equação. Inicialmente, os cálculos realizados neste trabalho foram baseados em uma massa efetiva isotrópica, a fim de otimizar os parâmetros de cálculo, e só em seguida foram feitos cálculos baseando-se em massa efetiva anisotrópica para os diversos vales do silício poroso. Tudo isto nos leva a crer que este trabalho possui uma grande importância no que diz respeito à contribuição para o entendimento do transporte eletrônico em sistemas baseados em silício poroso, de forma a manter por mais algum tempo a aplicação deste tipo de material que foi tão revolucionário no século XX.
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Caracterização mecânica e metalúrgica das ligas hipoeutéticas de Al-Si utilizadas no processo de fundição da placa reforçadora de soloRodrigues, Marcelo Colnaghi January 2016 (has links)
O objetivo deste trabalho é realizar um estudo comparativo das propriedades mecânicas e metalúrgicas em duas peças de ligas de Al-Si produzidas por injeção sob baixa pressão. As peças estudadas referem-se às placas acessórias utilizadas para fornecer sustentação durante a entrada e saída de vaus por carros de combate do Exército Brasileiro, sendo uma nacional e a outra importada. Para a caracterização metalúrgica foram realizados ensaios metalográficos (microscopia óptica e eletrônica). Para a obtenção das propriedades mecânicas foram realizados ensaios de tração, microdureza Vickers e impacto. Quanto aos resultados metalográficos observou-se: na peça nacional, a presença de uma estrutura predominantemente eutética com silício em forma acicular e a fase Al15 (Fe, Mn)3Si2 com morfologia tipo escrita chinesa; na peça importada, foi identificado silício disperso com formato arredondado. A análise da porosidade por gases realizada no canal de alimentação indicou baixos índices para as duas peças. De outro modo, foi observada a presença de porosidades por contração na peça nacional. Nos resultados mecânicos, a peça importada apresentou valores significativamente superiores para a tensão de escoamento e máxima, energia de impacto e deformação. A partir dos resultados obtidos nos ensaios mecânicos realizaram-se simulações no software Solidworks, módulo Simulation, para a determinação da ocorrência de falha quando utilizado por dois carros de combate: o Leopard 1A5, sobre lagartas, e o URUTU, sobre roda. As simulações indicaram falha da peça nacional pelo uso do carro sobre rodas. O resultado em peso da composição química da peça nacional revelou uma liga de alumínio com 12%Si e 0,88%Fe, enquanto a peça importada apresentou 10,38%Si, 0,294%Mg e somente 0,12%Fe. Com a análise dos resultados, conclui-se que os principais fatores da baixa durabilidade da peça nacional foram, preponderantemente, a composição química e a morfologia do silício. / The objective of this research is to perform a comparative study of the mechanical and metallurgical properties in two castings of Al-Si alloys produced by injection under low pressure. The pieces studied refer to soil reinforcing plates used as accessory plates used to provide support during the entry and exit of the Brazilian Army combat vehicles, one national and other imported. For the metallurgical characterization, metallographic analysis by electron and optical microscopy were performed and. To obtain the mechanical properties tensile tests, Vickers microhardness and impact were performed. Regarding the metallographic results, it was observed: In the national piece, the presence of a predominantly eutectic structure with needle-shaped silicon and the Al15(Fe,Mn)3Si2 phase with Chinese writing morphology; In the imported part, dispersed silicon with a rounded shape was identified. The gas porosity analysis performed on the feed channel indicated low indexes for the two pieces.Otherwise, the presence of porosities by contraction in the national piece was observed. In the mechanical results, the imported part presented values significantly higher for the yield stress and maximum, impact energy and deformation. From the results obtained in the mechanical tests it was able to perform simulations on the Solidworks software, Simulation mode, to determine the failures occurrence when used by two battle cars: Leopard 1A5, on caterpillars, and URUTU, on wheels. The simulations indicated failure of the national part by the use of the car on wheels. The weight result of the chemical composition of the domestic part revealed an aluminum alloy with 12% Si and 0.88% Fe, while the imported piece revealed 10.38% Si, 0.294% Mg and only 0.12% Fe. Analyzing the results, it is concluded that the main factors of the low durability of the national piece were, predominantly, the chemical composition and the morphology of the silicon.
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Micro estampagem e recozimento conjugado com campo induzido : efeitos no desempenho eletromagnético para chapas elétricas de grão não orientadoMozetic, Halston José January 2014 (has links)
O trabalho aborda o desenvolvimento e implantação de um processo de recozimento conjugado com campo magnético induzido. Para este trabalho foi escolhido como material o FeSi, ABNT NM71-2000/ 35F 420M com GNO (Grão-Não-Orientado) devido ao baixo custo de obtenção das peças e também por ser um material de fácil aquisição no mercado. O processo tem como benefício minimizar as perdas magnéticas produzidas pelo corte convencional na borda das chapas elétricas. Para realizar o processo o sistema é composto de um forno, enrolamento de indução e fonte de alimentação. Os parâmetros utilizados no tratamento térmico situam-se na faixa de temperatura de aquecimento até 910ºC e uma indução magnética mínima na faixa de 80 até aproximadamente 1,5 T. Para melhorar as propriedades magnéticas de forma contundente na região deformada buscou-se através do recozimento conjugado com campo induzido um alinhamento dos domínios, ou seja, uma ordenação dos “spins” que juntamente com a elevação de temperatura tenderam a ter um mesmo sentido, facilitando de maneira significativa à passagem do fluxo magnético, propriedade importante para o desempenho dos núcleos das máquinas elétricas. Para avaliar o desempenho do processo, chapas do mesmo material foram cortadas por eletroerosão a fio, onde o perfil do corte permitiu um fluxo magnético uniforme e constante. O efeito do processo de recozimento com indução de campo magnético foi medido conforme determina a norma, ou seja, utilizando o “Quadro de Epstein” para chapas elétricas. Os resultados foram correlacionados com os dados obtidos a partir do uso do ferro-silício, ABNT NM71-2000/35F 420M, com as mesmas condições de uso e testes de laboratório. Do ponto de vista científico, uma das contribuições deste trabalho, está na influência da indução de campo magnético durante o tratamento térmico das amostras, pois é possível verificar um ganho nas propriedades magnéticas apresentadas. Este trabalho permite afirmar que é possível desenvolver e melhorar as propriedades magnéticas em ferro silício com alto desempenho e também sugerir que outras aplicações, onde seja necessário aumento do desempenho magnético, este processo possa ser aplicado. / This work presents and discusses the development and application of an annealing process together with the induced magnetic field. For this study development, the chosen material is the iron silicon, ABNT NM71-2000/ 35F 420M, due to the low trading costs and eases of purchase on the market. The process has the benefit of minimizing magnetic losses produced by conventional cutting the edge of the hot plates. To carry out the process system consists of a furnace, induction coil and power supply. The parameters used in the heat treatment are in the range of heating temperature to 910 ° C and a minimum magnetic induction in the range of about 80 to 1.5 T. The challenge of this work was in the fact that structure changes in the silicon iron, allied to inclusions of non-magnetizable materials, modify for worse the performance of magnetic cores. To obtain a structure that the magnetic field could permeate, the silicon iron alloys were selected to eliminate, at most, the presence of non-magnetizable materials, and only then consider a heat treatment process with magnetic induction to make the material suitable for use in cores of electrical machines. To improve the magnetic properties, an alignment of dipoles of the material, through induced magnetic field during annealing was intended. Annealing with induced magnetic field was carried out, observing the performance of the initial magnetic permeability of the samples, and subsequently measured with field saturation equipment. The results were correlated with the obtained data from the use of the FeSi, ABNT NM71-2000/35F 420M, with the same conditions of use and laboratory tests. From the scientific point of view, one of the contributions of this work is the influence of induced magnetic field during the heat treatment of the samples, since it was possible to verify a significant gain in the magnetic properties of the cores electrical machines during the performance tests. As a result of this work, the possibility of using annealing with magnetic induction was presented as a way to increase the permeability of a material with high carbon content, in this particular case, the silicon iron. This work suggests that it is possible to develop and improve the magnetic properties of iron and silicon with high performance also suggest that other applications where necessary increase in magnetic performance, this process can be applied.
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Estudo de obtenção de revestimento de elementos combustíveis para reatores FBNRBastos, Marcelo Bratenahl January 2008 (has links)
Este trabalho teve por objetivo obter revestimento de carbeto de silício para esferas combustíveis utilizadas em reatores nucleares do tipo FBNR, através da sinterização de SiC por reação com silício metálico (RBSiC). As matérias-primas foram moídas em moinho de bolas por 24 horas e as temperaturas utilizadas na sinterização foram de 1500° e 2000°C, durante tempos que variaram de 30 a 240 minutos. As amostras foram caracterizadas quanto a fases cristalinas, densidade, microestrutura e resistência mecânica. As peças sinterizadas a 2000°C apresentaram valores de resistência mecânica na faixa de 95 MPa, e densidade de cerca de 90% foram alcançadas, superiores aos valores encontrados para 1500°C.Foram obtidos revestimentos com as técnicas de gel casting e spin coating. A resistência mecânica desses revestimentos foi de, aproximadamente, 50% das amostras sinterizadas a 2000°C. / The aim of this work was to get covering of silicon carbide for use in nuclear fuel reactors of type FBNR, through the sintering of SiC by reaction bonded silicon carbide (RBSiC). The samples were homogenized in a ball mill and the sintering temperatures were 1500°C and 2200°C, during times that varied of 30 until 240 minutes. The product was characterized by crystalline phases, density, microstructure and mechanical resistance. The samples sintering at 2000°C had presented values of mechanical resistance around of 95 MPa, and density around 90%, better that samples sintering at 1500°C. Gel casting and Spin coating techniques had success in coverings process. The mechanical resistance of this coverings were around 50% of the samples sintering at 2000°C.
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Efeito do silicato de potássio em plantas de mamoeiro sobre a infestação do ácaro-rajado, tetranyhcus urticae kochCatalani, Gabriela Christal [UNESP] 28 July 2015 (has links) (PDF)
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000854130.pdf: 2699787 bytes, checksum: fd18441ddb534ce5d73e2eb94817c56d (MD5) / O ácaro-rajado, Tetranychus urticae Koch, é uma das principais pragas da cultura do mamoeiro e seu principal método de controle é o químico, como método alternativo, tem sido pesquisada a indução de resistência da planta hospedeira, a qual envolve a ativação de mecanismos de defesa existentes nas plantas. Essa estratégia de controle apresenta potencial para o uso no manejo integrado de pragas e o silício é uma das possibilidades a ser usada. Assim, o objetivo do trabalho foi determinar se a aplicação de silicato de potássio em plantas de mamoeiro pode afetar o desenvolvimento populacional do ácaro-rajado, T. urticae, e diminuir a sua infestação. No primeiro experimento, o experimento foi delineado em blocos casualizados com seis tratamentos e oito repetições, sendo cada repetição constituída por uma planta de mamoeiro infestada artificialmente com fêmeas de T. urticae provenientes de criação de laboratório. Foram testadas doses de silicato de potássio, via foliar: T1 - testemunha; T2 - 2 L ha -1 com 3 pulverizações; T3 - 2 L ha -1 - 2 pulverizações; T4 - 4 L ha -1 - 3 pulverizações; T5 - 4 L ha -1 - 2 pulverizações; T6 - 4 L ha -1 - 1 pulverização. Foram realizadas três avaliações, contando-se o número de ovos, ácaros e exúvias de T. urticae presentes ao longo da nervura principal de uma folha infestada por parcela. No segundo experimento, em casa de vegetação, o experimento foi delineado em blocos casualizados com quatro tratamentos e oito repetições, sendo cada repetição constituída por uma planta de mamoeiro infestada artificialmente com fêmeas de T. urticae provenientes de criação de laboratório. Foram testadas doses de silicato de potássio, via solo e foliar: T1 - testemunha; T2 - 4 L ha -1 via foliar com 4 pulverizações; T3 - 4 L ha -1 via foliar com 9 pulverizações e T4 - 8 L ha -1 via solo com 7 aplicações. Foram realizadas quatro avaliações,... / The twospotted spider mite, Tetranychus urticae Koch, it is a principal pest of papaya crop and its main control method is the chemical, as an alternative method has been researched host plant resistance induction, which involves the activation of mechanisms defense of existing plants. This control strategy has potential for use in integrated pest management and silicon is one of the possibilities to use. The objective of the work was to determine whether potassium silicate application on papaya plants induces resistance to the twospotted spider mite, T. urticae, and decreases its infestation. In the first experiment, the experiment was designed in randomized blocks with six treatments and eight repetitions, with each repetition consists of a papaya plant artificially infested with T. urticae females from laboratory creation. Doses of potassium silicate were tested, foliar: T1 - control; T2 - 2 L ha -1 - 3 sprays; T3 - 2 L ha -1 - 2 sprays; T4 - 4 L ha -1 - 3 sprays; T5 - 4 L ha -1 - 2 sprays; T6 - 4 L ha -1 - 1 spray. Three evaluations were carried out by counting the number of eggs, mites and exuviae of T. urticae present along the main vein of a leaf infested by installment. In the second experiment, in the greenhouse, the experiment was designed in randomized blocks with four treatments and eight repetitions, each repetition consisting of one papaya plant artificially infested with T. urticae females from laboratory creation. Doses of potassium silicate were tested, on soil and sprayed on leaves: T1 - control; T2 - 4 L ha -1 with 4 foliar sprays; T3 - 4 L ha -1 with 9 foliar sprays and T4 - 8 L ha -1 in the soil with 7 applications. Four evaluations were carried out by counting the number of eggs, mites and exuviae of T. urticae present along the main vein of a leaf infested by installment. In laboratory, were built fertility life tables of T. urticae fed papaya leaves the plants of receiving application of ...
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Silício e amônio na nutrição e no crescimento de brássicasBarreto, Claudio Ferreira [UNESP] 04 September 2015 (has links) (PDF)
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000858429.pdf: 675334 bytes, checksum: c7e8fa044c204073bf6c0bccfdeb6073 (MD5) / A resposta das brássicas ao nitrogênio amoniacal na solução nutritiva pode ser potencializada com adição de silício na solução, dependendo da espécie cultivada. Objetivou-se avaliar a interação do amônio com silício sobre a nutrição, fisiologia e desenvolvimento de plantas de brócolis e repolho. Utilizou-se do delineamento inteiramente casualizado, com 4 repetições, em esquema fatorial 5 x 2, correspondendo a cinco concentrações de amônio (1,3; 2,7; 5,5; 8,3 e 11,1 mmol L-1) na ausência e na presença de silício (1,0 mmol L-1). Foram realizadas as seguintes avaliações: índice de cor verde, acúmulo de nitrogênio, potássio, cálcio, magnésio e silício, na raiz e na parte aérea, fotossíntese, condutância estomática, transpiração, diâmetro de caule, área foliar, massa de matéria fresca e seca da parte aérea e seca da raiz. O fornecimento de Si na solução nutritiva potencializa a resposta em crescimento das plantas de brócolis ao amônio, não havendo efeito em repolho. Para o cultivo do brócolis e do repolho, são indicadas as concentrações de amônio de 8,6 e 7,3 mmol L-1, respectivamente, associadas ao silício apenas para o brócolis / The response of the brassica to ammonia nitrogen in the nutrient solution can be enhanced with the addition of silicon in the solution depending on the cultivated species. It aimed to evaluate the interaction of ammonium with silicon on nutrition, physiology and development of plants in two brassicas. A completely randomized design with four repetitions was used in a factorial 5 x 2, corresponding to five ammonium concentrations (1.3, 2.7, 5.5, 8.3 and 11.1mmol L-1) in absence and presence of silicon (1.0 mmol L-1). The following evaluations were performed: green index, accumulation of nitrogen, potassium, calcium, magnesium and silicon, in the root and shoot, photosynthesis, stomatal conductance, transpiration, stem diameter, height, leaf area, fresh and dry weight of shoot and root. Nutritive solution Si supply enhances broccoli plants growth response to ammonium, with no effect on cabbage. For broccoli and cabbage cultivation, ammonium concentrations of 8.6 and 7.3 mmol L-1 are indicated, respectively, with silicon association only for broccoli
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Resposta funcional e numérica do predador Orius insidiosus (Say, 1832) (Hemiptera: Anthocoridae) com diferentes presasGuedes, Ivone Vilar [UNESP] 17 May 2006 (has links) (PDF)
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guedes_iv_me_jabo.pdf: 895213 bytes, checksum: 0549961d1699d944d1bad7717cd9a621 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Este trabalho teve como objetivo avaliar a capacidade predatória, aspectos comportamentais, reprodutivos e estabelecer a curva de resposta funcional do predador O. insidiosus predando ovos e lagartas de primeiro ínstar de Diatraea sacchara/is, P/utella xy/ostella, Spodoptera frugiperda e Anticarsia gemmatalis, e ninfas de terceiro/quarto ínstar de Aphis gossypii. Além destas avaliações, observou-se alguns aspectos reprodutivos de O. insidiosus, todos em função das diferentes densidades de A. gossypii. Para as espécies estudadas o predador apresentou curva de resposta funcional tipo 11, mostrando uma tendência de estabilização nas densidades mais altas. A taxa de ataque foi de 42,16; 9,35 e 22,81 ovos/hora e o tempo de manipulação de 1,56; 1,91 e 1,74 horas, para S. frugiperda, A. gemmatalis e P. xy/ostella, respectivamente. Observou-se também uma baixa capacidade predatória do O. insidiosus sobre ovos de D. saccharalis, proporcionando valores quase nulos para taxa de ataque e tempo de manipulação. A taxa de ataque foi de 15,55; 18,06; 1,77 e 3,68 lagartas/hora, e o tempo de manipulação de 2,13; 1,32; 0,86 e 1,99 horas para S. frugiperda, A. gemmatalis, D. saccharalis e P. xy/ostella, respectivamente. Para A. gossypii a taxa de ataque foi de 0,10 pulgão/hora e tempo de manipulação de 1, 82 h. O predador passou de 3,10 a 4,08 h se alimentando de seiva no nectário foliar do algodoeiro, não tendo a densidade da presa influência direta sobre esse comportamento. A proporção de postura por fêmea foi crescente até 10 ninfas, enquanto a proporção do número de ovos por postura aumentou com o aumento de presas disponíveis. / The aim of this research was to evaluate the predatory capacity, behavior aspects and to establish O. insidiosus functional response curve preying Diatraea saccharalis, P/utella xy/ostella, Spodoptera frugiperda and Anticarsia gemmatalis eggs and first instar larvae, and Aphis gossypii third/fourth instar nymphs. By these evaluations it was observed some reproductive aspects of O. insidiosus, in function of A. gossypii different densities. The functional response type 11 was observed for ali species, showing a tendency of stability in the highest densities. The attack rate was 42.16, 9.35 e 22.81 eggs/hour and the handling time 1.56, 1.91 e 1.74 hours for S. frugiperda, A. gemmatalis and P. xy/ostella, respectively. It was also verified a low predatory capacity of O. insidiosus on D. saccharalis eggs, with almost null values for attack rate and handling time, making them despicable. The attack rate was 15.55,18.06,1.77 and 3.68Iarvae/hour, and the handling time 2.13, 1.32,0.86 e 1.99 hours for S. frugiperda, A. gemmatalis, D. saccharalis and P. xy/ostella, respectively. For A. gossypii the attack was 0.10 aphid/hour and the handling time 1.82 h. The predator teal on cotton sap and foliar nectary for 3.10 to 4.08 h, and there was no straight influence of the prey on this behavior. The egg-Iaying by female was crescent, until 10 nymphs, while the egg rate by egg-Iaying increased as the number of preys increased.
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Silício e nitrogênio em alho vernalizado com e sem limpeza de vírusOliveira, Nelson Geraldo de [UNESP] 27 May 2011 (has links) (PDF)
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oliveira_ng_dr_botfca.pdf: 23287461 bytes, checksum: f09056dc1cf6fba7c72c80066abf616d (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Os objetivos deste trabalho foram avaliar os efeitos do silicato de cálcio e do N no controle preventivo da reinfecção viral e pseudoperfilhamento do alho convencional e alho livre de vírus, visando aumentar a eficiência no uso da água, o aproveitamento do nitrogênio e conseqüentemente a produtividade, através de avaliações fitopatológicas e fitotecnicas da cultivar Roxo Pérola de Caçador, vernalizada por 45 dias a 4°C. O trabalho foi conduzido durante os anos agrícolas de 2009 e 2010 na Fazenda Experimental São Manuel, pertencente à Faculdade de Ciências Agronômicas (FCA), Campus de Botucatu - Unesp (latitude 22o45' S, longitude 48o34' W, altitude de 750m). O delineamento experimental utilizado foi o de blocos ao acaso, em esquema fatorial de 4 x 4 x 2 com quatro repetições. Os tratamentos foram constituídos por quatro doses de nitrogênio, (0, 50, 100 e 200 kg ha-1); quatro doses de silicato de cálcio, (0, 2, 4 e 6 Mg ha-1) e dois tipos de alho, convencional e livre de vírus. As parcelas foram de 1,20 x 2,0 m. Observou-se que o pH não variou em função das doses de silicato de cálcio, variando apenas o teor de silício e conseqüentemente o teor de Ca, em 2009 e 2010. O índice SPAD de alho livre de vírus é superior ao alho convencional. A assimilação liquida de CO2 (A) de alho livre de vírus é superior a do alho convencional. A relação Si:Ca encontrada na massa seca de alho é em média de 0,45, sendo portanto, classificado como planta não acumuladora de Si. O teor de Si de 0,85% na massa seca, não impede a reinfecção viral em alho livre de vírus. A produtividade de alho convencional apresenta resposta variável em função do nitrogênio. A produtividade de alho livre de vírus é influenciada pela interação ilicato de cálcio x N, atingindo a máxima produtividade de 18 Mg ha-1 / The objectives of this research were to evaluate the effects of calcium silicate and N in the preventive control of viral reinfection and the lateral bud growth in conventional garlic and virus-free garlic, aiming at increasing the efficiency of water use, making a good use of nitrogen and consequently increasing the productivity, through the phytopathological and phytotechnical evaluations of the cultivar Roxo Pérola de Caçador, vernalized for 45 days at 4 °C. The task was held during the two agricultural years of 2009 and 2010 in the Experimental Farm in São Manuel, belonging to the School of Agronomical Sciences, São Paulo State University (UNESP), Botucatu Municipality, São Paulo State, Brazil at latitude 22o45” S, longitude 48o34” W, altitude 750m. The experimental design was randomized blocks in factorial scheme 4 x 4 x 2 with four replications. The treatments consisted of four doses of nitrogen (0, 50, 100 and 200 kg ha-1), four doses of calcium silicate, (0, 2, 4 and 6 Mg ha-1) and two types of garlic, conventional garlic and virus-free garlic. The plots were of 1.20m x 2.0 m. It was observed that the pH did not vary with the doses of calcium silicate, only varying the silicon content and therefore the content of Ca in 2009 and 2010. The SPAD index of virus-free garlic is superior to conventional garlic. The CO2 assimilation net (A) of the virusfree garlic is superior to conventional garlic. The Si:Ca ratio in the dry mass of garlic is an average of 0.45 being, therefore classified as a not Si accumulating plant. The Si content of 0.85% in dry weight, does not prevent viral reinfection in virus-free garlic. The productivity of conventional garlic has a variable response depending on the nitrogen. Productivity of free virus garlic is influenced by the interaction of calcium silicate x N, reaching the maximum yield of 18 Mg ha-1
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