Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Ciências Exatas, Departamento de Matemática, 2011. / Submitted by Albânia Cézar de Melo (albania@bce.unb.br) on 2011-05-17T14:26:25Z No. of bitstreams: 1 2011_HudsonPinaOliveira.pdf: 515108 bytes, checksum: 4288511cf42f3df2bb9973a4ec166f1a (MD5) / Approved for entry into archive by Elna Araújo(elna@bce.unb.br) on 2011-05-17T20:05:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2011_HudsonPinaOliveira.pdf: 515108 bytes, checksum: 4288511cf42f3df2bb9973a4ec166f1a (MD5) / Made available in DSpace on 2011-05-17T20:05:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2011_HudsonPinaOliveira.pdf: 515108 bytes, checksum: 4288511cf42f3df2bb9973a4ec166f1a (MD5) / Neste trabalho apresentamos uma representação tipo Weierstrass para superfícies máximas no espaço de Lorentz -Minkowski Ln . Baseado no trabalho de Asperti e Vilhena [5], consideramos esta representação para o caso n = 4 e resolvemos o Problema de Björling em L 4. Introduzimos vários exemplos com propriedades geométricas interessantes. Baseado em [12] estudamos o problema de Calabi-Bernstein e encontramos condições para que uma superfície máxima completa em Ln, n > 4, seja uma plano. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT / In this work we present a Weierstrass type representation for maximal surfaces in Lorentz-Minkowski space Ln. Based on work by Asperti and Vilhena [5] we consider this representation for the case n = 4 and solved the Bj orling problem in L4. We introduce several examples with interesting geometric properties. Based on [12] we studied the of Calabi-Bernstein problem and nd conditions for a maximum surfaces complete in Ln; n > 4, is a plan.

Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Instituto de Ciências Exatas, Departamento de Matemática, 2010. / Submitted by Elna Araújo (elna@bce.unb.br) on 2011-05-26T18:56:02Z No. of bitstreams: 1 2010_MarceloLopesFerro.pdf: 554275 bytes, checksum: ce8963b4d52118811edf1ae291557baa (MD5) / Approved for entry into archive by Patrícia Nunes da Silva(patricia@bce.unb.br) on 2011-06-03T20:20:10Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2010_MarceloLopesFerro.pdf: 554275 bytes, checksum: ce8963b4d52118811edf1ae291557baa (MD5) / Made available in DSpace on 2011-06-03T20:20:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2010_MarceloLopesFerro.pdf: 554275 bytes, checksum: ce8963b4d52118811edf1ae291557baa (MD5) / Estudamos hipersuperfícies de Dupin em R6 parametrizadas por linhas de curvaturas com cinco curvaturas principais distintas, satisfazendo condições genéricas sobre os invariantes de Laplace. A curvatura de Lie dessas hipersuperfícies não e constante. Caracterizamos localmente uma classe de tais hipersuperfícies em termos das curvaturas principais e da métrica, definidas por funções de uma variável. Ilustramos a teoria com exemplos. _________________________________________________________________________________ ABSTRACT / We study Dupin hypersurfaces in R6 parametrized by lines of curvature, with five distinct principal curvature, satisfying generic conditions on the Laplace invariants. The Lie curvature of theses hypersurfaces is not constant. We characterize locally a class of such hipersurfaces in terms of the principal curvatures and the metric, defined by functions of one variable. We illustrate the theory with examples.

Apresentamos uma prova elementar dos teoremas de De Rham e de Hodge. Como aplicação, provamos que a dimensão do espaço das formas diferenciais de 1ª espécie, numa superfície de Riemann compacta, éo genus da superfície. / An elementary proof of thc theorems of De Rham and Hodge is presented. As an application, we also prove that the dimension of the space of the first kind differential fonns, on a compact Riemann surface, is the genus of the surface.

Orientador: Ross Alan Douglas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:05:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Peterlevitz_AlfredoCarlos_D.pdf: 6661795 bytes, checksum: 4b325153413753e2b350a88873ff7527 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: V.S. Sundaram / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T18:45:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cunha_SidneyPintoda_M.pdf: 1114169 bytes, checksum: 82e205dd6dfc2ef09128635ad55c98d9 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Espectroscopia Auger (AES), dessorção térmica programada (TDS) e espectroscopia de massa (MS) foram utilizadas para se estudar o comportamento da quimissorção do monóxido de carbono (CO) em Pd, Pd-P, Pd-S e Pd-Cu e também a oxidação de CO sobre Pd-Cu. As amostras Pd com fósforo na superfície e Pd com enxofre na superfície foram obtidas provocando-se a segregação de fósforo e enxofre através do aquecimento das amostras de Pd em vácuo. Em seguida estudou-se o comportamento da quimissorção do CO nestas amostras, observando-se variações no calor de quimissorção entre 30.0 e 35.0 Kcal/mol, em função da cobertura de CO, para as amostras de Pd, Pd-S, Pd-Cu. Enquanto que para Pd-P, o calor de quimissorção foi de 28.5 Kcal/mol e independente da cobertura de CO. A amostra Pd-Cu foi estudada também em relação a oxidação de monóxido de carbono, mostrando maior atividade catalítica para esta reação, comparado ao Pd / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Problemas ambientais têm estimulado a pesquisa e o desenvolvimento da indústria de tratamento de superfícies. Revestimentos de conversão a base de cromo(VI) estão sendo banidos devido a sua toxicidade e os revestimentos a base de silanos são uma alternativa. Os silanos podem formar um filme reticulado sobre a superfície metálica por um processo sol-gel atuando como barreira à penetração do eletrólito. A incorporação de inibidores de corrosão ao filme a base de silano, como por exemplo, compostos de cério, podem melhorar o seu desempenho. No entanto, poucos estudos avaliam a estabilidade desse inibidor na solução precursora. Este estudo foi dividido em duas etapas. Na primeira etapa foi avaliada a estabilidade do inibidor na solução precursora para diferentes pH em função das propriedades dos filmes. Na segunda etapa deste trabalho, foram estudadas duas influências do tempo: o envelhecimento da solução precursora e o envelhecimento do revestimento sobre a peça. O desempenho foi comparado com revestimentos de conversão a base de Cr(VI) e Cr(III). Para o trabalho foram utilizados painéis de aço galvanizado revestidos com o silano bis-1,2-(trietoxisilil)etano (BTSE) com adição do inibidor nitrato de cério(III) a partir de uma solução com 4% silano/ 48% água/ 48% álcool etílico. Os filmes foram caracterizados por polarização potenciodinâmica, espectroscopia de impedância eletroquímica e ensaios de corrosão acelerada em câmara úmida. Os resultados da avaliação do pH da solução precursora demonstraram que este parâmetro influencia as propriedades do filme formado pois afeta a taxa de hidrólise do silano e também a estabilidade do inibidor nitrato de cério. Com os resultados da influência do tempo, pode-se concluir que o envelhecimento da solução leva à formação de revestimentos com propriedades inferiores. Os resultados de envelhecimento do revestimento sobre a peça indicam que o revestimento a base de silano tem menor influência negativa do tempo de estocagem em ambiente de baixa umidade que os revestimentos cromatizados (VI) e (III). No entanto, o tempo de contato com o eletrólito aquoso tem maior influência negativa no revestimento a base de silano. / Some new researches in surface treatment industry are driven by environmental problems. Chromate conversion coatings based in chromium(VI) are being banished because of its toxicology and many studies indicate silane coatings as alternatives. Silane coatings can form a crosslinked film over the metal surface by sol-gel process acting as a barrier for electrolyte penetration. The incorporation of corrosion inhibitors into the silane film, such as cerium compounds, can improve silane coatings performance. However, few studies evaluate the stability of this inhibitor in the precursor solution. This study was divided into two parts. In the first part, the stability of the inhibitor in the precursor solution for different pH was evaluated through the properties of the films obtained. In the second part of this work, two influences of the time were studied: the aging of the precursor solution and the aging of the coating. The silane coatings performance was compared to chromate conversion coatings based in Cr(VI) and Cr(III). Galvanized steel sheets coated with bis-1,2-(triethoxysilyl)ethane (BTSE) doped with cerium nitrate(III) inhibitor using a solution of 4% silane/ 48% water/ 48% ethyl alcohol were used. The films were characterized by potentiodynamic polarization, electrochemical impedance spectroscopy and corrosion accelerated tests as wet chamber. The results of the study of the precursor solution pH showed that this parameter influences the properties of the silane film formed as it affects the rate of hydrolysis of the silane and also the stability of the cerium nitrate inhibitor. The results of the influence of time indicated that the solution aging leads to the formation of coatings with lower anticorrosion properties. The results of the coating aging indicated that the silane coating is less negatively affected by storage time at low humidity environment than the chromate coatings (VI) and (III). However, the time of immersion in aqueous electrolyte has higher negative influence on the silane coating.

Orientadores: Richard Landers, Abner de Siervo / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-24T07:30:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Carazzolle_MarceloFalsarella_D.pdf: 4221752 bytes, checksum: 6156780985399992bdd317898895589e (MD5) Previous issue date: 2014 / Resumo: O descobrimento de novos materiais com alta constante dielétrica e compatível com o atual processo de fabricação de dispositivos CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) tem sido uma grande barreira tecnológica que está impedindo as indústrias de semicondutores a manter o contínuo aumento de desempenho desses dispositivos. O principal limitante da atual tecnologia está sendo os efeitos indesejáveis de corrente de fuga através do dielétrico que ocorrem devido à contínua miniaturização dos transistores. Além de esse novo material possuir uma alta constante dielétrica também é fundamental que ele tenha uma estabilidade térmica sobre a superfície de Si ou Ge, uma vez que o processo de fabricação desses CMOS requererem tratamentos térmicos necessários para ativação dos dopantes que chegam a temperaturas da ordem de 900 oC para Si e 400 oC. O HfO2 é um excelente candidato devido a sua alta constante dielétrica mas tem apresentado problemas de estabilidade térmica sobre as superfícies de Si e Ge pois forma uma liga metálica de siliceto de háfnio em contato com o Si ou óxido de germânio em contato com o Ge. Essa tese descreve e discute os resultados de estudos sistemáticos de estabilidade térmica de filmes ultrafinos de HfO2 crescidos sobre as superfícies de Si3N4/Si nas direções cristalográficas (100) e (111) e variando as espessuras do filme de nitreto de silicio, o uso de nitreto de silício foi proposto para formar uma barreira física separando HfO2 do Si. Também foram realizados estudos de estabilidade térmica de filmes ultrafinos de HfO2 crescidos sobre as superfícies de Ge/Si(100) and Ge/Si(111), sendo que nesse caso o Ge foi crescido camada sobre camada usando o Sb como surfactante. As técnicas experimentais de XPS, ARPXS e LEED foram amplamente utilizadas e essenciais para a execução desse trabalho, especialmente em combinação com a fonte de radiação síncrotron do LNLS que permitiu a geração de espectros de alta resolução energética. Com os resultados desses trabalhos foi possível identificar uma espessura mínima do filme de Si3N4 de forma a possibilitar o seu uso como uma camada intermediária mantendo o sistema termicamente estável até 950 oC. As análises dos resultados de Ge também identificaram uma configuração termicamente estável, em especial o sistema HfO2/Ge/Si(111) não apresentou a formação da liga GeO2 durante o tratamento térmico, resultados estes atribuídos ao aumento na energia de formação do GeO2 causado pela diferença de empacotamento na direção (111) em relação a (100) / Abstract: The development of alternative high-k gate dielectrics for future complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices is indispensable in achieving both low leakage current and small equivalent oxide thickness. The thermal stability of these dielectrics on Si or Ge is a crucial issue to integrate them into CMOS, because standard device fabrication requires high temperature annealing, i.e. a dopant activation process (> 900 oC for Si and > 400 oC for Ge). HfO2 is one of the best candidates because of its high dielectric constant and high conduction band offset. On the other hand the formation of metallic Hf-silicide or GeO2 during the annealing process for activation is one of the most serious problems for Si-CMOS or Ge-CMOS, respectively. This thesis reports the results of a systematic study on the thermal stability of the HfO2 ultrathin films grown on Si3N4/Si, (100) and (111) surfaces, for different silicon nitride film thickness deposited by low energy nitrogen ion implantation technique. Also the thermal stability of HfO2 ultrathin films grown on Ge/Si(100) and Ge/Si(111) surfaces were studied as a function of annealing temperature. From these studies it was possible (1) to determine the minimum thickness of Si3N4 buffer layer to stabilize the HfO2 film up to 950 oC on top of the silicon surfaces and (2) to avoid the formation of GeO2 interlayer in the HfO2/Ge/Si(111) system probably because the crystallographic orientation of Si surface / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Sandra G. Carnicero de Castro / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:26:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nascente_PedroAugustodePaula_D.pdf: 1523331 bytes, checksum: 798fb1f42eac354c548c39032971fdfc (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Monocamadas de oxigênio coadsorvido com acetileno e etileno em uma superfície de Pd(111) foram estudadas por Espectroscopia de Alta Resolução por Perdas Energéticas de Elétrons ( "High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy" -HREELS) e Difração de Elétrons de Baixa Energia ("Low Energy Electron Diffraction" -LEED) a temperaturas de 150 a 320 K. nbsp; A adsorsão de ambos C2H2 e C2H4 a baixa temperatura resultou em moléculas quimissorvidas não dissociativamente e a pré-adsorsão de oxigênio não modificou os resultados de LEED e HREELS. À temperatura ambiente ambos C2H2 e C2H4 formaram etilidino (C2H3), que se ordena fracamente na estrutura (Ö3xÖ3)R 30°. Descobri que a pré-adsorção de oxigênio induziu melhor ordenamento do C2H3 formado a partir da exposição de acetileno, mas não do C2H3 derivado da adsorsão de etileno. A sobrecamada de O + C2H3 sobre Pd(111) é o primeiro caso observado de ordenamento de um adsorvido orgânico induzido pela coadsorsão de oxigênio. É proposto que o oxigênio pré-adsorvido ajudou no ordenamento da sobrecamada de C2H3 por meio de: (a) remoção eficiente do hidrogênio superficial e (b) interação atrativa com C2H3 resultando em ordenamento induzido de coadsorvidos / Abstract: Overlayers of oxygen coadsorbed with acetylene and ethylene on a Pd(111) surface have been studied by High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy (HREELS) and Low Energy Electron Diffraction (LEED) in the temperature range of 150 to 320 K. Low temperature adsorption of both C2H2 and C2H4 resulted in non-dissociatively chemisorbed molecules, and the pre-adsorption of oxygen did not change the LEED and HREELS data. At room temperature both C2H2 and C2H4 formed ethylidyne (C2H3), which poorly ordered in a(Ö3xÖ3)R 30° structure. It was found that pre-adsorption of oxygen induced better ordering for C2H3 formed from acetylene exposure, but not for C2H3 derived from ethylene adsorption. The O + C2H3 overlayer on Pd(111) is the first observed case of oxygen induced ordering of an organic adsorbate. It is proposed that pre-adsorbed oxygen helped the ordering of the C2H3 overlayer by (a) efficiently removing surface hydrogen and (b) attractively interacting with C2H3 to yield coadsorbate induced ordering / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T04:49:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Medeiros_Djalma_M.pdf: 1661496 bytes, checksum: 6a9cc35b457e29d477041a0fa443ec82 (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: A estrutura eletrônica da superfície Si(111) , com e sem quimissorção de hidrogênio, tem sido calculada usando o método de renormalização. Uma comparação dos resultados com aqueles obtidos de experiências e de outros cálculos indicam que o presente método é bastante conveniente para calcular a estrutura eletrônica de superfícies / Abstract: The electronic structure of the Si(111) surface with and without chemisorption of hydrogen, has been calculated throuth the renormalization method. A comparison of the results with those obtained from experiments and fr9mothercalculations indicates that the present method is quite convenient for the calculation of electronic structures of surfaces / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Roberto de Alencar Lotufo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T07:53:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CesarJunior_RobertoMarcondes_M.pdf: 8148204 bytes, checksum: 2dda0efbac8d22e1f4fed4a68092311c (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Este trabalho apresenta os principais aspectos sobre uma abordagem de reconstrução tridimensional (3D) de objetos por ajuste de superfícies paramétricas. A reconstrução 3D se insere como um tópico da visualização volumétrica. o processo de reconstrução 3D por pode ser dividido em 3 etapas gerais: segmentação de contornos; casamento de segmentos entre contornos; e interpolação ou aproximação da superfície paramétrica. Cada uma dessas etapas é apresentada e discutida. São apresentados os detalhes do desenvolvimento e implementação de um método de reconstrução 3D por superfícies de Coons. A etapa de segmentação e representação de contornos é feita com auxíliode curvas B-Spline. Para a descrição dos segmentos, foi criado um descritor que é calculado a partir do polígono de controle de cada segmento. O casamento de segmentos é feito por um método baseado no algoritmo de busca em grafos conhecido como A*. O ajuste de superfícies é feito por "patches" de Coons. Esta dissertação contribui em 3 aspectos principais: melhoria do método de segmentação de contornos proposto por Medioni, criação de um descritor para segmentos de B-Spline e desenvolvimento de um método de casamento de segmentos que se baseia no algoritmo A* de busca em grafos. São apresentados os resultados utilizando imagens sintéticas e experimentais, obtidas por digitalização por "scanner" e por um processo de tomografia Computadorizada de raio-x / Abstract: An approach to three-dimensional (3D) reconstruction of objects by parametric surfaces, a topic from volume visualization, is described. The parametric surface 3D reconstruction can be divided in three steps : contour segmentation; segment matching; and parametric surface formation. These steps are presented and discussed. A method for 3D reconstruction by Coons surfaces is developed and presented. B-Splines are used for contour segmentation and representation. The guiding-polygon is used for contour description. Segment matching is achieved by an algorithm based on the A* graph search method. Surface formation is performed by Coons's blending. This thesis contributes in 3 main aspects: improvement of the contours segmentation method proposed by Medioni, definition of a B-Spline segment descriptor, and developement of a segment matching method, based on the A* graph search method. Some results from both synthetic and experimental images are presented. / Mestrado / Automação / Mestre em Engenharia Elétrica