Este trabalho apresenta um método para prevenir as vulnerabilidades causadas por erros de programação insegura que, normalmente, é resultado da solução de um problema proposto ou do desenvolvimento de funcionalidade sem levar em consideração a segurança do sistema como um todo. Os erros de programação (no contexto da segurança de um sistema e não apenas da sua funcionalidade) são normalmente frutos da ignorância do programador sobre as vulnerabilidades apresentadas pelas suas ferramentas para construção de programas. O estado da arte é brevemente apresentado demonstrando as soluções atuais em termos de proteção contra ataques de buffer overflow baseado em pilha. Soluções em tempo de compilação e pós-compilação por parte do sistema operacional são as mais comuns. Neste escopo é demonstrada a solução proposta por um protótipo funcional que valida o modelo para uma série de aplicações em duas plataformas diferentes (Windows e Linux). A solução converge a instrumentação de aplicações com o uso de um repositório de endereços de retorno para prevenir o retorno de funções a endereços não legalmente especificados. Testes do protótipo foram realizados em ambas as plataformas e mostraram a eficácia do protótipo prevenindo falhas em casos reais de buffer overflow baseado em pilha. / This paper presents a method to prevent the vulnerabilities caused by insecure programming which, usually, is an outcome of taking into account only the solution of a proposed problem or the development of new functionalities disregarding security on development of the system as a whole. The programming mistakes (in the context of the system security despite the system's functionality) are usually a result of the unawareness of the programmed about the vulnerabilities contained on the tools they use to develop software. The state of the art is briefly presented showing the current solutions related to preventing buffer overflows based on stack. Both compile time and post-compilation solutions (usually as part of the operating system) are the most widely used. In this work the proposed solution is demonstrated by a functional prototype which validates the model for a set of applications in two different platforms (Windows and Linux). The solution converges process instrumentation with a return address repository to prevent a function from returning to an address not legally specified. Testes of the prototype were performed in both platforms previously mentioned and have proved the correctness of the prototype by actually preventing exploitation on real case scenarios of real world applications.

A confiabilidade de algoritmos para detecção de pedestres é um problema fundamental para carros auto dirigíveis ou com auxílio de direção. Métodos que utilizam algoritmos de detecção de objetos como Histograma de Gradientes Orientados (HOG - Histogram of Oriented Gradients) ou Redes Neurais de Convolução (CNN – Convolutional Neural Network) são muito populares em aplicações automotivas. Unidades de Processamento Gráfico (GPU – Graphics Processing Unit) são exploradas para executar detecção de objetos de uma maneira eficiente. Infelizmente, as arquiteturas das atuais GPUs tem se mostrado particularmente vulneráveis a erros induzidos por radiação. Este trabalho apresenta uma validação e um estudo analítico sobre a confiabilidade de duas classes de algoritmos de detecção de objetos, HOG e CNN. Esta pesquisa almeja não somente quantificar, mas também qualificar os erros produzidos por radiação em aplicações de detecção de objetos em GPUs embarcadas. Os resultados experimentais com HOG foram obtidos usando duas arquiteturas de GPU embarcadas diferentes (Tegra e AMD APU), cada uma foi exposta por aproximadamente 100 horas em um feixe de nêutrons em Los Alamos National Lab (LANL). As métricas Precision e Recall foram usadas para validar a criticalidade do erro. Uma análise final mostrou que por um lado HOG é intrinsecamente resiliente a falhas (65% a 85% dos erros na saída tiveram um pequeno impacto na detecção), do outro lado alguns erros críticos aconteceram, tais que poderiam resultar em pedestres não detectados ou paradas desnecessárias do veículo. Este trabalho também avaliou a confiabilidade de duas Redes Neurais de Convolução para detecção de Objetos:Darknet e Faster RCNN. Três arquiteturas diferentes de GPUs foram expostas em um feixe de nêutrons controlado (Kepler, Maxwell, e Pascal), com as redes detectando objetos em dois data sets, Caltech e Visual Object Classes. Através da análise das saídas corrompidas das redes neurais, foi possível distinguir entre erros toleráveis e erros críticos, ou seja, erros que poderiam impactar na detecção de objetos. Adicionalmente, extensivas injeções de falhas no nível da aplicação (GDB) e em nível arquitetural (SASSIFI) foram feitas, para identificar partes críticas do código para o HOG e as CNNs. Os resultados mostraram que não são todos os estágios da detecção de objetos que são críticos para a confiabilidade da detecção final. Graças a injeção de falhas foi possível identificar partes do HOG e da Darknet, que se protegidas, irão com uma maior probabilidade aumentar a sua confiabilidade, sem adicionar um overhead desnecessário. A estratégia de tolerância a falhas proposta para o HOG foi capaz de detectar até 70% dos erros com 12% de overhead de tempo. / Pedestrian detection reliability is a fundamental problem for autonomous or aided driving. Methods that use object detection algorithms such as Histogram of Oriented Gradients (HOG) or Convolutional Neural Networks (CNN) are today very popular in automotive applications. Embedded Graphics Processing Units (GPUs) are exploited to make object detection in a very efficient manner. Unfortunately, GPUs architecture has been shown to be particularly vulnerable to radiation-induced failures. This work presents an experimental evaluation and analytical study of the reliability of two types of object detection algorithms: HOG and CNNs. This research aim is not just to quantify but also to qualify the radiation-induced errors on object detection applications executed in embedded GPUs. HOG experimental results were obtained using two different architectures of embedded GPUs (Tegra and AMD APU), each exposed for about 100 hours to a controlled neutron beam at Los Alamos National Lab (LANL). Precision and Recall metrics are considered to evaluate the error criticality. The reported analysis shows that, while being intrinsically resilient (65% to 85% of output errors only slightly impact detection), HOG experienced some particularly critical errors that could result in undetected pedestrians or unnecessary vehicle stops. This works also evaluates the reliability of two Convolutional Neural Networks for object detection: You Only Look Once (YOLO) and Faster RCNN. Three different GPU architectures were exposed to controlled neutron beams (Kepler, Maxwell, and Pascal) detecting objects in both Caltech and Visual Object Classes data sets. By analyzing the neural network corrupted output, it is possible to distinguish between tolerable errors and critical errors, i.e., errors that could impact detection. Additionally, extensive GDB-level and architectural-level fault-injection campaigns were performed to identify HOG and YOLO critical procedures. Results show that not all stages of object detection algorithms are critical to the final classification reliability. Thanks to the fault injection analysis it is possible to identify HOG and Darknet portions that, if hardened, are more likely to increase reliability without introducing unnecessary overhead. The proposed HOG hardening strategy is able to detect up to 70% of errors with a 12% execution time overhead.

The interaction of radiation with integrated circuits can provoke transient faults due to the deposit of charge in sensitive nodes of transistors. Because of the decrease the size in the process technology, charge sharing between transistors placed close to each other has been more and more observed. This phenomenon can lead to multiple transient faults. Therefore, it is important to analyze the effect of multiple transient faults in integrated circuits and investigate mitigation techniques able to cope with multiple faults. This work investigates the effect known as single-event-induced charge sharing in integrated circuits. Two main techniques are analyzed to cope with this effect. First, a placement constraint methodology is proposed. This technique uses placement constraints in standard cell based circuits. The objective is to achieve a layout for which the Soft-Error Rate (SER) due charge shared at adjacent cell is reduced. A set of fault injection was performed and the results show that the SER can be minimized due to single-event-induced charge sharing in according to the layout structure. Results show that by using placement constraint, it is possible to reduce the error rate from 12.85% to 10.63% due double faults. Second, Triple Modular Redundancy (TMR) schemes with different levels of granularities limited by majority voters are analyzed under multiple faults. The TMR versions are implemented using a standard design flow based on a traditional commercial standard cell library. An extensive fault injection campaign is then performed in order to verify the softerror rate due to single-event-induced charge sharing in multiple nodes. Results show that the proposed methodology becomes crucial to find the best trade-off in area, performance and soft-error rate when TMR designs are considered under multiple upsets. Results have been evaluated in a case-study circuit Advanced Encryption Standard (AES), synthesized to 90nm Application Specific Integrated Circuit (ASIC) library, and they show that combining the two techniques, the error rate resulted from multiple faults can be minimized or masked. By using TMR with different granularities and placement constraint methodology, it is possible to reduce the error rate from 11.06% to 0.00% for double faults. A detailed study of triple, four and five multiple faults combining both techniques are also described. We also tested the TMR with different granularities in SRAM-based FPGA platform. Results show that the versions with a fine grain scheme (FGTMR) were more effectiveness in masking multiple faults, similarly to results observed in the ASICs. In summary, the main contribution of this master thesis is the investigation of charge sharing effects in ASICs and the use of a combination of techniques based on TMR redundancy and placement to improve the tolerance under multiple faults.

O recente avanço tecnológico dos processadores embarcados aumentou a complexidade dos compiladores e o uso de recursos heterogêneos, como Arranjo de Portas Programáveis em Campo (Field Programmable Gate Array - FPGA) e Unidade de Processamento Gráfico (Graphics Processing Unit - GPU), integrado aos processadores. Além disso, aumentou-se o uso de componentes de prateleira (Commercial off-the-shelf - COTS) em aplicações críticas, ao invés de chips tolerantes a radiação, pois os COTS podem ser mais baratos, flexíveis, terem uma rápida colocação no mercado e um menor consumo de energia. No entanto, mesmo com essas vantagens, os COTS são suscetíveis a falha sendo necessário garantir uma alta confiabilidade nos sistemas utilizados. Assim como, no caso de aplicações em tempo real, também se precisa respeitar os requisitos determinísticos. Como caso de estudo, este trabalho utiliza a Zynq que é um dispositivo COTS do tipo Sistema em Chip Totalmente Programável (All Programmable System on Chip - APSoC) no qual possui um processador ARM Cortex-A9 embarcado. Nesta pesquisa, investigou-se o impacto das falhas que afetam o arquivo de registradores na confiabilidade dos processadores embarcados. Para tanto, experimentos de injeção de falhas e de radiação de íons pesados foram realizados. Além do mais, avaliou-se como os diferentes níveis de otimização do compilador modificam o uso e a probabilidade de falha do arquivo de registradores do processador. Selecionou-se seis benchmarks representativos, cada um compilado com três níveis diferentes de otimização. Realizamos campanhas exaustivas de injeção de falhas para medir o Fator de Vulnerabilidade Arquitetural (Architectural Vulnerability Factor - AVF) de cada código e configuração, identificando os registradores que são mais propensos a gerar uma corrupção de dados silenciosos (Silent Data Corruption - SDC) ou uma interrupção funcional de evento único (Single Event Functional Interruption - SEFI). Também foram correlacionadas as variações de confiabilidade observadas com a utilização do arquivo de registradores. Finalmente, irradiamos com íons pesados dois dos benchmarks selecionados compilados com dois níveis de otimização. Os resultados mostram que mesmo com o melhor desempenho, o menor uso do arquivo de registradores ou o menor AVF não é garantido que as aplicações irão alcançar a maior Carga de Trabalho Média Entre Falhas (Mean Workload Between Failure - MWBF). Por exemplo, os resultados mostram que o melhor desempenho da aplicação Multiplicação de Matrizes (Matrix Multiplication - MxM) é alcançado no nível de otimização mais alta. No entanto, nos resultados dos experimentos de injeção de falhas, a maior confiabilidade é alcançada no menor nível de otimização que possuem os menores AVFs e o menor uso do arquivo de registradores. Os resultados também mostram que o impacto das otimizações está fortemente relacionado com o algoritmo executado e como o compilador faz esta otimização. / The recent advances in the embedded processors increase the compilers complexity, and the usage of heterogeneous resources such as Field Programmable Gate Array (FPGA) and Graphics Processing Unit (GPU) integrated with the processors. Additionally, the increase in the usage of Commercial off-the-shelf (COTS) instead of radiation hardened chips in safety critical applications occurs because the COTS can be more flexible, inexpensive, have a fast time-to market and a lower power consumption. However, even with these advantages, it is still necessary to guarantee a high reliability in a system that uses a COTS for safety critical applications because they are susceptible to failures. Additionally, in the case of real time applications, the time requirements also need to be respected. As a case of study, this work uses the Zynq which is a COTS device classified as an All Programmable System-on-Chip (APSOC) and has an ARM Cortex-A9 as the embedded processor. In this research, the impact of faults that affect the register file in the embedded processors reliability was investigated. For that, fault-injection and heavy-ion radiation experiments were performed. Moreover, an evaluation of how the different levels of compiler optimization modify the usage and the failure probability of a processor register file. A set of six representative benchmarks, each one compiled with three different levels of compiler optimization. Exhaustive fault injection campaigns were performed to measure the registers Architectural Vulnerability Factor (AVF) of each code and configuration, identifying the registers that are more likely to generate Silent Data Corruption (SDC) or Single Event Functional Interruption (SEFI). Moreover, the observed reliability variations with register file utilization were correlated. Finally, two of the selected benchmarks, each one compiled with two different levels of optimization were irradiated in the heavy ions experiments. The results show that the best performance, the minor register file usage, or the lowest AVF does not always bring the highest Mean Workload Between Failures (MWBF). As an example, in the Matrix Multiplication (MxM) application, the best performance is achieved in the highest compiler optimization. However, in the fault injection, the higher reliability is obtained in the lower compiler optimization which has, the lower AVFs and the lower register file usage. Results also show that the impact of optimizations is strongly related to the executed algorithm and how the compiler optimizes them.

A diminuição agressiva dos transistores, a qual levou a reduções na tensão de operação, vem proporcionando enormes benefícios em termos de poder computacional, mantendo o consumo de energia em um nível aceitável. No entanto, à medida que o tamanho dos recursos e a tensão diminuem, a susceptibilidade a falhas tende a aumentar e a importância das avaliações com falhas cresce. Os processadores superescalares, que hoje dominam o mercado, são um exemplo significativo de sistemas que se beneficiam destas melhorias tecnológicas e são mais suscetíveis a erros. Juntamente com isso, existem vários métodos para injeção de falhas, que é um meio eficiente para avaliar a resiliência desses processadores. No entanto, os métodos tradicionais de injeção de falhas, como a técnica baseada em hardware, impõem que o processador seja implementado fisicamente antes que os testes possam ser conduzidos, sem fornecer níveis razoáveis de controlabilidade. Por outro lado, as técnicas baseadas em simuladores implementados em software oferecem altos níveis de controlabilidade. No entanto, enquanto os simuladores em SW de alto nível (que são rápidos) podem levar a uma avaliação incompleta, ou mesmo equivocada, da resiliência do sistema, uma vez que não modelam os componentes internos do hardware (como os registradores do pipeline), simuladores em SW de baixo nível são extremamente lentos e dificilmente estão disponíveis em RTL (Register-Transfer Level). Considerando este cenário, propomos uma plataforma que preenche a lacuna entre as abordagens em HW e SW para avaliar falhas em processadores superescalares: é rápida, tem alta controlabilidade, disponível em software, flexível e, o mais importante, modela o processador em RTL. A ferramenta foi implementada sobre a plataforma usada para gerar o processador superescalar The Berkeley Out-of-Order Machine (BOOM), que é um processador altamente escalável e parametrizável. Esta propriedade nos permitiu experimentar três arquiteturas diferentes do processador: single-, dual- e quad-issue, e, ao analisar como a resiliência a falhas é influenciada pela complexidade de diferentes processadores, usamos os processadores para validar nossa ferramenta.

Os efeitos de radiação têm sido um dos problemas mais sérios em aplicações militares e espaciais. Mas eles também são uma preocupação crescente em tecnologias modernas, mesmo para aplicações comerciais no nível do solo. A proteção dos circuitos integrados contra os efeitos da radiação podem ser obtidos através do uso de processos de fabricação aprimorados e de estratégias em diferentes estágios do projeto do circuito. A técnica de TMR é bem conhecida e amplamente empregada para mascarar falhas únicas sem detectálas. No entanto, o projeto de circuitos TMR não é automatizado por ferramentas EDA comerciais e até mesmo eles podem remover parcial ou totalmente a lógica redundante. Por outro lado, existem várias ferramentas que podem ser usadas para implementar a técnica de TMR em circuitos integrados, embora a maioria delas sejam ferramentas comerciais licenciadas, convenientes apenas para dispositivos específicos, ou com uso restrito por causa do regime ITAR. O presente trabalho pretende superar esses incovenientes, para isso uma metodologia é proposta para automatizar o projeto de circuitos TMR utilizando um fluxo de projeto comercial. A abordagem proposta utiliza um netlist estruturado para implementar automaticamente os circuitos TMR em diferentes níveis de granularidade de redundância para projetos baseados em células e FPGA. A otimização do circuito TMR resultante também é aplicada com base na abordagem do dimensionamento de portas lógicas. Além disso, a verificação do circuito TMR implementado é baseada na verificação de equivalência e garante sua funcionalidade correta e sua capacidade de tolerancia a falhas simples. Experimentos com um circuito derivado de HLS e uma descrição ofuscada do soft-core ARM Cortex-M0 foram realizados para mostrar o uso e as vantagens do fluxo de projeto proposto. Diversas questões relacionadas à remoção da lógica redundante implementada foram encontradas, bem como o impacto no incremento de área causado pelos votadores de maioria. Além disso, a confiabilidade de diferentes implementações de TMR do soft core ARM sintetizado em FPGA foi avaliada usando campanhas de injeção de falhas emuladas. Como resultado, foi reforçado o nível de alta confiabilidade da implemntação com mais fina granularidade, mesmo na presença de até 10 falhas acumuladas, e a menor capacidade de mitigação correspondente à replicação de flip-flops apenas. / Radiation effects have been one of the most serious issues in military and space applications. But they are also an increasing concern in modern technologies, even for commercial applications at the ground level. Protection or hardening of integrated circuits against radiation effects can be obtained through the use of enhanced fabrication processes and strategies at different stages of the circuit design. The triple modular redundancy (TMR) technique is a widely and well-known technique employed to mask single faults without detecting them. However, the design of TMR circuits is not automated by commercial electronic design automation (EDA) tools and even they can remove partially or totally the redundant logic. On the other hand, there are several tools that can be used to implement the TMR technique in integrated circuits, although most of them are licensed commercial tools, convenient only for specific devices, or with restricted use because of the International Traffic in Arms Regulations (ITAR) regimen. The present work intends to overcome these issues so a methodology is proposed to automate the design of TMR circuits using a commercial design flow. The proposed approach uses a structured netlist to implement automatically TMR circuits at different granularity levels of redundancy for cell-based and field-programmable gate array (FPGA) designs. Optimization of the resulting TMR circuit is also applied based on the gate sizing approach. Moreover, verification of the implemented TMR circuit is based on equivalence checking, and guarantee its correct functionality and its fault-tolerant capability against soft errors. Experiments with an high-level synthesis (HLS)-derived circuit and an obfuscated description of the ARM Cortex-M0 soft-core are performed to show the use and the advantages of the proposed design flow. Several issues related to the removal of the implemented redundant logic were found as well as the impact in the increment of area caused by the majority voters. Furthermore, the reliability of different TMR implementations of the ARM soft-core synthesized in FPGA was evaluated using emulated-simulation fault injection campaigns. As a result, it was reinforced the high-reliability level of the finest granularity implementation even in the presence of up to 10 accumulated faults and the poorest mitigation capacity corresponding to the replication of flip-flops solely.

Der aktuelle Stand der Technologie bringt schnellere und kleinere Bausteine für die Herstellung von integrierten Schaltungen mit sich, die während sie effizienter sind auch anfälliger für Strahlung werden. Kleinere Abmessungen der Transistoren, höhere Integrationsdichte, geringere Versorgungsspannungen und höhere Betriebsfrequenzen sind einige der Charakteristika, die energiegeladene Partikel zu einer Herausforderung machen, wenn man integrierte Schaltungen in rauen Umgebungen einsetzt. Diese Art der Partikel hat einen sehr großen Einfluss auf Prozessoren, die in einer solchen Umgebung eingesetzt werden. Sowohl die Ausführung des Programms, welche durch fehlerhafte Sprünge in der Programmsequenz beeinflusst wird, als auch Daten, die in speichernden Elementen wie Programmspeicher, Datenspeicher oder in Registern abgelegt sind, werden verfälscht. Um solche Prozessorsysteme abzusichern, wird in der Literatur Fehlertoleranz empfohlen, welche die Systemperformanz verringert, einen größeren Flächenverbrauch mit sich bringt und das System dennoch nicht komplett schützen kann. Diese Fehlertoleranz kann sowohl durch software- als auch durch hardwarebasierte Ansätze umgesetzt werden. In diesem Zusammenhang schlagen wir eine Kombination aus Hardware- und Software- Lösung vor, welche die Systemperformanz nur sehr wenig beeinflusst und den zusätzlichen Speicheraufwand minimiert. Diese Hybrid-Technologie zielt darauf ab, alle Fehler in einem System zu finden. Fünf solcher Techniken werden beschrieben und erklärt, zwei der vorgestellten Techniken sind bekannte Software-Lösungen, die anderen drei sind neue Hybrid-Lösungen, um alle transienten Effekte von Strahlung in Prozessoren erkennen zu können. Diese unterschiedlichen Ansätze werden anhand ihrer Ausführungszeit, Programm-, Datenspeicher, Flächenvergrößerung und Taktfrequenz analysiert und ausgewertet. Um die Effizienz und die Machbarkeit des vorgeschlagenen Ansatzes verifizieren zu können, werden Fehlerinjektionstests sowohl durch Simulation als auch durch Bestrahlungsexperimente in unterschiedlichen Positionen mit einer Cobalt-60 Quelle durchgeführt. Die Ergebnisse des vorgeschlagenen Ansatzes verbessern den Stand der Technik durch die Bereitstellung einer höheren Fehlererkennungsrate bei sehr geringer negativer Beeinflussung der Performanz und des Speicherverbrauchs. / Os recentes avanços tecnológicos proporcionaram dispositivos menores e mais rápidos para a fabricação de circuitos que, apesar de mais eficientes, se tornaram mais sensíveis aos efeitos de radiação. Menores dimensões de transistores, mais densidade de integração, tensões de alimentação mais baixas e frequências de operação mais altas são algumas das características que tornaram partículas energizadas um problema, quando lidando com sistemas integrados em ambientes severos. Estes tipos de partículas tem uma grande influencia em processadores funcionando em tais ambientes, afetando tanto o fluxo de execução do programa ao causar desvios incorretos, bem como os dados armazenados em elementos de memória, como memórias de dados e programas e registradores. A fim de proteger sistemas processados, técnicas de tolerância a falhas foram propostas na literatura usando propostas baseadas em hardware, software, que diminuem o desempenho do sistema, aumentam a sua área e não são capazes de proteger totalmente o sistema destes efeitos. Neste contexto, propomos a combinação de técnicas baseadas em hardware e software para criar técnicas híbridas orientadas a detectar todas as falhas que afetam o sistema, com baixa degradação de desempenho e aumento de memória. Cinco técnicas são apresentadas e descritas em detalhes, das quais duas são conhecidas técnicas baseadas puramente em software e três são técnicas híbridas novas, para detectar todos os tipos de efeitos transientes causados pela radiação em processadores. As técnicas são avaliadas de acordo com o aumento no tempo de execução, no uso das memórias de dados e programa e de área, e degradação da frequência de operação. Para verificar a eficiência e aplicabilidade das técnicas propostas, campanhas de injeção de falhas são realizadas ao se simular a injeção de falhas e realizar experimentos de irradiação em diferentes localidades com nêutron e fontes de Cobalto-60. Os resultados mostraram que as técnicas propostas aprimoraram o estado da arte ao fornecer altas taxas de detecção de falhas com baixas penalidades em degradação de desempenho e aumento de memória. / Recent technology advances have provided faster and smaller devices for manufacturing circuits that while more efficient have become more sensitive to the effects of radiation. Smaller transistor dimensions, higher density integration, lower voltage supplies and higher operating frequencies are some of the characteristics that make energized particles an issue when dealing with integrated circuits in harsh environments. These types of particles have a major influence in processors working in such environments, affecting both the program’s execution flow by causing incorrect jumps in the program, and the data stored in memory elements, such as data and program memories, and registers. In order to protect processor systems, fault tolerance techniques have been proposed in literature using hardware-based and software-based approaches, which decrease the system’s performance, increase its area, and are not able to fully protect the system against such effects. In this context, we proposed a combination of hardware- and software-based techniques to create hybrid techniques aimed at detecting all the faults affecting the system, at low performance degradation and memory overhead. Five techniques are presented and described in detail, from which two are known software-based only techniques and three are new hybrid techniques, to detect all kinds of transient effects caused by radiation in processors. The techniques are evaluated according to execution time, program and data memories, and area overhead and operating frequency degradation. To verify the effectiveness and the feasibility of the proposed techniques, fault injection campaigns are performed by injecting faults by simulation and performing irradiation experiments in different locations with neutrons and a Cobalt-60 sources. Results have shown that the proposed techniques improve the state-of-the-art by providing high fault detection rates at low penalties on performance degradation and memory overhead.

A Eletromigração (EM) nas interconexões de metal em um chip é um mecanismo crítico de falhas de confiabilidade em tecnologias de escala nanométrica. Os trabalhos na literatura que abordam os efeitos da EM geralmente estão preocupados com estes efeitos nas redes de distribuição de potência e nas interconexões entre as células. Este trabalho aborda o problema da EM em outro aspecto, no interior das células, e aborda especificamente o problema da eletromigração em interconexões de saída, Vdd e Vss dentro de uma célula padrão onde há poucos estudos na literatura que endereçam esse problema. Até onde sabe-se, há apenas dois trabalhos na literatura que falam sobre a EM no interior das células. (DOMAE; UEDA, 2001) encontrou buracos formados pela EM nas interconexões de um inversor CMOS e então propôs algumas ideias para reduzir a corrente nos segmentos de fio onde formaram-se buracos. O outro trabalho, (JAIN; JAIN, 2012), apenas cita que a EM no interior das células padrão deve ser verificada e a frequência segura das células em diferentes pontos de operação deve ser modelada. Nenhum trabalho da literatura analisou e/ou modelou os efeitos da EM nos sinais dentro das células. Desta forma, este é o primeiro trabalho a usar o posicionamento dos pinos para reduzir os efeitos da EM dentro das células. Nós modelamos a eletromigração no interior das células incorporando os efeitos de Joule heating e a divergência da corrente e este modelo é usado para analisar o tempo de vida de grandes circuitos integrados. Um algoritmo eficiente baseado em grafos é desenvolvido para acelerar a caracterização da EM no interior das células através do cálculos dos valores de corrente média e RMS. Os valores de corrente computados por esse algoritmo produzem um erro médio de 0.53% quando comparado com os valores dados por simulações SPICE. Um método para otimizar a posição dos pinos de saída, Vdd e Vss das células e consequentemente otimizar o tempo de vida do circuito usando pequenas modificações no leiaute é proposto. Para otimizar o TTF dos circuitos somente o arquivo LEF é alterado para evitar as posições de pino críticas, o leiaute da célula não é alterado. O tempo de vida do circuito pode ser melhorado em até 62.50% apenas evitando as posições de pino críticas da saída da célula, 78.54% e 89.89% evitando as posições críticas do pino de Vdd e Vss, respectivamente Quando as posições dos pinos de saída, Vdd e Vss são otimizadas juntas, o tempo de vida dos circuitos pode ser melhorado em até 80.95%. Além disso, nós também mostramos o maior e o menor tempo de vida sobre todos as posições candidatas de pinos para um conjunto de células, onde pode ser visto que o tempo de vida de uma célula pode ser melhorado em até 76 pelo posicionamento do pino de saída. Além disso, alguns exemplos são apresentados para explicar porque algumas células possuem uma melhora maior no TTF quando a posição do pino de saída é alterada. Mudanças para otimizar o leiaute das células são sugeridas para melhorar o tempo de vida das células que possuem uma melhora muito pequena no TTF através do posicionamento dos pinos. A nível de circuito, uma análise dos efeitos da EM é apresentada para as diferentes camadas de metal e para diferentes comprimentos de fios para os sinais (nets) que conectam as células. / Electromigration (EM) in on-chip metal interconnects is a critical reliability failure mechanism in nanometer-scale technologies. Usually works in the literature that address EM are concerned with power network EM and cell to cell interconnection EM. This work deals with another aspect of the EM problem, the cell-internal EM. This work specifically addresses the problem of electromigration on signal interconnects and on Vdd and Vss rails within a standard cell. Where there are few studies in the literature addressing this problem. To our best knowledge we just found two works in the literature that talk about the EM within a cell. (DOMAE; UEDA, 2001) found void formed due to electromigration in the interconnection portion in a CMOS inverter and then proposes some ideas to reduce the current through the wire segments where the voids were formed. The second work, (JAIN; JAIN, 2012), just cites that the standard-cell-internal-EM should be checked and the safe frequency of the cells at different operating points must be modeled. No previous work analyzed and/or modeled the EM effects on the signals inside the cells. In this way, our work is the first one to use the pin placement to reduce the EM effects inside of the cells. In this work, cell-internal EM is modeled incorporating Joule heating effects and current divergence and is used to analyze the lifetime of large benchmark circuits. An efficient graph-based algorithm is developed to speed up the characterization of cell-internal EM. This algorithm estimates the currents when the pin position is moved avoiding a new characterization for each pin position, producing an average error of just 0.53% compared to SPICE simulation. A method for optimizing the output, Vdd and Vss pin placement of the cells and consequently to optimize the circuit lifetime using minor layout modifications is proposed. To optimize the TTF of the circuits just the LEF file is changed avoiding the critical pin positions, the cell layout is not changed. The circuit lifetime could be improved up to 62.50% at the same area, delay, and power because changing the pin positions affects very marginally the routing. This lifetime improvement is achieved just avoiding the critical output pin positions of the cells, 78.54% avoiding the critical Vdd pin positions, 89.89% avoiding the critical Vss pin positions and up to 80.95% (from 1 year to 5.25 years) when output, Vdd, and Vss pin positions are all optimized simultaneously. We also show the largest and smallest lifetimes over all pin candidates for a set of cells, where the lifetime of a cell can be improved up to 76 by the output pin placement. Moreover, some examples are presented to explain why some cells have a larger TTF improvement when the output pin position is changed. Cell layout optimization changes are suggested to improve the lifetime of the cells that have a very small TTF improvement by pin placement. At circuit level, we present an analysis of the EM effects on different metal layers and different wire lengths for signal wires (nets) that connect cells.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Biológicas, Programa de Pós-Graduação em Bioquímica, Florianópolis, 2015. / Made available in DSpace on 2016-05-24T17:28:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 338972.pdf: 1198700 bytes, checksum: 838c991ee63d8162b49a080f760c7c8f (MD5) Previous issue date: 2015 / A diabetes melito (DM) é um grupo de doenças crônico-degenerativas caracterizada por distúrbios no metabolismo de carboidratos, proteínas e lipídios resultantes da deficiência na ação e/ou secreção da insulina. A DM vem se tornando um sério e crescente problema de saúde pública nos países desenvolvidos e em desenvolvimento, em razão do aumento de sua prevalência, morbidade e mortalidade. Neste cenário, a pesquisa de novas moléculas com potencial terapêutico para o tratamento da doença é de extrema importância. A modificação molecular tem por objetivo preparar novas moléculas relacionadas quimicamente, de forma a melhorar a atividade farmacológica e minimizar os efeitos adversos de fármacos. Sendo assim, o presente trabalho teve como objetivo caracterizar o efeito e o mecanismo de ação dos compostos 4-[2-(2-fenil-4-oxo-1,3-tiazolidin-3-il)etil]benzeno-1-sulfonamida (FTEBS) e 4-{2-[2-(3,4-diclorofenil)-4-oxo-1,3-tiazolidin-3-il]etil} benzeno-1-sulfonamida (DTEBS) sintetizados pela hibridização da porção estrutural da glibenclamida à porção funcional da pioglitazona associados a diferentes radicais. Tanto FTEBS, quanto DTEBS reduziram significativamente a glicemia de ratos hiperglicêmicos. Além disso, os dois compostos aumentaram significativamente a insulina sérica, bem como a insulina estática em ilhotas isoladas. Adicionalmente, se observou um aumento no conteúdo de glicogênio no músculo sóleo e fígado após o tratamento com FTEBS. Ainda, FTEBS estimulou a captação de glicose em músculo sóleo através de uma via de sinalização semelhante à da insulina, principalmente, estimulando a translocação e síntese proteica do GLUT4. FTEBS se mostrou eficaz no aumento da sensibilidade à insulina em ratos resistentes, além de melhorar o perfil lipídico através da diminuição de triglicerídeos, VLDL e aumentando HDL plasmáticos por efeito per se do composto, e aumentando HDL-coleterol em ratos resistentes. DTEBS estimulou a captação de cálcio em ilhotas pancreáticas isoladas, atuando como um potencial agente secretagogo de insulina. Os dois compostos preveniram a glicação de proteínas in vitro. No entanto, não houve alteração da atividade de enzimas digestivas (dissacaridases) na presença dos compostos (FTEBS e DTEBS).Além disso, FTEBS e DTEBS não alteraram a atividade da LDH. Desta forma, apoiado nos resultados obtidos neste trabalho, é sugerido que os compostos sintéticos FTEBS e DTEBS, aqui estudados, regulem a homeostasia da glicose. Os mecanismos pelo qual FTEBS atua sobre a homeostase glicêmica envolvem a melhora da resistência a insulina através da estimulação da captação de glicose em tecidos periféricos, aumento de secreção de insulina pelas células à pancreática, além de inibição da glicação de proteínas. O mecanismo pelo qual DTEBS atua parece envolver o estímulo da secreção de insulina e inibição da glicação de proteínas. Tanto o FTEBS como o DTEBS têm efeitos semelhantes aos respectivos protótipos, porém em menor dose, o que pode por sua vez melhorar a eficácia terapêutica e diminuir efeitos adversos em longo prazo.<br> / Abstract : The diabetes mellitus (DM) is a group of chronic degenerative diseases characterized by disorders in the metabolism of carbohydrates, proteins and lipids resulting from deficient action and / or secretion of insulin. The DM has become a serious and growing public health problem in developed and developing countries, due to the increase of its prevalence, morbidity and mortality. In this scenario, the search for new molecules with therapeutic potential for the treatment of the disease is of utmost importance. The molecular modification is aimed to prepare new molecules chemically related, to improve the pharmacological activity and minimize the side effects of drugs. Therefore, this study aimed to characterize the effect and mechanism of action of the compounds 4- [2- (4-oxo-2-phenyl-1,3-thiazolidin-3-yl) ethyl] benzene-1-sulfonamide (FTEBS) and 4- {2- [2- (3,4-dichlorophenyl) -4-oxo-1,3-thiazolidin-3-yl] ethyl} benzene-1-sulfonamide (DTEBS) synthesized by the hybridization of the structural portion glibenclamide to functional portion associated with pioglitazone different radicals. Also FTEBS per se increased HDL and HDL-colestherol in the plasma of resistant rats. DTEBS stimulated calcium uptake in isolated pancreatic islets, acting as a potential insulin secretagogue agent. The two compounds prevented glycation of proteins in vitro. However, in the presence of FTEBS and DTEBS there was no change in the activity of digestive enzymes (disaccharidases). In addition, these coumponds did not alter the LDH activity. Therefore, according to the results obtained in this study, it is suggested that synthetic compounds FTEBS and DTEBS, studied here, regulate glucose homeostasis. The mechanisms by which FTEBS acts on glucose homeostasis involving the increase of pancreatic insulin secretion from à -cells improves insulin resistance by stimulating glucose uptake into peripheral tissues, and inhibits protein glycation. The mechanism by which DTEBS acts appear to be involved in the stimulation of insulin secretion and inhibition of protein glycation. Both FTEBS and DTEBS have similar effects to the respective prototypes, but at a lower dose, which in turn can improvetherapeutic efficacy and decrease adverse effects in the long term.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Biológicas, Programa de Pós-Graduação em Bioquímica, Florianópolis, 2015. / Made available in DSpace on 2016-10-19T12:50:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 338972.pdf: 1198700 bytes, checksum: 838c991ee63d8162b49a080f760c7c8f (MD5) Previous issue date: 2015 / A diabetes melito (DM) é um grupo de doenças crônico-degenerativas caracterizada por distúrbios no metabolismo de carboidratos, proteínas e lipídios resultantes da deficiência na ação e/ou secreção da insulina. A DM vem se tornando um sério e crescente problema de saúde pública nos países desenvolvidos e em desenvolvimento, em razão do aumento de sua prevalência, morbidade e mortalidade. Neste cenário, a pesquisa de novas moléculas com potencial terapêutico para o tratamento da doença é de extrema importância. A modificação molecular tem por objetivo preparar novas moléculas relacionadas quimicamente, de forma a melhorar a atividade farmacológica e minimizar os efeitos adversos de fármacos. Sendo assim, o presente trabalho teve como objetivo caracterizar o efeito e o mecanismo de ação dos compostos 4-[2-(2-fenil-4-oxo-1,3-tiazolidin-3-il)etil]benzeno-1-sulfonamida (FTEBS) e 4-{2-[2-(3,4-diclorofenil)-4-oxo-1,3-tiazolidin-3-il]etil} benzeno-1-sulfonamida (DTEBS) sintetizados pela hibridização da porção estrutural da glibenclamida à porção funcional da pioglitazona associados a diferentes radicais. Tanto FTEBS, quanto DTEBS reduziram significativamente a glicemia de ratos hiperglicêmicos. Além disso, os dois compostos aumentaram significativamente a insulina sérica, bem como a insulina estática em ilhotas isoladas. Adicionalmente, se observou um aumento no conteúdo de glicogênio no músculo sóleo e fígado após o tratamento com FTEBS. Ainda, FTEBS estimulou a captação de glicose em músculo sóleo através de uma via de sinalização semelhante à da insulina, principalmente, estimulando a translocação e síntese proteica do GLUT4. FTEBS se mostrou eficaz no aumento da sensibilidade à insulina em ratos resistentes, além de melhorar o perfil lipídico através da diminuição de triglicerídeos, VLDL e aumentando HDL plasmáticos por efeito per se do composto, e aumentando HDL-coleterol em ratos resistentes. DTEBS estimulou a captação de cálcio em ilhotas pancreáticas isoladas, atuando como um potencial agente secretagogo de insulina. Os dois compostos preveniram a glicação de proteínas in vitro. No entanto, não houve alteração da atividade de enzimas digestivas (dissacaridases) na presença dos compostos (FTEBS e DTEBS).Além disso, FTEBS e DTEBS não alteraram a atividade da LDH. Desta forma, apoiado nos resultados obtidos neste trabalho, é sugerido que os compostos sintéticos FTEBS e DTEBS, aqui estudados, regulem a homeostasia da glicose. Os mecanismos pelo qual FTEBS atua sobre a homeostase glicêmica envolvem a melhora da resistência a insulina através da estimulação da captação de glicose em tecidos periféricos, aumento de secreção de insulina pelas células ß pancreática, além de inibição da glicação de proteínas. O mecanismo pelo qual DTEBS atua parece envolver o estímulo da secreção de insulina e inibição da glicação de proteínas. Tanto o FTEBS como o DTEBS têm efeitos semelhantes aos respectivos protótipos, porém em menor dose, o que pode por sua vez melhorar a eficácia terapêutica e diminuir efeitos adversos em longo prazo.<br> / Abstract : The diabetes mellitus (DM) is a group of chronic degenerative diseases characterized by disorders in the metabolism of carbohydrates, proteins and lipids resulting from deficient action and / or secretion of insulin. The DM has become a serious and growing public health problem in developed and developing countries, due to the increase of its prevalence, morbidity and mortality. In this scenario, the search for new molecules with therapeutic potential for the treatment of the disease is of utmost importance. The molecular modification is aimed to prepare new molecules chemically related, to improve the pharmacological activity and minimize the side effects of drugs. Therefore, this study aimed to characterize the effect and mechanism of action of the compounds 4- [2- (4-oxo-2-phenyl-1,3-thiazolidin-3-yl) ethyl] benzene-1-sulfonamide (FTEBS) and 4- {2- [2- (3,4-dichlorophenyl) -4-oxo-1,3-thiazolidin-3-yl] ethyl} benzene-1-sulfonamide (DTEBS) synthesized by the hybridization of the structural portion glibenclamide to functional portion associated with pioglitazone different radicals. Also FTEBS per se increased HDL and HDL-colestherol in the plasma of resistant rats. DTEBS stimulated calcium uptake in isolated pancreatic islets, acting as a potential insulin secretagogue agent. The two compounds prevented glycation of proteins in vitro. However, in the presence of FTEBS and DTEBS there was no change in the activity of digestive enzymes (disaccharidases). In addition, these coumponds did not alter the LDH activity. Therefore, according to the results obtained in this study, it is suggested that synthetic compounds FTEBS and DTEBS, studied here, regulate glucose homeostasis. The mechanisms by which FTEBS acts on glucose homeostasis involving the increase of pancreatic insulin secretion from ß-cells improves insulin resistance by stimulating glucose uptake into peripheral tissues, and inhibits protein glycation. The mechanism by which DTEBS acts appear to be involved in the stimulation of insulin secretion and inhibition of protein glycation. Both FTEBS and DTEBS have similar effects to the respective prototypes, but at a lower dose, which in turn can improvetherapeutic efficacy and decrease adverse effects in the long term.