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Search results
Showing 1 to 10 of 12 (0.065 seconds)Spelling suggestions: "subject:"unterbrechung"" "subject:"unterbrechungs""
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Beschleunigung und Zäsuren im Fernsehprogramm wann schalten Zuschauer um?Ettenhuber, Andreas January 2009 (has links)
Zugl. überarb. Fassung von: München, Univ., Diss. 2009
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Providing decision support in the operative management of process disruptionsKuster, Jürgen January 2008 (has links)
Zugl.: Klagenfurt, Univ., Diss.
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Das Schicksal schwebender Verfahren des Insolvenzschuldners /Damerius, Oliver. January 2007 (has links)
Universiẗat, Diss., 2006.
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Monetäre und nicht-monetäre Effekte von Erwerbsunterbrechungen : eine mikroökonometrische Analyse auf Basis des SOEP /Kasten, Tanja. January 2008 (has links)
Zugl.: Münster (Westfalen), Universiẗat, Diss., 2008.
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Photoinduced hole trapping in single semiconductor quantum dots at specific sites at silicon oxide interfacesKrasselt, Cornelius, Schuster, Jörg, von Borczyskowski, Christian 23 September 2013 (has links) (PDF)
Blinking dynamics of CdSe/ZnS semiconductor quantum dots (QD) are characterized by (truncated) power law distributions exhibiting a wide dynamic range in probability densities and time scales both for off- and on-times. QDs were immobilized on silicon oxide surfaces with varying grades of hydroxylation and silanol group densities, respectively. While the off-time distributions remain unaffected by changing the surface properties of the silicon oxide, a deviation from the power law dependence is observed in the case of on-times. This deviation can be described by a superimposed single exponential function and depends critically on the local silanol group density. Furthermore, QDs in close proximity to silanol groups exhibit both high average photoluminescence intensities and large on-time fractions. The effect is attributed to an interaction between the QDs and the silanol groups which creates new or deepens already existing hole trap states within the ZnS shell. This interpretation is consistent with the trapping model introduced by Verberk et al. (R. Verberk, A. M. van Oijen and M. Orrit, Phys. Rev. B, 2002, 66, 233202).
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Präsenzbewertung im Kommunikationsraum TelefonieGommlich, Frank 16 January 2020 (has links)
Präsenzbewertung im Kommunikationsraum der Telefonie ist ein zunehmend wichtiges Gebiet der Forschung. Ziel der Dissertation ist es, sich dem natürlichen Kommunikationsraum der verbalen und nonverbalen Kommunikation anzunähern. Im Kommunikationsraum Telefonie existieren noch keine Verfahren, die unterschiedliche Dringlichkeiten von Anrufen wiedergeben. Momentan ist die Signalart ausschließlich davon abhängig, wie der Angerufene sein Mobiltelefon eingestellt hat. In der Arbeit wurde ein Verfahren entwickelt, das unmittelbar vor der Signalisierung eines Anrufes die Signalart abhängig vom Kontext des Angerufenen individuell ermittelt und automatisch einstellt. Dabei werden Algorithmen aus dem Bereich der KI verwendet. Mit Hilfe von Lernalgorithmen werden die Ergebnisse der Präsenzbewertung kontinuierlich verbessert. Im Rahmen eines Experimentes konnten Präzisionen bei sechs verschiedenen Signalarten von bis zu 73 % erreicht werden. Dieses Verfahren ermöglicht eine deutliche Annäherung an den natürlichen Kommunikationsraum.
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(Deutsches) Internationales Insolvenzrecht im Umbruch: / Grundfragen grenzüberschreitender Insolvenzen, unter Berücksichtigung der UNCITRAL-Modellbestimmungen über grenzüberschreitende Insolvenzverfahren / Changes in (German) International Insolvency Law: / Basic Issues of Cross-Border Insolvencies, taking into account the UNCITRAL Model Law on Cross-Border InsolvencyBoehmer, Ilka Annette von 13 December 2005 (has links)
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Mikroskopie und optische Spektroskopie an heterogenen Nano- und Mikrostrukturen: Halbleiter-Nanokristalle, molekulare Farbstofffilme und funktionalisierte HybridstrukturenTrenkmann, Ines 23 July 2015 (has links) (PDF)
In dieser Arbeit wird die Abhängigkeit der Photolumineszenz (PL) von CdSe/ZnS-Nanokristallen von der Umgebung und der Einfluss der Filmdicke und -morphologie auf die optische Absorption von Farbstofffilmen untersucht sowie die Oberfläche von Hybridstrukturen durch Funktionalisierung mit Farbstoff analysiert.
Untersuchungen von CdSe/ZnS-Nanokristallen in Toluol-Lösung zeigen, dass die PL-Intensität der Nanopartikel durch Zugabe des organischen Halbleiters TPD gequencht wird. Die zusätzliche Auswertung der PL-Lebensdauer verdeutlicht, dass die Abnahme (fast) vollständig durch statisches Quenchen, infolge der Abnahme der Anzahl der mittierenden Nanokristalle verursacht wird, bei einem Anstieg der langlebigsten Lebensdauerkomponente. Die Analyse der PL-Unterbrechung einzelner Nanokristalle auf PVA und Siliziumoxid sowie eingebettet in PS und TPD zeigt eine Ab- bzw. Zunahme der Häufigkeit langer An- bzw. Aus-Zeiten und somit eine deutliche Abhängigkeit der PL-Unterbrechung von den dielektrischen Eigenschaften der Umgebung. Bei Variation der Anregungsleistung zeigt sich für einzelne Nanokristalle auf Siliziumoxid und eingebettet in TPD eine lineare Zunahme der Blinkaktivität und eine Abnahme des An-Zeit-Anteils. Die Änderung der Verteilungen der An- und Aus-Zeiten zeigen eine deutliche Abhängigkeit von der Matrix.
Die Untersuchung der optischen Absorption von aufgedampften MePTCDI- und Cl4MePTCDI-Filmen zeigt eine Verschiebung des energieärmsten optischen Überganges mit wachsender mittlere Filmdicke. Es wird ein (geometrisches) Schicht-Modell vorgestellt, das die energetische Verschiebung mit der mittleren Filmdicke korreliert und dabei die kristalline, nadelförmige Morphologie von MePTCDIFilmen und die amorphe Kugelkappen-Struktur von Cl4MePTCDI-Filmen berücksichtigt.
Die Oberfläche von Hybridfilmen aus PMMA mit Siliziumoxid-Partikeln wird durch Anbindung von R6G an die Oxid-Partikel gezielt funktionalisiert. Die Ergebnisse von fluoreszenzmikroskopischen Untersuchungen zeigen, dass dadurch der Anteil der freien Oxid-Oberfläche bestimmt werden kann.
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Photoinduced hole trapping in single semiconductor quantum dots at specific sites at silicon oxide interfacesKrasselt, Cornelius, Schuster, Jörg, von Borczyskowski, Christian 23 September 2013 (has links)
Blinking dynamics of CdSe/ZnS semiconductor quantum dots (QD) are characterized by (truncated) power law distributions exhibiting a wide dynamic range in probability densities and time scales both for off- and on-times. QDs were immobilized on silicon oxide surfaces with varying grades of hydroxylation and silanol group densities, respectively. While the off-time distributions remain unaffected by changing the surface properties of the silicon oxide, a deviation from the power law dependence is observed in the case of on-times. This deviation can be described by a superimposed single exponential function and depends critically on the local silanol group density. Furthermore, QDs in close proximity to silanol groups exhibit both high average photoluminescence intensities and large on-time fractions. The effect is attributed to an interaction between the QDs and the silanol groups which creates new or deepens already existing hole trap states within the ZnS shell. This interpretation is consistent with the trapping model introduced by Verberk et al. (R. Verberk, A. M. van Oijen and M. Orrit, Phys. Rev. B, 2002, 66, 233202).
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Dynamik der Photo-Lumineszenz-Unterbrechung von Halbleiter-Nanokristallen in elektrischen FeldernKrasselt, Cornelius 09 July 2015 (has links) (PDF)
Diese Arbeit untersucht die Photo-Lumineszenz (PL)-Unterbrechung (Blinken) einzelner in Polymer-Nanopartikeln eingebetteter CdSe/CdS Halbleiter-Nanokristalle (Quantenpunkte) im Einfluss elektrischer Gleich- und Wechselfelder mittels Weitfeld-Mikroskopie. Hierbei emittieren die einzelnen Quantenpunkte trotz kontinuierlicher Anregung mit einer zwischen hellen An- und dunklen Aus-Zuständen variierenden PL-Intensität.
Die Ergebnisse zeigen, dass die Dynamik dieses Blinkens durch Wechselfelder stark beeinflusst wird und von deren Feldstärke, teilweise auch deren Feldfrequenz abhängt. Für zunehmende Feldstärken lässt sich ein schnellerer Wechsel zwischen An- und Aus-Zuständen (erhöhte Blinkfrequenz) beobachten, der von einer reduzierten Häufigkeit langer An- und Aus-Ereignisse begleitet wird. Der Verlauf der An-Zeit-Verteilungen bei kleinen Zeiten wird zunehmend (monoton) flacher, während die Verteilungen der Aus-Zeiten zunächst ebenfalls einem analogen Trend folgen, ab einer bestimmten und von der Feldfrequenz abhängenden Feldstärke jedoch wieder steiler verlaufen. Ein solcher Monotonie-Wechsel in der Blinkdynamik im Fall einer gleichbleibenden Variation einer äußeren Bedingung wurde bei Halbleiter-Nanokristallen so erstmalig beobachtet.
Für Gleichfelder zeigen sich hingegen nahezu keine Auswirkungen. Lediglich die An-Zeit-Verteilungen sowie die Blinkfrequenz im Fall hoher Feldstärken werden modifiziert.
Die Ergebnisse werden im Kontext verschiedener aktueller Modelle zur PL-Unterbrechung wie dem trapping-Modell, dem self-trapping-Mechanismus oder dem Modell multipler Rekombinationszentren diskutiert und diese entsprechend erweitert. Dabei stehen die dielektrischen Eigenschaften und die Relaxationsdynamik der lokalen Quantenpunkt-Umgebung im Mittelpunkt, deren Reaktion auf die externen Felder durch eine zeitabhängige Ausrichtung permanenter Dipole beschrieben werden kann.
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