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As microfabrication techniques stepped into the millimeter and sub-sub-millimeter scale world, a large amount of microelectronics has been developed and even commercialized. Microbatteries are considered as the important components to continuously power microelectronics without interruption. Over past few decades, a great deal of research have been devoted into the development of microbatteries with high energy density, long cycling life and minimum footprint area. These researches mainly focus on the fabrication procedure, which contributes to reducing the footprint area. However, the battery chemistry investigation and optimization are always ignored, which have great impact on the microbatteries performances. How to take the battery chemistry into account when shrinking the size of microbatteries is a huge challenge. To take up the challenge, applying the energy-dense materials into the three-dimensional microstructures could be a direct strategy. Among different three-dimensional microstrucutres, Swiss-roll microtube was proven as an effective way to improve the energy density without influencing the electrochemical kinetics. As for the material choice, the Zn-MnO2 aqueous system with high theoretical capacity and safe working environment is a good candidate for microbatteries. More importantly, fabrication and modification of both the electrode and electrolyte is compatible with standard microfabrication process in the atmosphere. Based on this, Zn anode is modified by a photolithgraphable electrolyte with small-molecular stabilizer, while the MnO2 cathode is modified by the zincophilic binder. Then the Swiss-roll three-dimensional structure is elaborately designed through the strain-engineering rolled-up technology to accommodate the energy-dense and highly reversible materials. As the results, the gap between bulky and microscale batteries is successfully bridged.

Adding layered double hydroxides (LDHs) to polymer compounds has been shown to make them more resistant to corrosion and improve their physical and chemical properties. However, the main challenge lies in the compatibility between inorganic LDH fillers and organic polymer matrices. The incompatibility between these two is due to differences in polarity and surface properties, which makes dispersion of LDHs within the polymer very difficult, negatively affecting the final material's performance and characteristics. In this work, Zn-Al-NO3 LDH particles were synthesized through co-precipitation method and then modified by decavanadate via the anion exchange process. Then, a silane coupling agent was used to functionalize intercalated LDH particles to make them more hydrophobic; this helped the particles to disperse well inside epoxy coating, which ultimately resulted in better corrosion inhibition performance for the coating. The concentration effect of silane coupling agent on LDHs' surface grafting was also studied using various concentrations of 3-aminopropyltriethoxy silane (APTES). Compositional and structural characterization study on revealed more insight into how the surface treatments worked. Finally, to modify LDHs, sodium dodecyl sulfate was inserted in LDH structure, then APTES molecules were grafted on the dodecyl sulfate intercalated LDHs' surface. These organic intercalation and grafting steps made LDHs more suitable with acrylic resin to form uniform composite mixture through solvent solution mixing. The thermal stability of acrylic coating improved by adding modified hybrid LDH fillers and elevation in decomposition temperature was confirmed using thermogravimetric analysis.

In dieser Arbeit wird ein grundlegender Rahmen für das Verständnis von photovoltaischer Ladungserzeugung an Grenzflächen zwischen einem Metalloxid und einem organischen Halbleiter geschaffen. Dabei wird gezeigt, dass hybride Ladungstransferzustände (HCTS) eine entscheidende Rolle im Energieumwandlungsprozess spielen. Vor ihrer endgültigen Trennung bleiben Elektronen und Löcher an gegenüberliegenden Seiten der Grenzfläche durch Coulomb-Interaktion aneinander gebunden. Nur wenn die Trennung eines solchen HCTS gelingt, kann es zu einem Photostrom beitragen. Die planaren Schichtsysteme ZnO/P3HT, ZnMgO/P3HT und SnO2/P3HT dienen als Modellsystem für eine ausführliche Studie über Energiestruktur der Grenzfläche, photovoltaische Energieumwandlung und die damit verbundenen Verluste. Es wird gezeigt, dass ein HCTS aus einem Elektron im Leitungsband des Metalloxids und einem Loch im HOMO des Polymers besteht. Folglich ist seine Entstehung eine intrinsische Eigenschaft von allen derartigen Grenzflächen. Elektrolumineszenzspektroskopie (EL) stellt sich als wirksame Methode zur Untersuchung von HCTS dar. Deren strahlende Rekombination produziert ein breites Signal im nahen Infrarotbereich. Spannungsabhängige EL-Messungen zeigen den hohen Grad an Delokalisierung von beiden Ladungsträgern in einem HCTS. EL-Spektren, die über einen weiten Temperaturbereich aufgenommen wurden, zeigen, dass nichtstrahlende Prozesse mit Abstand der dominierende Zerfallsmechanismus für HCTS bei Zimmertemperatur sind. Ein Modell aus mehreren Schritten für den Stromerzeugungsprozess kann aus temperaturabhängigen photovoltaischen Messungen abgeleitet werden. Hierbei wird deutlich, dass die Bindungsenergie von Elektron und Loch in einem HCTS keine bedeutende Einschränkung für die Leistungsfähigkeit einer Solarzelle darstellt. Die einflussreiche Rolle von nichtstrahlenden Zerfallsprozessen verursacht jedoch in allen untersuchten Materialsystemen schwere Verluste. / In this work, a fundamental framework for the understanding of photovoltaic charge generation at metal-oxide/organic hybrid interfaces is established. It is shown that hybrid charge transfer states (HCTS) play a crucial role in the power conversion process. Prior to full charge separation, pairs of electrons and holes situated at opposite sides of the heterojunction remain bound to each other by Coulomb interaction. Only if an HCTS is dissociated, a contribution to a photocurrent can be made. Planar heterojunctions of the material combinations ZnO/P3HT, ZnMgO/P3HT, and SnO2/P3HT serve as model systems for a broad investigation of interface energetics, photovoltaic power conversion and the loss processes therein. It is shown that an HCTS consists of an electron in the conduction band of the metal-oxide and a hole in the HOMO of the polymer. Consequently, its formation is an intrinsic property of all heterojunctions of that kind. Electroluminescence (EL) spectroscopy proves to be a powerful tool in the analysis of HCTS. Their radiative recombination produces a broad signal in the near-infrared spectral range. Voltage-dependent EL measurements reveal a high degree of delocalization of both carriers in an HCTS, whereas EL spectra recorded over a wide range of temperatures show that non-radiative processes are by far the dominant recombination channel for HCTS at room temperature. A multistep model of the charge generation process is derived from temperature-dependent photovoltaic measurements. It becomes apparent that the binding energy of electron and hole in an HCTS does not impose a significant limitation on device performance. The strong presence of non-radiative decay processes, however, causes severe losses for all material systems that are investigated in this work.

Der Schwerpunkt der vorgelegten Arbeit lag in der Bestimmung der Energieniveaus an allen Grenzflächen in bestimmten heterostrukturierten Polymer/Polymer- und Polymer/Molekül basierten Solarzellen. Die elektronische Charakterisierung erfolgte mittels Photoelektronenspektroskopie. Morphologie und Schichtdicke der aufgeschleuderten Filme wurden mit den komplementären Analysetechniken UV-vis Absorptionsspektroskopie, Rasterkraftmikroskopie sowie Röntgenphotoelektronenspektroskopie bestimmt. An der PEDT:PSS-Anode/Polymer-Grenzschicht wurden Änderungen im Vakuumniveau von bis zu 0,65 eV gemessen. Die Polymerabscheidung führte zu einer Erniedrigung der Substrataustrittsarbeit, auch wenn die Polymerionisationsenergie mehrere 100 meV größer als die ursprüngliche PEDT:PSS-Austrittsarbeit war. Eine detailierte Analyse der PEDT:PSS/Polymer Grenzflächen ausgehend von Submonolagen zu Multilagen zeigte verschiedene Ursachen für die Änderungen des Vakuumniveaus als verantwortlich. Zweitens: an Donator/Akzeptor-Grenzflächen wurden Änderungen im Vakuumniveau von bis zu 0,35 eV festgestellt, welche die solare Bandlücke (PVG) und folglich die Höchstgrenze der Leerlaufspannung (VOC) beeinflusst. Ein Vergleich aller Resultate der Grenzflächenanalyse mit den Solarzellen Parametern bestätigte PVG als obere Schranke von VOC. Der Energieunterschied zwischen PVG und VOC, der ein Maß für die Verluste in der Solarzelle darstellt, war für reine Polymerheteroübergänge größer als für Polymer/Molekül-Heterostrukturen mit einem Minimum bei 0,5 eV. Drittens: parallel zum Aufbau der Akzeptor/Kathoden-Grenzfläche veränderte sich das Vakuumniveau um ca. 1 eV, bedingt durch das Pinning des Kathoden-Ferminiveaus (EF) an unbesetzte Grenzflächenzuständen. Die energetische Lage dieser Zustände bezüglich EF entschied dabei über die Stärke der Diffusionsspannung in der Solarzelle, welche bei Beleuchtung der entstandenen Solarzellenstruktur durch eine lichtinduzierte Photospannung ausgeglichen wurde. / The main focus of this work was to provide a comprehensive picture of the energy level alignment at the multitude of interfaces that occur in selected polymer/polymer and polymer/small molecule heterojunction photovoltaic cells. The electronic characterization was performed using photoelectron spectroscopy. Morphology and thickness of spin coated thin films was investigated using a complementary technique approach employing UV-vis absorption spectroscopy, atomic force microscopy, and X ray photoelectron spectroscopy. At the PEDT:PSS anode/polymer interface vacuum level shifts up to 0.65 eV were observed. Polymer deposition decreased the substrate work function (WF even though the polymer ionization energy was several 100 meV higher as the initial PEDT:PSS WF. An in depth analysis of the PEDT:PSS/polymer interface from sub-monolayer to multilayer coverage revealed highly diverse origins for the observed vacuum level shifts. Secondly, investigations of the donor/acceptor interfaces revealed vacuum level shifts up to 0.35 eV that influence the photovoltaic gap (PVG) at the heterojunction and, therefore, the upper limit of the open circuit voltage (VOC) in the device. Correlating device data and all results of the interface analysis, PVG was finally confirmed as an upper limit for VOC. The energy difference (eV) between PVG and experimentally determined VOC, which was assigned to losses in the device, was found to be higher for all polymer heterojunctions compared to polymer/small molecule cells with a minimum at eV = 0.5 eV. Third, cathode/acceptor interface formation was accompanied by interfacial vacuum level shifts of ca. 1 eV caused by Fermi level (EF) pinning at interfacial gap states. The exact position of the acceptor pinning level with respect to EF of the anode determines the strength of the built in field in the device that was found to be fully counterbalanced by a photovoltage induced by in situ illumination of the resulting OPVC-like sample structures.

Die Lokalisierung von mobilen Nutzern (MU) in sehr dichten Netzen erfordert häufig die Synchronisierung der Access Points (APs) untereinander. Erstens konzentriert sich diese Arbeit auf die Lösung des Problems der Zeitsynchronisation in 5G-Netzwerken, indem ein hybrider Bayesischer Ansatz für die Schätzung des Taktversatzes und des Versatzes verwendet wird. Wir untersuchen und demonstrieren den beträchtlichen Nutzen der Belief Propagation (BP), die auf factor graphs läuft, um eine präzise netzwerkweite Synchronisation zu erreichen. Darüber hinaus nutzen wir die Vorteile der Bayesischen Rekursiven Filterung (BRF), um den Zeitstempel-Fehler bei der paarweisen Synchronisierung zu verringern. Schließlich zeigen wir die Vorzüge der hybriden Synchronisation auf, indem wir ein großes Netzwerk in gemeinsame und lokale Synchronisationsdomänen unterteilen und so den am besten geeigneten Synchronisationsalgorithmus (BP- oder BRF-basiert) auf jede Domäne anwenden können. Zweitens schlagen wir einen Deep Neural Network (DNN)-gestützten Particle Filter-basierten (DePF)-Ansatz vor, um das gemeinsame MU-Sync&loc-Problem zu lösen. Insbesondere setzt DePF einen asymmetrischen Zeitstempel-Austauschmechanismus zwischen den MUs und den APs ein, der Informationen über den Taktversatz, die Zeitverschiebung der MUs, und die AP-MU Abstand liefert. Zur Schätzung des Ankunftswinkels des empfangenen Synchronisierungspakets nutzt DePF den multiple signal classification Algorithmus, der durch die Channel Impulse Response (CIR) der Synchronisierungspakete gespeist wird. Die CIR wird auch genutzt, um den Verbindungszustand zu bestimmen, d. h. Line-of-Sight (LoS) oder Non-LoS (NLoS). Schließlich nutzt DePF particle Gaussian mixtures, die eine hybride partikelbasierte und parametrische BRF-Fusion der vorgenannten Informationen ermöglichen und die Position und die Taktparameter der MUs gemeinsam schätzen. / Mobile User (MU) localization in ultra dense networks often requires, on one hand, the Access Points (APs) to be synchronized among each other, and, on the other hand, the MU-AP synchronization. In this work, we firstly address the former, which eventually provides a basis for the latter, i.e., for the joint MU synchronization and localization (sync&loc). In particular, firstly, this work focuses on tackling the time synchronization problem in 5G networks by adopting a hybrid Bayesian approach for clock offset and skew estimation. Specifically, we investigate and demonstrate the substantial benefit of Belief Propagation (BP) running on Factor Graphs (FGs) in achieving precise network-wide synchronization. Moreover, we take advantage of Bayesian Recursive Filtering (BRF) to mitigate the time-stamping error in pairwise synchronization. Finally, we reveal the merit of hybrid synchronization by dividing a large-scale network into common and local synchronization domains, thereby being able to apply the most suitable synchronization algorithm (BP- or BRF-based) on each domain. Secondly, we propose a Deep Neural Network (DNN)-assisted Particle Filter-based (DePF) approach to address the MU joint sync&loc problem. In particular, DePF deploys an asymmetric time-stamp exchange mechanism between the MUs and the APs, which provides information about the MUs' clock offset, skew, and AP-MU distance. In addition, to estimate the Angle of Arrival (AoA) of the received synchronization packet, DePF draws on the Multiple Signal Classification (MUSIC) algorithm that is fed by the Channel Impulse Response (CIR) experienced by the sync packets. The CIR is also leveraged on to determine the link condition, i.e. Line-of-Sight (LoS) or Non-LoS (NLoS). Finally DePF capitalizes on particle Gaussian mixtures which allow for a hybrid particle-based and parametric BRF fusion of the aforementioned pieces of information and jointly estimate the position and clock parameters of the MUs.

Diese Arbeit ist der Frage gewidmet, wie die Stabilität eines Stromnetzes mit seiner Topologie zusammenhängt. Stabilität wird hier mit Hilfe von Bassin-Stabilität vermessen, einer nichtlokalen und nichtlinearen Methode, mit der sich quantifizieren lässt, wie stabil ein Stromnetz gegen große Störungen ist. Netzartige Systeme werden mit den Methoden der Theorie komplexer Netzwerke beschrieben. Bassin-Stabilität wird zunächst formal eingeführt. Dann wird die Methode angewendet, und zwar einmal auf abstrakte und einmal auf konkrete Weise. Der abstrakte Ansatz ist dadurch motiviert, dass die Funktion eines Stromnetzes auf dem synchronen Zusammenwirken seiner Komponenten beruht. Er betrifft die Frage, wie generelle dynamische Netzwerke strukturiert sein sollten, um stabile Synchronisation zu unterstützen. Es stellt sich heraus, dass Netzwerke mit maximaler Bassin-Stabilität am entgegengesetzten Ende eines gewissen netzwerktheoretischen Spektrums angesiedelt sind als Netzwerke, die optimal sind in Hinsicht auf lokale Stabilität. Dies deutet darauf hin, dass in der Entwicklung von synchron funktionierenden Systemen die Optimierung auf lokale Stabilität hin und die gleichzeitige Optimierung auf nichtlokale Stabilität hin als entgegengesetzte Kräfte gewirkt haben. Der konkrete Ansatz geht aus von einem Stromnetzmodell aus der Ingenieuersliteratur. Bassin-Stabilität wird komponentenweise eingesetzt, um zu untersuchen, wie der Grad der Stabilität eines Stromnetzes gegen große Einzelknoten-Störungen beeinflusst wird von gewissen Mustern in der Netztopologie. Simulationen in einem Ensemble von Stromnetzen bringen diverse Statistiken hervor, die alle eine wesentliche Beobachtung stützen: Ausgerechnet das kostengünstigste und weitverbreitetste Anschlussschema - bestehend aus Stichleitungen - vermindert die Netzstabilität beträchtlich. Es lässt sich ein fundamentales Designprinzip ableiten: Vermeide Stichleitungen. / This thesis addresses the question how the stability of a power grid depends on the network topology. Stability is assessed here by means of basin stability, a nonlocal and nonlinear inspection scheme that allows to quantify how stable a power grid is against large perturbations. Networked systems are characterized using the instruments of complex network theory. A rigorous definition of basin stability is provided. Then, basin stability is applied once in an abstract and once in a more applied way. The abstract approach is motivated by the fact that power grids rely on the synchronous operation of their components, and focusses on the problem how general dynamical networks should be structured to support a stable synchronous state. It turns out that networks with maximum basin stability are located at the opposite end of a certain network-theoretical spectrum than networks optimal with respect to local stability. This suggests that, during the evolution of synchronizing networks, the optimization for local stability and the simultaneous optimization for nonlocal stability have acted as opposing forces. The more applied approach draws on a power grid model from the engineering literature. A component-wise version of basin stability is used to assess how a grid''s degree of stability against large single-node perturbations is influenced by certain patterns in the wiring topology. Simulations in an ensemble of power grids yield various statistics that all support one main finding: The widespread and cheapest of all connection schemes, so-called dead ends and dead trees, strongly diminish stability. The inverse is also true: `Healing'' dead ends by addition of transmission lines substantially enhances stability. This indicates a basic design principle for future power grids: avoid dead ends.

Globally Asynchronous Locally Synchronous (GALS) Design ist eine Lösung zur Skalierbarkeit und Modularität für die SoC-Integration. Heutzutage ist GALS-Design weit in der Industrie angewendet. Die meisten GALS-Systeme basieren auf Dual-Clock-FIFOs für die Kommunikation Zwischen Taktdomänen. Um Leistungsverluste aufgrund der Synchronisationslatenzzeit zu vermindern, müssen die On-Chip-FIFOs ausreichend groß sein. Dies führt jedoch oft zu erheblichen Kosten-Hardware. Effiziente GALS- Lösungen sind daher vonnöten. Diese Arbeit berichtet unsere neuesten Fortschritte in GALS Design, das auf der Pausierenden Taktung basiert. Kritische Designthemen in Bezug auf Synchronisation-szuverlässigkeit bzw. Kommunikationsfähigkeit sind systematisch und analytisch un-tersucht. Ein lose gekoppeltes GALS Data-Link-Design wird vorgeschlagen. Es unter-stützt metastabilitätsfreie Synchronisation für Sub-Takt-Baum Verzögerungen. Außer-dem unterstützt es kontinuierliche Datenübertragung für High-Throughput-Kommuni-kation. Die Rosten hinsichtlich Energie verbrauch und Chipfläche sind marginal. GALS Design ist eingesetzt, um digitales On-Chip Umschaltrauschen zu verringern. Plesiochron Taktung mit balanciertem Leistungsverbrauch zwischen GALS Blöcken wird insbesondere untersucht. Für M Taktbereiche wird eine Reduzierung um 20lgM dB für die spektralen Spitzen des Versorgungsstroms bei der Takt-Grundfrequenz theoretisch hergcleitet. Im Vergleich zu den bestehenden synchronen Lösungen, geben diese Methode eine Alternative, um das digitale schaltrauschen effektiv zu senken. Schließlich wurde die entwickelte GALS Design Methodik schon bei reale Chip-Implementierungen angewendet. Zwei komplizierte industriell relevante Test-Chips, Lighthouse und Moonrake, wurden entworfen und mit State-Of-The-Art-Technologien hergestellt. Die experimentellen Ergebnisse bzw. / Globally asynchronous locally synchronous (GALS) design presents a solution of scalability and modularity to SoC integration. Today, it has been widely applied in the industry. Most of the GALS systems are based on dual-clock FIFOs for clock domain crossing. To avoid performance loss due to synchronization latency, the on-chip FIFOs need to be sufficiently large. This, however, often leads to considerable hardware costs. Efficient design solutions of GALS are therefore in great demand. This thesis reports our latest progress in GALS design bases on pausible clocking. Critical design issues on synchronization reliability and communication performance are studied systematically and analytically. A loosely-coupled GALS data-link design is proposed. It supports metastability-free synchronization for sub-cycle clock-tree delay, and accommodates continuous data transfer for high-throughput communication. Only marginal costs of power and silicon area are required. GALS design has been employed to cope with the on-chip digital switching noise in our work. Plesiochronous clocking with power-consumption balance between GALS blocks is in particular explored. Given M clock domains, a reduction of 20lgM dB on the spectral peaks of supply current at the fundamental clock frequency is theoretically derived. In comparison with the existing synchronous design solutions, it thus presents an alternative to effective attenuation of digital switching noise. The developed GALS design methodology has been applied to chip implementation. Two complicated industry-relevant test chips, named Lighthouse and Moonrake, were designed and fabricated using state-of-the-art technologies. The experimental results as well as the on-chip measurements are reported here in detail. We expect that, our work will contribute to the practical applications of GALS design based on pausible clocking in the industry.

In den letzten Jahren gibt es großes Interesse am SiGeSn Materialsystem aufgrund seines Potentials für die Verwendung in der Optoelektronik, Elektronik und Photovoltaik. Während jedoch die binären Verbindungshalbleiter Si(x)Ge(1-x) und Ge(1-y)Sn(y) schon intensiv untersucht wurden, sind die Materialeigenschaften des ternären Verbindungshalbleiters Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) und Nanostrukturen basierend auf diesem Verbindungshalbleiter noch weitgehend unbekannt. In dieser Arbeit werden drei theoretische/theoretisch-experimentelle Studien zur Untersuchung des SiGeSn Materialsystems vorgestellt. In einer Studie wird die Abhängigkeit der Größe der direkten Bandlücke von der Zusammensetzung des Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) Verbindungshalbleiters untersucht. Basierend auf Messungen der Rutherford Rückstreuung, Röntgenbeugung und Photolumineszenz (PL) von Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) Proben mit an Ge angepassten Gitterkonstanten wird die Abhängigkeit von Größe der direkten Bandlücke und der Materialkomposition mit einer quadratischen Gleichung beschrieben. Weiterhin wird die Bandanordnung der elementaren Halbleiter Si, Ge und Sn an Grenzflächen untersucht. Anhand von Kohn-Sham basierter Density Functional Theory (DFT) in Kombination mit Local Density Approximation (LDA) berechneten Bandstrukturen von Grenzflächen zwischen Elementarhalbleitern wird der Versatz im Valenzband zwischen Si, Ge und Sn untersucht. Es wird gezeigt, dass aufgrund zu kleiner Bandlücken resultierend aus dem Kohn-Sham-Ansatz in Verbindung mit der LDA ein unphysikalischer „Broken Gap“ Versatz zwischen Ge und Sn Bändern entsteht. In einer dritten Studie werden die PL-Spektren von Ge Quantentöpfen mit Si Barrieren untersucht. Um die Abhängigkeit der PL-Spektren von Anregungsintensität und Temperatur zu verstehen, wird ein selbstkonsistentes Effektives-Massen-Model entwickelt. Mit diesem Model ist es möglich den Einfluss von Temperatur und Bandauffüllung auf das PL-Spektrum zu untersuchen. / The SiGeSn semiconductor material system has recently attracted great interest due to its prospective potential for use in optoelectronics, electronics, and photovoltaics. While the binary alloy Si(x)Ge(1-x) and Ge(1-y)Sn(y) have already been well studied, the properties of bulk and heterostructures involving the Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) ternary alloy are largely unknown. In this thesis, we present the results of three theoretical/experimental-theoretical investigations concerning the SiGeSn material system. First, we investigate the compositional dependence of the direct band-gap of Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) alloys. Based on Rutherford backscattering, x-ray diffraction, and photoluminescence (PL) measurement of Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) alloys lattice-matched to Ge, we describe the compositional dependence of the band gap using a quadratic equation. We predict Ge(1-x-y)Si(x)Sn(y) alloys lattice-matched to Ge to be direct-band-gap semiconductors for Sn concentrations larger than 12%. Secondly, we investigate the band alignment between the elemental semiconductors Si, Ge, and Sn. Performing bulk and interface calculations using density functional theory (DFT) in combination with the local density approximation (LDA), we attempt to calculate the valence band offset between the elemental semiconductors. We find that the Kohn-Sham based DFT-LDA calculations are flawed by the underestimation of the band-gaps of the elemental semiconductors, which leads to a false broken gap band alignment between Ge and Sn. Third, we study the PL of ultrathin Ge multiple quantum well (multiple-QW) structures grown on Si. To understand the excitation density and temperature related shifts of the PL spectra of the sample, we develop a self-consistent multivalley effective mass model. Using second-order perturbation theory, we calculate the indirect phonon-assisted radiative spontaneous recombination rate together with the no-phonon peak energy and compare our results to the experimental results.