Esse trabalho apresenta um estudo sobre os efeitos de radiação em circuitos analógicos de baixa e ultra baixa potência e tensão, identificando as fragilidades destes circuitos (e das respectivas técnicas de projeto) quando aplicados em ambientes radioativos, como, por exemplo, os circuitos em satélites, e em equipamentos de instalações nucleares. Foram realizados estudos de caso, via simulação elétrica utilizando o software HSPICE, considerando os efeitos de degradação elétrica correspondentes a doses de radiação acumulada de até 500krad(Si), além de eventos singulares considerando circuitos de baixa tensão e potência projetados para a tecnologia IBM (GF) de 130nm. Pôde-se observar que o uso de transistores de óxido mais fino, apesar de afetar negativamente o consumo estático, é recomendado para as aplicações estudadas, devido a menor sensibilidade à radiação. Ainda, foi discutido o aumento dos caminhos de fuga de corrente devido ao uso de layout distribuído. Possibilidades e estratégias de mitigação foram discutidas. Por fim, obteve-se um conjunto de sugestões e informações para auxiliar o projetista de circuitos de baixo consumo a obter soluções robustas à radiação. / This work studies the radiation effects in low-power and ultra-low power analog circuits, identifying the fragility of such circuits (and associated design techniques) when employed in radioactive environments, as for example, in satellites and nuclear facilities. Case studies were carried out using HSPICE software for electrical simulation of cumulative radiation effects, corresponding to doses up to 500krad(Si), as well as for single events simulation. We showed that, the use of thin oxide (core) MOSFETS, though increasing the static consumption, is recommended for the studied applications, because they are less sensitive to radiation. Then, we discussed the increase of current leakage paths by the distributed layout style. Mitigation strategies were also discussed. Finally, we obtained a set of suggestions and information to guide the designers of low power analog circuits towards obtaining radiation robust solutions.

Nesta dissertação, é apresentado o projeto de uma interface que permite o controle e monitoramento de cargas de alta tensão alimentadas na faixa de 8,5V a 35V. A interface fornece duas funções básicas: a primeira é permitir que circuitos alimentados no domínio dos 5V controlem o chaveamento de transistores de potência PMOS com uma tensão de porta 5V abaixo da tensão de alimentação; a segunda é realizar o monitoramento de sobrecorrentes na carga de alta tensão, alertando, com um sinal de baixa tensão, estas ocorrências. A interface foi projetada e fabricada no processo CMOS XC06 - 0,6µm da XFAB, com a inclusão de módulos que permitem o uso de transistores de alta tensão. Como parte da solução proposta, foi analisado, implementado e caracterizado um regulador de tensão flutuante que gera uma tensão de saída 5V abaixo da tensão de alimentação. A área de silício do regulador é de 599µm x 330µm, e as medidas da tensão de saída gerada apresentam variações menores que 10%. Também foi projetado e integrado no mesmo circuito integrado um sensor para medir o nível da tensão flutuante do regulador e comunicar seu estado com um sinal de 5V, este bloco ocupa uma área de 599µm x µm. Este sensor apresentou um desvio padrão de 7% nas medidas da sua tensão limiar. A interface foi integrada em um sensor de proximidade indutivo, permitindo o chaveamento de uma carga de 430pF a 1,2kHz em toda a faixa de alimentação. / This work presents the design of an interface that allow to control and monitoring high voltage loads in the range of 8,5V to 35V. The interface provides two main features, the first one is to allow low voltage circuits supplied with 5V to control the switching of power PMOS transistors with a gate voltage 5V bellow the supply voltage. The second one is monitoring overcurrents on the high voltage load alerting with a low voltage signal these occurences. The interface was designed and fabricated on the CMOS XC06 - 0,6µm process from XFAB with the inclusion of modules that allow the use of high voltage transistors. As part of the proposed solution it was analyzed, implemented and measured a floating voltage regulator wich provides an output voltage 5V bellow the supply voltage. The area of the regulator is 599µm x 330µm and the measures of the output voltage presents variations under the 10%. Also it was designed and integrates in the same integrated circuit a sensor to measure the output level of the floating regulator and communicate the state of this output with a 5V signal, this block occupies an area of 599µm x 579µm. This sensor presented a 7% standard desviation on the measured voltage threashold. The interface was integrated on an inductive proximity sensor allowing the switching of a 430pF load at 1,2kHz for the entire all supply range.

Orientador: Paulo José Amaral Serni / Coorientador: Átila Madureira Bueno / Banca: Diego Colon / Banca: Wesley Angelino de Souza / Banca: Everson Martins / Banca: Maria Gloria Cano de Andrade / Resumo: Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um sistema integrado de co-simulação aplicado a duas plantas: uma planta de controle de nível que se comunica com um controlador baseado na técnica LQG/LTR e um sistema de viga flexível controlado por um observador de estados. A planta de nível é composta por um modelo digital e um modelo analógico. A primeira é simulada via um computador digital e a segunda é projetada e montada em um circuito eletrônico usando a técnica de simulação analógica, com um sistema de aquisição de dados QPID da QuanserTM. A comunicação entre a planta e o controlador é feita via um protocolo de comunicação industrial que permite a troca das informações de controle. O principal objetivo do sistema é demonstrar as funcionalidades da integração dos subsistemas para controlar o nível do tanque central e a diferença de níveis entre os tanques da direita e da esquerda. Antes de realizar a co-simulação, o sistema foi estudado usando-se um módulo para substitui-lo, mantendo-se também o mesmo protocolo de comunicação. Esse módulo possui a mesma função do computador analógico, ou seja, com ganhos, somadores e integradores, com a diferença de ser implementada em um computador digital. Assim, foi possível criar um banco de dados inicial para comparar e validar a função do circuito eletrônico do computador analógico. Como estudo de caso da comunicação OPC, foi realizado um experimento para controlar um sistema de viga flexível FlexgageTM. Para tanto, este sistema foi... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: This work presents the development of an integrated system of co-simulation applied to: a level test bench that communicates with a controller based in LQG/LTR technique, and a system with a flexible link with a state observer controller. The level bench is composed of a digital model and an analog model of the co-simulation system. The first model is simulated on a digital computer and the second is designed and implemented in an electronic circuit using the analog computing technique. A QPID data acquisition system by QuanserTM perform the data exchange between the plant and the controller by means of an industrial protocol. The main objective of this system is to demonstrate the functionality of the integration of the subsystems to regulate the central tank level and the level difference between the right and the left tanks. Before performing the co-simulation with the electronic circuit, the system was tested using digital model with industrial protocol communication also. The digital model performed the same function as the analog computer, with gains, summers and integrators, allowing to create an initial data bank to compare and to validate the function analog model. A case study using OPC communication was done with an experiment to control a flexible link system FlexgageTM. This system was simulated in a LabVIEWTM and controlled by a state observer controller implemented by an algorithm in the SciLabTM application. In this situation, the process variable and control ... (Complete abstract click electronic access below) / Doutor

Esse trabalho apresenta um estudo sobre os efeitos de radiação em circuitos analógicos de baixa e ultra baixa potência e tensão, identificando as fragilidades destes circuitos (e das respectivas técnicas de projeto) quando aplicados em ambientes radioativos, como, por exemplo, os circuitos em satélites, e em equipamentos de instalações nucleares. Foram realizados estudos de caso, via simulação elétrica utilizando o software HSPICE, considerando os efeitos de degradação elétrica correspondentes a doses de radiação acumulada de até 500krad(Si), além de eventos singulares considerando circuitos de baixa tensão e potência projetados para a tecnologia IBM (GF) de 130nm. Pôde-se observar que o uso de transistores de óxido mais fino, apesar de afetar negativamente o consumo estático, é recomendado para as aplicações estudadas, devido a menor sensibilidade à radiação. Ainda, foi discutido o aumento dos caminhos de fuga de corrente devido ao uso de layout distribuído. Possibilidades e estratégias de mitigação foram discutidas. Por fim, obteve-se um conjunto de sugestões e informações para auxiliar o projetista de circuitos de baixo consumo a obter soluções robustas à radiação. / This work studies the radiation effects in low-power and ultra-low power analog circuits, identifying the fragility of such circuits (and associated design techniques) when employed in radioactive environments, as for example, in satellites and nuclear facilities. Case studies were carried out using HSPICE software for electrical simulation of cumulative radiation effects, corresponding to doses up to 500krad(Si), as well as for single events simulation. We showed that, the use of thin oxide (core) MOSFETS, though increasing the static consumption, is recommended for the studied applications, because they are less sensitive to radiation. Then, we discussed the increase of current leakage paths by the distributed layout style. Mitigation strategies were also discussed. Finally, we obtained a set of suggestions and information to guide the designers of low power analog circuits towards obtaining radiation robust solutions.

Esse trabalho apresenta um estudo sobre os efeitos de radiação em circuitos analógicos de baixa e ultra baixa potência e tensão, identificando as fragilidades destes circuitos (e das respectivas técnicas de projeto) quando aplicados em ambientes radioativos, como, por exemplo, os circuitos em satélites, e em equipamentos de instalações nucleares. Foram realizados estudos de caso, via simulação elétrica utilizando o software HSPICE, considerando os efeitos de degradação elétrica correspondentes a doses de radiação acumulada de até 500krad(Si), além de eventos singulares considerando circuitos de baixa tensão e potência projetados para a tecnologia IBM (GF) de 130nm. Pôde-se observar que o uso de transistores de óxido mais fino, apesar de afetar negativamente o consumo estático, é recomendado para as aplicações estudadas, devido a menor sensibilidade à radiação. Ainda, foi discutido o aumento dos caminhos de fuga de corrente devido ao uso de layout distribuído. Possibilidades e estratégias de mitigação foram discutidas. Por fim, obteve-se um conjunto de sugestões e informações para auxiliar o projetista de circuitos de baixo consumo a obter soluções robustas à radiação. / This work studies the radiation effects in low-power and ultra-low power analog circuits, identifying the fragility of such circuits (and associated design techniques) when employed in radioactive environments, as for example, in satellites and nuclear facilities. Case studies were carried out using HSPICE software for electrical simulation of cumulative radiation effects, corresponding to doses up to 500krad(Si), as well as for single events simulation. We showed that, the use of thin oxide (core) MOSFETS, though increasing the static consumption, is recommended for the studied applications, because they are less sensitive to radiation. Then, we discussed the increase of current leakage paths by the distributed layout style. Mitigation strategies were also discussed. Finally, we obtained a set of suggestions and information to guide the designers of low power analog circuits towards obtaining radiation robust solutions.

Este trabalho apresenta um estudo sobre o comportamento de circuitos analógicos CMOS quando sujeitos aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total são resultado da interação entre a radiação ionizante e as camadas dielétricas dos dispositivos semicondutores, provocando o acúmulo de cargas nestas estruturas e a degradação dos parâmetros elétricos dos dispositivos. Com o objetivo de mensurar estes efeitos em circuitos analógicos CMOS, realizou-se um ensaio de irradiação, submetendo-os à incidência de radiação ionizante – proveniente de uma fonte 60Co – até a acumulação de 490 krad de dose. Como objeto de estudo, foram utilizadas sete referências de tensão, um regulador de tensão e uma fonte de corrente, fabricados em tecnologia CMOS de 130 nm (IBM CM8RF). Os resultados obtidos demonstram a degradação do desempenho destes circuitos em virtude dos efeitos de dose total, apontando também, diferentes níveis de sensibilidade entre as topologias utilizadas. Tais resultados obtidos podem ser utilizados para o estudo de técnicas de tolerância aos efeitos de dose total para as diferentes topologias analisadas. / This work presents a study on the behavior of CMOS analog circuits when subjected to total ionizing dose effects. The effects of total dose are the result of interaction between the ionizing radiation and the dielectric layers of semiconductor devices, causing charge buildup in these structures and affecting electrical parameters of the devices. In order to measure these effects in CMOS analog circuits, an irradiation test was performed, subjecting these circuits to the incidence of ionizing radiation – from a 60Co source – up to 490 krad of dose. Several circuits were employed as object of this study, including seven voltage references, one voltage regulator, and one current source, all fabricated in a CMOS 130 nm technology (IBM CM8RF). The obtained results demonstrated a performance degradation of these circuits due to total dose effects, showing different levels of sensitivity for the employed topologies. These results can be used for the research on tolerance techniques for total dose effects in the different topologies analyzed.

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica, 2015. / Submitted by Fernanda Percia França (fernandafranca@bce.unb.br) on 2015-12-15T16:02:30Z No. of bitstreams: 1 2015_YuriCesarRosadeToledo.pdf: 6155328 bytes, checksum: 3210a42c4e0be7b53fc6874fc8293d47 (MD5) / Approved for entry into archive by Marília Freitas(marilia@bce.unb.br) on 2016-05-04T12:54:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2015_YuriCesarRosadeToledo.pdf: 6155328 bytes, checksum: 3210a42c4e0be7b53fc6874fc8293d47 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-05-04T12:54:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2015_YuriCesarRosadeToledo.pdf: 6155328 bytes, checksum: 3210a42c4e0be7b53fc6874fc8293d47 (MD5) / The objective of this work is the development and design of a new architecture for the ADC Difference Module Converter (CMD). The proposed converter CMD is characterized by being asynchronous without oversample and with only one cycle for conversion. Its topology doesn´t presents feedback, does not use capacitors nor resistors, does not use Sample-and-hold circuit (S / H) and has only one reference to conversion. The project was developed in current mode, which not use Op-amp in the circuit for the conversion. And the project also has a digital circuit with only one XNOR gate per bit. We can highlight that each bit is simultaneously converted by a continuous process and that your conversion code is stable, i.e., varying only one bit between adjacent digital words. / O objetivo deste trabalho é o desenvolvimento e projeto de uma nova arquitetura para ADC o Conversor do Módulo da Diferença (CMD). O Conversor CMD proposto se caracteriza por ser assíncrono, sem oversample e com apenas um ciclo para conversão. Sua topologia não apresenta realimentação, não utiliza capacitores nem resistores, não utiliza circuito de Sample-and-Hold (S/H) e possui apenas uma referência para conversão. O projeto foi desenvolvido em modo corrente, o que permitiu não utilizar Amp-Op no circuito destinado à conversão. E o projeto também possui um circuito digital com apenas uma porta XNOR por bit. Podemos destacar que os bit são convertidos simultaneamente por um processo contínuo e que seu código de conversão é estável por variar apenas um bit entre palavras digitais adjacentes.

Este trabalho tem como objetivo estudar transistores estado da arte desenvolvidos no imec, Bélgica, e dessa forma, contribuir para a evolução tecnológica do Brasil. Tratam-se de transistores sem extensão de fonte e dreno (SemExt), analisados sob diferentes aspectos. São estudados transistores SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas (MuGFETs) e SOI planares de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos (UTBB). Diversos comprimentos de óxido espaçador são comparados a fim de se determinar o melhor comportamento elétrico, baseado nas características digital e analógica desses transistores. A caracterização elétrica dos transistores é realizada com base em medidas experimentais estáticas e dinâmicas e o uso de simulações numéricas complementa a análise dos resultados. Os MuGFETs de porta tripla são caracterizados em função dos principais parâmetros digitais e analógicos, onde os transistores sem extensão de fonte e dreno (F/D) apresentam desempenho elétrico superior aos com extensão na maior parte das análises. Como exemplo, obteve-se experimentalmente que a inclinação de sublimiar do dispositivo sem extensão reduziu até 75 mV/dec, quando comparado com o valor do transistor de referência de 545 mV/dec para o comprimento efetivo de canal, Leff=50 nm. Apesar do transistor sem extensão apresentar menor transcondutância (gm), a razão das correntes no estado ligado (Ion) e desligado (Ioff) é até 3 vezes maior que nos dispositivos de referência. O ganho intrínseco de tensão (AV), por sua vez, é capaz de aumentar até 9 dB em relação ao dispositivo com sobreposição de porta, graças ao melhor desempenho da eficiência do transistor (gm/IDS) assim como da tensão Early (VEA). Da mesma forma, os SOI UTBB apresentam melhores resultados quando as regiões de extensão de fonte e dreno são suprimidas da estrutura. Neste caso, o comprimento efetivo de canal torna-se modulável com a tensão de porta, ou seja, para cada valor de tensão na porta, haverá um valor diferente de Leff, e esta é a principal razão para a melhoria do transistor. Além disso, os dispositivos sem extensão são mais imunes ao campo elétrico horizontal do dreno, o que diminui a influência deste campo sobre as cargas do canal. Como resultado, transistores com maiores comprimentos de regiões sem extensões de F/D apresentam melhores resultados como, por exemplo, a razão Ion/Ioff é três vezes maior que aqueles observados nos transistores de referência e o ganho intrínseco de tensão é 60% maior. Os SOI UTBB são submetidos a duas outras análises. A primeira focada no estudo de ruído de baixa frequência. Neste estudo, duas espessuras de camada de silício (tSi) do SOI UTBB são comparadas. Nota-se que quanto mais fina a espessura tSi, maior é a influência de uma interface sobre a outra. Logo, o ruído presente em uma interface afeta a outra e vice-versa. Devido ao elevado acoplamento entre a 1ª e 2ª interfaces, cargas alocadas em diferentes posições nos filmes de óxido e silício podem contribuir para o ruído gerado em ambas as interfaces. Os transistores sem extensão também são analisados em função do dielétrico de porta, onde dispositivos com dióxido de silício são comparados aos transistores com dielétrico de alto valor (alto K), que fornecem, como esperado, maior nível de ruído devido a maior densidade de armadilhas na interface desses óxidos (cerca de duas ordens de grandeza maior que a do SiO2). O segundo estudo refere-se a análise do distúrbio em células de memória de corpo flutuante (FBRAM). Os transistores SOI UTBB são aplicados como memória e através da mudança nas polarizações de repouso foi possível induzir o efeito de distúrbio nos dados armazenados. Dessa forma, uma janela de operação onde a perturbação no dado é parcial foi estimada. Com isso, a condição de escrita do bit 0 pôde ser otimizada fora da região de distúrbio total, sem prejudicar o tempo de retenção e a janela de leitura da memória. Com base nas análises realizadas, foi constatado que os transistores sem extensão respondem melhor à questão do escalamento, sendo menos susceptíveis aos efeitos de canal curto. São indicados para operarem em circuitos de baixa tensão e baixa potência, onde não haja necessidade de alta velocidade de chaveamento. Além do mais, eles são mais indicados para operarem como memória FBRAM por serem menos dependentes dos efeitos da corrente de GIDL (Gate Induced Drain Leakage). E, uma vez que foram otimizados para aplicações de memória, a possibilidade de usar dielétricos de porta formados por óxido de silício, resulta em um melhor desempenho em termos de ruído de baixa frequência. / This work aims to study the state-of-the-art transistors, developed at imec, Belgium, in order to contribute to the Brazilian technological evolution. These are the source/drain extensionless transistors (SemExt), which are analyzed under different aspects. Multiple gate (MuGFETs) SOI (Silicon-On-Insulator) transistors are studied as well as the planar SOI ones with ultrathin body and BOX thicknesses (UTBB). Several spacer lengths are analyzed in order to determine the better electrical behavior, based on the transistor digital and analog features. The transistor electrical characterization is based on experimental static and dynamic measurements and the use of numerical simulations complements the analysis of the results. The triple gate MuGFET are characterized as a function of the main digital and analog parameters, where the source/drain (S/D) extensionless devices show superior electrical behavior compared to the conventional devices with S/D extensions in the most part of the analysis. As an example, the subthreshold slope of the extensionless transistors reduced, experimentally, up to 75 mV/dec, compared to the reference ones for the effective channel length of Leff=50 nm. Despite the extensionless transistors present the smaller transconductance (gm), the ratio between the on-current (Ion) and the off-current (Ioff) is three times higher than in the reference devices. On the other side, the intrinsic voltage gain (AV) increases up to 9 dB compared to the overlapped devices thanks to the better performance of the transistor efficiency (gm/IDS) as well as the Early voltage (VEA). Similarly, SOI UTBB presents better results when the source/drain extensions are eliminated from the structure. In this case, the effective channel length is modulated by the gate bias, which means that for each gate voltage drop there will be a different Leff, that is the main reason to improve the transistor characteristics. Moreover, the extensionless devices are more immune to the drain horizontal electric field, what decreases its influence on the channel charges. As a result, transistors with longer source/drain extensionless regions present better results, such as the Ion/Ioff ratio three times higher than the reference devices and about 60% of improvement in the intrinsic voltage gain. SOI UTBBs are submitted to two other analyses. The first one is focused on the low frequency noise study. In this case, two silicon film thicknesses (tSi) are compared. It is observed that the thinner the thickness, the greater the influence from one interface to the other. Consequently, the noise presented in one interface affects the other and vice-versa. Due to the higher coupling between the front and back interfaces, the charges which are allocated in different positions in the oxide and silicon films can contribute to the generated noise in both interfaces. The extensionless transistors are also analyzed as a function of the gate dielectric, where the devices with silicon dioxide are compared to the ones with high dielectric constant (high K) material, which present, as expected, higher noise level due to the elevated trap density (about two orders of magnitude higher than the SiO2). The second study refers to the analysis of the floating body memory (FBRAM) disturb. SOI UTBB transistors are applied as memory and by changing the holding bias condition it was possible to induce the disturb effect in the storage data. In this way, a window of operation where the disturb is partial was estimated. Based on that, the writing 0 condition was optimized out of the region of total disturb, with no loss in the retention time and in the memory read window. Based on the performed analyzes it was observed that extensionless transistors are more scalable, being less susceptible to the short channel effects. They are properly indicated to be applied in low-power and low-voltage circuits, where there are no requirements for fast switching. Moreover, they behave better applied as FBRAM since they are less dependent to the GIDL (Gate Induced Drain Leakage) current. And, since they were optimized to memory applications, the possibility to use silicon dioxide dielectric results in a better behavior in terms of low frequency noise.

Este trabalho apresenta um estudo sobre o comportamento de circuitos analógicos CMOS quando sujeitos aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total são resultado da interação entre a radiação ionizante e as camadas dielétricas dos dispositivos semicondutores, provocando o acúmulo de cargas nestas estruturas e a degradação dos parâmetros elétricos dos dispositivos. Com o objetivo de mensurar estes efeitos em circuitos analógicos CMOS, realizou-se um ensaio de irradiação, submetendo-os à incidência de radiação ionizante – proveniente de uma fonte 60Co – até a acumulação de 490 krad de dose. Como objeto de estudo, foram utilizadas sete referências de tensão, um regulador de tensão e uma fonte de corrente, fabricados em tecnologia CMOS de 130 nm (IBM CM8RF). Os resultados obtidos demonstram a degradação do desempenho destes circuitos em virtude dos efeitos de dose total, apontando também, diferentes níveis de sensibilidade entre as topologias utilizadas. Tais resultados obtidos podem ser utilizados para o estudo de técnicas de tolerância aos efeitos de dose total para as diferentes topologias analisadas. / This work presents a study on the behavior of CMOS analog circuits when subjected to total ionizing dose effects. The effects of total dose are the result of interaction between the ionizing radiation and the dielectric layers of semiconductor devices, causing charge buildup in these structures and affecting electrical parameters of the devices. In order to measure these effects in CMOS analog circuits, an irradiation test was performed, subjecting these circuits to the incidence of ionizing radiation – from a 60Co source – up to 490 krad of dose. Several circuits were employed as object of this study, including seven voltage references, one voltage regulator, and one current source, all fabricated in a CMOS 130 nm technology (IBM CM8RF). The obtained results demonstrated a performance degradation of these circuits due to total dose effects, showing different levels of sensitivity for the employed topologies. These results can be used for the research on tolerance techniques for total dose effects in the different topologies analyzed.

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2014. / Submitted by Albânia Cézar de Melo (albania@bce.unb.br) on 2014-09-01T13:38:36Z No. of bitstreams: 1 2014_LucasAraujoPrataChrisostomo.pdf: 3097278 bytes, checksum: d76564773f12558cbcc6da41ab951070 (MD5) / Approved for entry into archive by Guimaraes Jacqueline(jacqueline.guimaraes@bce.unb.br) on 2014-09-29T11:49:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2014_LucasAraujoPrataChrisostomo.pdf: 3097278 bytes, checksum: d76564773f12558cbcc6da41ab951070 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-09-29T11:49:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2014_LucasAraujoPrataChrisostomo.pdf: 3097278 bytes, checksum: d76564773f12558cbcc6da41ab951070 (MD5) / O uso de filtros analógicos em um sistema de áudio em um aparelho auditivo de processamento tem algumas vantagens quando comparado com sistemas digitais, entre eles, a relação sinal-ruído (SNR) é maior nesse tipo de tratamento e pode até mesmo melhorar quando a função usada no filtro é o primeiro dos derivativos Gaussian. Além disso, com um sistema analógico, o consumo de bateria será mais baixo, então não há nenhuma necessidade de conversores analógico/digital (ADC) e digital/analógico (DAC). Este trabalho apresenta a concepção de um sistema analógico de baixa potência para aparelhos auditivos. Para provar a ideia, vários testes foram feitos, primeiro ao nível do sistema usando o programa MATLAB, SIMULINK ferramenta e todos os sinais presentes na ferramenta mencionada e, em seguida, no nível de circuito com a ferramenta de cadência para provar o real funcionamento do sistema. Com as aproximações numéricas, conseguiu-se uma função no domínio do tempo que representa o tipo de pulso usado. Com esta nova função, uma manipulação em Laplace domínio foi feito e com o método de Padé. Foi usado para obter a função de transferência. Finalmente, a função de transferência foi representada no espaço de estado, porque tem baixa sensibilidade para variações nos valores, além de um incrível dispersão e gama dinâmica. Através de circuitos de translineares, que foi desenvolvido neste trabalho, foi implementado o filtro. Em primeiro lugar era necessário encontrar uma base matemática para a função de filtro que poderia lidar com o sinal sonoro da melhor forma possível, testes foram feitos e após a definição da função, aproximações numéricas foram feitas no domínio do tempo e de Laplace para obter a função de transferência que foi implementada no espaço de estado [1]. Finalmente, esta representação foi aplicada no circuito e sistema de níveis através de um filtro de translineares. Idealmente, você quer obter um sistema analógico que lida com o som de um ambientes de ruído e amplificação de voz do presente, ser eliminada ou pelo menos minimizar tanto quanto possível. Como pode ser visto durante o trabalho, a resposta chegada foi muito perto o desejado-do uso de ferramentas, cuja confiabilidade goza de grande aceitação entre a comunidade científica, assim, validar a metodologia proposta. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT / The use of analog filters in a system for audio processing in a hearing aid has some advantages when compared with digital systems, among them, the signal-to-noise ratio (SNR) is greater in this type of treatment and can even improve when the function used in the filter is the first of the Gaussian derivative. In addition, with an analog system, the battery consumption will be lower, so there is no need for analog/digital converters (ADC) and digital/analog (DAC). This work present the design of a low power analog system for hearing aids. To prove the idea, several tests were made, first at system level using the program MATLAB, SIMULINK tool, and all signals present in the mentioned tool, then in the circuit level with the CADENCE tool to prove the real functioning of the system. With the numerical approximations, a function was achieved in the time domain that represents the type of pulse used. With this new function, a manipulation in the Laplace domain was made, and with the Padé method. It was used to obtain the transfer function. At last, the transfer function was represented in state space, because it has low sensitivity to variations in values, in addition to an amazing sparsity and dynamic range. Through translinear circuits, which was developed in this work, the filter was implemented. First of all it was necessary to find a mathematical basis for the filter function that could handle the audible signal the best way possible, tests were done and after the function definition, numerical approximations were made in the time domain and Laplace transform to obtain the transfer function that was implemented in the State space [1]. Finally, this representation was applied in circuit and system levels through a translinear filter. Ideally, you want to get an analog system that deals with the sound of a voice amplification and noise environments present, be eliminated or at least minimized as much as possible. As can be seen in the course of the work, the answer reached was very close to the desired-from the use of tools, whose reliability enjoys wide acceptance among the scientific community, thus validating the methodology proposed.