Orientador: Alberto Martins Jorge / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T19:46:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ito_Ricardo_M.pdf: 4384461 bytes, checksum: a02a22644dc6f83d21f50c2a598092ae (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos I. Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T19:30:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SilvaJunior_ArmandoGomesda_M.pdf: 2425115 bytes, checksum: 23c6ade361186fe8705ce62d04ffa971 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Dada a viabilidade do projeto automático de circuitos integrados digitais dedicados, foi desenvolvido no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED) o SPA-D Sistema de Projeto Automático de Circuitos Integrados Digitais. Tal sistema caracteriza-se pelo emprego de urna coleção de padrões básicos, denominados microblocos, para a geração de um layout regular para o circuito integrado. Neste trabalho, apresenta-se o desenvolvimento de um sistema de modelagem automática de circuitos integrados digitais MOS, integrado ao SPA-D. Os parâmetros elétricos associados ao processo de confecção são calculados através do programa CAPETA, que utiliza os dados decorrentes da simulação do processo ou dados estatísticos sobre o mesmo. Com os parâmetros elétricos decorrentes do estado termodinâmico do processo de fabricação, das dimensões das máscaras dos microblocos, dos grafos dos circuitos equivalentes e dos algoritmos de dimensionamento dos modelos dos microblocos, obtém-se automaticamente, via computador, o circuito elétrico equivalente dos microblocos através do programa AUTOMOS. A descrição do circuito equivalente é armazenada no formato sintático adequado para a interpretação pelo simulador elétrico, que irá verificar o comportamento elétrico estático e transiente do circuito construído. Um exemplo de aplicação em urna tecnologia PMOS de porta metálica é apresentado, corno caso de estudo / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Sigmar Maurer Deckmann / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T03:57:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rocco_Alexandre_M.pdf: 9444436 bytes, checksum: 79008eeeae8c911c708760bed4db8f8e (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho, o efeito de cintilação luminosa, resultado de sucessivos impactos sobre sistemas de energia elétrica que suprem cargas industriais variáveis e especiais, é analisado através das metodologias disponíveis para a pré determinação de tais efeitos, na fase de planejamento. Para a fase operacional do sistema, é considerada a utilização de uma metodologia padronizada a nível internacional para a medição do fenômeno. Para isso, foi implementado um protótipo de medidor e ensaiado através de testes específicos de laboratório e de campo, sendo os resultados discutidos nos capítulos finais / Abstract: Not informed. / Mestrado

Neste trabalho é apresentado o projeto de uma fonte de tensão de referência, um circuito capaz de prover uma tensão invariante com a temperatura, a tensão de alimentação e o processo de fabricação. São apresentadas: as equações de funcionamento, os passos para a elaboração da uma topologia final, o dimensionamento dos parâmetros de projeto com o uso de algoritmos metaheurísticos, o desenho do layout e os resultados e análises finais. O projeto emprega a tecnologia CMOS de 0,35 &#956m com quatro camadas de metal da Austria Micro Systems, em que os VTH0\'s dos transistores NMOS e PMOS, modelo típico, são, respectivamente, 0,5 V e -0,7 V. O circuito de fonte de referência é do tipo bandgap e faz a soma ponderada de correntes proporcionais a temperatura para atingir uma tensão de referência. Obteve-se um circuito típico com 0,5 V de tensão de referência, coeficiente de temperatura de 15 ppm/ºC em intervalo de temperatura de -10 a 90ºC em 1,0 V de tensão de alimentação, regulação de linha de 263 ppm/V em um intervalo de variação de 1,0 V a 2,5 V em 27ºC, 2,7 &#956A de corrente consumida e área de 0,11 mm². A introdução de um bloco de ajuste de coeficiente de temperatura, com ajuste digital, permite que mais que 90% dos circuitos produzidos tenham um coeficiente de temperatura de até 30 ppm/ºC. As medidas realizadas no trabalho são provenientes de simulações elétricas realizadas com o ELDO e modelos BSIM3v3. / In this work is presented a design of a reference voltage source, circuits capable to provide an invariant voltage regardless of the temperature, power supply and fabrication process. It\'s presented: the operation equations, the steps to elaborate a final topology, the project parameter sizing using a metaheuristic algorithm, the drawing of the layout, and the final results and its analysis. The design employs an AMS-CMOS 0.35 &#956m technology with four metal levels, whose NMOS and PMOS VTH0\'s for a typical circuit is 0.5 V and -0.7 V. The reference voltage circuit is bandgap and performs a weighted summation of proportional temperature currents to achieve the voltage reference. A typical circuit was obtained with 0.5 V reference voltage, 15 ppm/ºC temperature coefficient in the temperature range of -10 to 90ºC under 1.0 V power supply, 263 ppm/V line regulation in the range of 1.0 V to 2.5 V under 27ºC, 2.7 &#956A power consumption in a 0.11 mm² area. For a projected circuit its also possible to ensure a temperate coefficient under 30 ppm/ºC, for more than 95% of the produced circuits, employing an adjustment block which ought to be digitally calibrated for each circuit.

Geradores de referência, ou fontes de tensão de referência, são largamente empregados na composição de diversos circuitos eletrônicos, pois são responsáveis por gerar e manter uma tensão constante para o restante do circuito. Como se trata de um circuito analógico e que possui diversas condições a serem atendidas (baixo coeficiente de temperatura, baixa tensão de alimentação, baixa regulação de linha, dentre outras), sua complexidade é alta e isso se reflete no tempo/dificuldade de um projeto. Com a finalidade de aumentar a qualidade do circuito e diminuir o tempo de projeto, foi estudado o projeto de fontes de tensão de referência através da aplicação de metaheurísticas, que são métodos de otimização utilizados em problemas que não possuem solução analítica. As metaheurísticas aplicadas foram: algoritmos genéticos, simulated annealing e pattern search, todos disponíveis em uma toolbox de otimização do Matlab. A fonte projetada, utilizando uma topologia proposta neste trabalho, fornece uma tensão de referência de 0,302 V em 300 K a uma tensão mínima de operação de 1,01 V. O coeficiente de temperatura, no intervalo de -10°C a 90°C, é de 19 ppm/°C a 1,01 V e a regulação de linha, com tensão de alimentação no intervalo de 1,01 V a 2,5 V, é de 81 ppm/V a 300 K. O consumo de potência é de 4,2 \'mü\'W, também em 300 K e a 1,01 V e a área é de 0,061 \'MM POT.2\'. Como resultado, mostrou-se a eficiência da utilização destes métodos no dimensionamento de elementos do circuito escolhido e foi obtida uma fonte de tensão de referência que atende aos critérios estabelecidos e é superior quanto ao critério de regulação de linha, quando comparada a outras fontes da literatura. Neste trabalho, foi utilizada a tecnologia CMOS de 0,35 \'mü\'m da Austria Micro Systems (AMS). / Voltage references are widely employed to compose electronic circuits, since they are responsible for generating and maintaining a constant voltage to the rest of the circuit. As it is an analog circuit and it has several conditions to fulfill (low temperature coefficient, low supply voltage, low line regulation, among others), its complexity is high, which reflects at the time/difficulties of a design. In order to increase the quality of the circuit and to minimize the design time, it was studied voltage references design using metaheuristics, which are optimization methods used in problems with no analytical solution. The applied metaheuristics were: genetic algorithms, simulated annealing and pattern search, they are all available in an optimization toolbox at Matlab. The designed voltage reference, applying a topology proposed in this work, provides a reference voltage of 0.302 V at 300 K at a minimum supply voltage of 1.01 V. The temperature coefficient, from -10°C to 90°C, is 19 ppm/°C at 1.01 V and the line regulation, using a supply voltage from 1.01 V to 2.5 V, is 81 ppm/V at 300 K. The power consumption is 4.2 W also at 300 K and 1.01 V and the area is 0.061 \'MM POT.2\'. As a result, it was shown that those methods are efficient in sizing the devices of the chosen topology and it was obtained a voltage reference that fulfills all established criteria and that is superior at the line regulation criterion, when compared to other voltage reference of the literature. In this work, the 0.35-\'mü\'m CMOS technology provided by Austria Micro Systems (AMS) was used.

Este trabalho tem como objetivo estudar transistores estado da arte desenvolvidos no imec, Bélgica, e dessa forma, contribuir para a evolução tecnológica do Brasil. Tratam-se de transistores sem extensão de fonte e dreno (SemExt), analisados sob diferentes aspectos. São estudados transistores SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas (MuGFETs) e SOI planares de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos (UTBB). Diversos comprimentos de óxido espaçador são comparados a fim de se determinar o melhor comportamento elétrico, baseado nas características digital e analógica desses transistores. A caracterização elétrica dos transistores é realizada com base em medidas experimentais estáticas e dinâmicas e o uso de simulações numéricas complementa a análise dos resultados. Os MuGFETs de porta tripla são caracterizados em função dos principais parâmetros digitais e analógicos, onde os transistores sem extensão de fonte e dreno (F/D) apresentam desempenho elétrico superior aos com extensão na maior parte das análises. Como exemplo, obteve-se experimentalmente que a inclinação de sublimiar do dispositivo sem extensão reduziu até 75 mV/dec, quando comparado com o valor do transistor de referência de 545 mV/dec para o comprimento efetivo de canal, Leff=50 nm. Apesar do transistor sem extensão apresentar menor transcondutância (gm), a razão das correntes no estado ligado (Ion) e desligado (Ioff) é até 3 vezes maior que nos dispositivos de referência. O ganho intrínseco de tensão (AV), por sua vez, é capaz de aumentar até 9 dB em relação ao dispositivo com sobreposição de porta, graças ao melhor desempenho da eficiência do transistor (gm/IDS) assim como da tensão Early (VEA). Da mesma forma, os SOI UTBB apresentam melhores resultados quando as regiões de extensão de fonte e dreno são suprimidas da estrutura. Neste caso, o comprimento efetivo de canal torna-se modulável com a tensão de porta, ou seja, para cada valor de tensão na porta, haverá um valor diferente de Leff, e esta é a principal razão para a melhoria do transistor. Além disso, os dispositivos sem extensão são mais imunes ao campo elétrico horizontal do dreno, o que diminui a influência deste campo sobre as cargas do canal. Como resultado, transistores com maiores comprimentos de regiões sem extensões de F/D apresentam melhores resultados como, por exemplo, a razão Ion/Ioff é três vezes maior que aqueles observados nos transistores de referência e o ganho intrínseco de tensão é 60% maior. Os SOI UTBB são submetidos a duas outras análises. A primeira focada no estudo de ruído de baixa frequência. Neste estudo, duas espessuras de camada de silício (tSi) do SOI UTBB são comparadas. Nota-se que quanto mais fina a espessura tSi, maior é a influência de uma interface sobre a outra. Logo, o ruído presente em uma interface afeta a outra e vice-versa. Devido ao elevado acoplamento entre a 1ª e 2ª interfaces, cargas alocadas em diferentes posições nos filmes de óxido e silício podem contribuir para o ruído gerado em ambas as interfaces. Os transistores sem extensão também são analisados em função do dielétrico de porta, onde dispositivos com dióxido de silício são comparados aos transistores com dielétrico de alto valor (alto K), que fornecem, como esperado, maior nível de ruído devido a maior densidade de armadilhas na interface desses óxidos (cerca de duas ordens de grandeza maior que a do SiO2). O segundo estudo refere-se a análise do distúrbio em células de memória de corpo flutuante (FBRAM). Os transistores SOI UTBB são aplicados como memória e através da mudança nas polarizações de repouso foi possível induzir o efeito de distúrbio nos dados armazenados. Dessa forma, uma janela de operação onde a perturbação no dado é parcial foi estimada. Com isso, a condição de escrita do bit 0 pôde ser otimizada fora da região de distúrbio total, sem prejudicar o tempo de retenção e a janela de leitura da memória. Com base nas análises realizadas, foi constatado que os transistores sem extensão respondem melhor à questão do escalamento, sendo menos susceptíveis aos efeitos de canal curto. São indicados para operarem em circuitos de baixa tensão e baixa potência, onde não haja necessidade de alta velocidade de chaveamento. Além do mais, eles são mais indicados para operarem como memória FBRAM por serem menos dependentes dos efeitos da corrente de GIDL (Gate Induced Drain Leakage). E, uma vez que foram otimizados para aplicações de memória, a possibilidade de usar dielétricos de porta formados por óxido de silício, resulta em um melhor desempenho em termos de ruído de baixa frequência. / This work aims to study the state-of-the-art transistors, developed at imec, Belgium, in order to contribute to the Brazilian technological evolution. These are the source/drain extensionless transistors (SemExt), which are analyzed under different aspects. Multiple gate (MuGFETs) SOI (Silicon-On-Insulator) transistors are studied as well as the planar SOI ones with ultrathin body and BOX thicknesses (UTBB). Several spacer lengths are analyzed in order to determine the better electrical behavior, based on the transistor digital and analog features. The transistor electrical characterization is based on experimental static and dynamic measurements and the use of numerical simulations complements the analysis of the results. The triple gate MuGFET are characterized as a function of the main digital and analog parameters, where the source/drain (S/D) extensionless devices show superior electrical behavior compared to the conventional devices with S/D extensions in the most part of the analysis. As an example, the subthreshold slope of the extensionless transistors reduced, experimentally, up to 75 mV/dec, compared to the reference ones for the effective channel length of Leff=50 nm. Despite the extensionless transistors present the smaller transconductance (gm), the ratio between the on-current (Ion) and the off-current (Ioff) is three times higher than in the reference devices. On the other side, the intrinsic voltage gain (AV) increases up to 9 dB compared to the overlapped devices thanks to the better performance of the transistor efficiency (gm/IDS) as well as the Early voltage (VEA). Similarly, SOI UTBB presents better results when the source/drain extensions are eliminated from the structure. In this case, the effective channel length is modulated by the gate bias, which means that for each gate voltage drop there will be a different Leff, that is the main reason to improve the transistor characteristics. Moreover, the extensionless devices are more immune to the drain horizontal electric field, what decreases its influence on the channel charges. As a result, transistors with longer source/drain extensionless regions present better results, such as the Ion/Ioff ratio three times higher than the reference devices and about 60% of improvement in the intrinsic voltage gain. SOI UTBBs are submitted to two other analyses. The first one is focused on the low frequency noise study. In this case, two silicon film thicknesses (tSi) are compared. It is observed that the thinner the thickness, the greater the influence from one interface to the other. Consequently, the noise presented in one interface affects the other and vice-versa. Due to the higher coupling between the front and back interfaces, the charges which are allocated in different positions in the oxide and silicon films can contribute to the generated noise in both interfaces. The extensionless transistors are also analyzed as a function of the gate dielectric, where the devices with silicon dioxide are compared to the ones with high dielectric constant (high K) material, which present, as expected, higher noise level due to the elevated trap density (about two orders of magnitude higher than the SiO2). The second study refers to the analysis of the floating body memory (FBRAM) disturb. SOI UTBB transistors are applied as memory and by changing the holding bias condition it was possible to induce the disturb effect in the storage data. In this way, a window of operation where the disturb is partial was estimated. Based on that, the writing 0 condition was optimized out of the region of total disturb, with no loss in the retention time and in the memory read window. Based on the performed analyzes it was observed that extensionless transistors are more scalable, being less susceptible to the short channel effects. They are properly indicated to be applied in low-power and low-voltage circuits, where there are no requirements for fast switching. Moreover, they behave better applied as FBRAM since they are less dependent to the GIDL (Gate Induced Drain Leakage) current. And, since they were optimized to memory applications, the possibility to use silicon dioxide dielectric results in a better behavior in terms of low frequency noise.

Nesta dissertação, é apresentado o projeto de uma interface que permite o controle e monitoramento de cargas de alta tensão alimentadas na faixa de 8,5V a 35V. A interface fornece duas funções básicas: a primeira é permitir que circuitos alimentados no domínio dos 5V controlem o chaveamento de transistores de potência PMOS com uma tensão de porta 5V abaixo da tensão de alimentação; a segunda é realizar o monitoramento de sobrecorrentes na carga de alta tensão, alertando, com um sinal de baixa tensão, estas ocorrências. A interface foi projetada e fabricada no processo CMOS XC06 - 0,6µm da XFAB, com a inclusão de módulos que permitem o uso de transistores de alta tensão. Como parte da solução proposta, foi analisado, implementado e caracterizado um regulador de tensão flutuante que gera uma tensão de saída 5V abaixo da tensão de alimentação. A área de silício do regulador é de 599µm x 330µm, e as medidas da tensão de saída gerada apresentam variações menores que 10%. Também foi projetado e integrado no mesmo circuito integrado um sensor para medir o nível da tensão flutuante do regulador e comunicar seu estado com um sinal de 5V, este bloco ocupa uma área de 599µm x µm. Este sensor apresentou um desvio padrão de 7% nas medidas da sua tensão limiar. A interface foi integrada em um sensor de proximidade indutivo, permitindo o chaveamento de uma carga de 430pF a 1,2kHz em toda a faixa de alimentação. / This work presents the design of an interface that allow to control and monitoring high voltage loads in the range of 8,5V to 35V. The interface provides two main features, the first one is to allow low voltage circuits supplied with 5V to control the switching of power PMOS transistors with a gate voltage 5V bellow the supply voltage. The second one is monitoring overcurrents on the high voltage load alerting with a low voltage signal these occurences. The interface was designed and fabricated on the CMOS XC06 - 0,6µm process from XFAB with the inclusion of modules that allow the use of high voltage transistors. As part of the proposed solution it was analyzed, implemented and measured a floating voltage regulator wich provides an output voltage 5V bellow the supply voltage. The area of the regulator is 599µm x 330µm and the measures of the output voltage presents variations under the 10%. Also it was designed and integrates in the same integrated circuit a sensor to measure the output level of the floating regulator and communicate the state of this output with a 5V signal, this block occupies an area of 599µm x 579µm. This sensor presented a 7% standard desviation on the measured voltage threashold. The interface was integrated on an inductive proximity sensor allowing the switching of a 430pF load at 1,2kHz for the entire all supply range.

Esta dissertação apresenta um estudo e caracterização da transmissão de sinais analógicos de radiofrequência por meio de fibras ópticas empregando dois tipos de modulação: direta e externa. Na análise desenvolvida para modulação direta é considerado um diodo laser DFB como fonte de modulação, enquanto que para enlaces envolvendo modulação externa, considera-se um modelo composto por um modulador eletro-óptico de tipo Mach-Zehnder com substrato de LiNbO3. Em ambos os casos se aplica a técnica de modulação de intensidade e detecção direta. Fundamentos básicos acerca dos dispositivos ópticos empregados e modulação eletro-óptica são abordados nos capítulos iniciais para conceituação básica sobre o assunto. Em seguida é considerado um estudo analítico dos parâmetros essenciais para caracterização de enlaces ópticos analógicos, os quais compreendem ganho de potência, figura de ruído e faixa dinâmica. Na modelagem das figuras de mérito são considerados parâmetros intrínsecos de elementos do sistema, de forma a permitir uma observação direta de sua influência no comportamento funcional de um enlace. Testes experimentais envolvendo diferentes arquiteturas de enlaces com modulação externa são realizados para verificação e validação do modelo teórico apresentado. Para a aplicação de sinais analógicos de RF com freqüências próximas a 1 GHz foi obtido um valor de faixa dinâmica livre de distorções de 103,6 dB.Hz2/3, para uma potência óptica de 19 mW. Valores de ganho de potência da ordem de -33 dB até +20 dB foram alcançados para as diferentes configurações de enlaces apresentados. A figura de ruído medida para os enlaces variou de 46 dB a 5,8 dB. Em todas as medidas o modulador foi ajustado para operação na região de quadratura.

A comunicação óptica no espaço livre (Free Space Optical Communication - FSO) é atualmente uma área na fotônica de grande interesse, demonstrado pelos estudos realizados por diversos grupos de pesquisas da área, devido aos benefícios oferecidos como a imunidade a bloqueio e interferência, facilidade de instalação, mobilidade, inexistência de uma regulamentação oficial para emprego, grande largura de banda, velocidade de transmissão e permitir o acesso a ultima milha (last mile). Para aplicações do FSO na área de defesa, estes benefícios citados são de grande importância, principalmente a imunidade a bloqueio e interferência. O fator limitante no desempenho do enlace FSO são os efeitos atmosféricos causados pela atenuação, composta pelo fenômeno de absorção e espalhamento, a turbulência atmosférica, representada principalmente pelo efeito da cintilação, além do fenômeno da dispersão atmosférica, pouco comentado na literatura. A conseqüência destes efeitos atmosféricos é a degradação do sinal óptico, reduzindo sua intensidade e alcance de propagação. Com isso, a fim de analisar o desempenho do enlace analógico de FSO, este trabalho tem por objetivo apresentar um estudo teórico do enlace empregando modulação externa através do modulador eletroóptico Mach-Zehnder de dupla entrada, detecção direta e sem amplificação, recorrendo aos conceitos de efeito eletroóptico, propagação do feixe óptico na atmosfera sob o efeito da atenuação, turbulência e dispersão atmosférica e as técnicas de detecção óptica através da fotodetecção. A partir dos conceitos, são modeladas expressões analíticas do sinal óptico na modulação analógica tipo banda lateral dupla (Double Side Band - DSB) e banda lateral simples (Single Side Band - SSB) na saída do transmissor e o modelo analítico do sinal de RF na saída do receptor sob influência dos fenômenos atmosféricos em questão. Definido os modelos citados, realiza-se a análise de desempenho do enlace a partir de dados atmosféricos de Manaus/AM e parâmetros de dispositivos disponíveis no mercado. O resultado deste estudo é apresentado através do balanço de potência óptica do enlace, da potência de RF em relação ao comprimento do enlace e das figuras de mérito, através da combinação das equações do ganho de RF, figura de ruído e da faixa dinâmica livre de espúrios. No fim desta dissertação, são apresentadas as conclusões com base nos conceitos apresentados e resultados obtidos, além da sugestão de trabalhos futuros para esta linha de pesquisa.

Este trabalho consiste no projeto de uma Fonte de Tensão de Referência CMOS com coeficiente de temperatura inferior a 50 ppm/ºC. Esta fonte deve ser aplicada em receptores/transmissores de radio freqüência mas pode também ser utilizada em qualquer sistema analógico. A tecnologia utilizada foi a CMOS 0,35 µm da AMS (Austria Micro Systems) com quatro níveis de metal e dois de silício policristalino. A fonte de tensão implementada é do tipo Bandgap e utiliza dispositivos MOS em inversão fraca, um transistor bipolar parasitário e resistores de silício policristalino de alta resistividade. No circuito é produzida uma tensão PTAT (Proportional to Absolute Temperature) que somada a tensão base-emissor do transistor bipolar resulta numa tensão de saída independente da temperatura. O projeto e o desenho do layout desta fonte foram realizados. A partir do layout foram gerados netlists para simulações realizadas utilizando o software ELDO com o modelo MOS BSIM3v3, nas condições de operação típicas, worst speed e worst power. Através destas simulações verificou-se que o circuito atendia as especificações iniciais. O valor da tensão de saída, no entanto, apesar de estar próximo do valor desejado de 1,25 V, variou com as condições de simulação empregadas. Dois circuitos Bandgap diferentes foram enviados para fabricação: um circuito com resistores integrados (dimensões de 220 µm x 76 µm) e outro sem os resistores (dimensões de 190 µm x 36 µm). Este último permite, com o ajuste do valor dos resistores colocados externamente, modificar, se necessário, as condições de operação do circuito. Os circuitos foram caracterizados obtendo-se para o circuito com resistores integrados um coeficiente de temperatura inferior à 40 ppm/ºC, taxa de variação da saída com a tensão de alimentação próxima de 19 mV/V. O valor da tensão de saída a 50 ºC esteve entre 1,1835 V e 1,2559 V (1,25 V ± 67 mV). Para o circuito sem os resistores integrados, obteve-se um coeficiente de temperatura que chegou à 90 ppm/ºC, taxa de variação da saída com a tensão de alimentação inferior à 28 mV/V. O valor da tensão de saída a 50 ºC esteve entre 1,247 V e 1,2588 V (1,25 V ± 9 mV). A faixa de temperatura utilizada para as medidas foi de -30 ºC a 100 ºC. O consumo de corrente dos circuitos é de aproximadamente 14 µA e seu funcionamento é garantido para tensões de alimentação tão baixas quanto 1,8 V. / This work consists in the design of a CMOS Voltage Reference Source with a temperature coefficient inferior to 50 ppm/ºC. This voltage source should be applied in radio frequency receptor/transmitter but can be also applied in any analog system. The technology employed in the design is the CMOS 0.35 µm from the AMS (Austria Micro Systems) with four metal levels and two poly-silicon levels. The implemented voltage source is of the Bandgap type and uses MOS devices in weak inversion, a parasitic bipolar transistor, and resistors made with high resistive poly-silicon. The circuit produces a PTAT (Proportional to Absolute Temperature) voltage that is added to the bipolar transistor base-emitter voltage to build an output voltage independent of temperature. The project and the drawing of the layout of the circuit had been carried out. The netlists of the circuit were generated from the layout and they were employed in simulations done with the software ELDO and the BSIM3v3 MOS model, in typical, worst speed, and worst power conditions. Through these simulations it was verified that the circuit reached the initial specifications. The value of the output voltage, however, although being next to the desired value of 1.25 V, varied with the employed simulation conditions. Two different Bandgap circuits had been sent to the foundry: a circuit with integrated resistors (dimensions of 220 µm x 76 µm) and another one without the resistors (dimensions of 190 µm x 36 µm). This last one allows, with the adjustment of external resistor values, modifying, if necessary, the operation conditions of the circuit. The circuits had been characterized and the circuit with integrated resistors has a temperature coefficient inferior to 40 ppm/ºC, an output variation rate with the power supply close to 19 mV/V. The output voltage value at 50 ºC is between 1.1835 V and 1.2559 V (1.25 V ± 67 mV). The circuit without the resistors has a temperature coefficient as high as 90 ppm/ºC, an output variation rate with the power supply inferior to 28 mV/V. The output voltage value at 50 ºC is between 1.247 V and 1.2588 V (1.25 V ± 9 mV). The temperature range used in the measurements was from -30 ºC to 100 ºC. The current consumption of the circuits is approximately of 14 µA, and they operate with power supply voltages as low as 1.8 V.