Desde os anos 80 a evolução dos processos de fabricação de circuitos integrados MOS tem buscado a redução da tensão de alimentação, como forma de se reduzir o consumo de energia dos circuitos. Partiu-se dos antigos 5 V, padrão estabelecido pela lógica TTL nos anos 70, até os circuitos modernos que operam com alimentação pouco abaixo de 1 V. Entretanto, desde os primeiros anos da década de 2000, a tensão de alimentação está estabilizada neste patamar, devido a limitações tecnológicas que tem se mostrado difíceis de serem transpostas. Tal desafio tem sido estudado por grupos de pesquisa ao redor do mundo, e diversas estratégias tem sido propostas para se chegar a circuitos analógicos e digitais que operem sob tensão de alimentação bem inferior a 1 V. De fato estes grupos têm focado seus estudos em circuitos que operam com tensão de alimentação inferior a 0,5 V, alguns chegando à casa de 200 ou 100 mV, ou até menor. Dentre as diversas classes de circuitos, os conversores de dados dos tipos digital-analógico (DAC) e analógicodigital (ADC) são circuitos fundamentais ao processo de integração entre os módulos que processam sinais analogicamente e os que processam sinais digitalmente, sendo assim essenciais à implementação dos complexos SoCs (System-on-Chips) da atualidade. Este trabalho apresenta um estudo sobre o desempenho da configuração MOSFET em rede M-2M (similar à rede R-2R que emprega resistores), utilizada como circuito conversor digital-analógico, quando dimensionada para operar sob tensão de alimentação muito baixa, da ordem de 200 mV ou inferior. Tal estudo se baseia no emprego de um modelo para os MOSFETs que é contínuo desde a condição de inversão fraca (subthreshold) até a inversão forte, e inclui o uso de um modelo de descasamento entre MOSFETs que é válido para qualquer condição de operação. Com base neste estudo foi desenvolvida uma metodologia de projeto, capaz de estabelecer as relações de compromisso entre “tensão de alimentação”, “resolução efetiva” e “área ocupada em silício”, fundamentais para se atingir um circuito otimizado. Resultados de simulação elétrica são apresentados e confrontados com os resultados analíticos, visando a comprovação da metodologia. O circuito já foi enviado para fabricação, e deve começar a ser testado em breve.

O ruído de baixa frequência é um limitador de desempenho em circuitos analógicos, digitais e de radiofrequência, introduzindo ruído de fase em osciladores e reduzindo a estabilidade de células SRAM, por exemplo. Transistores de efeito de campo de metalóxido- semicondutor (MOSFETs) são conhecidos pelos elevados níveis de ruído 1= f e telegráfico, cuja potência pode ser ordens de magnitude maior do que a observada para ruído térmico para frequências de até dezenas de kHz. Além disso, com o avanço da tecnologia, a frequência de corner —isto é, a frequência na qual as contribuições dos ruídos térmico e shot superam a contribuição do ruído 1= f — aumenta, tornando os ruídos 1= f e telegráfico os mecanismos dominantes de ruído na tecnologia CMOS para frequências de até centenas de MHz. Mais ainda, o ruído de baixa frequência em transistores nanométricos pode variar significativamente de dispositivo para dispositivo, o que torna a variabilidade de ruído um aspecto importante para tecnologias MOS modernas. Para assegurar o projeto adequado de circuitos do ponto de vista de ruído, é necessário, portanto, identificar os mecanismos fundamentais responsáveis pelo ruído de baixa frequência em MOSFETs e desenvolver modelos capazes de considerar as dependências do ruído com geometria, polarização e temperatura. Neste trabalho é proposta uma técnica para análise de ruído de baixa frequência baseada na autocorrelação dos espectros de ruído em função de parâmetros como frequência, polarização e temperatura. A metodologia apresentada revela informações importantes sobre os mecanismos responsáveis pelo ruído 1= f que são difíceis de obter de outras formas. As análises de correlação realizadas em três tecnologias CMOS comerciais (140 nm, 65 nm e 45 nm) fornecem evidências contundentes de que o ruído de baixa frequência em transistores MOS tipo-n e tipo-p é composto por um somatório de sinais telegráficos termicamente ativados. / Low-frequency noise (LFN) is a performance limiter for analog, digital and RF circuits, introducing phase noise in oscillators and reducing the stability of SRAM cells, for example. Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) are known for their particularly high 1= f and random telegraph noise levels, whose power may be orders of magnitude larger than thermal noise for frequencies up to dozens of kHz. With the technology scaling, the corner frequency — i.e. the frequency at which the contributions of thermal and shot noises to noise power overshadow that of the 1= f noise — is increased, making 1= f and random telegraph signal (RTS) the dominant noise mechanism in CMOS technologies for frequencies up to several MHz. Additionally, the LFN levels from device-to-device can vary several orders of magnitude in deeply-scaled devices, making LFN variability a major concern in advanced MOS technologies. Therefore, to assure proper circuit design in this scenario, it is necessary to identify the fundamental mechanisms responsible for MOSFET LFN, in order to provide accurate LFN models that account not only for the average noise power, but also for its variability and dependences on geometry, bias and temperature. In this work, a new variability-based LFN analysis technique is introduced, employing the autocorrelation of multiple LFN spectra in terms of parameters such as frequency, bias and temperature. This technique reveals information about the mechanisms responsible for the 1= f noise that is difficult to obtain otherwise. The correlation analyses performed on three different commercial mixed-signal CMOS technologies (140-nm, 65-nm and 40-nm) provide strong evidence that the LFN of both n- and p-type MOS transistors is primarily composed of the superposition of thermally activated random telegraph signals (RTS).

O avanço da microeletrônica nas últimas décadas trouxe maior densidade aos circuitos integrados, possibilitando a implementação de funções de alta complexidade em uma menor área de silício. Como efeito desta integração em larga escala, as latências dos fios passaram a representar uma maior fração do atraso de propagação de dados em um design, tornando a tarefa de “timing closure” mais desafiadora e demandando mais iterações entre etapas do design. Por meio de uma revisão na teoria dos circuitos insensíveis a latência (Latency-Insensitive theory), este trabalho explora a metodologia de designs elásticos (Elastic Design methodology) em circuitos síncronos, com o objetivo de solucionar o impacto que a latência adicional dos fios insere no fluxo de design de circuitos integrados, sem demandar uma grande mudança de paradigma por parte dos designers. A fim de exemplificar o processo de “elasticização”, foi implementada uma versão síncrona da arquitetura do microprocessador Neander que posteriormente foi convertida a um Circuito Elástico utilizando um protocolo insensível a latência nas transferências de dados entre os processos computacionais do design. Ambas as versões do Neander foram validadas em uma plataforma FPGA utilizando ferramentas e fluxo de design síncrono bem estabelecidos. A comparação das características de timing e área entre os designs demonstra que a versão Elástica pode apresentar ganhos de performance para sistemas complexos ao custo de um aumento da área necessária. Estes resultados mostram que a metodologia de designs elásticos é uma boa candidata para projetar circuitos integrados complexos sem demandar custosas iterações entre fases de design e reutilizando as já estabelecidas ferramentas de design síncrono, resultando em uma alternativa economicamente vantajosa para os designers. / The advance of microelectronics brought increased density to integrated circuits, allowing high complexity functions to be implemented in smaller silicon areas. As a side effect of this large-scale integration, the wire latencies became a higher fraction of a design’s data propagation latency, turning timing closure into a challenging task that often demand several iterations among design phases. By reviewing the Latency-Insensitive theory, this work presents the exploration of the Elastic Design methodology in synchronous circuits, with the objective of solving the increased wire latency impact on integrated circuits design flow without requiring a big paradigm change for designers. To exemplify the elasticization process, the educational Neander microprocessor architecture is synchronously implemented and turned into an Elastic Circuit by using a latency-insensitive protocol in the design’s computational processes data transfers. Both designs are validated in an FPGA platform, using well known synchronous design tools and flow. The timing and area comparison between the designs demonstrates that the Elastic version can present performance advantages for more complex systems at the price of increased area. These results show that the Elastic Design methodology is a good candidate for designing complex integrated circuits without costly iterations between design phases. This methodology also leverages the reuse of the mostly adopted synchronous design tools, resulting in a cost-effective alternative for designers.

Os avanços na tecnologia de semicondutores possibilitou que se fabricasse dispositivos com atividade de chaveamento mais rápida e com maior capacidade de integração de transistores. Estes avanços, todavia, impuseram novos empecilhos relacionados com a dissipação de potência e energia. Além disso, a crescente demanda por dispositivos portáteis levaram à uma mudança no paradigma de projeto de circuitos para que se priorize energia ao invés de desempenho. Este cenário motivou à reduzir a tensão de alimentação com qual os dispositivos operam para um regime próximo ou abaixo da tensão de limiar, com o objetivo de aumentar sua duração de bateria. Apesar desta abordagem balancear características de performance e energia, ela traz novos desafios com relação a tolerância à ruído. Ao reduzirmos a tensão de alimentação, também reduz-se a margem de ruído disponível e, assim, os circuitos tornam-se mais suscetíveis à falhas funcionais. Somado à este efeito, circuitos com tensões de alimentação nestes regimes são mais sensíveis à variações do processo de fabricação, logo agravando problemas com ruído. Existem também outros aspectos, tais como a miniaturização das interconexões e a relação de fan-out de uma célula digital, que incentivam a avaliação de ruído nas fases iniciais do projeto de circuitos integrados Por estes motivos, este trabalho investiga como aprimorar a margem de ruído estática de circuitos síncronos digitais que irão operar em tensões no regime de tensão próximo ou abaixo do limiar. Esta investigação produz um conjunto de três contribuições originais. A primeira é uma ferramenta capaz de avaliar automaticamente a margem de ruído estática de células CMOS combinacionais. A segunda contribuição é uma metodologia realista para estimar a margem de ruído estática considerando variações de processo, tensão e temperatura. Os resultados obtidos mostram que a metodologia proposta permitiu reduzir até 70% do pessimismo das margens de ruído estática, Por último, a terceira contribuição é um fluxo de projeto de células combinacionais digitais considerando ruído, e uma abordagem para avaliar a margem de ruído estática de circuitos complexos durante a etapa de síntese lógica. A biblioteca de células resultante deste fluxo obteve maior margem de ruído (até 24%) e menor variação entre diferentes células (até 62%). / The advancement of semiconductor technology enabled the fabrication of devices with faster switching activity and chips with higher integration density. However, these advances are facing new impediments related to energy and power dissipation. Besides, the increasing demand for portable devices leads the circuit design paradigm to prioritize energy efficiency instead of performance. Altogether, this scenario motivates engineers towards reducing the supply voltage to the near and subthreshold regime to increase the lifespan of battery-powered devices. Even though operating in these regime offer interesting energy-frequency trade-offs, it brings challenges concerning noise tolerance. As the supply voltage reduces, the available noise margins decrease, and circuits become more prone to functional failures. In addition, near and subthreshold circuits are more susceptible to manufacturing variability, hence further aggravating noise issues. Other issues, such as wire minimization and gate fan-out, also contribute to the relevance of evaluating the noise margin of circuits early in the design Accordingly, this work investigates how to improve the static noise margin of digital synchronous circuits that will operate at the near/subthreshold regime. This investigation produces a set of three original contributions. The first is an automated tool to estimate the static noise margin of CMOS combinational cells. The second contribution is a realistic static noise margin estimation methodology that considers process-voltage-temperature variations. Results show that the proposed methodology allows to reduce up to 70% of the static noise margin pessimism. Finally, the third contribution is the noise-aware cell design methodology and the inclusion of a noise evaluation of complex circuits during the logic synthesis. The resulting library achieved higher static noise margin (up to 24%) and less spread among different cells (up to 62%).

Este trabalho visa propor uma metodologia de análise da variabilidade do tempo de atraso de propagação no FPGA. Para alcançar esse objetivo são utilizados três circuitos diferentes: o circuito 1 mede a diferença de atrasos de dois circuitos, o circuito 2 identifica o atraso menor de dois circuitos e, por fim, o terceiro circuito que consiste do oscilador em anel. Cada circuito foi avaliado individualmente numa estrutura BIST, implementada nos FPGA XC3S200-FT256 e EP2C35F672C6. Os métodos utilizados para análise dos dados foram a média móvel, o plano de mínimos quadrados e o teste t-student. A metodologia permitiu mostrar a variabilidade within-die e suas componentes sistêmica e randômica. / This work aims to propose a methodology of analysis of variability of propagation-delay time in FPGA. To achieve this goal three different circuits are implemented: the circuit 1 measures the delay difference of two logic paths, the circuit 2 identifies smallest delay of two logic paths, and finally the third circuit consists of a ring oscillator. Each circuit has been assessed individually in a BIST structure, implemented in FPGAs XC3S200-FT256 and EP2C35F672C6. The methods used for data analysis were the moving average, least-squares plane and the t-student test. The methodology has allowed to evaluate the within-die variability and its systemic and random components.

A diminuição das dimensões do transistor MOS tem sido a principal estratégia adotada para alcançar otimizações de desempenho na fabricação de circuitos integrados. Contudo, reduzir as dimensões dos transistores tem se tornado uma tarefa cada vez mais difícil de ser alcançada. Nesse contexto, vários esforços estão sendo feitos para encontrar dispositivos alternativos que permitam futuros avanços em relação à capacidade computacional. Entre as mais promissoras tecnologias emergentes estão os transistores de efeito de campo com múltiplos e independentes gates (MIGFETs). MIGFETs são dispositivos controlados por mais que um terminal de controle permitindo que funções Booleanas com mais de uma variável sejam implementadas por um único dispositivo. Redes de chaves construídas com dispositivos MIGFET tendem a ser mais compactas do que as redes de chaves tradicionais. No entanto existe um compromisso em relação a redução no número de chaves, devido à maior capacidade lógica, e um maior tamanho e pior desempenho do dispositivo. Neste trabalho, pretendemos explorar tal balanceamento no sentido de avaliar os impactos do uso de MIGFETs na construção de circuitos integrados digitais. Dessa forma, alguns critérios de avaliação são apresentados no sentido de analisar área e atraso de circuitos construídos a partir de dispositivos MIGFET, onde cada transistor é representado por um modelo RC. Em particular, tal avaliação de área e desempenho é aplicada no projeto de circuitos somadores binários específicos (metodologia full-custom). Além do mais, bibliotecas de células construídas a partir de dispositivos MIGFET são utilizadas na síntese automática de circuitos de referência através da metodologia standard-cell. Através dos experimentos, é possível ter-se uma ideia, mesmo que inicial e pessimista, do quanto o layout de um dado MIGFET pode ser maior do que um single-gate FinFET e ainda apresentar redução na área do circuito devido à compactação lógica. / The scaling of MOS transistor has been the main manufacturing strategy for improving integrated circuit (IC) performance. However, as the device dimensions shrink, the scaling becomes harder to be achieved. In this context, much effort has been done in order to develop alternative devices that may allow further progress in computation capability. Among the promising emerging technologies is the multiple independent-gate field effect transistors (MIGFETs). MIGFETs are switch-based devices, which allow more logic capability in a single device. In general, switch networks built through MIGFET devices tend to be more compact than the traditional switch networks. However, there is a tradeoff between the number of logic switches merged and the area and performance of a given MIGFET. Thus, we aim to explore such a tradeoff in order to evaluate the MIGFET impacts in the building digital integrated circuits. To achieve this goal, in this work, we present an area and performance evaluation based on digital circuit built using MIGFET devices, where each MIGFET is represented through RC modelling. In particular, such an evaluation is applied on full-custom design of binary adder circuits and on standard-cell design flow targeting in a set of benchmark circuits. Through the experiments, it is possible have an insight, even superficial and pessimist, about how big can be the layout of a given MIGFET than the single-gate FinFET and still show a reduction in the final circuit area due to the logic compaction.

Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como “SOI-FinFET”. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante – “Silicon-on- Insulator”, SOI – com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutura nanométrica vertical de silício chamada de “finger” ou “fin”. Como introdução ao dispositivo em questão, é feita uma revisão básica sobre a tecnologia e transistores SOI e sobre MOSFETs de múltiplas portas. A implementação de um modelo tipo “charge-sheet” para o transistor SOI-MOSFET totalmente depletado e uma modelagem deste dispositivo em altas frequências também é apresentada. A geometria do “fin” é escalada para valores menores do que 100 nm, com uma espessura entre 10 e 20 nm. Um dos objetivos deste trabalho é a definição de parâmetros para o SOI-FinFET que o viabilizem para a tecnologia de 22 nm, com um comprimento efetivo de canal menor do que 20 nm. O transistor FinFET e uma estrutura básica simplificada para simulação numérica em 3D são descritos, sendo utilizados dados de tecnologias atuais de fabricação. São apresentados resultados de simulação numérica 3D (curvas ID-VG, ID-VD, etc.) evidenciando as principais características de funcionamento do FinFET. É analisada a influência da espessura e dopagem do “fin” e do comprimento físico do canal em parâmetros importantes como a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar. São consideradas e analisadas duas possibilidades de dopagens da área ativa do “fin”: (1) o caso em que esta pode ser considerada não dopada, sendo baixíssima a probabilidade da presença de dopantes ativos, e (2) o caso de um alto número de dopantes ativos (> 10 é provável). Uma comparação entre dois simuladores numéricos 3D de dispositivos é realizada no intuito de explicitar diferenças entre modelos de simulação e características de descrição de estruturas 3D. São apresentadas e analisadas medidas em dispositivos FinFET experimentais. Dois métodos de extração de resistência série parasita são utilizados em FinFETs simulados e caracterizados experimentalmente. Para finalizar, são resumidas as principais conclusões deste trabalho e são propostos os trabalhos futuros e novas diretivas na pesquisa dos transistores FinFETs. / This thesis presents the results of 3D-numerical simulation of electron transport in double-gate SOI-FinFETs in the decanometer size range. A basic review on the SOI technology and multiple gates MOSFETs is presented. The implementation of a chargesheet model for the fully-depleted SOI-MOSFET and a high frequency modeling of this device are first presented for a planar device topology. The second part of this work deals with FinFETs, a non-planar topology. The geometry of the silicon nano-wire (or “fin”) in this thesis is scaled down well below 100 nm, with fin thickness in the range of 10 to 20 nm. This work addresses the parameters for a viable 22 nm CMOS node, with electrical effective channel lengths below 20 nm. The basic 3D structure of the FinFET transistor is described in detail, then it is simulated with various device structural parameters, and results of 3D-numerical simulation (ID-VG curves, ID-VD, etc.), showing the main features of operation of this device, are presented. The impacts of varying silicon fin thicknesses, physical channel lengths, and silicon fin doping concentration on both the average threshold voltage and the subthreshold slope are investigated. With respect to the doping concentration, the discrete and highly statistical nature of impurity presence in the active area of the nanometer-range fin is considered in two limiting cases: (1) the zero-doping or undoped case, for highly improbable presence of active dopants, and (2) the many-dopants case, or high number (> 10 are probable) of active dopants in the device channel. A comparison between two 3D-numerical device simulators is performed in order to clarify differences between simulation models and features of the description of 3D structures. A structure for SOIFinFETs is optimized, for the undoped fin, showing its applicability for devices with electrical effective channel lengths below 20 nm. SOI-FinFET measurements were performed on experimental devices, analyzed and compared to device simulation results. This thesis uses parasitic resistance extraction methods that are tested in FinFET simulations and measurements. Finally, the main conclusions of this work are summarized and the future work and new directions in the FinFETs research are proposed.

O presente trabalho tem por objetivo fornecer o embasamento teórico para o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA – Low Noise Amplifier) em tecnologia CMOS que opere em mais de uma faixa de frequência, de modo a permitir seu uso em receptores multibanda e de banda larga. A base teórica que este trabalho abrange desde a revisão bibliográfica do assunto em questão, passando pela análise dos modelos de transistores para alta-frequência, pelo estudo das especificações deste bloco e das métricas utilizadas em projetos de circuitos integrados de RF, bem como pela revisão de topologias clássicas existentes. Com os conhecimentos acima adquiridos, foi possível realizar o projeto de um LNA diferencial de banda larga utilizando tecnologia CMOS IBM 130nm, o qual pode ser aplicado ao padrão IEEE 802.22 para rádios cognitivos (CR). O projeto é baseado na técnica de cancelamento de ruído, sendo validado após apresentar efetiva redução de figura de ruído para banda de frequência desejada, com moderado consumo de potência e utilização moderada de área de silício, devido a solução sem o uso de indutores. O LNA banda larga opera em frequências de 50Mhz a 1GHz e apresenta uma figura de ruído abaixo de 4dB, em 90% da faixa, um ganho acima de 12dB, e perda de retorno na entrada e na saída maiores que 12dB. O IIP3 e a frequência de ocorrência de compressão a 1dB com a entrada em 580MHz estão acima de 0dBm e -10dBm respectivamente. Possui consumo de 46,5mWpara fonte de 1,5V e ocupa uma área ativa de apenas 0,28mm x 0,2mm. / This work presents the theoretical basis for the design of a low noise amplifier (LNA) in CMOS technology that operates in more than one frequency band, which enables its use in multi-band and wideband receivers. The theoretical basis that this work will address extends from the literature review on the subject, through the analysis of models of MOS transistors for high frequencies, study of specifications of this block and the metrics used in RF integrated circuit design, as well as the review of existing classical LNA topologies. Based on the knowledge acquired above, the design of a differential wideband LNA is developed using IBM 130nm RF CMOS process, which can be used in IEEE 802.22 Cognitive Radio (CR) applications. The design is based on the noise-canceling technique, with an indutctorless solution, showing that this technique effectively reduces the noise figure over the desired frequency range with moderate power consumption and a moderate utilization of silicon die area. The wideband LNA covers the frequency range from 50 MHz to 1 GHz, achieving a noise figure below 4dB in over 90% of the band of interest, a gain of 11dB to 12dB, and an input/output return loss higher than -12 dB. The input IIP3 and input P1dB at 580MHz are above 0dB and -10dB, respectively. It consumes 46.5mW from a 1.5V supply and occupies an active area of only 0.056mm2 (0.28mm x 0.2mm).

A crescente utilização de equipamentos móveis que empregam a transformada rápida de Fourier (FFT) nas operações de sinal digital pode ter seu uso restrito devido ao comprometimento da durabilidade da bateria e de suas dimensões. Estas possíveis limitações de uso fazem crescer a necessidade do desenvolvimento de técnicas que visam à otimização nos três requisitos básicos de projeto digital: dissipação de potência, área e atraso. Para tanto, é abordado neste trabalho um método que realiza a implementação de arquiteturas FFT com ênfase na otimização através da decomposição dos coeficientes trigonométricos. No cálculo da FFT, as borboletas desempenham um papel central, uma vez que permitem o cálculo de termos complexos. Neste cálculo, que envolve multiplicações dos dados de entrada com coeficientes trigonométricos apropriados, a otimização das borboletas pode contribuir diretamente para a redução de potência e área. Na técnica proposta são analisados quais são os coeficientes trigonométricos existentes na arquitetura FFT utilizada como base e a escolha para decomposição será o que apresentar o menor custo de implementação em hardware. A decomposição de um coeficiente deve garantir a reconstituição de todos os demais coeficientes necessários para a implementação de toda a arquitetura FFT. Assim, a decomposição diminui o número de coeficientes necessários para reconstruir a FFT original. O conjunto dos novos coeficientes gerados são implementados com apenas somadores\subtratores e deslocamentos através de Multiplicação de Matrizes Constantes (CMM – Constant Matrix Multiplication), associados a um sistema de controle com multiplexadores que controlam o caminho para a correta operação da FFT. As implementações dos circuitos somadores/subtratores são realizadas com métrica no nível de portas lógicas, visando menor atraso e dissipação de potência para topologias com somadores dos tipos CSA (Carry Save Adder) e Ripple carry. Os resultados apresentados pelo método proposto, quando comparados com soluções da literatura, são significativamente satisfatórios, pois minimizaram a dissipação de potência e área em 30% e 24% respectivamente. Os resultados apresentam também a redução de componentes somadores necessários para a implementação de arquiteturas FFTs. / The increasing use of mobile devices using the Fast Fourier Transform (FFT) operations in digital signal may have its use restricted due compromising the durability of the battery and its dimensions. These possible limitations on usage makes grow the need to develop techniques aimed at optimizing the three basic requirements of digital design: power dissipation, area and delay. Therefore, this thesis discusses a method that performs the FFT implementation of architectures with emphasis on optimization through decomposition of twiddle factors (trigonometric coefficients). In the FFT the butterflies play a key role, since it allows the computation of complex terms. In this calculation, which involves multiplications of input data with appropriate twiddle factors, optimization of the butterflies can contribute directly to the reduction in power and area. In the proposed technique are analyzed what are the twiddle factors existing in FFT architecture used as a basis and to choose the decomposition that provide the lowest cost hardware implementation. The decomposition of coefficient to must ensure the rebuilding of all the other twiddle factors necessary for the implementation of the architecture FFT. Thus, the decomposition decreases the number of twiddle factors needed to reconstruct the original FFT. The new sets of coefficients generated are implemented with only adders\subtracters and shifting through of Constants Matrix Multiplication (CMM). A control system of multiplexers makes the way for the correct operation of the FFT. The implementations of the circuits arithmetic adders/subtracters are performed at the gate level, seeking lower delay and power consumption for topologies with adders types of CSA (Carry Save Adder) and Ripple carry. The results presented by the proposed method, compared with literature solutions are significantly satisfactory, since minimized power dissipation and area as well as reduced component adders required for implementation architectures FFTs.

Desde os anos 80 a evolução dos processos de fabricação de circuitos integrados MOS tem buscado a redução da tensão de alimentação, como forma de se reduzir o consumo de energia dos circuitos. Partiu-se dos antigos 5 V, padrão estabelecido pela lógica TTL nos anos 70, até os circuitos modernos que operam com alimentação pouco abaixo de 1 V. Entretanto, desde os primeiros anos da década de 2000, a tensão de alimentação está estabilizada neste patamar, devido a limitações tecnológicas que tem se mostrado difíceis de serem transpostas. Tal desafio tem sido estudado por grupos de pesquisa ao redor do mundo, e diversas estratégias tem sido propostas para se chegar a circuitos analógicos e digitais que operem sob tensão de alimentação bem inferior a 1 V. De fato estes grupos têm focado seus estudos em circuitos que operam com tensão de alimentação inferior a 0,5 V, alguns chegando à casa de 200 ou 100 mV, ou até menor. Dentre as diversas classes de circuitos, os conversores de dados dos tipos digital-analógico (DAC) e analógicodigital (ADC) são circuitos fundamentais ao processo de integração entre os módulos que processam sinais analogicamente e os que processam sinais digitalmente, sendo assim essenciais à implementação dos complexos SoCs (System-on-Chips) da atualidade. Este trabalho apresenta um estudo sobre o desempenho da configuração MOSFET em rede M-2M (similar à rede R-2R que emprega resistores), utilizada como circuito conversor digital-analógico, quando dimensionada para operar sob tensão de alimentação muito baixa, da ordem de 200 mV ou inferior. Tal estudo se baseia no emprego de um modelo para os MOSFETs que é contínuo desde a condição de inversão fraca (subthreshold) até a inversão forte, e inclui o uso de um modelo de descasamento entre MOSFETs que é válido para qualquer condição de operação. Com base neste estudo foi desenvolvida uma metodologia de projeto, capaz de estabelecer as relações de compromisso entre “tensão de alimentação”, “resolução efetiva” e “área ocupada em silício”, fundamentais para se atingir um circuito otimizado. Resultados de simulação elétrica são apresentados e confrontados com os resultados analíticos, visando a comprovação da metodologia. O circuito já foi enviado para fabricação, e deve começar a ser testado em breve.