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Opportunistic Routing (OR) can be used as an alternative to the legacy routing (LR) protocols in networks with a broadcast lossy channel and possibility of overhearing the signal. The power line medium creates such an environment. OR can better exploit the channel than LR because it allows the cooperation of all nodes that receive any data. With LR, only a chain of nodes is selected for communication. Other nodes drop the received information. We investigate OR for the one-source one-destination scenario with one traffic flow. First, we evaluate the upper bound on the achievable data rate and advocate the decentralized algorithm for its calculation. This knowledge is used in the design of Basic Routing Rules (BRR). They use the link quality metric that equals the upper bound on the achievable data rate between the given node and the destination. We call it the node priority. It considers the possibility of multi-path communication and the packet loss correlation. BRR allows achieving the optimal data rate pertaining certain theoretical assumptions. The Extended BRR (BRR-E) are free of them. The major difference between BRR and BRR-E lies in the usage of Network Coding (NC) for prognosis of the feedback. In this way, the protocol overhead can be severely reduced. We also study Automatic Repeat-reQuest (ARQ) mechanism that is applicable with OR. It differs to ARQ with LR in that each sender has several sinks and none of the sinks except destination require the full recovery of the original message. Using BRR-E, ARQ and other services like network initialization and link state control, we design the Advanced Network Coding based Opportunistic Routing protocol (ANChOR). With the analytic and simulation results we demonstrate the near optimum performance of ANChOR. For the triangular topology, the achievable data rate is just 2% away from the theoretical maximum and it is up to 90% higher than it is possible to achieve with LR. Using the G.hn standard, we also show the full protocol stack simulation results (including IP/UDP and realistic channel model). In this simulation we revealed that the gain of OR to LR can be even more increased by reducing the head-of-the-line problem in ARQ. Even considering the ANChOR overhead through additional headers and feedbacks, it outperforms the original G.hn setup in data rate up to 40% and in latency up to 60%.:1 Introduction 2 1.1 Intra-flow Network Coding 6 1.2 Random Linear Network Coding (RLNC) 7 2 Performance Limits of Routing Protocols in PowerLine Communications (PLC) 13 2.1 System model 14 2.2 Channel model 14 2.3 Upper bound on the achievable data rate 16 2.4 Achieving the upper bound data rate 17 2.5 Potential gain of Opportunistic Routing Protocol (ORP) over Common Single-path Routing Protocol (CSPR) 19 2.6 Evaluation of ORP potential 19 3 Opportunistic Routing: Realizations and Challenges 24 3.1 Vertex priority and cooperation group 26 3.2 Transmission policy in idealized network 34 3.2.1 Basic Routing Rules (BRR) 36 3.3 Transmission policy in real network 40 3.3.1 Purpose of Network Coding (NC) in ORP 41 3.3.2 Extended Basic Routing Rules (BRR) (BRR-E) 43 3.4 Automatic ReQuest reply (ARQ) 50 3.4.1 Retransmission request message contents 51 3.4.2 Retransmission Request (RR) origination and forwarding 66 3.4.3 Retransmission response 67 3.5 Congestion control 68 3.5.1 Congestion control in our work 70 3.6 Network initialization 74 3.7 Formation of the cooperation groups (coalitions) 76 3.8 Advanced Network Coding based Opportunistic Routing protocol (ANChOR) header 77 3.9 Communication of protocol information 77 3.10 ANChOR simulation . .79 3.10.1 ANChOR information in real time .80 3.10.2 Selection of the coding rate 87 3.10.3 Routing Protocol Information (RPI) broadcasting frequency 89 3.10.4 RR contents 91 3.10.5 Selection of RR forwarder 92 3.10.6 ANChOR stability 92 3.11 Summary 95 4 ANChOR in the Gigabit Home Network (G.hn) Protocol 97 4.1 Compatibility with the PLC protocol stack 99 4.2 Channel and noise model 101 4.2.1 In-home scenario 102 4.2.2 Access network scenario 102 4.3 Physical layer (PHY) layer implementation 102 4.3.1 Bit Allocation Algorithm (BAA) 103 4.4 Multiple Access Control layer (MAC) layer 109 4.5 Logical Link Control layer (LLC) layer 111 4.5.1 Reference Automatic Repeat reQuest (ARQ) 111 4.5.2 Hybrid Automatic Repeat reQuest (HARQ) in ANChOR 114 4.5.3 Modeling Protocol Data Unit (PDU) erasures on LLC 116 4.6 Summary 117 5 Study of G.hn with ANChOR 119 5.1 ARQ analysis 119 5.2 Medium and PHY requirements for “good” cooperation 125 5.3 Access network scenario 128 5.4 In-home scenario 135 5.4.1 Modeling packet erasures 136 5.4.2 Linear Dependence Ratio (LDR) 139 5.4.3 Worst case scenario 143 5.4.4 Analysis of in-home topologies 145 6 Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . 154 A Proof of the neccessity of the exclusion rule 160 B Gain of ORPs to CSRPs 163 C Broadcasting rule 165 D Proof of optimality of BRR for triangular topology 167 E Reducing the retransmission probability 168 F Calculation of Expected Average number of transmissions (EAX) for topologies with bi-directional links 170 G Feedback overhead of full coding matrices 174 H Block diagram of G.hn physical layer in ns-3 model 175 I PER to BER mapping 177

Diese Arbeit beschäftigt sich mit den wesentlichen Aspekten der Hochrateabscheidung von amorphen (a-Si:H) und mikrokristallinen (μc-Si:H) Silizium-Schichten und Solarzellen. Die neuartige plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung unter Anwendung von den sehr hohen Anregungsfrequenzen bis 140 MHz (VHF-PECVD) wurde demonstriert. Die durchgeführten Untersuchungen befassten sich hauptsächlich mit der Anpassung der Anlagentechnik für den VHF Bereich und der Entwicklung des hochproduktiven Herstellungsverfahrens ohne Einbußen bei den Schichteigenschaften und dem Solarzellenwirkungsgrad. Durch Frequenzerhöhung bis 140 MHz wurde eine Steigerung der i-Schicht-Abscheiderate von 70 % sowohl für a-Si:H als auch für μc-Si:H realisiert. Die Weiteroptimierung des Solarzellenaufbaus zeigt die hervorragende Eignung des Herstellungsprozesses für die Abscheidung von hocheffizienten Solarzellen (ca. 10,7 % für a-Si:H- und 9,5 % für μc-Si:H-Zellen). Der neuartige VHF-PECVD-Prozess wurde außerdem für die Abscheidung von den Passivierungsschichten für die Silizium-Heteroübergangs-Solarzellen (HIT) getestet. Die Arbeit im VHF-Bereich ermöglicht einen Einsatz von hohen Depositionsraten bis 1 nm/s ohne Einbußen bei den Passivierungseigenschaften (2 ms Lebensdauer) im Vergleich zum 13,56-MHz-Prozess (0,5 ms Lebensdauer). Zuletzt wurde eine Analyse der Zusammenhänge zwischen Anregungsfrequenz, Plasmaleistung, Ionenenergie, Ioneneindringtiefe und Defektbildung in den intrinsischen Dünnschichtsiliziumschichten durchgeführt.:I. Abkürzungs- und Symbolverzeichnis vii 1 Einleitung 1 2 Physikalische und technologische Grundlagen 7 2.1 Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung 7 2.1.1 Prozessparameter 9 2.1.2 Frequenzeinfluss 10 2.2 Amorphes und mikrokristallines Silizium 14 2.2.1 Eigenschaften von Dünnschichtsilizium 15 2.2.2 Siliziumbasierte Dünnschichtsolarzellen 20 2.2.3 Siliziumbasierte Solarzellen mit Heteroübergang 21 3 Entwicklung des Abscheidungsprozesses bis 140 MHz 23 3.1 Herstellung von dünnen Siliziumschichten 23 3.1.1 VHF-PECVD-Durchlaufanlage mit linearen Elektroden 24 3.1.2 F&E-Testanlage 25 3.2 Anpassung des Abscheidungssystems für sehr hohe Frequenzen 26 3.2.1 Temperaturregelung der HF Elektrode 26 3.2.2 Kompensation des Tiefpassverhaltens 28 3.2.3 Leistungseinkopplung 31 3.3 Homogenität der VHF-Abscheidung 32 3.4 Charakterisierung von dünnen Siliziumschichten und Solarzellen 34 3.4.1 Leitfähigkeitsmessung 34 3.4.2 Transmissionsmessungen im UV-VIS-NIR-Bereich 35 3.4.3 Fourier-Transform-Infrarotspektroskopie 37 3.4.4 Raman-Spektroskopie 38 3.4.5 Solarzellencharakterisierung 39 3.4.6 Messungen der effektiven Lebensdauer 42 3.5 Zusammenfassung der Ergebnisse 43 4 Hydrogeniertes amorphes Silizium im VHF-Bereich 45 4.1 Intrinsische a-Si:H Einzelschichten bis 140 MHz 45 4.1.1 Optische Eigenschaften 47 4.1.2 Strukturelle Eigenschaften 48 4.1.3 Elektrische Eigenschaften 51 4.2 a-Si:H-Solarzellen bis 140 MHz 52 4.2.1 Variation der Silankonzentration 53 4.2.2 Abscheiderateerhöhung durch Prozessleistung 56 4.3 Weitere Entwicklung der amorphen Silizium-Solarzellen 61 4.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 62 5 Hydrogeniertes mikrokristallines Silizium im VHF-Bereich 65 5.1 μc-Si:H Schichten und Solarzellen – HPD-Regime 68 5.1.1 Einfluss des Prozessdruckes und der Silankonzentration bei hohen Gasflusswerten 69 5.1.2 Einfluss der Leistung bei hohen Gasflusswerten 72 5.2 μc-Si:H Schichten und Solarzellen – Frequenzerhöhung 74 5.2.1 μc-Si:H Schichteigenschaften – Vergleich 120 und 140 MHz 74 5.2.2 μc-Si:H Solarzellen – Vergleich 120 und 140 MHz 76 5.3 Weitere Entwicklung der μc-Si:H Solarzellen 78 5.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 79 6 Passivierungsschichten für HIT-Solarzellen 81 6.1 Schichteigenschaften – Vergleich zwischen 13,56 und 140 MHz 81 6.2 H2-Plasma-Vorreinigung 84 6.3 Passivierungsschichten – Frequenzeinfluss 87 6.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 88 7 Simulationsstudie 89 7.1 Ionenbeschussenergie 89 7.1.1 Modellübersicht – Ar-Plasma 90 7.1.2 Einfluss der Leistung und Betriebsfrequenz 91 7.2 Simulation des Ionenbeschusses 92 7.2.1 TRIM–Simulationssoftware 92 7.2.2 Ionenbeschuss auf die a-Si:H-Oberfläche 93 7.3 Solarzellen – Defekte in der i- Schicht 94 7.3.1 ASA–Simulationssoftware 95 7.3.2 Parameterset 99 7.3.3 Einfluss der Defektdichte auf Solarzelleneigenschaften 101 7.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 102 8 Zusammenfassung und Ausblick 105 II. Abbildungsverzeichnis 111 III. Tabellenverzeichnis 117 IV. Literaturverzeichnis 119 V. Veröffentlichungen 129 VI. Lebenslauf 131 VII. Danksagung 133 / The following thesis deals with the main aspects of the high-rate deposition of amorphous (a-Si:H) and microcrystalline (μc-Si:H) silicon layers and solar cells. The very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition technique with excitation frequencies up to 140 MHz (VHF-PECVD) has been introduced. These study deals mainly with the adaptation of the deposition system for the VHF-range and the development of the highly productive manufacturing process without deterioration of the layer properties and the solar cell efficiency. An increase of the excitation frequency up to 140 MHz ensured a 70 % enhancement of the a-Si:H and μc-Si:H deposition rate. A further optimization of the solar cells shows the excellent suitability of these manufacturing process for the deposition of the highly efficient solar cells (about 10.7% for a-Si:H and 9.5% for μc-Si:H cells). The novel VHF-PECVD process has also been analyzed for the deposition of the passivation layers for the silicon heterojunction solar cells (HIT). Working in the VHF-range allows the use of very high deposition rates up to 1 nm/s, without deterioration of the passivation properties (2 ms lifetime) compared to the 13.56 MHz process (0.5 ms lifetime). Finally, an analysis of the correlations between excitation frequency, plasma power, ion energy, ion penetration depth and defect formation in the intrinsic thin film silicon layers was performed.:I. Abkürzungs- und Symbolverzeichnis vii 1 Einleitung 1 2 Physikalische und technologische Grundlagen 7 2.1 Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung 7 2.1.1 Prozessparameter 9 2.1.2 Frequenzeinfluss 10 2.2 Amorphes und mikrokristallines Silizium 14 2.2.1 Eigenschaften von Dünnschichtsilizium 15 2.2.2 Siliziumbasierte Dünnschichtsolarzellen 20 2.2.3 Siliziumbasierte Solarzellen mit Heteroübergang 21 3 Entwicklung des Abscheidungsprozesses bis 140 MHz 23 3.1 Herstellung von dünnen Siliziumschichten 23 3.1.1 VHF-PECVD-Durchlaufanlage mit linearen Elektroden 24 3.1.2 F&E-Testanlage 25 3.2 Anpassung des Abscheidungssystems für sehr hohe Frequenzen 26 3.2.1 Temperaturregelung der HF Elektrode 26 3.2.2 Kompensation des Tiefpassverhaltens 28 3.2.3 Leistungseinkopplung 31 3.3 Homogenität der VHF-Abscheidung 32 3.4 Charakterisierung von dünnen Siliziumschichten und Solarzellen 34 3.4.1 Leitfähigkeitsmessung 34 3.4.2 Transmissionsmessungen im UV-VIS-NIR-Bereich 35 3.4.3 Fourier-Transform-Infrarotspektroskopie 37 3.4.4 Raman-Spektroskopie 38 3.4.5 Solarzellencharakterisierung 39 3.4.6 Messungen der effektiven Lebensdauer 42 3.5 Zusammenfassung der Ergebnisse 43 4 Hydrogeniertes amorphes Silizium im VHF-Bereich 45 4.1 Intrinsische a-Si:H Einzelschichten bis 140 MHz 45 4.1.1 Optische Eigenschaften 47 4.1.2 Strukturelle Eigenschaften 48 4.1.3 Elektrische Eigenschaften 51 4.2 a-Si:H-Solarzellen bis 140 MHz 52 4.2.1 Variation der Silankonzentration 53 4.2.2 Abscheiderateerhöhung durch Prozessleistung 56 4.3 Weitere Entwicklung der amorphen Silizium-Solarzellen 61 4.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 62 5 Hydrogeniertes mikrokristallines Silizium im VHF-Bereich 65 5.1 μc-Si:H Schichten und Solarzellen – HPD-Regime 68 5.1.1 Einfluss des Prozessdruckes und der Silankonzentration bei hohen Gasflusswerten 69 5.1.2 Einfluss der Leistung bei hohen Gasflusswerten 72 5.2 μc-Si:H Schichten und Solarzellen – Frequenzerhöhung 74 5.2.1 μc-Si:H Schichteigenschaften – Vergleich 120 und 140 MHz 74 5.2.2 μc-Si:H Solarzellen – Vergleich 120 und 140 MHz 76 5.3 Weitere Entwicklung der μc-Si:H Solarzellen 78 5.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 79 6 Passivierungsschichten für HIT-Solarzellen 81 6.1 Schichteigenschaften – Vergleich zwischen 13,56 und 140 MHz 81 6.2 H2-Plasma-Vorreinigung 84 6.3 Passivierungsschichten – Frequenzeinfluss 87 6.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 88 7 Simulationsstudie 89 7.1 Ionenbeschussenergie 89 7.1.1 Modellübersicht – Ar-Plasma 90 7.1.2 Einfluss der Leistung und Betriebsfrequenz 91 7.2 Simulation des Ionenbeschusses 92 7.2.1 TRIM–Simulationssoftware 92 7.2.2 Ionenbeschuss auf die a-Si:H-Oberfläche 93 7.3 Solarzellen – Defekte in der i- Schicht 94 7.3.1 ASA–Simulationssoftware 95 7.3.2 Parameterset 99 7.3.3 Einfluss der Defektdichte auf Solarzelleneigenschaften 101 7.4 Zusammenfassung der Ergebnisse 102 8 Zusammenfassung und Ausblick 105 II. Abbildungsverzeichnis 111 III. Tabellenverzeichnis 117 IV. Literaturverzeichnis 119 V. Veröffentlichungen 129 VI. Lebenslauf 131 VII. Danksagung 133

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In dieser Arbeit wird eine genaue Zeitsynchronisation über kupferbasierte Ethernetsysteme sowie der Entwurf von Schaltungen für die Bitübertragungsschicht (Physical Layer, PHY) in solchen Ethernetsystemen untersucht. Dabei wird der Entwurf eines integrierten Schaltkreises für den Standard 100Base-TX vorgestellt. Dieser PHY-Chip ermöglicht die Datenübertragung mit einer Datenrate von 100 MBit/s über verdrillte Kupferkabel und stellt darüber hinaus eine genaue Uhr bereit, welche zwischen den verbundenen Netzknoten synchronisiert werden kann. Dieser Schaltkreis ist insbesondere für Industrieanwendungen gedacht, bei denen verschiedene Prozesse zeitlich synchronisiert werden müssen. Prinzipiell ist der PHY-Chip jedoch universell für verschiedenste Anwendungen zur Zeitsynchronisation einsetzbar. Um die Genauigkeit der Zeitsynchronisation gegenüber herkömmlichen Ansätzen zu steigern, werden verschiedene Techniken untersucht und in dem entworfenen Schaltkreis eingesetzt. So wird die Phase der Taktsignale in feinen Schritten eingestellt und auch gemessen, sodass die Auflösung der Zeitstempel erheblich verbessert wird. Zu diesem Zweck wird ein sogenannter Digital-To-Phase Converter (DPC) eingesetzt, der 256 verschiedene Taktphasen des 125 MHz Systemtaktes bereitstellt. Für die eigentliche Zeitsynchronisation wird ein Proportional-Integral-Regler verwendet. Basierend auf einer theoretischen Rauschanalyse wird eine Methode vorgestellt, mit der die Parameter dieses Reglers so dimensioniert werden können, dass der Zeitfehler im eingeschwungenen Zustand möglichst klein wird. Darüber hinaus werden weitere Störeinflüsse analysiert und es werden geeignete Maßnahmen entwickelt, um diese zu kompensieren. So wird eine adaptive Kompensation eines Eintonstörers sowie eine Kalibrierung zur automatischen Kompensation von Asymmetrien im Kabel vorgestellt. All diese Punkte helfen, eine hervorragende Genauigkeit der Zeitsynchronisation zu ermöglichen, was durch umfangreiche Messungen verifiziert wird. Insgesamt weist der gemessene Zeitfehler in einem Punkt-zu-Punkt-Szenario eine Standardabweichung von 64 ps und einen Mittelwert unterhalb von 100 ps auf. Dies stellt eine erhebliche Verbesserung gegenüber konventionellen Lösungen zur Zeitsynchronisation über kupferbasiertes Ethernet dar, mit denen Genauigkeiten im Nanosekundenbereich erreicht werden. Als zweites Ziel dieser Arbeit wird der PHY-Chip für eine möglichst niedrige Leistungsaufnahme optimiert. Um dies zu erreichen, werden insbesondere der Leitungstreiber im Sender und der Equalizer im Empfänger systematisch optimiert. So werden zwei verschiedene Topologien von Leitungstreibern untersucht und verglichen. Beide weisen eine Leistungsaufnahme von etwa 24 mW auf. Im Vergleich zum Stand der Technik sind dies die beiden niedrigsten Werte für Leitungstreiber für den Standard 100Base-TX. Der gesamte PHY-Chip, der in einer 180 nm Technologie implementiert wurde, weist durch die zahlreichen Optimierungen eine geringe Leistungsaufnahme von maximal 69 mW auf, was ebenfalls einen Rekordwert im Vergleich mit dem Stand der Technik darstellt (80 mW). Die einzelnen Schaltungen wurden sowohl simulativ als auch mit ausführlichen Messungen verifiziert. Für den gesamten Link wird eine Bitfehlerrate besser als 10⁻¹² bei verschiedenen Kabeln bis zu 120 m Länge erreicht.:Abbildungsverzeichnis Tabellenverzeichnis Abkürzungen Symbole 1 Einleitung 1.1 Zeit und Zeitsynchronisation 1.2 Ziele dieser Arbeit 1.3 Gliederung 2 Grundlagen 2.1 100Base-TX Ethernet-Standard 2.1.1 Schnittstelle zur MAC-Schicht 2.1.2 4B5B-Kodierung 2.1.3 Scrambler und Descrambler 2.1.4 MLT-3-Kodierung 2.1.5 Bitfehlerrate und Signal-Rausch-Verhältnis 2.2 Kanalmodellierung 2.2.1 Dämpfung 2.2.2 Baseline-Wander 2.3 Zeitsynchronisierung 2.3.1 Bestimmung der Zeitdifferenz 2.3.2 Vergrößerung der Synchronisationsgenauigkeit 3 Schaltungsentwurf und Charakterisierung 3.1 Energieeffiziente Leitungstreiber 3.1.1 Vergleich von Leitungstreibern mit passiver Anpassung 3.1.2 Spannungstreiber 3.1.3 Leitungstreiber mit aktiver Anpassung 3.1.4 Vergleich der Leitungstreiber und Fazit 3.2 Takterzeugung 3.2.1 Ringoszillator 3.2.2 Phasenregelschleife 3.2.3 Phaseninterpolator 3.2.4 Messung 3.2.5 Verbesserter 10 Bit DPC 3.3 Takt- und Datenrückgewinnung 3.3.1 Phasendetektor 3.3.2 Modellierung des DPC 3.3.3 Dimensionierung des Schleifenfilters 3.3.4 Implementierung 3.4 Adaptiver Equalizer 3.4.1 Kompensation der Kabeldämpfung 3.4.2 Implementierung des analogen Filters 3.4.3 Digitale Regelung der Equalizer-Parameter 3.4.4 Messung des Equalizers 3.5 Zeitsynchronisation 3.5.1 Uhr und Steuerung der Frequenz 3.5.2 Digitale Schaltungen zur Zeitstempelung 3.5.3 Implementierung der Zeitsynchronisation 3.5.4 Adaptive Unterdrückung eines Eintonstörers 3.5.5 Automatische Kalibrierung von Asymmetrien 3.5.6 Vergleich mit dem Stand der Technik 3.6 Gesamter PHY-Schaltkreis 3.6.1 Leistungsaufnahme 3.6.2 Vergleich mit dem Stand der Technik 4 Zusammenfassung und Ausblick Literaturverzeichnis Eigene Veröffentlichungen / This work investigates accurate time synchronization over copper-based Ethernet systems as well as the design of circuits for the physical layer (PHY) in such Ethernet systems. The design of an integrated circuit (IC) for the 100Base-TX standard is presented. This PHY-IC enables data transmission at a data rate of 100 MBit/s over twisted pair copper cables and, additionally, provides an accurate clock which can be synchronized between connected network nodes. This circuit is designed for industrial applications where various processes need to be synchronized in time. In principle, however, the PHY-IC can be used universally for various time synchronization applications. In order to increase the accuracy of the time synchronization compared to conventional approaches, various techniques are investigated and used in the designed circuit. For example, the phase of the clock signals is adjusted and measured in fine steps, such that the resolution of the timestamps is improved by a large amount. For this purpose, a digital-to-phase converter (DPC) is used, which provides 256 different clock phases of the 125 MHz system clock. A proportional integral controller is used for the actual time synchronization application. Based on a theoretical noise analysis, a method is presented to dimension the parameters of this controller to minimize the timing error in the steady state. Furthermore, other disturbing influences are analyzed and suitable measures are developed to compensate them. Thus, an adaptive compensation of a single-tone interferer is presented as well as a calibration to automatically compensate for asymmetries in the cable. All these points help to provide excellent accuracy of the time synchronization, which is verified by extensive measurements. Overall, the measured time error in a point-to-point scenario has a standard deviation of 64 ps and a mean value below 100 ps. This represents a significant improvement over conventional solutions for time synchronization over copper-based Ethernet, which achieve accuracies in the nanosecond range. As a second goal of this work, the PHY-IC is optimized for lowest power consumption. In particular, the line driver in the transmitter and the equalizer in the receiver are systematically optimized to achieve this. Thus, two different topologies of line drivers are investigated and compared. Both have a power consumption of about 24 mW. These represent the two lowest values for line drivers for the 100Base-TX standard compared to the state of the art. The entire PHY-IC is implemented in a 180 nm technology and shows a power consumption below 69 mW due to the numerous optimizations. This also represents a record value compared to the state of the art (80 mW). The individual circuits were verified with simulations and with detailed measurements. For the entire link, a bit error rate better than 10⁻¹² is achieved for various cables up to 120 m length.:Abbildungsverzeichnis Tabellenverzeichnis Abkürzungen Symbole 1 Einleitung 1.1 Zeit und Zeitsynchronisation 1.2 Ziele dieser Arbeit 1.3 Gliederung 2 Grundlagen 2.1 100Base-TX Ethernet-Standard 2.1.1 Schnittstelle zur MAC-Schicht 2.1.2 4B5B-Kodierung 2.1.3 Scrambler und Descrambler 2.1.4 MLT-3-Kodierung 2.1.5 Bitfehlerrate und Signal-Rausch-Verhältnis 2.2 Kanalmodellierung 2.2.1 Dämpfung 2.2.2 Baseline-Wander 2.3 Zeitsynchronisierung 2.3.1 Bestimmung der Zeitdifferenz 2.3.2 Vergrößerung der Synchronisationsgenauigkeit 3 Schaltungsentwurf und Charakterisierung 3.1 Energieeffiziente Leitungstreiber 3.1.1 Vergleich von Leitungstreibern mit passiver Anpassung 3.1.2 Spannungstreiber 3.1.3 Leitungstreiber mit aktiver Anpassung 3.1.4 Vergleich der Leitungstreiber und Fazit 3.2 Takterzeugung 3.2.1 Ringoszillator 3.2.2 Phasenregelschleife 3.2.3 Phaseninterpolator 3.2.4 Messung 3.2.5 Verbesserter 10 Bit DPC 3.3 Takt- und Datenrückgewinnung 3.3.1 Phasendetektor 3.3.2 Modellierung des DPC 3.3.3 Dimensionierung des Schleifenfilters 3.3.4 Implementierung 3.4 Adaptiver Equalizer 3.4.1 Kompensation der Kabeldämpfung 3.4.2 Implementierung des analogen Filters 3.4.3 Digitale Regelung der Equalizer-Parameter 3.4.4 Messung des Equalizers 3.5 Zeitsynchronisation 3.5.1 Uhr und Steuerung der Frequenz 3.5.2 Digitale Schaltungen zur Zeitstempelung 3.5.3 Implementierung der Zeitsynchronisation 3.5.4 Adaptive Unterdrückung eines Eintonstörers 3.5.5 Automatische Kalibrierung von Asymmetrien 3.5.6 Vergleich mit dem Stand der Technik 3.6 Gesamter PHY-Schaltkreis 3.6.1 Leistungsaufnahme 3.6.2 Vergleich mit dem Stand der Technik 4 Zusammenfassung und Ausblick Literaturverzeichnis Eigene Veröffentlichungen

Die Vermischung von Mikrowellen- und optischen Technologien – Mikrowellenphotonik – ist ein neu aufkommendes Feld mit hohem Potential. Durch die Nutzung der Vorzüge beider Welten hat die Mikrowellenphotonik viele Anwendungsfälle und ist gerade erst am Beginn ihrer Erfolgsgeschichte. Der Weg für neue Konzepte, neue Komponenten und neue Anwendungen wird dadurch geebnet, dass ein höherer Grad an Integration sowie neue Technologien wie Silicon Photonics verfügbar sind. In diesem Werk werden zuerst die notwendigen grundlegenden Basiskomponenten – optische Quelle, elektro-optische Wandlung, Übertragungsmedium und opto-elektrische Wandlung – eingeführt. Mithilfe spezifischer Anwendungsbeispiele, die von Chipebene bis hin zur Systemebene reichen, wird der elektrooptische Codesign-Prozess veranschaulicht. Schließlich werden zukünftige Ausrichtungen wie die Unterstützung von elektrischen Trägern im Millimeterwellen- und THz-Bereich sowie Realisierungsoptionen in integrierter Optik und Nanophotonik diskutiert. / The hybridization between microwave and optical technologies – microwave photonics – is an emerging field with high potential. Benefitting from the best of both worlds, microwave photonics has many use cases and is just at the beginning of its success story. The availability of a higher degree of integration and new technologies such as silicon photonics paves the way for new concepts, new components and new applications. In this work, first, the necessary basic building blocks – optical source, electro-optical conversion, transmission medium and opto-electrical conversion – are introduced. With the help of specific application examples ranging from chip level to system level, the electro-optical co-design process for microwave photonic systems is illustrated. Finally, future directions such as the support of electrical carriers in the millimeter wave and THz range and realization options in integrated optics and nanophotonics are discussed.