Made available in DSpace on 2016-08-29T15:35:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_8110_Doc1.pdf: 79742 bytes, checksum: 0c4e53a6c7cbf29a5bdfe5427333dcb5 (MD5) Previous issue date: 2014-08-29 / Diversos problemas são encontrados durante as fases de produção e refino de petróleo. Devido à grande diversidade de condições de temperatura e pressão sob as quais os óleos crus são submetidos, não é incomum que alterações na solubilidade das substâncias ali presentes causem a precipitação de compostos orgânicos, em especial parafinas de alto peso molecular. Dentre as principais técnicas de remedição frente a precipitação encontra-se o uso de inibidores químicos. Estes apresentam a vantagem de serem facilmente aplicados nas linhas, acrescidos ao baixo custo. No presente trabalho foram sintetizados dez novos inibidores químicos de deposição de parafinas derivados da juglona (5-hidroxi-1,4-naftquinona) e da lausona (2-hidroxi-1,4-naftoquinona) funcionalizados como ésteres de ácidos graxos. Foi realizado um estudo metodológico para obtenção de três ésteres diretos da juglona (32a-c). Esses ésteres foram preparados segundo metodologia de Steglich modificada com rendimentos de 50 a 54 %, resultados significativamente maiores ao reportados anteriormente na literatura. Os ésteres derivados da lausona (33a-e, 56 e 60) foram obtidos após adição de uma cadeia lateral espaçadora com excelentes rendimentos, maiores que 90% para a etapa de esterificação. Posteriormente, os produtos foram avaliados como inibidores de precipitação pela alteração da TIAC via ensaios calorimétricos e por Ponto de Fluidez segundo a ASTM D5853. Foi realizado o estudo de concentração ótima que evidenciou 200 ppm como a mais eficiente. Os inibidores derivados da lausona foram testados quanto a redução da TIAC e do ponto de fluidez em dois óleos crus onde os produtos 33c e 33d, derivados dos ácidos palmítico e esteárico, destacaram-se com os melhores resultados nas duas propriedades, superando também um inibidor comercial aplicado nas mesmas condições (controle positivo). Avaliou-se o tamanho da cadeia lateral na redução do ponto de fluidez e foi observado que o aumento de 2 para 5 carbonos diminui a eficiência do inibidor no óleo testado. Foi também estudado o tipo do heteroátomo na união da cadeia lateral com o anel naftoquinônicos e concluiu-se que o composto com nitrogênio é mais eficiente do que o que contém enxofre.

Orientador : Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-28T11:13:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Teixeira_RicardoCotrin_M.pdf: 1275626 bytes, checksum: 2394ace3a137b8589a2a20b2df254d67 (MD5) Previous issue date: 2001 / Mestrado

Orientador: Maria Clara Filippini Ierardi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-08-08T16:06:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SivieroFilho_CarlosAlberto_D.pdf: 9375257 bytes, checksum: 85cfd6030cc83efce804528381861da2 (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Os processos de tratamento superficial, incluindo a eletrodeposição e a deposição química, podem ser aplicados em peças estruturais de ferro produzidas através da técnica de metalurgia do pó para melhorar as propriedades superficiais de aparência e resistência à corrosão. Estes processos, classificados como operações secundárias, são essenciais para a qualidade e desempenho do produto. A eletrodeposição e a deposição química são usualmente realizadas sobre os materiais sinterizados da mesma forma com que são aplicadas aos materiais convencionais. Diferenças ocorrem porque os componentes sinterizados são porosos. Desenvolveram-se rotas para a aplicação dos revestimentos eletrolíticos de zinco e zinco-níquel, assim como para os revestimentos de níquel químico, sobre amostras sinterizadas com densidade entre 5,4 e 6,6 g/cm³ (índice de porosidade total entre 31,39 e 16,14%). Para tanto, foram utilizadas, como ponto de partida, seqüências ¿clássicas¿ aplicadas aos materiais convencionais. Buscou-se, desta forma, a selagem eletrolítica da porosidade com o intuito de evitar a exudação de eletrólitos responsáveis pela formação de manchas e ataques corrosivos. Os resultados mostraram que, dentre os processos estudados, os depósitos de níquel químico apresentaram maior uniformidade de camada e capacidade de recobrir poros com grandes diâmetros promovendo, portanto, a melhor condição de resistência à corrosão em atmosfera salina / Abstract: Surface treatment processes, including electroless plating and electroplating, can be applied to structural ferrous P/M parts to obtain better surface properties such as appearance and corrosion resistance. These finishing processes carried out as a secondary operation are essential for the quality and performance of the product. Electroplating and electroless plating are usually realized on P/M parts as well as on conventional materials. Differences arise because the metal component is porous. New routs were designed for zinc and zinc-nickel electroplating, and also for electroless nickel plating, on sintered samples with density between 5,4 and 6,6 g/cm³ (total porosity level between 31,39 and 16,14%). In order to achieve such results, there were used ¿classical¿ sequences applied for conventional materials. The electrolytical sealing was investigated in order to avoid plating solutions responsible for spots and corrosive attacks of P/M compacts to exude. Results showed that, among all the studied processes, electroless nickel deposits appeared to have a greater uniformity layer and a greater capacity to recover longer pores, allowing a higher resistance to corrosion in salt atmosphere / Doutorado / Materiais e Processos de Fabricação / Doutor em Engenharia Mecânica

Não disponível. / Not available.

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-25T18:33:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AlvaradoAlcocer_JuanCarlos_D.pdf: 6120849 bytes, checksum: 3095654638bfd5f26fceb6133d675056 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Devido à complexidade envolvida nos processos de deposição quimica a partir da fase vapor (CVD) do diamante o desenvolvimento de reatores de CVD requer a utilização de modelamentos computacionais adequados. Estes modelos são de difícil implementação pois necessitam incluir os fenômenos de transporte de massa e as reações químicas envolvidas, o que requer a solução de um enorme conjunto de equações diferenciais parciais. Nesta tese é apresentado um protótipo de simulador de CVD e sua aplicação na simulação do processo de crescimento de diamante em um reator de filamento quente. O software inclui um bloco onde se efetuam por meio da técnica de fluxo e vorticidade a solução bi-dimensional das equações diferenciais por diferenças finitas. A interface com o usuário foi implementada utilizando o ambiente de programação DELPHI (Microsoft), de modo a permitir ao usuário, interativamente, estabelecer os perfis de temperatura, concentração dos reagentes e taxa de crescimento / Abstract: Owing to the complexity involved in the processes of chemical vapor deposition (CVD) the development of CVD reactors for diamond growth requires the use of appropriate computer modelling. Such models need to treat mass transport and the chemical reactions, which occur in the reactor, the solution of an enormous number of partial differential equations. In this thesis a prototype of a CVD computer simulator is presented and applied to the calculation of the process of diamond growth in a hot-filament CVD reactor. The software includes a kernel where the equations are solved by the flow and vorticity technique using finite differences. The interface with the user was implemented using the DELPHI Programming environment (Microsoft) to allow to the user to evaluate the temperature profiles, reactant concentrations and growth rate / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Maria Domingues Vargas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T15:58:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Leite_MarcoAntonioBarreto_D.pdf: 11970768 bytes, checksum: 9c194c8ba5df596b61b7d39e5d121042 (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Este trabalho teve como objetivo estudar precursores únicos para a deposição de filmes finos dos óxidos metálicos de nióbio, zircônio e cobre. Foram sintetizados e caracterizados os compostos [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)] (3.1), [Cu(hfacac)2L] onde L=THF (4.1), O(Et)2 (4.2), O(Pr)2 (4.3), cis-trans DMOTHF (4.4) e cis-trans DMTHF (4.5) (HFTB = hexafluorotercbutóxido, hfacac = 1,1,1,5,5,5,-hexafluoro-2,4-pentanodiona, DMOTHF = 1,4-dimetoxotetrahdrofurano e DMTHF = 1,4-dimetiltetrahidrofurano). Os compostos foram analisados e caracterizados por espectroscopia no infravermelho, Raman, RMN ou RPE e difratometria de raios-X de monocristal (composto 3.1). Os dados cristalográficos do composto (2.1) são a= 9,632(2) Å, b= 9,799(4) Å, c= 22,108(6) Å, a = 84,30(5)°, b = 82,07(7)°, g = 76,05(9)°, Z= 2 grupo espacial P(-1). O alcóxido heteroléptico de zircônio 3.1 foi exaustivamente analisado por RMN de H a -90°C e foi proposta uma estrutura em solução para este composto. O composto 4.3 foi analisado por RPE-ESEEM e as distâncias entre os átomos de hidrogênio e o átomo de cobre foram medidas. Foram feitos estudos térmicos de DQV dos compostos 2.1, 2.2, 3.1 e 4.1. Os filmes dos óxidos metálicos obtidos por DQV foram caracterizados por XPS, UV-Vis de reflectância e EDX que indicavam ser filmes de Nb2O5 e Cu2O. Os produtos voláteis eliminados na DQV foram identificados por RMN em solução e, a partir da identificação dos produtos voláteis, foram propostos mecanismos das reações de decomposição do precursor 2.1 e 3.1. / Abstract: The aims of this work were to propose and study precursors for low pressure chemical vapor deposition of metal oxides thin films of niobium, zirconium and copper to be used in the electronic industry. This work describes the synthesis and characterization of four new precursors for MOCVD: [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)] (3.1), [Cu(hfacac)2L] where L=THF (4.1), O(Et)2 (4.2), O(Pr)2 (4.3), cis-trans DMOTHF (4.4) and cis-trans DMTHF (4.5). The compounds were analyzed and characterized by FTIR, Raman, RMN and EPR spectroscopy and in one case (compound 2.1) by a X-ray diffraction study. Crystallographic data for compound (2.1) are a= 9,632(2) Å, b= 9,799(4) Å, c= 22,108(6) Å, a = 84,30(5)°, b = 82,07(7)°, g = 76,05(9)°, Z= 2 and it is in space group P(-1). The heteroleptic zirconium alkoxide, compound 3.1 was exhaustively characterized by H-RMN at -90°C and a structure in solution was proposed. In order to obtain the internuclear distance between hydrogen and copper atoms, the copper compound 4.3 was studied by EPR-ESEEM. CVD experiments were carried out for all proposed precursors but only compounds 2.1, 2.2, 3.1 and 4.1 resulted in successful thin film deposits. These thin films were characterized by XPS, UV-Vis reflectance and also EDS as thin films of Nb2O5 and Cu2O, respectively. The volatile part produced in the CVD reactor was characterized by H and F-RMN spectroscopies. These results led to the proposition of a mechanism for the deposition reactions of the precursors 2.1 and 3.1. / Doutorado

Orientador: João Andrade de Carvalho Junior / Resumo: O nitrogênio (N) é um elemento fundamental para os seres vivos; contudo, o N disponível biologicamente é aquele conhecido como nitrogênio reativo (Nr). O presente trabalho propõe quantificar e analisar a variabilidade espacial da concentração e deposição atmosférica seca de nitrogênio reativo no estado de São Paulo, através de sua fase gasosa (HNO3; NH3; NO2) e particulada (NO3-; NH4+). Amostradores de coleta por Denuder (DELTA) foram distribuídos espacialmente em seis sítios de amostragem, abrangendo diferentes tipos de cobertura do solo e urbanização. As amostras foram coletadas ao longo de dois anos (2015-2017). A forma dominante de Nr inorgânico na atmosfera foi o NO2 gasoso em todos os locais de amostragem, o que representou 79% do total. As concentrações médias de NH3, HNO3, NH4+ e NO3− foram de 10%, 3%, 6% e 2% do total de Nr, respectivamente. A umidade relativa e a velocidade do vento foram significativas para explicar parte da variabilidade das concentrações de Nr na atmosfera, enquanto a precipitação foi importante apenas para a concentração de NO2. A deposição média de Nr seco no Estado de São Paulo foi de 8,9 kgN ha-1 ano-1. A maior deposição média de Nr foi encontrada no sudeste do Estado de São Paulo e está relacionada ao intenso tráfego de veículos, gerenciamento de resíduos e atividades industriais. Considerando a região onde a Mata Atlântica está localizada, este trabalho mostra que a deposição total de Nr seco por si só (sem considerar a deposição de espécie... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Nitrogen (N) is a fundamental element for living beings; however, the biologically available N is known as reactive nitrogen (Nr). The current work proposes to quantify and analyze the spatial variability of the concentration and dry atmospheric deposition of reactive nitrogen in the state of São Paulo, through its gas phase (HNO3; NH3; NO2) and particulate phase (NO3-; NH4+). Denuder collection samplers (DELTA) were spatially distributed in six sampling sites, covering different types of ground cover and urbanization. The samples were collected over two years (2015-2017). The dominant form of inorganic Nr in the atmosphere was gaseous NO2 in all sampling sites, what represented 79% of the total. The average concentrations of NH3, HNO3, NH4+ and NO3- were 10%, 3%, 6%, and 2% of the total Nr, respectively. The relative humidity and wind speed were significant to explain part of the variability of Nr concentrations in the atmosphere, while precipitation was important only for the concentration of NO2. The average of dry Nr deposition in the State of São Paulo was 8.9 kgN ha-1 year-1. The highest average deposition of Nr was found in the southeastern of São Paulo state and is related to the intense vehicle traffic, waste management, and industrial activities. Considering the region where the Atlantic Forest is located, this work shows that the total deposition of dry Nr by itself (without considering the deposition of wet or organic species) exceeded the critical load of Nr sugg... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

A deposição em regime de subtensão (DRS) tem sido amplamente utilizada para a formação de filmes semicondutores, mas muito pouco utilizada para estudar a dopagem de filmes eletrodepositados. Logo, neste trabalho é discutido o uso da DRS como técnica de dopagem de filmes de selênio. Para isso, estudou-se as condições de deposição de um filme de selênio trigonal sobre substrato de ouro (f-Se) e sua posterior modificação com a DRS de Bi (f-Se_Bi), Pb (f-Se_Pb) e Cu (f-Se_Cu). Estudos empregando voltametria cíclica, cronoamperometria, microscopia óptica, microscopia de varredura eletrônica e difração de raio-X evidenciaram a produção de um filme altamente cristalino, homogêneo e aderente formado por estruturas hexagonais em forma de microbastões com diâmetros entre 300 e 600 nm. Contudo, o filme com as características citadas é formado somente com a deposição a 80 ºC em HNO3 0,1 mol L-1 contendo SeO2 0,02 mol L-1, com polarização do substrato em -0,45 V (vs SCE), sob iluminação com lâmpada de halogênio 100 W, irradiância de 200 mW cm-2, agitação magnética e tempos de deposição ≥ 600 segundos. Essas estruturas são mantidas mesmo após a DRS dos metais, a qual foi caracterizada empregando a microbalança eletroquímica de cristal de quartzo (MECQ). A partir do perfil massométrico constatou-se a ocorrência de difusão dos metais para o interior da fase de selênio, visto que não se observou a saturação da superfície do filme. Além disso, os metais apresentam cinética de difusão diferentes, onde o metal com maior difusão é o cobre, sendo o único a apresentar dopagem efetiva da matriz de selênio. A caracterização óptica dos filmes determinou um band gap de aproximadamente 1,87 ±0,03 eV para f-Se, f-Se_Pb e f-Se_Bi, entretanto, o f-Se_Cu apresentou band gap de 3,19 eV. Ainda assim, ao avaliar a atividade fotoeletroquímica dos semicondutores constatou-se a obtenção de fotocorrentes distintas entre eles. O f-Se_Bi produz fotocorrente 3 vezes maior que o f-Se_Pb e 35 vezes mais elevada que os demais, embora o selênio puro e os filmes dopados com DRS de Bi e Pb apresentem densidade de portadores de carga similares, aproximadamente 6,0 x1015 cm-3, enquanto o f-Se_Cu exibe um aumento de 4 ordens de grandeza para o mesmo parâmetro. Logo, a elevada fotocorrente do filme f-Se_Bi está relacionada com a minimização da recombinação de cargas na interface semicondutor-eletrólito, enquanto a baixa fotocorrente exibida pelo f-Se_Cu se deve à elevada energia de band gap do filme. De qualquer forma, a dopagem de filmes semicondutores com a DRS mostrou ser uma maneira simples e barata de dopagem de filmes relativamente espessos. / The underpotential deposition (UPD) have been widely used to production of semiconductor films, but not applied to search the doping of electrodeposited films. Therefore, here is discussed the use of UPD as a technique to doping selenium films. Then, it was studied the conditions to attain deposits of trigonal selenium on gold substrate (f-Se) and after its modification with Bi UPD (f-Se_Bi), Pb UPD (f-Se_Pb) and Cu UPD (f -Se_Cu). Studies using cyclic voltammetry, chronoamperometry, optical microscopy, scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD) showed the production of a highly crystalline, homogeneous and adherent selenium film formed by hexagonal structures with microrod shape and diameters between 300 and 600 nm. However, the trigonal selenium with those features is synthezised only on the deposition into HNO3 0.1 M containing SeO2 0.02 M at 80 °C, -0.45 V (vs. SCE), under illumination with halogen lamp 100 W, irradiance of 200 mW cm-2, magnetic stirring and deposition time ≥ 600 seconds. These structures are maintained even after the UPD of the metals, which was characterized using electrochemical quartz crystal microbalance (EQCM). From massogram profile was possible to observe the occurrence of diffusion of the metals into the selenium phase, since was not verified the surface saturation of the film. Furthermore, the metals exhibited different diffusion kinetics, where the metal with higher diffusion was copper, which was the only one to show effective doping of selenium film. The optical characterization of the films determined a band gap average of 1.87 ±0,03 eV for f-Se, f-Se_Pb and f-Se_Bi, although, the f-Se_Cu presented band gap of 3.19 eV. Moreover, when it is studied the photoelectrochemical activity of the semiconductors films was noted different photocurrents between them. The f-Se_Bi produces photocurrent 3 times greater than the f-Se_Pb and 35 times higher than the other, but the pure selenium and those doped with Bi and Pb UPD present similar charge-carriers density, approximately 6.0 x1015 cm-3, while the f-Se_Cu shows an increase of 4 orders of magnitude for the same parameter. Therefore, the high photocurrent to f-Se_Bi is associated with the minimization of charge recombination at semiconductor-electrolyte interface, while the low photocurrent exhibited by f-Se_Cu is due to the higher energy band gap of the film. Anyway, the doping of the semiconductor film with the UPD proved to be a simple and inexpensive way to doping relatively thick films.

O corte rotativo tem sido utilizado cada vez com maior intensidade na obtenção de produtos higiênicos com formatos especiais. Por esta razão, torna-se cada vez mais importante a utilização de facas com alto desempenho. Para avaliar a influência da deposição de nitreto de titânio sobre ferramentas de corte confeccionadas em aço ferramenta SAE M2 foi executado um programa de experimentação, onde foram simuladas condições normais de processo. Tal experimento possibilitou a comparação entre a efetividade da operação de corte executada por ferramentas revestidas e não revestidas. Verificou-se, com os testes executados, uma efetividade de corte 100% superior para as facas com deposição em relação àquelas nas quais não se efetuou a deposição de nitreto de titânio.

Neste trabalho filmes finos de SiC amorfo foram depositados sobre substratos de silício pela técnica de magnetron sputtering com intuito de verificar a influência de fontes de potência DC e HiPIMS na qualidade dos filmes depositados. Também foi realizada a deposição de filmes de SiC sobre silício pela técnica de dual magnetron sputtering, os quais foram dopados por implantação iônica com nitrogênio, fósforo e boro, e em seguida recozidos termicamente. O comportamento das características morfologicas, estruturais, químicas e elétricas dos filmes foi observado pelas técnicas de microscopia eletrônica de varredura, difração de raios-X, perfilometria mecânica, espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford, espectroscopia Raman, espectroscopia de energia dispersiva de raios-X e testes de quatro pontas. A análise dos resultados permitiu verificar que, com os parâmetros de processos deste trabalho e as propriedades estudadas, não houve diferenças significativas entre os filmes de SiC depositados com a fonte DC e HiPIMS, a menos da superfície extremamente defeituosa provocada pela deposição com a fonte HiPIMS, o que impossibilita a utilização destes filmes para produção de sensores piezoresistivos. As amostras dopadas apresentaram contaminação com cobre, que por ser uma impureza do tipo N se subtraiu ao boro, que é uma impureza do tipo P, fazendo com que as amostras dopadas com boro não apresentassem valores de resistência de folha possíveis de serem medidos. Já o nitrogênio e o fósforo se somaram ao cobre por também serem impurezas do tipo N, potencializando a dopagem e apresentando uma diminuição da resistividade próxima as encontradas na literatura, sendo que as amostras dopadas com menores doses de implantação apresentaram menores valores de resistividade devido a grande quantidade de cobre presente nas mesmas, demonstrando desta forma o bom resultado da utilização do cobre como dopante. Também foi possível verificar na análise de quatro pontas que o recozimento térmico das amostras foi de extrema importância para a ativação dos dopantes, uma vez que as amostras antes do recozimento apresentaram resistência de folha maior que as amostras recozidas.