The most common failure of concrete gravity dams is sliding along the foundation surface. This thesis studies progressive failure of the Longtan dam on the upper Hongshuie river in china.Two methods are used in this thesis; the Safety Reserve Factor (SRF) method and the Overload method. The SRF-method is used as a tool to study sliding failure along the foundation weak layer of the Longtan dam. Strength reduction coefficients decrease the cohesion and friction angle values for the weak layer of the foundation. Simulations with reduced shear strength parameter values gives information about the development of the plastic zone. The ultimate bearing resistance and the failure path along the foundation are obtained. The safety reserve coefficient is established through the strength reduction coefficients, when the plastic zone of the foundation is totally coalescent. To analyse the development of the plastic zone along the dam foundation with the strength reserve method, the commercial finite element software MSC.Marc is used. The results of the Safety Reserve Factor method (SRF) show that the failure of the dam is highly related to the strength of the interface between the dam and rock foundation. The strength reserve factor is determined to 2.4. The Overload method gives a visual deformation shape of the dam structure and pressure load at the moment of failure. / Dammar har används i mer än 5000 år (Yang et al. 1999) och är fortfarande en viktig källa för energiutvinning. Det största antalet dammar finns i Kina och man tror att det finns över 80,000 dammar i landet (Shapiro 2001). En ökning av dammars kapacitet och antal sker, vilket resulterat i ett behov av bättre sätt för att utvärdera säkerhetsparametrar som betongkvalité, styvhet och homogenitet av bergmassa. Simuleringar av dammkonstruktioner kan ge värdefull information om dessa parametrar och kan därigenom bidra till att förbättra en damms stabilitet och sänka konstruktionskostnader. I det här examensarbetet utvärderas och modelleras Longtan dammen i övre Hongshui floden i Kina. Den vanligaste orsaken till haveri av betongdammar är glidning mellan betonglager och bergmassan. I den här rapporten simuleras ett svagare lager mellan betong och bergmassa och utvecklingen av kontaktbrottsvägen visualiseras och utvärderas med progressiva haveri metoden. Det svagare lagrets hållfasthetskoefficienter; friktionsvinkel och kohesion, reduceras för att analysera utbredningen av den plastiska zonen. Resultaten visar att en överskridning av draghållfastheten för betong börjar vid dammens häl och att kompressionsbristningsgränsen överskrids vid dammens tå när hållfasthetskoefficienterna reduceras. Säkerhetsreservskoefficienten för Longtan dammen erhålls då gränsytan mellan betong och berg är helt plastisk. För att analysera utbredningen av den plastiska zonen längs med dammfundamentet med progressiva haveri metoden används den kommersiella finita element mjukvaran MSC.Marc. Resultaten från säkerhetskoefficientfaktormetoden visar att ett haveri av gravitations dammar är i hög grad relaterad till hållfastheten mellan betongen och bergets gränsyta. Säkerhetskoefficientfaktorn bestäms till 2.4. För att bestämma Longtan dammens maximala vattenbelastningskapacitet används Överbelastningsmetoden. Det maximala vattentryck som Longtan dammen klarar av utan att haverera simuleras med hjälp av en vätska vars densitet ökas mellan modellkörningar. Dammens förskjutning når till sist en punkt där den ökar kraftigt och dammens mutationsdeformationstillstånd har uppnåtts. En visuell deformationsbeskrivning av dammen ges genom modellkörningar och överbelastningsfaktorn bestäms.

The ways in which someone’s first language (L1) influences his or her second language (L2) to create errors, that is negative transfer, is a topic that has received much attention in the field of Second Language Acquisition (SLA). Previous research has suggested that negative transfer is responsible for many errors. The primary aim of this study is to investigate article and preposition errors in the production of Swedish learners of English and to discuss these errors in relation to negative transfer. The secondary aim is to compare transfer errors by L1 Swedish and L1 Portuguese learners of English.   The first and main part of the study is a corpus investigation of the written production of 80 students in upper secondary school (high school). The second part is a multiple-choice test constructed to provoke transfer errors. It was distributed to students in upper secondary school in Sweden and in Brazil. The results from the corpus analysis are largely in line with those of previous research, for example with regards to how definite article errors are more common than indefinite article errors, and how contexts with definite articles and generic noun phrases seem prone to create transfer errors. The corpus study also shows that substitution was the most common preposition error and that many transfer preposition errors supposedly were caused by direct translations. Through the multiple-choice test, the degree to which the first language had an impact on individual errors could be revealed. All in all, the study reveals several aspects of negative transfer that perhaps a single-language investigation could not, because it is in the comparison of English-learners with different L1s that the most interesting results occur. / De sätt som någons första språk påverkar hans eller hennes andra språk så att fel uppstår, det vill säga negativ språköverföring (negative transfer), är ett ämne som har fått mycket uppmärksamhet inom forskning kring språkinlärning. Tidigare studier har visat på hur negativ språköverföring orsakar många fel. Det primära syftet i denna uppsats är att undersöka artikel- och prepositionsfel i skrift hos svenska elever som lär sig engelska och att diskutera dessa fel i relation till negativ språköverföring. Det sekundära målet är att jämföra hur negativ språköverföring yttrar sig hos svenska och portugisiska elever som lär sig engelska. Den första delen av denna uppsats, som även är huvuddelen, är en korpusundersökning av 80 uppsatser skrivna av högstadieelever. Den andra delen är ett flervalstest som konstruerats för att provocera fram språköverföringsfel. Deltagarna var högstadie- och gymnasieelever från Sverige och Brasilien. Resultaten från korpusundersökningen stämmer i stor utsträckning överens med vad tidigare forskning visat, till exempel att det är vanligare att fel uppstår med bestämda artiklar än med obestämda artiklar och hur bestämda artiklar och tillsammans med generiska nominalfraser tenderar att generera negativ språköverföring. Korpusstudien visar också på hur felaktigt utbyte (substitution) var det vanligaste prepositionsfelet och att många språköverföringsfel förmodligen orsakats av direkta översättningar från svenska. I analysen av resultateten från flervalstestet kunde graden av inflytande från första språket på enskilda fel påvisas. Sammantaget avslöjar undersökningen i denna uppsats på flera aspekter av negativ språköverföring som troligen ej uppenbarats om enkom elever med ett förstaspråk inkluderats, detta eftersom det är i jämförelsen mellan engelska-elever med olika förstaspråk som de mest intressanta resultaten framkommer.

I denna rapport beskrivs en utvecklad utbildningssimulator över spårfordon och dess del- komponenter på järnvägen. Simulatorn är en hårdvarubaserad prototyp över ett dörrsystem på spårfordon. Prototypen ska användas av systemspecialister och tekniker inom järnvägs- branschen. Simulatorn ger användare en teknisk demonstration av hur komponenter funge- rar i ett dörrsystem. Prototypen innehåller motor, brytare, reläer och givare. Komponenterna används för att illustrerar funktioner i ett dörrsystem på ett spårfordon. Utbildningssimula- torn kontrolleras med en styrenhet och genom tryckknappar för manuell styrning. För de- monstration av säkerheten vid av och ombordstigning används en optisk givare som symbo- liserar hinderdetektering. Utbildningssimulatorn har två vanliga fel inbyggda: kabelfel och jordfel. En instruktions- manual bestående av ett kretsschema används för felsökning. Kretsschemat över dörrsyste- met används för hitta felen och åtgärda dem. I felanalysen ingår de faktorer som är orsaken till att de vanligaste felen inträffar på ett spårfordon. Dörrsystem tar emot diagnostiska ko- der från en dörrdator som styr prioriteringen på vilka åtgärder som ska göras. / This report is a description of a developed educational simulator over rail vehicles and its components. The simulator is a hardware-based prototype over a door system on rail vehi- cles. System specialists and technicians will use the prototype. The Simulator should give the user a technical demonstration on how components work in a door system. The proto- type consists of motor, switch, relay and sensor. The components are used for illustration of the functions in a door system on a rail vehicle. The educational simulator is controlled with a control unit and with pushbuttons for manual control. For demonstration of the boarding security an optical sensor is used as symbolize for the obstacle detection. The educational simulation has two embedded common faults: cable fault and ground fault. The instruction manual consists of a circuit diagram and is used for troubleshooting. The circuit diagram over the door system is used to find the faults and to correct them. The fault analysis includes the factors, which is the reason for the most common faults to occur in a rail vehicle. Door system receives diagnostic code from a door computer that control priori- tizing for arrangements that will be made.

Proper spelling is important for efficient communication between people with different first languages in the 21st century. While Swedish functions as an intranational language within Sweden, it sees little to no use outside of Scandinavia. English fills the role as a second language that all Swedish students must learn, yet more focus appears to be given to grammar rather than spelling. Spelling is important and knowing the kinds of spelling errors Swedish learners of English tend to make can help educators improve the spelling proficiency of their students. The aim of this study is to investigate the spelling errors made by senior high school students in Sweden by analyzing a collection of essays written by students and gathered in the Uppsala Learner English Corpus (ULEC). The results of this study show that spelling proficiency nearly doubled for students in their third year in senior high school compared to their first year, yet the distribution of spelling errors remained the same. Additionally, some particular sounds that appear to be especially problematic for Swedish spellers were identified, such as /ə/, /l/, /s/ and /k/. / Korrekt stavning är viktig för effektiv kommunikation mellan människor med olika modersmål i tjugohundratalet. Medans svenska fungerar som ett språk mellan människor inom Sverige, ser det lite till ingen nytta utanför Skandinavien. Engelska fyller rollen som andraspråk som alla svenska elever måste lära sig, ändå sätts mer fokus på grammatik över stavning. Stavning är viktig och att veta vilka typer av stavfel som svenska elever brukar göra på engelska kan hjälpa lärare förbättra elevernas stavningskunskaper. Syftet med den här studien är att undersöka svenska gymnasielevers felstavningar i Engelska genom att analysera en samlig essäer skrivna av studenter och samlade i Uppsala Learner English Corpus (ULEC). Resultaten från den här studien visar att stavningskunskaperna hos eleverna hade nästan fördubblats när de gick det tredje år på gymnasiet jämfört med när de gick det första, men att fördelningen av stavfel förblev densamma. Dessutom har vissa ljud identifierats som verkar vara särskilt problematiska för svenska elever att stava, såsom /ə/, /l/, /s/ and /k/.

Rapidly growing Inverter- Based Resources (IBR) have different fault properties compared to Synchronous Generators (SG). Therefore, it is necessary to study the fault behavior of systems that contain different types of IBR and compare it to the conventional system responses in order to understand what steps should be taken to adapt conventional protection settings for new types of sources. For a two bus model, it is found out that sequence profiles in a system with one IBR are different from those observed in conventional system. Thermal and electrical limitations of the power electronics reduce the fault current from the IBR significantly, driving negative sequence current to small values compared to conventional sources. This is true for all studied types of IBR. Moreover, if IBR is connected to the grid through one line only, during Three Phase Fault (3hp) it is possible to lose synchronism with grid due to erroneous estimation of the grid angle through the Phase-Locked Loop (PLL). Verification of the obtained results is made through comparison to the Fault Recordings taken from the protection relays placed at substations. It is shown that for some faults simulation results can predict the behavior of symmetrical components in the network whereas for others they do not. To explain the latter behavior modifications to the sequence networks are proposed. / Snabbt växande inverterbaserade resurser (IBR) har olika felinmatningsegenskaper jämfört med synkrongeneratorer (SG). Därför är det nödvändigt att studera felbeteende hos system som innehåller olika typer av IBR och jämför det med konventionella källor för att kunna förstå vilka steg som ska göras för att anpassa konventionella skyddsinställningar för nya typer av källor. Under litteraturöversikten introduktion till det fast jordade systemet och dess speciella fall med isolerad transformatorjordning är klar. Kort introduktion till den studerade IBR och typer av simulerade fel görs också. För en tvåbussmodell har det visat sig att sekvensprofiler i ett system med en IBR skiljer sig från de som observerats i konventionella system. Termisk och elektrisk begränsningar i kraftelektroniska komponenter minskar felströmmen från IBR avsevärt och driver negativ sekvensström till små värden jämfört med konventionella källor. Detta gäller för alla studerade typer av IBR. Dessutom, om IBR är ansluten till nätet endast genom en linje, är det möjligt under trefasfel (3hp) att tappa synkronisering med nätet på grund av felaktig uppskattning av fasvinkeln genom styrsystemets faslåst slinga (PLL). Verifiering av de erhållna resultaten görs genom jämförelse med Fel Inspelningar från reläet placerade på transformatorstationer. Det visas att för vissa fel simuleringsresultat kan förutsäga symmetriska komponenters beteende i nätverket medan andra inte gör det. För att förklara de senare beteendena föreslås modifieringar i sekvensnätverket.

Silicon Carbide (SiC) is a wide-bandgap (WBG) semiconductor materialwhich has several advantages such as higher maximum electric field, lowerON-state resistance, higher switching speeds, and higher maximum allowablejunction operation temperature compared to Silicon (Si). In the 1.2 kV - 1.7kV voltage range, power devices in SiC are foreseen to replace Si Insulatedgatebipolar transistors (IGBTs) for applications targeting high efficiency,high operation temperatures and/or volume reductions. In particular, theSiC Metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) – which isvoltage controlled and normally-OFF – is the device of choice due to the easeof its implementation in designs using Si IGBTs.In this work the reliability of SiC devices, in particular that of the SiCMOSFET, has been investigated. First, the possibility of paralleling two discreteSiC MOSFETs is investigated and validated through static and dynamictests. Parallel-connection was found to be unproblematic. Secondly, drifts ofthe threshold voltage and forward voltage of the body diode of the SiC MOSFETare investigated through long-term tests. Also these reliability aspectswere found to be unproblematic. Thirdly, the impact of the package on thechip reliability is discussed through a modeling of the parasitic inductancesof a standard module and the impact of those inductances on the gate oxide.The model shows imbalances in stray inductances and parasitic elementsthat are problematic for high-speed switching. A long-term test on the impactof humidity on junction terminations of SiC MOSFETs dies and SiCSchottky dies encapsulated in the same standard package reveals early degradationfor some modules situated outdoors. Then, the short-circuit behaviorof three different types (bipolar junction transistor, junction field-effect transistor,and MOSFET) of 1.2 kV SiC switching devices is investigated throughexperiments and simulations. The necessity to turn OFF the device quicklyduring a fault is supported with a detailed electro-thermal analysis for eachdevice. Design guidelines towards a rugged and fast short-circuit protectionare derived. For each device, a short-circuit protection driver was designed,built and validated experimentally. The possibility of designing diode-lessconverters with SiC MOSFETs is investigated with focus on surge currenttests through the body diode. The discovered fault mechanism is the triggeringof the npn parasitic bipolar transistor. Finally, a life-cycle cost analysis(LCCA) has been performed revealing that the introduction of SiC MOSFETsin already existing IGBT designs is economically interesting. In fact,the initial investment is saved later on due to a higher efficiency. Moreover,the reliability is improved, which is beneficial from a risk-management pointof-view. The total investment over 20 years is approximately 30 % lower fora converter with SiC MOSFETs although the initial converter cost is 30 %higher. / Kiselkarbid (SiC) är ett bredbandgapsmaterial (WBG) som har flera fördelar,såsom högre maximal elektrisk fältstyrka, lägre ON-state resitans, högreswitch-hastighet och högre maximalt tillåten arbetstemperatur jämförtmed kisel (Si). I spänningsområdet 1,2-1,7 kV förutses att effekthalvledarkomponenteri SiC kommer att ersätta Si Insulated-gate bipolar transistorer(IGBT:er) i tillämpningar där hög verkningsgrad, hög arbetstemperatur ellervolymreduktioner eftersträvas. Förstahandsvalet är en SiC Metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET) som är spänningsstyrd ochnormally-OFF, egenskaper som möjliggör enkel implementering i konstruktionersom använder Si IGBTer.I detta arbete undersöks tillförlitligheten av SiC komponenter, specielltSiC MOSFET:en. Först undersöks möjligheten att parallellkoppla tvådiskretaSiC MOSFET:ar genom statiska och dynamiska prov. Parallellkopplingbefanns vara oproblematisk. Sedan undersöks drift av tröskelspänning ochbody-diodens framspänning genom långtidsprov. Ocksådessa tillförlitlighetsaspekterbefanns vara oproblematiska. Därefter undersöks kapslingens inverkanpåchip:et genom modellering av parasitiska induktanser hos en standardmoduloch inverkan av dessa induktanser pågate-oxiden. Modellen påvisaren obalans mellan de parasitiska induktanserna, något som kan varaproblematiskt för snabb switchning. Ett långtidstest av inverkan från fuktpåkant-termineringar för SiC-MOSFET:ar och SiC-Schottky-dioder i sammastandardmodul avslöjar tidiga tecken pådegradering för vissa moduler somvarit utomhus. Därefter undersöks kortslutningsbeteende för tre typer (bipolärtransistor,junction-field-effect transistor och MOSFET) av 1.2 kV effekthalvledarswitchargenom experiment och simuleringar. Behovet att stänga avkomponenten snabbt stöds av detaljerade elektrotermiska simuleringar för allatre komponenter. Konstruktionsriktlinjer för ett robust och snabbt kortslutningsskyddtas fram. För var och en av komponenterna byggs en drivkrets medkortslutningsskydd som valideras experimentellt. Möjligheten att konstrueradiodlösa omvandlare med SiC MOSFET:ar undersöks med fokus påstötströmmargenom body-dioden. Den upptäckta felmekanismen är ett oönskat tillslagav den parasitiska npn-transistorn. Slutligen utförs en livscykelanalys(LCCA) som avslöjar att introduktionen av SiC MOSFET:ar i existerandeIGBT-konstruktioner är ekonomiskt intressant. Den initiala investeringensparas in senare pågrund av en högre verkningsgrad. Dessutom förbättrastillförlitligheten, vilket är fördelaktigt ur ett riskhanteringsperspektiv. Dentotala investeringen över 20 år är ungefär 30 % lägre för en omvandlare medSiC MOSFET:ar även om initialkostnaden är 30 % högre. / <p>QC 20170524</p>

För sammankoppling av multi-terminala HVDC-system med punkt-till-punkt kopplingar ärDC-DC-omvandlaren den enda möjliga sammankopplingen. Därför genomgår problemenmed spänningsmatchning och likspänningsströmbegränsning i högspännings DC-systemomfattande forskning samt ligger i fokus för denna avhandling. Först analyseras toppmodernatopologier för högspännings DC-DC-omvandlare som används för samtrafik av flera terminalaHVDC-system. De analyserade topologierna jämförs sedan baserat på dess olika funktioner.Topologin för en konventionell icke-isolerad DC-DC-omvandlare analyseras när det gäller design,kostnad, storlek, förlust och effektstyrningskapacitet. Först skapas en matematisk modell ochsedan utförs en numerisk analys för olika arbetsområden. Därefter görs en jämförelse av entvåfas-icke-isolerad DC-omvandlare baserad på energilagring, maximal likströmsöverföring ochtotala förluster. Simulering utförs av en tvåfas och en trefas icke-isolerad DC-omvandlare iPSCAD med olika typer av styrenheter. Dessutom tas en isolerad omvandlartopologi och analyserasi detalj från matematisk modellering till validering med hjälp av simuleringsresultat.Olika typer av felanalyser för både isolerad och icke-isolerad omvandlartopologi görs. Slutligenutförs även analyser av DC-felet i olika möjliga anslutningar av omvandlaren i Multi-TerminalGrid, dvs Monopole, Bipole med både symmetriska och asymmetriska konfigurationer. / For interconnection of multi-terminal HVDC systems involving point-to-point links, aDC-DC converter is the only possible way to interconnect. Therefore, the issues of voltagematching and DC fault current limiting in high voltage DC systems are undergoing extensiveresearch and are the focus of this thesis. Starting with analyzing the state of the art highvoltage DC-DC converter topologies for interconnection of multi-terminal HVDC systems andbenchmarking each converter topology based on different functionalities. A basic non-isolatedDC-DC converter topology is analyzed in terms of design, cost, sizing, losses and power controlcapability. First, starting with the mathematical modeling and then the numerical analysis isdone for different operating regions. Next, it is compared with the two-phase non-isolated DCconverter based on energy storage, maximum DC power transfer, and total losses. Simulation oftwo-phase and three-phase non-isolated DC converter is done in PSCAD incorporating differenttypes of controllers. Then, an isolated converter topology is taken and analyzed in detail startingfrom mathematical modeling to validation using simulation results. Different types of faultsanalysis for both isolated and non-isolated converter topology is done. Finally, analyzing the DCfault in different possible connection of the converter in the multi-terminal grid, i.e. monopole,bipole in both symmetric and asymmetric configurations.