Die Arbeit befasst sich mit der Erkennung und Verfolgung von Straßenrandern in unstrukturierten Gebieten. Ein Lasermesssystem detektiert Punkte auf den Straßenr ändern. Mit Hilfe eines Kalman Filters wird der Straßenverlauf geschätzt. Dabei kommt ein vereinfachtes Straßenmodell zum Einsatz.

Während die Verfahren Schweißen und Kleben für Magnesiumwerkstoffe bereits vielfältig untersucht worden sind, standen bisher zur Frage der Lötmöglichkeit nur ansatzweise Ergebnisse zur Verfügung. Das Ziel dieser Dissertation besteht darin, einen Beitrag zur Erweiterung der geeigneten Fügeverfahren zu leisten. Als Randbedingungen werden folgende Punkte als wesentlich erachtet: Das Verfahren soll einfach in den Produktionszyklus zu integrieren sein. Die Lötverbindung darf aus der Sicht der Korrosionseigenschaften keinen Schwachpunkt bilden. Es werden geeignete Lote hergestellt und hinsichtlich ihrer Gefügeausbildung und ihres Schmelzverhaltens charakterisiert. Für Lötverbindungen mit den Grundwerkstoffen AZ31 und AZ91 werden die sich ausbildenden Gefüge beschrieben. Die Charakterisierung der mechanischen Eigenschaften erfolgt durch Zugversuche in Stumpfstoß- und Überlappgeometrie, durch Schwingversuche sowie durch Härtemessungen. Korrosionseigenschaften der Lötverbindungen werden in unterschiedlichen Elektrolyten und Umgebungsmedien bewertet. Ursachen der Entstehung von Lötfehlern werden diskutiert.

Der Werkzeugmaschinenbau wendet sich zunehmend der Entwicklung von Maschinen für die Trockenbearbeitung zu. Gründe dafür sind die ökologisch und betriebswirtschaftlich vorteilhafte Einsparung des Kühlschmiermittels und die eventuelle Einsparung von nachgeschalteten Waschgängen. Der breiten Anwendung der Trockenbearbeitung in der Großserienfertigung steht die noch fehlende Prozesssicherheit entgegen. Große Mengen Späne, die bei der Nassbearbeitung durch das Kühlschmiermittel weggespült wurden, müssen nun auf andere Art und Weise abtransportiert werden, um den Bearbeitungsprozess nicht zu gefährden. Ein erfolgsversprechender Ansatz besteht darin mit dem Strömungsmedium Luft die Späne aus dem Prozess zu entfernen. Dieser Problemstellung widmet sich die vorliegende Arbeit. Die Strömung und der Spantransport durch Luftströmungen wurden mit Hilfe von moderner FEM/ CFD- Software simuliert. Die Ergebnisse werden mit zahlreichen Versuchen und Messungen verifiziert. Erstmalig wird in dieser Arbeit die Strömungssimulation auf Arbeitsräume von komplex gegliederten Werkzeugmaschinen angewendet. Die getroffenen zur Simulation nötigen Vereinfachungen werden untersucht und geprüft. Aus den Simulationsergebnissen werden praktische Konstruktionshinweise abgeleitet und das gesamte Vorgehen in den Konstruktionsprozess eingeordnet.

Gegenstand dieser Arbeit sind zwei Problemstellungen der Mikroelektronik. Dies ist einerseits die Notwendigkeit zur Erzeugung kleiner Strukturgrößen um Untersuchungen an diesen durchzuführen. Innerhalb dieser Arbeit wurden ultraschmale Leitbahnen mit herkömmlichen Prozessen hergestellt, was den Einsatz neuer Lithographieanlagen oder auflösungsverbessernden Maßnahmen nicht notwendig macht. Hierzu wurde für zwei Verfahren, die Backfill- und die TiN-Spacer-Technologie, die Prozessschritte entwickelt und untersucht und beide Technologien hinsichtlich der erreichbaren Strukturgrößen bewertet. Das zweite Thema dieser Arbeit war das pore sealing von porösen low-k-Dielektrika. Für diese Untersuchungen wurden verschiedene pore sealing Methoden wie Plasmabehandlungen oder dünne Schichten (Liner) angewandt. Die Effektivität dieser Methoden, auch in Abhängigkeit von low-k-Materialien mit verschiedenen Porengrößen, wurde durch Rasterelektronenmikroskopie, Untersuchung der Barrierestabilität und Untersuchung von Diffusion der Barriere in das Dielektrikum mittels TEM und EDX line scan bestimmt. / This work is concerned with two problems of microelectronic research. This is first the need for small features sizes to carry out investigations on them. Within this work very narrow conductor lines were fabricated with conventional processes. So the use of new lithography tools or resolution enhancement techniques was not necessary. For two technologies, the Backfill and the TiN spacer technology, the process steps were developed and investigated and both technologies were evaluated regarding the reachable feature sizes. The second topic was pore sealing of porous low k dielectrics. For these investigations various pore sealing methods like plasma treatments or thin films (liner) were applied. The effectiveness of these methods, also depending of low k materials with different pore sizes, were investigated by scanning electron microscopy, by barrier integrity investigations and by investigations of barrier diffusion into the dielectric material using TEM and EDX line scan.

Zur Messung von Spannung, Strom und Leistung, die von einem Solarmodul an einen veränderlichen Verbraucher abgegeben werden können, wird eine Schaltung beschrieben, die auf dem integrierten Analogmultiplizierer RC4200 aufbaut. Das entwickelte Mess-System beinhaltet neben der Stromversorgung und den Anzeigeelementen außerdem ein Solarmodul, das aus kleinen Einzelzellen auf einer Leiterplatte aufgebaut wurde.

A nonlinear identification scheme is provided for a LTI-system with a feedback-nonlinearity, which depends on the input and LTI-system output. This is especially the case for MEMS, where the electrostatic field depends on the displacement and input voltage. The fact, that the algorithm only requires a matrix inversion and singular value decomposition, makes it possible to use the identification scheme for online-estimation. There is also no other a-priori knowledge about the system, except the order, needed.

Vor dem Hintergrund der in der Mikroelektronik-Fertigung heute verbreiteten Kupfertechnologie werden in der vorliegenden Arbeit drei neuartige metallorganische Verbindungen, nämlich phosphitstabilisierte Kupfer(I)-Trifluoracetat-Komplexe vorgestellt und hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kupfer untersucht. Im einzelnen handelt es ich um die Substanzen Tris(trimethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (METFA), Tris(triethylphosphit)kupfer(I)trifluoracetat (ETTFA) und Tri(tris(trifluorethyl)phosphit)kupfer(I)trifluoracetat (CFTFA). Mit den Substanzen erfolgen CVD-Experimente auf TiN und Cu bei Temperaturen <400°C. Die Precursoren werden dabei mittels eines Flüssigdosiersystems mit Verdampfereinheit der Reaktionskammer zugeführt. Während METFA wegen seiner ausreichend geringen Viskosität unverdünnt verwendet werden kann, kommen für ETTFA und CFTFA jeweils Precursor-Acetonitril-Gemische zum Einsatz. Mit keinem der Neustoffe können auf TiN geschlossene Kupferschichten erzeugt werden, während dies auf Kupferunterlagen in Verbindung mit Wasserstoff als Reduktionsmittel gelingt. Die Abscheiderate beträgt hierbei 2-3nm/min; der spezifische Widerstand der Schichten bewegt sich zwischen 4μΩcm und 5μΩcm. Mit allen Substanzen werden besonders an dünnen, gesputterten Kupferschichten Agglomerationserscheinungen und Lochbildung beobachtet. Im Fall von CFTFA treten zusätzlich Schäden am darunterliegenden TiN/SiO₂-Schichtstapel auf. Vergleichende Untersuchungen mit der für die Cu-CVD etablierten Substanz (TMVS)Cu(hfac) ergeben sowohl auf Cu als auch auf TiN geschlossene Kupferschichten. Dabei liegen die Abscheideraten bei Temperaturen zwischen 180°C und 200°C im allgemeinen deutlich über 100nm/min. Ein Vergleich dieser Resultate mit den Ergebnissen für die Neustoffe legt nahe, dass den untersuchten Kupfer(I)-Trifluoracetaten keine ausreichende Tauglichkeit für Cu-CVD-Prozesse in der Mikroelektronik-Technologie bescheinigt werden kann. Die im Vergleich zu (TMVS)Cu(hfac) höhere thermische Stabilität der Precursoren und ihre Fähigkeit, mit Wasserstoff als Reaktionspartner auf Cu geschlossene Kupferschichten erzeugen zu können, deutet jedoch auf ihre eventuelle Eignung für ALD-Prozesse hin. Daher widmet sich die Arbeit in einem abschließenden Kapitel dem Thema der Atomic Layer Deposition (ALD), wobei nach einem allgemeinen Überblick besonders auf für die Mikroelektronik relevante ALD-Prozesse eingegangen wird.

This paper deals with control strategies for mini cogeneration plants (short: CGP) in medium voltage grids. The aim of the paper is to explain and to minimize the trade-off between highest electrical efficiency in electrical energy production and the needs of energy reserve caused by uncertain load estimation. In general, high energy reserve means low electrical efficiency in electricity production. But fuel cells offer a high electrical efficiency in a relatively wide control range.

Mechatronische Produktionsmaschinen werden nicht mehr nur über ihren Leistungsumfang bewertet, sondern auch über die mitgebrachten Tools für Engineeringaufgaben. Wie erste Ansätze zeigen, erweitert die Integration von TCP/IP in die Steuerungsebene die Möglichkeiten zur Unterstützung des Anwenders nicht nur im Fertigungsprozess, sondern nahezu über den gesamten Lebenszyklus. Die Dissertation beschreibt einen E-Service zur Inbetriebnahme von Lagereglern an Bewegungssteuerungen. Im Rahmen der prototypischen Realisierung erfolgt der Aufbau eines Dienstleistungsportals in einem Computernetz. Es übernimmt eine zentrale Rolle in der Kommunikationsstruktur. Aufgaben rund um die Dienstverwaltung, Dienstausführung und Dienstkommunikation von verteilten Programmen bilden hier die Schwerpunkte. Die Einordnung der realisierten und favorisierten Reglerinbetriebnahme erfolgt in die Gruppe der Offline-Verfahren. Auf dem gewählten Zielsystem, der Bewegungssteuerung SIMOTION von Siemens, läuft dabei der Echtzeitteil ab. Die Offline-Komponente mit den Identifikations- und Reglerberechnungsprogrammen wird im Anwender-Browser ausgeführt. Das System bildet zusammen einen internetbasierten, automatischen Service.

Copper has become the material of choice for metallization of high-performance ultra-large scale integrated circuits. As the feature size is continuously decreasing, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) appears promising for depositing the Cu seed layer required for electroplating, as well as for filling entire interconnect structures. In this work, four novel organophosphane and organophosphite Cu(I) trifluoroacetates were studied as precursors for Cu MOCVD. Details are reported on CVD results obtained with Tris(tri-n-butylphosphane)copper(I)trifluoroacetate, (ⁿBu₃P)₃CuO₂CCF₃. Solutions of this precursor with acetonitrile and isopropanol were used for deposition experiments on 100 mm Si wafers sputter-coated with Cu, Cu/TiN, and Al(2 % Si)/W. Experiments were carried out in a cold-wall reactor at a pressure of 0.7 mbar, using a liquid delivery approach for precursor dosage. On Cu seed layers, continuous films were obtained at low deposition rates (0.5 to 1 nm/min). At temperatures above 320°C, hole formation in the Cu films was observed. Deposition on TiN led to the formation of single copper particles and etching of the TiN, whereas isolating aluminum oxyfluoride was formed after deposition on Al(Si)/W. It is concluded that the formation of CF₃ radicals during decarboxylation has a negative effect on the deposition results. Furthermore, the precursor chemistry needs to be improved for a higher volatility of the complex.