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In situ Photolumineszenz bei Ätzprozessen zur Nanostrukturierung von amorphem und kristallinem SiliciumGreil, Stefanie Margita 12 November 2013 (has links)
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit Ätzprozessen von alkalischen und insbesondere HF/HNO3-basierten Ätzmedien an Silicium (Si). Es wurden Ätzprozesse an kristallinen (c-Si) und besonders an amorph/kristallinen (a-Si:H/c-Si) Silicium-Strukturen mit Hilfe von in situ Photolumineszenz(PL)-Messungen untersucht. Diese ermöglichen eine Verfolgung der Veränderung der Grenzflächendefektdichte an der c-Si-Grenzfläche während der Ätzprozesse. Es wurde erstmals beobachtet, dass der über Ladungsträgerinjektion von Löchern in das Si ablaufende Ätzprozess in HNO3-reichen, HF/HNO3-basierten Ätzmedien eine temporäre Feldeffektpassivierung an der geätzten Grenzfläche verursacht, welche zu einer Verzögerung des eigentlichen Auflöseprozesses des Si führt. Die Anwendung dieser Ätzmedien erfolgte im Rahmen der Strukturierung von a-Si:H-Schichten auf c-Si zur Realisierung von interdigitierenden Kontaktstrukturen rückseitenkontaktierter a-Si:H/c-Si-Heterosolarzellen. Für diese Ätzprozesse konnte mit Hilfe von in situ PL-Messungen erstmalig eine in situ Prozesskontrolle etabliert werden. Der Ätzprozess kann exakt bei Erreichen der a-Si:H/c-Si-Grenzfläche gestoppt werden, wodurch die ätzbedingte Defektbildung an der resultierenden c-Si-Oberfläche minimiert wird. Als weiterer Themenschwerpunkt wurde eine Photolithographie-freie Nanostrukturierung von a-Si:H/c-Si-Strukturen durch metallkatalysiertes Ätzen (MAE) vorgestellt, wobei MAE erstmals auf a-Si:H angewandt wurde. Anhand von in situ PL-Messungen konnte ebenfalls eine, wenn auch geringere, Feldeffektpassivierung an der geätzten Grenzfläche im Zuge der Injektion von Löchern in das Si durch die katalytisch aktiven Ag Nanopartikel (AgNP) beobachtet werden. Mit den so steuerbaren MAE-Prozessen können a-Si:H-Schichten exakt bis zur a-Si:H/c-Si-Grenzfläche punktuell geöffnet werden. Auf diese Weise wurden p-Typ a-Si:H/c-Si-Heterosolarzellen mit einem punktförmigen Absorberkontakt erfolgreich realisiert. / This dissertation is concerned with wet chemical etching processes of silicon (Si) by alkaline and especially HF/HNO3 based etchants. The etching processes are applied to crystalline (c-Si) and amorphous/crystalline (a-Si:H/c-Si) samples and analyzed by in situ photoluminescence (PL) measurements. These measurements enable a monitoring of changes in the defect density at the c-Si interface during the etching processes. By etching of Si in HNO3-rich HF/HNO3 based etchants, a temporary field effect passivation at the etched c-Si surface by hole injection was established. It was detected by in situ PL measurements for the first time. This effect causes a delay of the actual dissolution of the Si. These etching processes were applied to structure a-Si:H layers on c-Si in order to establish interdigitated contacts for back contacted a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. A process control for that kind of etch back processes was developed for the first time by in situ PL measurements. This method enables an exact termination of the etching processes with the arrival of the etching front at the a-Si:H/c-Si interface. Thus, etching induced defects at the resulting c-Si surface can be reduced. Finally this thesis focuses on the development of a photolithography-free approach for nanostructuring of a-Si:H/c-Si samples using metal assisted etching (MAE). In this context, MAE was applied to a-Si:H for the first time. In situ PL measurements also showed a temporary field effect passivation during MAE due to hole injection by the catalytically active Ag nanoparticles (AgNP). Here, this effect was less distinct because of only punctual etching by the AgNP. These designed MAE processes are used to selectively etch a-Si:H layers exactly down to the a-Si:H/c-Si interface. This process opens new doors to a novel fabrication technique for point contacted heterojunction solar cells. P-type a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells with point contacted back surface field are presented.
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Amorphe weichmagnetische CoFeNiSiB-Detektionsschichten in Spinventilen / Amorphous soft magnetic CoFeNiSiB detection layers in spinvalvesKäufler, Andrea Regina 16 May 2002 (has links)
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Mikrostrukturelle Untersuchungen an Mangan-dotiertem Galliumnitrid mittels fortgeschrittener Methoden der hochauflösenden und analytischen Transmissionselektronenmikroskopie / Microstructural investigations of Manganese-doped Gallium Nitride by modern methods of high resolution and analytical transmission electron microscopyNiermann, Tore 30 October 2006 (has links)
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Magnetische Grenzflächeneffekte in Doppellagen aus V2O3 und den ferromagnetisch geordneten Übergangsmetallen / Magnetic properties of bilayers consisting of V2O3 and magnetically ordered transition metalsSass, Björn 24 September 2004 (has links)
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Scanning Tunnelling Spectroscopy of Subsurface Magnetic Atoms in Copper / Electron Focusing and Kondo Effect / Rastertunnelspektroskopie an vergrabenen magnetischen Atomen in Kupfer / Elektronenfokussierung und Kondo-EffektWeismann, Alexander 09 July 2008 (has links)
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Phasenbildung, Phasenübergang und mechanische Eigenschaften des Funktionsmaterials Eisen-Palladium / Phase formation, phase transition and mechanical properties of the smart material Iron-PalladiumKock, Iris 12 July 2010 (has links)
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Grenzflächeneffekte in Manganatschichten / Interfacial effects in manganite thin filmsEsseling, Markus 10 October 2007 (has links)
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Magnetoelektrische Eigenschaften von Manganat-Titanat Übergittern / Magnetoelectric properties of manganite-titanate superlatticesGehrke, Kai 25 November 2009 (has links)
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Structural and optical impact of transition metal implantation into zinc oxide single crystals and nanowires / Strukturelle und optische Auswirkungen derÜbergangsmetallimplantation in ZnO Einkristalle und NanodrähteMüller, Sven 30 March 2009 (has links)
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Wechselwirkungen von Gold und Versetzungen in Silizium / Interactions of gold and dislocations in siliconVoß, Oliver 28 May 2009 (has links)
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