Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 444962.pdf: 1192335 bytes, checksum: 99f2c1e4c50a70affaa97a11bf6d814e (MD5) Previous issue date: 2012-12-07 / In this work we compared the antireflection coatings of titanium dioxide and silicon nitride for p+nn+ solar cell fabrication. This type of solar cell is more stable in the long term compared to n+pp+ cells and allows obtaining higher efficiencies. TiO2 films were produced by evaporation in high vacuum by electron beam and by chemical vapor deposition at atmospheric pressure (APCVD). The silicon nitride antireflection layer was obtained by reactive sputtering and by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The films were deposited on textured silicon wafers and were characterized by measuring the spectral reflectance. Solar cells with these films were fabricated and characterized. The deposited films presented very low weighted reflectance, of around 1.8 % for silicon nitride films and 2.6 % for titanium dioxide ones, for any technique used. The lowest average weighted reflectance was obtained with SiNx:H thin films deposited by PECVD, with (1.93 ? 0.08) %. Concerning the homogeneity of the films, silicon nitride films presented the lowest standard deviation in the average weighted reflectance, of around 4 % relative. A thermal process performed at 840 ?C in a belt furnace modifies the average weighted reflectance of about 0.3 % to 0.6 % absolutes for silicon nitride and TiO2 films, respectively. The p+nn+ solar cells doped with boron and phosphorus and metallized by screen printing reached the highest efficiencies where manufactured by using silicon nitride antireflection coating deposited by PECVD. The maximum efficiency of 13.7 % and an average of (13.5 ? 0.2) %, were achievied mainly because they showed a short circuit current density of around 1 mA/cm2 above that from solar cells with the other films investigated in this work. This difference is attributed not only to a low reflectance but also to a better surface passivation of SiNx:H layer. / Neste trabalho foram comparados os filmes antirreflexo de di?xido de tit?nio e de nitreto de sil?cio para fabrica??o de c?lulas solares p+nn+. Este tipo de c?lula solar ? mais est?vel em longo prazo em rela??o ?s c?lulas n+pp+ e permite a obten??o de maiores efici?ncias. Os filmes de TiO2 foram produzidos por evapora??o em alto v?cuo com canh?o de el?trons e por deposi??o qu?mica em fase vapor a press?o atmosf?rica (APCVD). A camada antirreflexo de nitreto de sil?cio foi obtida por sputtering reativo e por deposi??o qu?mica em fase vapor assistida por plasma (PECVD). Os filmes foram depositados em l?minas de sil?cio texturadas e caracterizados pela medida da reflet?ncia espectral bem como foram fabricadas e caracterizadas c?lulas solares com os filmes. Os filmes depositados apresentaram reflet?ncia m?dia ponderada bastante baixas, da ordem de 1,8 % para filmes de nitreto de sil?cio e de 2,6 % para filmes de ?xido de tit?nio, n?o interessando a t?cnica utilizada. A menor m?dia de reflet?ncia ponderada foi obtida com os filmes de SiNx:H depositados por PECVD, com (1,93 ? 0,08) %. No que se refere a homogeneidade dos filmes, os filmes de nitreto de sil?cio foram os que apresentaram o menor desvio padr?o nas m?dias de reflet?ncia ponderada, da ordem de 4 % relativo. Observou-se que um processo t?rmico realizado a 840 ?C em forno de esteira provocou varia??es na reflet?ncia m?dia ponderada da ordem de 0,3 % a 0,6 % absoluto para filmes de nitreto de sil?cio e de TiO2, respectivamente. As c?lulas solares p+nn+, dopadas com boro e f?sforo e metalizadas por serigrafia que atingiram as maiores efici?ncias foram as fabricadas com nitreto de sil?cio depositado por PECVD, atingindo a efici?ncia m?xima de 13,7 % e m?dia de (13,5 ? 0,2) %, principalmente porque apresentaram uma densidade de corrente de curtocircuito da ordem de 1 mA/cm2 superior a de c?lulas solares com os demais filmes estudados nesta disserta??o. Esta diferen?a foi atribu?da n?o somente a uma menor reflet?ncia mas tamb?m a passiva??o de superf?cie mais eficaz do filme de SiNx:H.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 392891.pdf: 18868347 bytes, checksum: e47d02c5e43959554e7a96fc2af41841 (MD5) Previous issue date: 2007-01-26 / Em c?lulas a combust?vel de eletr?lito polim?rico s?lido, o principal componente ? o conjunto membrana/eletrodos (MEA). A camada difusora ? um dos constituintes do MEA, sendo um material comp?sito constitu?do de p? de carbono ao qual ? adicionado politetrafluoretileno (PTFE) para aumentar sua hidrofobicidade, caracter?stica fundamental para controlar o transporte de ?gua no sistema. Sobre a camada difusora ? depositada a camada catal?tica formada por platina suportada em carbono, ? qual ? adicionada uma solu??o de Nafion (marca registrada). Essas camadas apresentam superf?cies uniforme, rugosas e porosas, dificultando suas caracteriza??es. O objetivo deste trabalho foi implementar metodologias de caracteriza??o dessas camadas, visando ? determina??o da molhabilidade, morfologia e porosidade, bem como a otimiza??o de par?metros de fabrica??o do conjunto membrana/eletrodo (MEA). Os MEAs produzidos foram testados em prot?tipo de c?lulas a combust?vel constru?dos na PUCRS. Para a determina??o da molhabilidade das superf?cies foram medidos os ?ngulos de contato pelo m?todo da gota, utilizando um sistema composto por microsc?pio ?tico acoplado a uma c?mara de v?deo. Foram medidos os ?ngulos de avan?o (TETAa) e recuo (TETAr) e atrav?s dessas medidas foram estimados a histerese (DELTA TETA = TETAa - TETAr) e o ?ngulo de equil?brio (TETAe). Na caracteriza??o da morfologia das camadas e substratos foram utilizadas Microscopia Eletr?nica de Varredura (MEV) e Espectroscopia por Dispers?o de Energia (EDS). Para determinar a porosidade das camadas difusoras e catal?ticas, foram realizados testes baseados no m?todo da impregna??o e medida dos volumes de ?gua para preenchimento dos poros hidrof?licos, e heptano para poros hidrof?licos e hidrof?bicos. Foram constru?dos tr?s MEAs atrav?s de processos otimizados envolvendo quantidade dos constituintes (p? de carbono e PTFE), tipo de substrato (papel e tecido de carbono), limpeza dos materiais e tratamento t?rmico. O desempenho dos MEAs foram testados quanto ? pot?ncia gerada os resultados obtidos comparados com MEA comerciais. Atrav?s do estudo da morfologia evidenciou-se que a incorpora??o do PTFE ao p? de carbono ? uma etapa cr?tica na produ??o das camadas difusoras. Um bom compromisso entre um recobrimento adequado e uma menor rugosidade ? obtido com teores intermedi?rios de PTFE (20%). Constatou-se tamb?m que temperaturas maiores que 330?C n?o s?o indicadas para os tratamentos t?rmicos e que a deposi??o por pulveriza??o n?o forma camadas totalmente uniformes. Na determina??o da porosidade observaram-se resultados compat?veis com os encontrados na literatura para os substratos n?o impregnados. Para os substratos impregnados com comp?sitos, os resultados apresentaram uma maior variabilidade, em especial para os comp?sitos depositados sobre papel de carbono. Em geral, o aumento do teor de PTFE diminui a porosidade total e aumenta o percentual de poros hidrof?bicos para ambos substratos com pequenas discrep?ncias para o papel de carbono devido, provavelmente a maior incerteza por dificuldades apresentadas nas medidas das an?lises efetuadas sobre esse substrato. Na determina??o da hidrofobicidade os resultados apresentaram boa precis?o, em especial para os comp?sitos depositados sobre tecido de carbono. Os valores obtidos dos ?ngulos de contato da camada catal?tica foram menores do que os resultantes da deposi??o da camada difusora devido, possivelmente ? presen?a de Nafion, que por possuir um car?ter hidrof?lico, minimiza as propriedades hidrof?bicas do comp?sito. Esses resultados confirmaram a complexidade dessas camadas bem como o car?ter hidrof?bico do PTFE e hidrof?lico do p? de carbono. Os testes de efici?ncia mostraram que o MEA de melhor desempenho foi o constru?do sobre substrato de papel de carbono. Fazendo uma compara??o entre os conjuntos produzidos em tecido de carbono, o que apresentou melhor desempenho continha maior concentra??o de catalisador.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 392890.pdf: 5317627 bytes, checksum: 4b23b992da086b5e77942349bd4a71b0 (MD5) Previous issue date: 2007-05-28 / O aproveitamento da energia gerada pelo Sol, renov?vel e limpa ? hoje, uma das alternativas energ?ticas mais promissoras para enfrentar o desafio energ?tico do mundo. Para se fabricar uma c?lula solar de alta efici?ncia, precisa-se reduzir a reflet?ncia da superf?cie. O objetivo deste trabalho ? estudar o desenvolvimento e an?lise de filmes anti-reflexo (AR) de sulfeto de zinco (ZnS) para c?lulas solares. Inicialmente, foi implementado e otimizado um processo de deposi??o por aquecimento resistivo de filme anti-reflexo de ZnS sobre c?lulas solares. Foi realizado um estudo te?rico e experimental para otimizar o filme de sulfeto de zinco, verificando a uniformidade da deposi??o por meio da medida da reflet?ncia. Para l?minas polidas, a reflet?ncia m?dia no intervalo de comprimentos de onda entre 400 nm - 1050 nm foi de (12,6 ? 0,3)% e para l?minas texturadas a m?dia foi de (3,3 ? 0,2)%. A varia??o da taxa de deposi??o de ZnS de 0,1 - 0,2 nm/s para 0,6 - 0,7 nm/s, demonstrou ter baixa influ?ncia na reflet?ncia das l?minas. C?lulas solares mono e bifaciais foram fabricadas verificando-se que un aumento de 12 - 13 % na corrente el?trica gerada pode ser obtido pela deposi??o de filmes antireflexo de ZnS sobre l?minas texturadas. Verificou-se tamb?m que c?lulas bifaciais com ?xido de sil?cio (SiO2) sob o filme AR, tiveram aumento de densidade de corrente de 2,7 mA/cm2 para ilumina??o pela face n+ e 11,8 mA/cm2 para ilumina??o pela face p+, em rela??o ?s c?lulas sem SiO2. Foi analisada a influ?ncia da espessura do filme ZnS, variando o valor ?timo da espessura do filme de ZnS em ?5 nm. Os resultados mostraram que a corrente piora de 3% para filmes com espessuras de 5 nm abaixo do ?timo e de 1% para espessuras de 5 nm acima. C?lulas solares com filme de ZnS foram metalizadas por serigrafia e constatou-se que este filme n?o ? adequado para recozimento de pastas serigr?ficas em temperaturas superiores a 800 oC, pois formou-se uma barreira retificadora entre o metal e o semicondutor.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 394278.pdf: 2110247 bytes, checksum: 3cc1315ab52301d2409fb534299e297a (MD5) Previous issue date: 2007-05-29 / A busca por dispositivos mais eficientes faz com que a pesquisa com semicondutores utilize materiais cada vez mais puros, com menos defeitos e, consequentemente, mais caros. A ind?stria de c?lulas solares busca dispositivos que tenham uma boa raz?o entre custo de produ??o e efici?ncia de convers?o para se tornar mais competitiva comercialmente. Para reduzir o custo, podem ser usadas l?minas de sil?cio de menor qualidade, mas processos de limpeza superficial e de remo??o e neutraliza??o de impurezas (gettering), devem ser implementados. O objetivo geral deste trabalho ? analisar limpezas qu?micas e os efeitos gerados pelo gettering de f?sforo em l?minas de sil?cio monocristalino utilizadas na fabrica??o de c?lulas solares. Foram analisadas limpezas alternativas ? RCA completa, diminuindo o n?mero de passos. Observou-se que a limpeza tipo A produziram os melhores resultados comparados ?s limpezas do tipo B. Destas, a que mais se destacou foi a limpeza CR2, alcan?ando um aumento no tempo de vida dos portadores minorit?rios de 175 %, com valor m?dio final de 101 μs. Utilizando o processo de limpeza desenvolvido, realizaram-se difus?es de f?sforo a partir do POCl3 (oxicloreto de f?sforo), para temperaturas de 800 ?C a 900 ?C com tempos entre 15 minutos e 45 minutos. Foram realizadas medidas de resist?ncia de folha e do tempo de vida dos portadores minorit?rios, o qual possibilitou avaliar a passiva??o superficial e os efeitos do gettering por f?sforo. A maioria dos processos de difus?o produziu um gettering eficiente e os melhores valores de tempo de vida foram obtidos para processos a 900 ?C, sendo que este par?metro aumentou em m?dia de 41 μs para 900 μs

Submitted by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-04-07T18:03:32Z No. of bitstreams: 1 DIS_JESSICA_DE_AQUINO_COMPLETO.pdf: 2934640 bytes, checksum: 153da3d44efdfe566dcf3c4a87da1eac (MD5) / Made available in DSpace on 2017-04-07T18:03:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DIS_JESSICA_DE_AQUINO_COMPLETO.pdf: 2934640 bytes, checksum: 153da3d44efdfe566dcf3c4a87da1eac (MD5) Previous issue date: 2017-01-24 / The majority of silicon solar cells manufactured in an industrial scale is processed in Si-Cz p-type substrates and has the n+pp+ structure. In the last decade, the search for efficiency improvements and fabrication cost reductions has been intensified. Since the cell efficiency is limited by optical losses and surface recombination, the rear and front surface passivation is an alternative for the enhancement of the efficiency. The goal of this dissertation is to develop and analyze solar cells with selective back surface field of boron and aluminum and silicon nitride thin films for the passivation of both surfaces. The silicon nitride thin films were deposited by PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition), with ratios of silane to ammonia gas flow of 0.875, 1.5 and 2.0, and deposition time of 60 to 100 seconds, adjusted to form the anti-reflection coating. The thickness of the SiNx films, minority carrier lifetime, electrical parameters, minority carrier diffusion length and quantum efficiency were analyzed and compared. The results indicate that the lower the ratio between the silane and ammonia gas flows and the shorter the deposition time, the higher the efficiency of the solar cells manufactured. Due to the passivation, mainly in the front face, caused by the silicon nitride film deposited with the lower ratio of silane and ammonia gas flow and lower deposition time, we observed an increasing oh the internal quantum efficiency, mainly in shorter wavelength. The efficiency reached was 16.0 %, similar to the efficiency of solar cells with aluminium homogeneous back surface field. / A maioria das c?lulas solares de sil?cio fabricadas em escala industrial ? processada em substratos de Si-Cz tipo p e possuem estrutura n+pp+. Na ?ltima d?cada, intensificou-se a busca por melhores efici?ncias e redu??o dos custos de fabrica??o. Como as c?lulas s?o limitadas pelas perdas ?pticas e pela recombina??o nas superf?cies, a passiva??o da superf?cie posterior, al?m da superf?cie frontal, ? uma alternativa para aumentar a efici?ncia dos dispositivos. O objetivo dessa disserta??o ? desenvolver e avaliar c?lulas solares com campo retrodifusor seletivo de boro e alum?nio e passivadas com filme fino de nitreto de sil?cio em ambas as faces. Os filmes de nitreto de sil?cio foram depositados por PECVD (plasmaenhanced chemical vapor deposition) com a raz?o da vaz?o dos gases silano e am?nia de 0,875, 1,5 e 2,0 e tempos de deposi??o de 60 a 100 segundos, ajustados para formar o filme antirreflexo. Analisaram-se e compararam-se a espessura do filme, o tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios, os par?metros el?tricos, o comprimento de difus?o e a efici?ncia qu?ntica. Os resultados indicaram que quanto menor a raz?o entre o fluxo dos gases silano e am?nia e menor tempo de deposi??o, maior a efici?ncia das c?lulas solares fabricadas. Devido a maior passiva??o, principalmente na face frontal provocada pelo filme de nitreto de sil?cio depositado com a menor raz?o da vaz?o dos gases silano e am?nia e menor tempo de deposi??o, observou-se um aumento da efici?ncia qu?ntica interna, principalmente para menores comprimentos de onda e alcan?ou-se a efici?ncia de 16,0 %, similar ? efici?ncia das c?lulas solares com emissor homog?neo de alum?nio.

Submitted by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-11-01T11:45:18Z No. of bitstreams: 1 TES_CAROLINA_CUCCO_COMPLETO.pdf: 1206857 bytes, checksum: f0c340e4e00138cbbfe5a1fa0ae23e6e (MD5) / Approved for entry into archive by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-11-01T11:45:31Z (GMT) No. of bitstreams: 1 TES_CAROLINA_CUCCO_COMPLETO.pdf: 1206857 bytes, checksum: f0c340e4e00138cbbfe5a1fa0ae23e6e (MD5) / Made available in DSpace on 2017-11-01T11:45:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TES_CAROLINA_CUCCO_COMPLETO.pdf: 1206857 bytes, checksum: f0c340e4e00138cbbfe5a1fa0ae23e6e (MD5) Previous issue date: 2015-06-15 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior - CAPES / Teeth exhibit limited repair in response to damage, and studies have shown that dental pulp stem cells (DPSCs) probably provide a source of cells to replace those damaged and to facilitate repair. Additionally, in vivo transplantation into immunocompromised mice demonstrated the ability of DPSCs to generate functional dental tissue in the form of dentine/pulp-like complexes. Therefore, the purpose of this study was to characterize the endothelial fate of DPSCs in vivo and to start to understand the role of Tie2/Ang-1 signaling pathway on the regulation of the endothelial differentiation of DSPCs.! DPSCs stably transduced with LacZ were seeded into tooth slices and implanted into immunodeficient mice for 7, 14, 21 ad 28 days. A combination of in vitro and in vivo assays were performed to determine the role of Ang-1 in the vasculogenic fate of DPSCs. Histologic analysis and immunohistochemistry from the retrieved tooth slices were performed. Dental pulp stem cells seeded in tooth slice/scaffolds and transplanted into SCID mice showed a continuous crescent number of beta-galactosidase-positive odontoblastic and endothelial cells along the 7, 14, 21 and 28 days of the study. At 21 days beta-galactosidase-positive capillaries located close to murine blood vessels were detected, confirming our previous report (Cordeiro et al, 2008; Sakai et al, 2010). DPSCs exposed to Ang-1 differentiated into cells expressing VEFGR2, CD31 and Tie2. Exposure of VEGFR1-silenced DSPC to Ang-1 and VEGF induced the activation of STAT3, Erk and Akt, while VEGF alone inhibited the phosphorylation of STAT3. This is consistent with the role of Akt and STAT3 in the regulation of cell survival and cell-cell interation of DPSC through Tie2/Ang-1 signaling pathway. This study demonstrates that Angiopoietin-1 is involved in the vasculogenic differentiation of DSPCs. / As c?lulas-tronco provenientes da polpa de dentes adultos (DPSC) s?o uma fonte promissora de c?lulas-tronco para a terapia regenerativa. J? foi demonstrado que elas podem se diferenciar em c?lulas endoteliais, mas os relatos histol?gicos temporais do seu destino ainda n?o foram demonstrados. Dessa forma, o presente estudo teve como objetivo elucidar o destino das DSPC-LacZ, bem como avaliar o efeito de algumas mol?culas envolvidas na diferencia??o endotelial destas c?lulas. Para isso, DPSC Lac-Z foram semeadas em scaffolds de fatias dent?rias e implantadas no subcut?neo de camundongos imunodeficientes. 14 dias ap?s a recupera??o dos tecidos, observou-se c?lulas beta-galagtosidase positivas alinhadas ao longo das paredes internas das fatias de dente, sugerindo a diferencia??o destas em c?lulas semelhantes ? odontoblastos. Ainda neste per?odo, c?lulas beta-galactosidase positivas foram localizadas pr?ximas aos vasos sangu?neos do roedor, algumas formaram estruturas tubulares e continham elementos celulares dentro do seu l?men. Aos 21 dias, um tecido muito semelhante a polpa dental foi encontrado dentro das fatias dentais, e no dia 28 o n?mero de c?lulas betagalactosidade postivas era maior do que todos os periodos anteriores. Ainda, avaliou-se o papel da mol?cula VEGF e Ang-1 na diferencia??o endotelial destas c?lulas bem como na fosforila??o de algumas vias de sinaliza??o. Para isso, um meio de cultura alpha- MEM suplementado com 50 ng/mL rhVEGF + 200 ng/mL rhAng-1, foi utlizado como est?mulo para as DPSC se diferenciarem em c?lulas endoteliais. Durante um per?odo de 28 dias as c?lulas expressaram marcadores endoteliais como VEGFR2, CD31, Ang-1 e Ang-2. Quando utilizamos c?lulas DPSC shRNA VEGFR-1 estimuladas pelas mesmas mol?culas, a fosforila??o de ERK e AKT foi aumentada, o que n?o ocorreu no grupo controle.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:35:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 426668.pdf: 3860401 bytes, checksum: cecf8536ffcc30bf313ecd3f32dd76e9 (MD5) Previous issue date: 2010-09-30 / A Epilepsia do Lobo Temporal (ELT) ? a manifesta??o convulsiva mais comum em adultos e que comumente se apresenta como uma s?ndrome refrat?ria aos tratamentos farmacol?gicos. Altera??es anat?micas e fisiol?gicas est?o geralmente presentes em pacientes com ELT, como a atrofia hipocampal vista em estudos de RM. As c?lulas tronco mostraram ter a habilidade de regenerar estruturas hipocampais em modelos experimentais. O objetivo do presente estudo ? avaliar a seguran?a e factibilidade de uma nova estrat?gia terap?utica - o transplante aut?logo de c?lulas tronco mononucleares da medula ?ssea (CTMMO) no tratamento de pacientes com ELT com esclerose hipocampal unilateral refrat?ria. Foram avaliados 9 pacientes adultos com diagn?stico de ELT confirmado por hist?ria cl?nica, RM com volumetria hipocampal, v?deo EEG prolongado para registro de crises e exames laboratoriais. Ap?s consentimento informado e preenchendo todos os crit?rios de congru?ncia para lateralidade, os pacientes foram submetidos ao transplante de CTMMO. O transplante de c?lulas tronco foi realizado atrav?s de arteriografia seletiva da art?ria cerebral posterior infundindo-se de 1,51 x 108 a 5,51 x 108 c?lulas mononucleares. Nenhum efeito adverso significativo foi registrado durante o procedimento nem durante o tempo de seguimento. Tr?s pacientes (44.5%) permaneceram na Classe IA de Engel, 04 na classe IB e 02 pacientes na classe IIA. Dados os resultados obtidos, conclu?mos que o transplante de CTMMO parece fact?vel e seguro em pacientes com ELT refrat?ria. O controle de crises alcan?ado nessa popula??o nos d? um potencial terap?utico promissor no tratamento dessa popula??o

Submitted by Setor de Tratamento da Informa??o - BC/PUCRS (tede2@pucrs.br) on 2016-05-25T14:14:02Z No. of bitstreams: 1 TES_SERGIO_BOSCATO_GARCIA_COMPLETO.pdf: 4679313 bytes, checksum: 9d9d88508ab3cba6c986903ea518c84b (MD5) / Made available in DSpace on 2016-05-25T14:14:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TES_SERGIO_BOSCATO_GARCIA_COMPLETO.pdf: 4679313 bytes, checksum: 9d9d88508ab3cba6c986903ea518c84b (MD5) Previous issue date: 2016-03-30 / The solar cell industry is based on manufacturing n+pp+ devices with phosphorus emitter and aluminum back surface field. Studies show that the exposure to solar radiation may cause the degradation of electrical characteristics of these devices, which does not occur in solar cells made with n-type silicon. Furthermore, ntype silicon has a highest minority carrier lifetime and it is less sensitive to the presence of impurities when compared to p-type substrates. With the goal of the development of p+nn+ solar cells, experimental manufacturing processes were carried out to produce devices with homogeneous emitter, obtained from BBr3 and spin-on dopant, selective emitter formed by laser radiation and deposition of the antireflection coating (AR) by evaporation and atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD). In solar cells with homogeneous emitter formed by BBr3 and oxidation followed by annealing at 400 ?C with form ing gas provides a minimum surface passivation. It was observed that the electrical characteristics of the solar cells manufactured in n-type solar grade silicon are highly affected by the number of high-temperature thermal steps. The maximum efficiency of solar cells with emitter formed by BBr3 was 12.7%. The open circuit voltage values of solar cells with selective emitter were less than 560 mV, indicating that deterioration of the melting region by the laser radiation occurs, and the best solar cell achieved 11.6% efficiency. In general, devices with homogeneous emitter formed by spin-on showed higher efficiencies compared to the others, reaching 14.3% for solar cells with front grid formed with the PV3N1 metal paste. The TiO2 AR coatings deposited by APCVD and with the annealing at temperature of 400 ?C res ults in surface passivation, increasing the efficiency of the devices to 0.5% (absolute), which does not occur in AR coatings deposited by evaporation. / A ind?stria de c?lulas solares est? baseada na fabrica??o de dispositivos com estrutura n+pp+, com emissor de f?sforo e campo retrodifusor de alum?nio. Estudos mostram que a exposi??o ? radia??o solar pode causar a degrada??o das caracter?sticas el?tricas destes dispositivos, o que n?o ocorre em c?lulas solares fabricadas em sil?cio tipo n. Al?m disto, o sil?cio tipo n possui maior tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios e ? menos afetado pela presen?a de impurezas quando comparado ao sil?cio tipo p. Com o objetivo de desenvolver c?lulas solares p+nn+, processos experimentais de fabrica??o foram realizados para dispositivos com emissor homog?neo, obtido a partir de BBr3 e dopantes depositados por spinon, emissor seletivo formado por radia??o laser e deposi??o de filmes antirreflexo (AR) por evapora??o e deposi??o qu?mica em fase vapor (APCVD). Em c?lulas solares com emissor homog?neo formado por BBr3 foi observado que a oxida??o seguida de recozimento a 400 ?C com forming gas proporciona uma m?nima passiva??o de superf?cie. Observou-se que as caracter?sticas el?tricas das c?lulas fabricadas em sil?cio grau solar tipo n s?o altamente afetadas pelo n?mero de passos t?rmicos de alta temperatura. A efici?ncia m?xima obtida em dispositivos com emissor formado por BBr3 foi de 12,7%. Os valores de tens?o de circuito aberto das c?lulas com emissores seletivos foram inferiores a 560 mV, indicando uma deteriora??o na regi?o fundida pela radia??o laser, e a melhor c?lula solar atingiu 11,6% de efici?ncia. Em geral, os dispositivos com emissores homog?neos formados por spin-on apresentaram efici?ncias superiores em rela??o aos demais, atingindo 14,3% com metaliza??o frontal com a pasta met?lica PV3N1. Filmes AR de TiO2 depositados por APCVD e submetidos ao recozimento em temperaturas da ordem de 400 ?C passivam a superf?cie, aumentando a efici ?ncia dos dispositivos em at? 0,5% (absoluto), o que n?o ocorre em filmes AR depositados por evapora??o.

Submitted by Setor de Tratamento da Informa??o - BC/PUCRS (tede2@pucrs.br) on 2017-03-14T17:19:33Z No. of bitstreams: 1 DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf: 2671041 bytes, checksum: f1125678bbb77f283914b17e91493182 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-03-14T17:19:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf: 2671041 bytes, checksum: f1125678bbb77f283914b17e91493182 (MD5) Previous issue date: 2017-01-11 / The passivation of silicon solar cell surfaces is important for reducing the recombination rate of electron-hole pairs and, consequently, for improving efficiency. The goal of this work was to analyze the passivation quality obtained with thermal oxidation of solar grade silicon wafers and of solar cells with type p base and selective back surface field, producing thin films of SiO2. First, the dependence of minority carrier lifetime on oxidation time and temperature with and without the addition of chlorine was analyzed. I-V curves and spectral response measurements were conducted to determine the influence of oxidation parameters on the solar cells electrical characteristics. The results related to the oxidation furnace cleaning showed that introducing chlorine during oxidation it was possible to avoid the decline of minority carrier lifetime for silicon of Czochralski type and temperatures higher than 1000 ?C. As regarded to the oxide passivation, it was observed that the effective minority carrier lifetime increases for thicker oxides. The oxidation time and temperature that resulted in the highest efficiencies were 45 min and 800 ?C, resulting in oxide thicknesses on the front and back surfaces of 53 nm and 10 nm, respectively. The best solar cell with selective back surface field and SiO2 passivation presented Jsc = 36.0 mA/cm2, Voc = 598.6 mV and FF = 0.777, corresponding to an efficiency of 16.8 %. / A passiva??o das superf?cies de c?lulas solares ? importante para a redu??o da taxa de recombina??o de pares el?tron-lacuna e, consequentemente, para o aumento de efici?ncia. O objetivo deste trabalho foi analisar a qualidade da passiva??o obtida com oxida??o t?rmica de l?minas de sil?cio grau solar e c?lulas solares com base p e campo retrodifusor seletivo, produzindo filmes finos de SiO2. Primeiramente, foi analisada a depend?ncia do tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios com o tempo e temperatura de oxida??o para oxida??es com e sem adi??o de cloro. Medidas de curva I-V e resposta espectral foram realizadas para determinar a influ?ncia dos par?metros de oxida??o nas caracter?sticas el?tricas de c?lulas solares. Os resultados relacionados ? limpeza do tubo de oxida??o mostraram que a introdu??o de cloro durante a oxida??o foi capaz de evitar a diminui??o do tempo de vida dos portadores minorit?rios para l?minas de sil?cio tipo Czochralski para temperaturas de processo maiores que 1000 ?C. Em rela??o a passiva??o atribu?da ao ?xido, foi observado que o tempo de vida efetivo dos portadores minorit?rios aumenta para ?xidos mais espessos. O tempo e a temperatura de oxida??o que resultaram em maiores efici?ncias foram de 45 min e 800 ?C, apresentando uma camada de SiO2 nas faces frontal e posterior de 53 nm e 10 nm, respectivamente. A melhor c?lula solar com campo retrodifusor seletivo e com passiva??o de SiO2 apresentou Jsc = 36,0 mA/cm2, Voc = 598,6 mV e FF = 0,777, correspondendo a uma efici?ncia de 16,8 %.

Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2017-12-04T21:15:19Z No. of bitstreams: 1 AnaCarolinaPereiraRocha_DISSERT.pdf: 5861142 bytes, checksum: 39f089afa48682089f4ef1bb8949e060 (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2017-12-08T22:36:42Z (GMT) No. of bitstreams: 1 AnaCarolinaPereiraRocha_DISSERT.pdf: 5861142 bytes, checksum: 39f089afa48682089f4ef1bb8949e060 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-12-08T22:36:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AnaCarolinaPereiraRocha_DISSERT.pdf: 5861142 bytes, checksum: 39f089afa48682089f4ef1bb8949e060 (MD5) Previous issue date: 2017-09-01 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior (CAPES) / A diferencia??o das c?lulas-tronco mesenquimais humanas (CTMh) em osteoblasto segue um programa espec?fico de express?o g?nica, comprometendo-se inicalmente sob a influ?ncia das vias Wnt (Wingless pathway) e das BMPs (bone morphogenetic protein) que direcionam a c?lula a sua transforma??o em osteoblasto. Entretanto, as vias ativadas especificamente durante a fase inicial da diferencia??o s?o ainda pouco exploradas. Assim, o objetivo deste trabalho foi caracterizar o perfil transcricional do in?cio do processo de diferencia??o de CTMh, obtidas da veia do cord?o umbilical, em osteoblasto, a partir da t?cnica de RNA-Seq. A partir dos dados de transcriptoma, foi produzida uma lista ordenada de genes funcionalmente associados, obtida pela me?dia da expressa?o ge?nica tomada sobre genes vizinhos nesta lista, facilitando, assim, a sua interpretac?a?o biolo?gica. Para o estudo de ontologia g?nica e delineamento do perfil de express?o durante a osteog?nese, os processos metab?licos e fun??es moleculares significativamente alterados durante o decorrer do processo de diferencia??o foram analisados em diversas ferramentas (REVIGO, GOrila, PANTHER, LNCipedia e NONCODE) e descritos. Durante a indu??o ? diferencia??o das CTMh em osteoblasto, foi observado o aumento da express?o de genes caracter?sticos do fen?tipo osteobl?stico j? a partir do primeiro dia de diferencia??o. Foram identificados RNAs n?o codificantes, consoante a evolu??o da diferencia??o, bem como genes envolvidos na forma??o de rafts de membrana, j? a partir do terceiro dia de diferencia??o. Durante o terceiro dia de indu??o, genes envolvidos na regula??o da diferencia??o celular e em outros processos biol?gicos que precedem a diferencia??o, como ades?o celular, sinaliza??o e resposta ? fatores qu?micos externos j? apresentaram aumento em sua express?o. O estudo da express?o g?nica durante estes tr?s primeiros dias revelou ainda a diminui??o na express?o de genes envolvidos em processos biol?gicos de manuten??o de metabolismo basal, degrada??o de RNA e organiza??o do citoesqueleto, indicando assim que as mudan?as celulares que levam a c?lula a entrar em diferencia??o podem ter origem durante os tr?s primeiros dias de tratamento osteog?nico. / Human mesenchymal stem cells (hMSC) differentiation into osteoblast follows a specific gene expression program, committing itself initially under Wnt and BMPs pathways influence then differentiating into osteoblasts. However, specifically activated pathways during the first three days of differentiation are still poorly understood. Considering next generation sequencing technologies efficiency, and the lack of characterization in early hMSC differentiation process, in this work we used Illumina RNA-Seq to investigate the changes in these cells transcriptome. We used ex-vivo cultures of two human umbilical cord veins. Data from the complete transcriptome were analyzed in Transcriptogramer for the production of an ordered list of functionally associated genes, obtained by the mean of the gene expression taken on neighboring genes in this list, thus facilitating their biological interpretation. To study gene ontology and gene expression profile during osteogenesis, the metabolic processes and molecular functions significantly altered during the course of the differentiation process were analyzed in several tools (REVIGO, GOrila, PANTHER, LNCipedia and NONCODE) and properly described. During hMSC differentiation, an increase in expression of osteoblastic phenotype genes was observed as soon as the first day of differentiation started. Noncoding RNAs were also identified, depending on the evolution of the differentiation process, as well as genes involved in the formation of membrane rafts, on the third day of differentiation. During the third day of induction, cell differentiation regulation genes and other important genes on biological processes that precede differentiation, such as cell adhesion, signaling and external chemical factors response, have already increased expression. The study of gene expression during these first three days also revealed the decrease in the expression of groups of genes crucial to basal metabolism maintenance, RNA degradation and cytoskeleton organization, thus indicating that the cellular changes that lead the cell into differentiation may originate during the first three days of osteogenic treatment.