Orientador: Alberto Martins Jorge / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-23T13:32:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pereira_AdrianoMarques_M.pdf: 3686858 bytes, checksum: cae9fc2f169351041a1c45d64dbcc978 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Devido a enorme gama de aplicações onde os espelhos SI são empregadas, tais como redes neurais, filtros, conversores D/A e ND, toma-se interessante a implementação de uma biblioteca de espelhos de corrente dinâmicos. Considerando-se o espelho SI como um bloco de uma biblioteca, tal como um flip-flop ou uma porta lógica, as aplicações onde ele é utilizada podem ser implementadas empregando-se uma metodologia "standard cell". Além disso, toma-se possível o projeto de circuitos analógicos mais complexos utilizando quase que somente um simulador comportamental, tipo o HDLA [16]. Para viabilizar a implementação desta biblioteca, é necessário a definição de uma metodologia de projeto para os espelhos, bem como encontrar soluções para as dificuldades na caracterização dos espelhos. Para definir a metodologia de projeto, são investigados e equacionados todos os problemas que acarretam erros na memorização da corrente e definidas alternativas para minimiza-los. Como conseqüência, obteve-se uma topologia de circuito que é facilmente ajustada em função da precisão e freqüência de operação do espelho. A precisão e a freqüência geralmente são grandezas inversamente proporcionais. As alternativas de projeto para os problemas que acarretam erros na cópia da corrente memorizada, são escolhidas de forma não implicar em grandes perdas na freqüência de operação, de tal forma que se possa obter espelhos de corrente dinâmicos de alta precisão e alta freqüência de operação. As soluções encontradas para a caracterização de espelhos SI levaram ao projeto de um sistema de medição, que permite a completa caracterização do espelho. No projeto do sistema de medição esta incluído o projeto de um circuito integrado de interface necessário para realizar as medições no espelho dinâmico. A caracterização dos protótipos dos circuitos de interface mostrou que o mesmo possui uma THD menor que 0,04%. O sistema de medição é capaz de caracterizar espelhos SI com precisão da ordem de 450 ppm operando a freqüência de 3 MHz / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T06:24:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_RegisEugeniodos_M.pdf: 4796664 bytes, checksum: fe4bb2ff22f9c4d051ddc3dd387559a2 (MD5) Previous issue date: 2003 / Mestrado

Orientador: Attilio Jose Giarola / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:45:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kretly_LuizCarlos_D.pdf: 12155544 bytes, checksum: 59824a78528eb857d7b3840cc8b0d958 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Este trabalho descreve a tecnologia desenvolvida para construção de MESFETs de GaAs, (Metal Semiconductor Field Effect Transistors de Arseneto de Gálio), com geometria de porta mícron e submicron. Apresenta em detalhes todas as etapas para a construção destes dispositivos e os resultados obtidos. Mostramos que, a partir de fotolitografia convencional e procedimentos com técnicos de auto-alinhamento, é possível construir transitores MESFETs de GaAS para aplicação analógica (faixa de microondas) e com potencialidades para operação em circuitos intregrados digitais de GaAs. Transistores foram construídos usando esta técnica e as características estatísticas e dinâmicas obtidas estão de conformidade com as especificações típicas destes dispositivos, amplamente divulgados na literatura. Apresentamos, também, um amplo estudo, em forma de ¿tutorial¿, de várias alternativas tecnológicas para conturção de MESFESTs. Ainda, uma extensa análise dos modelos para MESFETs é apresentada, indicando a evolução destes, particularmente quanto à interpretação dos fenômenos ligados ao dispositivo. Uma simulação numérica é também desenvolvida para analisar o comportamento dinâmico de domínios estacionários de carga, em função da polarização de porta e de dreno para MESFETs de GaAs com porta submicron, o que permitiu identificar aprimoramentos a serem introduzidos nos modelos existentes / Abstract: this work describes the technology developed for the construction of GaAs MESFET¿s (Gallium Arsenide Metal Semiconductor Field Effect Transistors) with micron and submicron gate geometry. It describes in detail all the steps for the construction of these devices and the results obtained. It is shown that GaAs MESPETs, for analogical applacation in the microwave range and with potencial for operation in integrated digital circuits, may be constructed with conventional photolithography and with a self-aligment technique. Transitors were constructed using this technique and the DC and dynamic characteristics are in agreement with the specifications of typical MEFETs devices reported in the literature. A general study is also shown, in tutorial form, of the various technological alternatives for the construction of MESFETs. In addition, an extensive analysis of MESFETs models is also presented indicating their evolution, particulary with respect to the interpretation of of the phenomena associated with the divice. A numerical simulation was also developed for the analysis of the stationary charge domain behavior as a function of gate and drain bias of GaAs MEFETs with a submicron gate, thus allowing the identification of improvements to be introduced in the existing models / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T04:19:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Takeuti_DouglasdeFreitas_M.pdf: 6264981 bytes, checksum: caefffe7e4c66b3d55cacbb8f8d9e1ca (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Estudamos o comportamento de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor (MOS, aluminio-Si02-Si) após irradiação por raios-X (CU K-a ) e seu posterior tratamento térmico na faixa de temperatura (350 - 450)oC. Os óxidos foram crescidos termicamente, em ambiente de 02+TCE, sobre substratos Si(100), tipos-n e p, com concentrações de dopantes da ordem NaD¿10 9 cm -2 , espessura tox=100nm,área A=500x500 µ2. Apresentaram densidade de cargas móveis de NmD¿5.10cm -3 (medida a 205oC), densidade de cargas fixas de Nf 1.1010cm-2 e densidade de cargas capturadas na interface de Dit ¿ 4.10 10cm-2 eV-1(caracterização feita por técnicas C-V quase estática-QSCV, alta freqüência-HFCV e de varredura triangular em tensão-TVS). A irradiação dos dispositivos provocou alta densidade de estados de interface (Dit=5.10 cm eV-1 ), em contraste com baixa densidade de cargas capturadas no óxido (Not ¿ 4.10 10cm-2) . Os recozimentos foram feitos em etapas sucessivas, com atmosfera de N2, usando fornos convencionais e de processamento rápido e indicam que o tempo de recozimento dos defeitos induzidos é da ordem de 5 minutos a 420 oC. Para tempos maiores, observou-se aumento de Dit e a criação de histereses nas curvas HFCV / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T04:22:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Alves_MarcoAntonioRobert_M.pdf: 3186095 bytes, checksum: 6fd5fb1f1898d1b343e09c1a1eb0ab8e (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Este trabalho transistores visa um estudo do comportamento dos MOS e bipolar em diferentes condições de recozimento térmico do alumínio. Estudaremos resistência de contato entre o metal (AI) e o semicondutor utilizando o método TLM (modelo de linha de transmissão). No segundo capítulo desenvolveremos os conceitos básicos sobre a junção um estudo do transistor bipolar. No terceiro capitulo, será abordado o diagrama de energia de uma estrutura MOS, com intuito de obter os conceitos básicos para o estudo do transistor MOS. No quarto capitulo, descreveremos o conjunto de máscaras projetado e utilizado nas etapas do processo de fabricação, necessárias para a construção dos dispositivos bem como, a descrição dos métodos de medidas que permitem caracterizar etapas do processo e o comportamento elétrico dos dispositivos. No quinto capitulo, serão apresentados os resultados obtidos, as análises e conclusões. No apêndice apresentaremos o estudo do comportamento dos transistores MOS e biola bipolar em função bipolar em função de temp Bipolar em função da temperatura / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadora : Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T15:39:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Braga_EdmundodaSilva_M.pdf: 5308317 bytes, checksum: 20971ae40ce7bc535f5a7263f36d78e3 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Not informed / Mestrado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:46:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodrigues_CesarRamos_M.pdf: 8838285 bytes, checksum: 52d1c93d2478f82e06fcb46155a15029 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Não informado / Abstract: An integrated matrix of 36 (6 x 6) phototransistors was developed in order to build an electronic interface to optical computers. This thesis describes its design, modeling and characterization using a silicon bipolar technology. Chapter 1 presents the outline of the work that we are developing at the State University of Campinas in the area of Optical Computing. which includes also the development of Spatial Light Modulators and architectures for 3-D processing. Chapters 2: and 3 presents the phototransistor mathematical modeling. the matrix layout and its characterization. The status of this work and the future perspectivas are outlined in the final chapter / Mestrado

Orientador: Oseas Valente de Avilez Filho / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:42:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Menezes_AntonioSergioCavalcantide_D.pdf: 5739874 bytes, checksum: 9161d39d3a24e1f346eeb0f430fe4578 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Neste trabalho apresentamos uma nova técnica de conversão analógico-digital ultra-rápida de corrente que denominamos semi-flash. Um conversor A/D de 6 bits em tecnologia bipolar todo NPN foi projetado e simulado numericamente pelo programa SPICE 2. Para isso, empregou-se os parâmetros de processo da SID-Microeletrônica ¿ Contagem - Minas Gerais, uma tecnologia de 300 MHz. Também consideramos a tecnologia de 5 GHz e 10 GHz da Plessey Research, Inglaterra ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: In this work we present a new ultra-fast analog-digital conversion technique of current that we named semi-flash. A 6-bit A/D converter, all in bipolar NPN transistor , was designed and simulated using the computer program SPICE 2. For simulaltion, we consider the process parameters of- the SID-Microelectrônica ¿ Contagam - Minas Gerais, a 300 MHz teachnology. The 5 GHz and 10 GHz technology of the Plessey Research, England, was considered too ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Doutorado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:42:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moreira_DilvandeAbreu_M.pdf: 4754387 bytes, checksum: 6fade8d62ffb1fd4d15393f9e1cdbf4d (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: O QUANTICO é um simulador para circuitos elétricos aplicados no processamento de sinais analógicos, segundo técnica de amostragem de sinais discretos no tempo e amplitude. Na classe de circuitos em que o QUANTICO se aplica. São utilizados como primitivas os dispositivos: chave analógica, capacitor, somador de tensão de ganho unitário, comparador de tensão, buffer de ganho unitário, divisor de tensão por dois, subtrator de tensão e fonte de tensão. Basicamente, o simulador efetua a operação de atualização de tensões nos capacitores conectados ao circuito, que funcionam como elementos de memória anal6gica. Com estes dispositivos são implementados circuitos que desempenham funções básicas de condicionamento de sinais analógicos: amplificador de tensão, multiplicador de duas tensões, conversor digital serial I analógico, etc. Apesar da semelhança com os simuladores para redes de capacitor chaveado. o QUANTICO foi feito para uma classe particular de circuitos. Ele é executável em micros compatíveis com o IBM-PC rodando MS-DOS versão 2.1 (ou posterior). Ele foi escrito na linguagem C para ter fácil portabilidade / Abstract: QUANTICO is a simulator for electrical circuits applied to the analog signal processing using a sampling technique of signals discret in time and amplitude. In the class of circuits where QUANTICO is applied, the following devices are used as primitives: analog switch, capacitor, unit-gain voltage adder, voltage comparator, unit-gain buffer, voltage devider by two, voltage subtractor, and voltage source. Basically, the simulator does the operation of voltage updating in the capacitors connected to the circuit, which work like analog memory elements. With these devices circuits are implemented which periorm basic functions of analog signals conditioning, such as: voltage amplifier, multiplier of two voltages, digital serial to analog converter, etc. Despite the similarity with the simulators for switched capacitor networks, QUANTICO was made for a particular class of circuits. It runs in IBM-PC compatible microcomputers running under the MS-DOS version 2.1 (or later). It was written in C language for easy portability / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T00:47:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CuervoDiaz_Pedro_M.pdf: 5224988 bytes, checksum: 4a15f053014d27f9153ac2102cd35a8a (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Este trabalho descreve um sensor de temperatura com saída compatível com microprocessadores em uma ampla faixa de temperaturas, sem necessidade de outro componente externo. Sua saída em frequência proporcional à temperatura, pode-se obter em dois níveis de corrente ou dois níveis de tensão, permitindo sua montagem em um encapsulamento com três terminais. No Capítulo1, com o objetivo de posicionar o trabalho no universo dos sensores. o circuito integrado projetado, são apresentados três estudos. O primeiro, um estudo comparativo a respeito dos sensores monolíticosde silício, sensores inteligentese sensores compatíveiscom microprocessadores, tentando concluir algumas definições a respeito dos mesmos. Um segundo estudo mais pontual a respeito dos sensores monolíticosde temperatura. obtendo uma classificação em três tipos, de um transistor, de tipo PTATe com referência intrínseca. E um terceiro estudo, que faz uma análise comparativa dos sensores de temperatura comerciais. No Capftulo 2 é feito um estudo do comportamento térmico dos componentes usados, que constituem a base teórica do projeto do circuito integrado apresentado neste trabalho. Também são estudados alguns efeitos que inluenciam de maneira considerável neste tipo de sensores, como o efeito Seebeck e de Dissipação de Potência na pastilha. No capítulo 3 é apresentado o projeto do circuito integrado, que é o sensor de temperatura com saída em frequência mencionado no início, partindo da descriçio do processo de fabricação usado,a descrição do: circuitosaté o layout do mesmo. No capítulo 4, são apresentados os resultados experimentais e as medições feitas sobre os protótipos, com o objetivo de caracterizar o funcionamento do sensor e validar algumas considerações teóricas feitas durante o projeto do mesmo. No fina lno Capítulo 5 são analisados os resultados obtidos, como também alguma aplicação e são propostas algumas idéias e trabalhos de interesse nesta área que surgem como consequência do presente trabalho / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica