In this thesis, a comprehensive study of the electrical properties of carbon-hydrogen (CH) complexes in silicon (Si) and silicon-germanium (SiGe) alloys is presented. These complexes form by the reaction of residual carbon impurities with hydrogen that is introduced either by wet chemical etching or a dc hydrogen plasma. The complexes were detected and characterized by the deep level transient spectroscopy (DLTS), Laplace DLTS, and minority carrier transient spectroscopy (MCTS) technique. With this approach, properties like the activation enthalpy for carrier emission, the capture cross section, the charge state, and the thermal stability of the complexes were determined. The composition of the complexes was derived from the analysis of their depth profiles in samples with different impurity concentrations. Using these methods, eight carbon-hydrogen related defect levels (E42, E65, E75, E90, E90', E262, H50, H180) and one hydrogen related level (E150) were detected in Si, SiGe alloys and Ge. Hydrogen plasma treatment at temperatures around 373 K introduces four dominant traps in Si at about Ec-0.06 eV (E42), Ec-0.52 eV (E262), Ev+0.33 eV (H180), and Ev+0.08 eV (H50). E42 and E262 are shown to be two charge states of the same defect. The characteristic field dependence of their emission rate links E42 with the double acceptor level and E262 with the single acceptor level of a CH complex. By comparison of their properties with calculations they are assigned to the anti-bonding configuration of the CH complex (CH_1AB). H180 was previously suggested to be the donor state of the CH_1AB configuration. This hypothesis could not be confirmed. Instead, it is shown that H180 exhibits a barrier for hole capture of about 53 meV, which hinders the reliable determination of its charge state from the field dependence of the emission rate. However, its activation enthalpy is in reasonable agreement with the predicted level position of the acceptor state of the CH_T configuration of CH, where H sits on the tetrahedral interstitial (T) position next to carbon. Therefore, H180 is tentatively assigned to CH_T. H50 is reported for the first time and it appears with concentrations close to the detection limit of the DLTS technique (~1E11 cm^-3). This complicates the determination of its charge state. Nevertheless, theory predicts the acceptor level of the CH_2AB configuration at about Ev+0.07 eV, which is remarkably close to the experimental value of H50. Therefore, H50 is tentatively assigned to the acceptor level of CH_2AB. In contrast, hydrogenation of silicon by wet chemical etching introduces three dominant levels at Ec-0.11 eV (E65), Ec-0.13 eV (E75), and Ec-0.16 eV (E90). Previously, E90 was contradictorily assigned by different authors to the donor and to the acceptor state of the bond-centered configuration of the CH complex (CH_1BC). In this work, this contradiction is resolved. It is shown that two different defect levels (E90 and E90') appear in the DLTS spectra at about 90 K in samples with a low oxygen concentration (< 1E17 cm^-3). The acceptor state of the CH_1BC configuration (E90) can be observed directly after hydrogenation by wet chemical etching or a dc hydrogen plasma treatment at temperatures below 373 K. In contrast, the donor state of a CH_n complex (E90', Ec-0.14 eV), that involves more than one hydrogen atom, is formed by a reverse bias annealing of samples with a net donor concentration of Nd > 1E15 cm^-3. By comparison with theory it is concluded that n > 2. In samples with a high oxygen concentration (> 1E17 cm^-3) E65 and E75 are dominant. Both levels belong to the CH_1BC configuration disturbed by a nearby oxygen atom. The appearance of two levels is the result of two inequivalent positions of the oxygen atom in respect to the CH bond. E42, E90, E262, and H180 are also investigated in diluted SiGe alloys to analyze the influence of alloying on their electrical properties. The presence of Ge atoms in the closest environment of the defects leads to the appearance of additional defect levels close to those observed in pure Si. The relative concentration of these additional defects is in agreement with models of the proposed defect structure of E42, E90, E262, and H180. An increase of the Ge content in SiGe alloys leads to a shift of the defect levels in the band gap of SiGe. An extrapolation of this shift predicts the appearance of E90 and E262 also in pure Ge. A hydrogen related level E150 (Ec-0.31 eV) is indeed observed in hydrogenated n-type Ge. Its concentration is significantly higher after hydrogen plasma treatment than after wet chemical etching. It is shown that E150 contains a single hydrogen atom and involves an unknown impurity, most likely carbon, oxygen, or silicon. E150 represents a reasonable candidate for a CH complex in Ge. / In dieser Arbeit werden die elektrischen Eigenschaften von Kohlenstoff-Wasserstoff-Komplexen in Silizium (Si) und Silizium-Germanium-Legierungen (SiGe) studiert. Diese Komplexe bilden sich durch Reaktion von Kohlenstoff-Verunreinigungen mit Wasserstoff, welcher durch nasschemisches Ätzen oder eine Wasserstoffplasma-Behandlung eingebracht wird. Der Nachweis und die Charakterisierung der Defekte erfolgte mit den Methoden der Kapazitätstransientenspektroskopie (DLTS), Laplace DLTS und der Minoritätsladungsträgertransientenspektroskopie (MCTS). Damit wurden Eigenschaften wie die Aktivierungsenergie der Ladungsträgeremission, die Einfangquerschnitte, der Ladungszustand und die thermische Stabilität der Komplexe bestimmt. Die Zusammensetzung der Komplexe wurde durch eine Analyse der Tiefenprofile ermittelt, welche in Proben mit verschiedenen Verunreinigungskonzentrationen gemessen wurden. Mit diesen Methoden wurde acht Kohlenstoff-Wasserstoff-korrelierte Defektniveaus (E42, E65, E75, E90', E90, E262, H50, H180) in Si und SiGe und ein Wasserstoff-korreliertes Niveau in Ge nachgewiesen. Eine Wasserstoffplasma-Behandlung bei Temperaturen um 373 K erzeugt vier dominante Defektniveaus in Si bei Ec-0.06 eV (E42), Ec-0.52 eV (E262), Ev+0.33 eV (H180) und Ev+0.08 eV. Es wird gezeigt, dass E42 und E262 zwei Ladungszustände desselben Defektes sind. Die charakteristische Feldabhängigkeit der Emissionsrate zeigt, dass E42 der Doppel-Akzeptor- und E262 der Einfach-Akzeptor-Zustand eines CH-Komplexes ist. Durch Vergleich der beobachteten Eigenschaften mit theoretischen Berechnungen werden beide Niveaus der antibindenden Konfiguration des CH-Komplexes (CH_1AB) zugeordnet. Das Niveau H180 wurde in der Literatur bisher mit dem Donator-Zustand der CH_1AB-Konfiguration in Verbindung gebracht. Diese Hypothese konnte nicht bestätigt werden. Es wird gezeigt, dass H180 eine Barriere für den Löchereinfang von etwa 53 meV besitzt, was die Bestimmung des Ladungszustandes aus der Feldabhängigkeit der Emissionsrate erschwert. Die Aktivierungsenergie von H180 stimmt jedoch befriedigend mit der berechneten Aktivierungsenergie des Akzeptorzustandes der CH_T-Konfiguration überein, bei der H auf der T-Zwischengitterposition sitzt. Daher wird H180 vorläufig dem CH_T-Komplex zugeordnet. Das Niveau H50, welches zum ersten Mal hier beschrieben wird, wird nur mit sehr geringen Konzentrationen nachgewiesen. Dies erschwert die Bestimmung des Ladungszustandes. Die Aktivierungsenergie von H50 stimmt jedoch auffallend gut mit dem von der Theorie vorhergesagten Akzeptorniveau von CH_2AB (Ev+0.07 eV) überein. Daher wird H50 vorrübergehend CH_2AB zugeordnet. Das Einbringen von Wasserstoff in Silizium durch nasschemisches Ätzen führt zu drei dominanten Defektniveaus bei Ec-0.11 eV (E65), Ec-0.13 eV (E75) und Ec-0.16 eV (E90). E90 wurde bisher widersprüchlich von verschiedenen Autoren dem Donatorzustand und dem Akzeptorzustand der bindungszentrierten Konfiguration (CH_1BC) des CH-Komplexes zugeordnet. Dieser Widerspruch konnte aufgelöst werden. Es wird gezeigt, dass in Silizium mit niedrigem Sauerstoffanteil (< 1E17 cm^-3) zwei verschiedene Defektniveaus (E90 und E90') bei etwa 90 K in den DLTS-Spektren erscheinen, welche nur mit der Laplace DLTS-Technik aufgelöst werden können. Der Akzeptorzustand der CH_1BC-Konfiguration kann direkt nach nasschemischem Ätzen oder einer Wasserstoffplasma-Behandlung bei 373 K beobachtet werden. Im Gegensatz dazu wird durch eine Sperrspannungs-Temperung in Proben mit einer Donatorkonzentration von Nd > 1E15 cm^-3 der Donatorzustand eines CH_n-Komplexes (E90', Ec-0.14 eV), welcher mehr als ein Wasserstoffatom enthält, gebildet. Durch Vergleich mit theoretischen Berechnungen wird n > 2 geschlussfolgert. Die Niveaus E65 und E75 sind in Proben mit einem hohen Sauerstoffanteil (> 1E17 cm^-3) dominant. Beide Niveaus gehören zu einer durch ein O-Atom verzerrten CH_1BC-Konfiguration. Das Auftreten von zwei Niveaus wird durch zwei nicht-äquivalente Positionen des O-Atoms bezüglich der CH-Bindung erklärt. Die Eigenschaften von E42, E90, E262 und H180 wurden ebenfalls in verdünnten SiGe-Legierungen untersucht. Es wird gezeigt, dass Ge-Atome in der direkten Umgebung der Defekte zusätzliche Defektniveaus erzeugen, die in der Bandlücke nahe zu den Si-Defektniveaus liegen und von durch Ge-Atomen verzerrten Defekten stammen. Die beobachteten relativen Konzentrationen dieser Ge-korrelierten Niveaus kann mit Modellen der atomaren Struktur der Defekte erklärt werden. Eine Verschiebung der Defektniveaus proportional zum Ge-Anteil in der Legierung wurde beobachtet. Eine Extrapolation dieser Verschiebung legt den Schluss nahe, dass E90 und E262 auch in reinem Ge beobachtbar sein sollten. Tatsächlich wurde ein Wasserstoff-korrelierter Defekt E150 (Ec-0.31 eV) in n-Typ Germanium beobachtet. Die Konzentration von E150 ist nach einer Wasserstoffplasma-Behandlung wesentlich höher als nach nasschemischen Ätzen. Es wird gezeigt, dass E150 ein einzelnes Wasserstoffatom und ein noch unbekanntes Verunreinigungsatom enthält, höchstwahrscheinlich Kohlenstoff, Sauerstoff oder Silizium. Damit ist E150 ein sehr wahrscheinlicher Kandidat für einen CH-Komplex in Germanium.

Die ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) sagt voraus, dass die fortlaufende Miniaturisierung der Transistoren und Verdrahtungen auch neue Isolationsmaterialien mit äußerst niedrigen (ultralow) Dielektrizitätskonstanten k erfordern wird. Die Miniaturisierung der Bauteile der ULSI (Ultra Large Scale Integration) führt zu starken Anforderungen an die Fertigung der kritischen Bereiche (backend-of-line, BEoL). Die ITRS deutet darauf hin, dass die k-Werte bis zu 2.0 für die 45 nm Technologie reduziert werden müssen, und zu noch niedrigeren k-Werten (k  1.5) für die nachfolgenden Jahre. Ergänzend zur äußerst niedrigen dielektrischen Konstante müssen die Isolatoren auch über entsprechende mechanische Eigenschaften verfügen. Die vorliegende Arbeit stellt Forschungen vor, die das Ziel haben, mittels modernen ab-initio und halbempirischen theoretischen Methoden neuartige Isolationsmaterialien für zukünftige mikroelektronische Anwendungen zu entwerfen. Die umfangreichen eingesetzten Rechenmethoden wurden verwendet, um strukturelle und physikalische (mechanische, dielektrische und elektronische) Eigenschaften von entworfenen Zwischenschichtsdielektrika zu bestimmen. Eine neue Art von Materialien wird vorgestellt, die als ein möglicher Kandidat für isolierende ultralow-k dünne Schichte zwischen Metallleiterbahnen in zukünftigen CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) Technologien fungieren sollen. Die Struktur der neuartigen Materialien wird durch ein Modell beschrieben, das ein geordnetes dreidimensionales Netzwerk (Mosaikstruktur) darstellt. Dies besteht aus drei Hauptkomponenten: Knoten, Kanten und Topologie der Anordnung. Fullerenmoleküle (C60) werden als Knoten des Netzwerkes verwendet. Die Knoten werden durch Verknüpfermoleküle entlang der Kanten der Mosaikzelle angekoppelt. Dies wird durch kovalente Bindungen realisiert. Als Verknüpfermoleküle werden Kohlenwasserstoff- Kettenmoleküle verwendet. Einfache kubische, flächenzentrierte kubische und diamantähnliche Topologien werden für Anordnungen des Netzwerkes betrachtet. Das Innere einer Netzwerkzelle repräsentiert eine Nanopore der Größe in Bereich von 1 nm. Zunächst werden am Beispiel fluorierter Fullerene Probleme der molekularen Polarisierbarkeit untersucht. In Molekülen mit ionischem Beitrag zur Bindung kann der Beitrag der Kernverschiebungen (wegen des äußeren Feldes) zur statischen Polarisierbarkeit entscheidend sein. Mittels der Finite Field Methode wird die Struktur mit und ohne ein endliches äußeres elektrisches Feld optimiert. Dabei wird die Optimierung durch Minimierung der Gesamtenergie durchgeführt und die molekulare Polarisierbarkeit aus dem induzierten Dipolmoment bestimmt. In C60Fn erhöht meistens das Fluorieren die Polarisierbarkeit. Nur für n = 2 und 18, wobei das Molekül ohne ein äußeres Feld ein sehr großes Dipolmoment hat, wird die Polarisierbarkeit verringert. Für große Werte n (n = 20, 36 und 48) wird die Polarisierbarkeit pro zusätzliches Fluoratom wegen Kernverschiebungen deutlich erhöht. Die Modifizierung der Knoten des Netzwerkes wird betrachtet und die Anwendbarkeit des Additivitätsmodells diskutiert. Die Dielektrizitätskonstante des reinen flächenzentrierten kubischen Fullerengitters beträgt etwa 4.4. Die Einführung der Verknüpfermoleküle zwischen benachbarten Fullerenmolekülen und die gleichzeitige Verwendung von auf Kohlenstoffatomen basierten käfigförmigen Molekülen reduziert die Dichte des Materials. Dies ergibt eine beträchtliche Verringerung der makroskopischen Polarisierbarkeit des Materials. Die Struktureinheit, die aus zwei Fullerenmolekülen und einem Kohlenwasserstoff-Verknüpfermolekül besteht, wird mittels quantenchemischer Methoden (DFTB Molekulardynamik) optimiert. Es werden die Dichte der lokalen Dipole und elektronische Effekte betrachtet, um die effektive Dielektrizitätskonstante des Modells abzuschätzen. Die Berechnungen zeigen, dass k-Werte von etwa 1.4 erreicht werden können, wenn C6H12 Kettenmoleküle verwendet werden, um die C60-Moleküle im Netzwerk mit diamantähnlicher Symmetrie zu verknüpfen. Weiterhin werden molekulare Cluster mit angelegten periodischen Randbedingungen für einfache kubische und diamantähnliche Topologien konstruiert. Kombinationen der klassischen und quantentheoretischen Methoden werden eingesetzt, um die Struktur zu optimieren, Kompressionsmodule zu berechnen und die dielektrischen Eigenschaften der fullerenbasierten Materialien zu berechnen. Dies hat das Ziel, ultralow-k Isolatoren mit entsprechenden mechanischen Eigenschaften zu finden. Es wird die kovalente Verknüpfung der C60 Moleküle untersucht und sowohl die Länge und chemische Zusammensetzung des Verknüpfermoleküles als auch die Verknüpfungsgeometrie variiert. Gemäß dem entworfenen Modell werden Strukturen mit einfacher kubischer und diamantähnlicher Topologie des Netzwerkes als vielversprechende Kandidaten betrachtet. Die (statische) Dielektrizitätskonstanten k und Kompressionsmodule B sind für einige vorgeschlagene Materialien im Bereich von k = 1.7 bis 2.2 und beziehungsweise von B = 5 bis 23 GPa. Das Clausius-Mossotti Modell wird zur Bestimmung der Dielektrizitätskonstante der entworfenen Strukturen verwendet. In den nächsten Schritten der Arbeit werden die Wege der Verbesserungen für das vorgeschlagene Modell betrachtet. Es wird analysiert, auf welche Art Verknüpfermoleküle an die Knoten gebunden werden können, um die mechanischen und dielektrischen Eigenschaften der generierten ultralow-k Strukturen zu verbessern. Es gibt zwei mögliche verschiede Arten, die Verknüpfermoleküle &amp;gt; C = C &amp;lt; und &amp;gt; C – CH2 – CH2 – C &amp;lt; an das Käfigmolekül C60 anzukoppeln. Die Berechnungen zeigen, dass es im gegenwärtigen Verbesserungsschritt möglich ist, für die einfache kubische Topologie Eigenschaftskombinationen mit k = 2.2 und B = 33 GPa zu bekommen. In der vorliegenden Arbeit wurde eine theoretische Methode ¬¬– sogenannter molekularer Entwurf – entwickelt und erfolgreich angewandt. Die theoretische Behandlung ist kompliziert, weil Wechselwirkungen im atomaren Skalabereich und auf einem strukturellen Niveau von 1 nm zusammen betrachtet werden müssen. Dies Verfahren erfordert die Anwendung komplementärer theoretischen Methoden, um das gesamte Problem beschreiben zu können. Die Methoden schließen klassische, kontinuierliche theoretische und quantenchemische Näherungen ein. Der Vorteil dieser Methode ist, dass verschiedene mögliche Kandidaten für ultralow-k Dielektrika theoretisch getestet werden können, ohne teure und zeitaufwendige Experimente durchzuführen. / The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) predicts that continued scaling of devices will require insulating materials with ultralow dielectric constant k. The shrinking of device dimensions of ultra-large-scale integrated (ULSI) chips imposes strong demands on the backend of the line (BEoL) interconnect structures. The ITRS indicates that the k values need to be reduced to 2.0 for the 45 nm technology node or below (k  1.5) in the next few years. Additionally to extremely low dielectric constants, the insulating materials must have also suitable mechanical properties. The work represents research, which is aimed to support molecular design and investigations of modelled novel insulating materials for future application in microelectronics by means of theoretical ab-initio and semiempirical methods. A wide range of computational methods were used to estimate structural and physical (mechanical, dielectrical and electronic) properties of the designed interlayer dielectrics (ILDs). A new class of materials is presented that is supposed to be a potential candidate for isolating ultralow-k thin films between metal on-chip interconnects in future CMOS technology nodes. The structure of the novel materials is described by a model that assumes an ordered three-dimensional network (mosaic structure) consisting of three main components: nodes, edges and topology of arrangement. Fullerene (C60) molecules are used as the nodes of the network. The nodes are connected by linker molecules along the edges of the mosaic cells through a covalent bonding. Hydrocarbon chain molecules are used as the linkers. Simple cubic, face-centred cubic and diamond-like topologies of the network are considered. The interior of a network cell represents a nanopore of a 1-nm scale. At first problems of molecular polarizability are investigated considering the case of fluorinated fullerenes. In molecules with ionic contribution to the binding, the contribution of nuclear displacements (due to the external field) to the static polarizability can be decisive. Using the finite field method, the structure is optimized with and without a finite external electric field by a total energy minimization and the polarizability is calculated from the induced dipole moment. In C60Fn, fluorination mostly increases the molecular polarizability. Only for n = 2 and 18, where the molecule without an external field has a very large dipole moment, fluorination does decrease it. For large n (n = 20, 36, and 48), the polarizability per added F atom due to nuclear displacements is increased by a factor of about 2. The modification of the nodes of the network is considered and the validity of the additivity model is discussed. The dielectric constant of the pure fullerene face-centred cubic lattice is about 4.4. The introduction of bridge molecules between neighbouring fullerene molecules and the simultaneous usage of cage-like molecules based on carbon atoms reduces the density of the material. This results in a considerable decrease of the macroscopic polarizability of the material. The structural units of the models consisting of two fullerenes and a hydrocarbon bridge molecule are optimized by means of quantum chemical methods (DFTB molecular dynamics). The density of local dipoles and electronic effects are considered to estimate the effective dielectric constant of the models. It is shown that k values of about 1.4 can be obtained if C6H12 chain molecules are used to connect C60 molecules on a network with diamond-like symmetry. Further, molecular clusters with applied periodic boundary conditions are constructed for simple cubic and diamond-like topologies. Combinations of classical and quantum-theoretical approaches are used to optimize the structure, to calculate bulk moduli, and for the assessment of the dielectric properties of fullerene-based materials with the goal to find ultralow-k insulators with suitable mechanical properties. The covalent linking of C60 molecules is studied and the length and chemical composition of the linker molecule as well as the linkage geometry is varied. According to the molecular design-based model, structures with simple cubic and diamond-like topology of the network are proposed as promising candidates. The (static) dielectric constants k and elastic bulk moduli B of the proposed materials are in the range of k = 1.7 to 2.2 and B = 5 to 23 GPa, respectively. The Clausius-Mossotti-Model is used to estimate dielectric constants of the designed structures. In the next steps of the work the ways of improvements for the proposed model are considered. The way to connect linker molecules to the node molecules is analyzed, in order to improve the mechanical and dielectric properties of the generated ultralow-k structures. Two different types of bonding linker molecules to the cage C60 molecule with the &amp;gt; C = C &amp;lt; and &amp;gt; C – CH2 – CH2 – C &amp;lt; linker molecules are possible. It is shown that at the present improvement step it is possible to get property combinations with dielectric constant of k = 2.2 and bulk modulus of B = 33 GPa for the simple cubic topology. In this work a theoretical method called molecular design is developed and successfully applied. The theoretical treatment is difficult since interactions both on the atomic scale and on the structural level of 1 nm must be considered. This approach requires the application of complementary theoretical methods to describe the complex problems. The methods include classical, continuum theoretical and quantum-chemical approximations. The advantage of the present approach is that various possible candidates for ultralow-k dielectrics can be tested theoretically without performing expensive and time-consuming experiments.

Organische Farbstoffe mit einem konjugierten pi-Elektronen System zeigen überwiegend ein halbleitendes Verhalten. Daher sind sie potentielle Materialien für elektronische und optoelektronische Anwendungen. Erste Anwendungen in Flachbildschirmen sind bereits in (noch) geringen Mengen auf dem Markt. Die kontrollierte Dotierung anorganischer Halbleiter bereitete die Basis für den Durchbruch der bekannten Halbleitertechnologie. Die Kontrolle des Leitungstypes und der Lage des Fermi-Niveaus erlaubte es, stabile pn-Übergänge herzustellen. LEDs können daher mit Betriebsspannungen nahe dem thermodynamischen Limit betrieben werden (ca. 2.5V für eine Emission im grünen Spektralbereich). Im Gegensatz dazu bestehen organische Leuchtdioden (OLEDs) typischerweise aus einer Folge intrinsischer Schichten. Diese weisen eine ineffiziente Injektion aus Kontakten und eine relative geringe Leitfähigkeit auf, welche mit hohen ohmschen Verlusten verbunden ist. Andererseits besitzen organische Materialien einige technologische Vorteile, wie geringe Herstellungskosten, große Vielfalt der chemischen Verbindungen und die Möglichkeit sie auf flexible große Substrate aufzubringen. Sie unterscheiden sich ebenso in einigen fundamentalen physikalischen Parametern wie Brechungsindex, Dielektrizitätskonstante, Absorptionskoeffizient und Stokes-Verschiebung der Emissionswellenlänge gegenüber der Absorption. Das Konzept der Dotierung wurde für organische Halbleiter bisher kaum untersucht und angewandt. Unser Ziel ist die Erniedrigung der Betriebsspannung herkömmlicher OLEDs durch den Einsatz der gezielten Dotierung der Transportschichten mit organischen Molekülen. Um die verbesserte Injektion aus der Anode in die dotierte Löchertransportschicht zu verstehen, wurden UPS/XPS Messungen durchgeführt (ultraviolette und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie). Messungen wurden an mit F4-TCNQ dotiertem Zink-Phthalocyanin auf ITO und Gold-Kontakten durchgeführt. Die Schlussfolgerungen aus den Experimenten ist, das (i) die Fermi-Energie sich durch Dotierung dem Transportniveau (also dem HOMO im Falle der vorliegenden p-Dotierung) annähert, (ii) die Diffusionspannung an der Grenzfläche durch Dotierung entsprechend verändert wird, und (iii) die Verarmungszone am Kontakt zum ITO sehr dünn wird. Der Kontakt aus organischem Material und leitfähigem Substrat verhält sich also ganz analog zum Fall der Dotierung anorganischer Halbleiter. Es entsteht ein stark dotierter Schottky-Kontakt dessen schmale Verarmungszone leicht durchtunnelt werden kann (quasi-ohmscher Kontakt). Die Leistungseffizienz von OLEDs mit dotierten Transportschichten konnte sukzessive erhöht werden, vom einfachen 2-Schicht Design mit dotiertem Phthalocyanine als Löchertransportschicht, über einen 3-Schicht-Aufbau mit einer Elektronen-Blockschicht bis zu OLEDs mit dotierten 'wide-gap' Löchertransport-Materialien, mit und ohne zusätzlicher Schicht zur Verbesserung der Elektroneninjektion. Sehr effiziente OLEDs mit immer noch niedriger Betriebsspannung wurden durch die Dotierung der Emissionsschicht mit Molekülen erhöhter Photolumineszenzquantenausbeute (Laser-Farbstoffe) erreicht. Eine optimierte LED-Struktur weist eine Betriebsspannung von 3.2-3.2V für eine Lichtemission von 100cd/m2 auf. Diese Resultate entsprechen den zur Zeit niedrigsten Betriebsspannungen für OLEDs mit ausschließlich im Vakuum aufgedampften Schichten. Die Stromeffizienz liegt bei ca. 10cd/A, was einer Leistungseffizienz bei 100cd/m2 von 10lm/W entspricht. Diese hohe Leistungseffizienz war nur möglich durch die Verwendung einer Blockschicht zwischen der dotierten Transportschicht und der Lichtemissions-Schicht. Im Rahmen der Arbeit konnte gezeigt werden, dass die Dotierung die Betriebsspannungen von OLEDs senken kann und damit die Leistungseffizienz erhöht wird. Zusammen mit einer sehr dünnen Blockschicht konnte einen niedrige Betriebsspannung bei gleichzeitig hoher Effizienz erreicht werden (Blockschicht-Konzept). / Organic dyes with a conjugated pi-electron system usually exhibit semiconducting behavior. Hence, they are potential materials for electronic and optoelectronic devices. Nowadays, some applications are already commercial on small scales. Controlled doping of inorganic semiconductors was the key step for today's inorganic semiconductor technology. The control of the conduction type and Fermi-level is crucial for the realization of stable pn-junctions. This allows for optimized light emitting diode (LED) structures with operating voltages close to the optical limit (around 2.5V for a green emitting LED). Despite that, organic light emitting diodes (OLEDs) generally consist of a series of intrinsic layers based on organic molecules. These intrinsic organic charge transport layers suffer from non-ideal injection and noticeable ohmic losses. However, organic materials feature some technological advantages for device applications like low cost, an almost unlimited variety of materials, and possible preparation on large and flexible substrates. They also differ in some basic physical parameters, like the index of refraction in the visible wavelength region, the absorption coefficient and the Stokes-shift of the emission wavelength. Doping of organic semiconductors has only been scarcely addressed. Our aim is the lowering of the operating voltages of OLEDs by the use of doped organic charge transport layers. The present work is focused mainly on the p-type doping of weakly donor-type molecules with strong acceptor molecules by co-evaporation of the two types of molecules in a vacuum system. In order to understand the improved hole injection from a contact material into a p-type doped organic layer, ultraviolet photoelectron spectroscopy combined with X-ray photoelectron spectroscopy (UPS/XPS) was carried out. The experimental results of the UPS/XPS measurements on F4-TCNQ doped zinc-phthalocyanine (ZnPc) and their interpretation is given. Measurements were done on the typical transparent anode material for OLEDs, indium-tin-oxide (ITO) and on gold. The conclusion from these experiments is that (i) the Fermi-energy comes closer to the transport energy (the HOMO for p-type doping), (ii) the built-in potential is changed accordingly, and (iii) the depletion layer becomes very thin because of the high space charge density in the doped layer. The junction between a doped organic layer and the conductive substrate behaves rather similar to a heavily doped Schottky junction, known from inorganic semicondcutor physics. This behavior favors charge injection from the contact into the organic semiconductor due to tunneling through a very small Schottky barrier (quasi-ohmic contact). The performance of OLEDs with doped charge transport layers improves successively from a simple two-layer design with doped phthalocyanine as hole transport layer over a three-layer design with an electron blocking layer until OLEDs with doped amorphous wide gap materials, with and without additional electron injection enhancement and electron blocking layers. Based on the experience with the first OLEDs featuring doped hole transport layers, an ideal device concept which is based on realistic material parameters is proposed (blocking layer concept). Very high efficient OLEDs with still low operating voltage have been prepared by using an additional emitter dopant molecule with very high photoluminescence quantum yield in the recombination zone of a conventional OLED. An OLED with an operating voltage of 3.2-3.2V for a brightness of 100cd/m2 could be demonstrated. These results represent the lowest ever reported operating voltage for LEDs consisting of exclusively vacuum sublimed molecular layers. The current efficiency for this device is above 10cd/A, hence, the power efficiency at 100cd/m2 is about 10lm/W. This high power efficiency could be achieved by the use of a blocking layer between the transport and the emission layer.