Le travail réalisé au cours de cette thèse porte sur l’optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C pour les applications d’amplification de puissance pour les communications sans fils. Nous présentons tout d’abord la structure d’étude. Il s’agit du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C intégré en technologie BiCMOS 0.25µm sur plaques 200mm. La cellule dédiée à l’amplification de puissance est présentée. Une attention particulière est apportée aux phénomènes thermiques inhérents à ce type de cellules ainsi qu’aux solutions mises en œuvre pour les atténuer. Les diverses optimisations réalisées sur l’architecture du TBH sont détaillées. Ces optimisations touchent à la fois à la modification du procédé technologique et au dessin du transistor. Notre étude porte sur l’amélioration des performances petit et grand signal via l’optimisation des paramètres technologiques définissant la structure épitaxiale intrinsèque de base et de collecteur ainsi que des règles de dessin du transistor. Enfin, deux types d’architectures de TBH développées sont présentées. L’une de type simple polysilicium quasi auto-alignée qui s’intègre dans une technologie dédiée à l’amplification de puissance, l’autre présentant une structure double polysilicium également auto-alignée. / The present work deals with Si/SiGe:C heterojonction bipolar transistor optimization for power amplifier applications dedicated to wireless communications. We first present the investigated structure, a Si/SiGe:C heterojonction bipolar transistor integrated in a 0.25µm BiCMOS technology on 200 mm wafers. We discuss the cell dedicated to power amplification. We have paid attention to thermal phenomenon linked to this kind of cell and to possible dedicated solutions. Various optimizations realized on HBT architecture are detailed. These optimizations concern technological process modifications and transistor design. The main objective of this work is to improve both large and small signal characteristics. This is obtained by transistor design rule variations, collector and base intrinsic parameters optimization. Finally, two kind of developed HBT architectures are presented. One, simple polysilicium quasi self aligned, integrated in a technology dedicated to power amplification, the other one fully self aligned with double polysilicium structure.

The combination of two cost-effective processes, i.e. casting and anodising, would be an interest for the aluminium component applications. However, there are some obstacles in the application of anodising on cast Al alloys. The challenges mostly relate to the alloying elements especially Si and the surface quality. With the development of casting process, cast aluminium alloys with low Si content can be casted, and a complex geometry component with reasonably good surface finish can be achieved. This study aims to identify the influence of Si on anodising and mechanical properties of Al-Si alloys. In this study, six Al-Si alloys with three different Si level and two different Sr level were investigated. Sr acts as a modifier to change the morphology of Si particles. The directional solidification technology was used to vary the microstructure coarseness by controlling the cooling rate to study the influence of Si level, Si particle morphology and cooling rate on mechanical properties, oxide layer formation and corrosion protection performance in cast Al-Si alloys. This study has observed that Si has a significant influence on anodising. During anodising, Si particles are anodised at a lower rate than the Al phase. The presence of Si particles in eutectic phase make the oxide layer locally thinner and more defected due to the low oxide growth rate in eutectic phase. This study observed the presence of residual metallic Al phase beneath or between Si particles. Due to their presence and their geometry, Al can be shielded by Si particles and prevented from oxidation. Si particles also act as a key role in the corrosion protection of oxide layer in Al-Si alloys. The corrosion attack propagates along Si particles as well as oxide defects to the Al substrate. It is found that the morphology of Si particles has a significant influence on the oxide layer formation and corrosion protection performance of the oxide layer on cast Al-Si alloys. A substantially improvement the corrosion resistance of anodised layer on Al-Si alloys is attributed to the morphology change from interconnected flakes to disconnected Si fibres when Sr is added, with less oxide defects and better oxide distribution. The Si level governs the mechanical properties of Al-Si based alloys. An increase of Si content in Al alloys improves the mechanical properties such as ultimate tensile and yield strength as well as hardness of the materials, but decreases the ductility. However, an increase of Si level in Al alloys decreases the thickness of oxide layer, and thereby, the corrosion protection of the oxide layer is deteriorated. / Kombinationen av två kostnadseffektiva processer, gjutning och anodisering, är av intresse för tillämpning på aluminiumkomponenter. Det finns dock hinder för tillämpning av anodisering på gjutna aluminiumlegeringar. Utmaningarna relaterar till effekten av legeringselement, i synnerhet Si, och komponentens ytkvalité. Med utvecklingen av gjutprocesser kan aluminiumlegeringar med lågt Si-innehåll gjutas, och komponenter med komplex geometri med förbättrad ytkvalité kan uppnås. Denna studie syftar till att identifiera påverkan av Si på anodisering och mekaniska egenskaper hos Al-Si-baserade legeringar. I denna studie undersöktes sex Al-Si-legeringar med tre nivåer av Si och två nivåer av Sr. Tillsatser av Sr leder till modifikation av morfologin hos Si-partiklar. Med hjälp av tekniken ”riktad stelning” varierades stelningshastigheten för att studera sambanden mellan halten och morfologin av Si, mikrostrukturens grovlek och dess inverkan på mekaniska egenskaper, samt oxidskiktets bildning och korrosionsbeständighet hos gjutna Al-Si-legeringar. Denna studie visar att Si har ett betydande inflytande på anodisering r. Under anodisering, anodiseras Si-partiklar i en lägre takt än Al-fasen. Närvaron av Si-partiklar i eutektisk fas bidrar till ett lokalt förtunnat oxidskikt med fler defekter på grund av den låga oxidtillväxthastigheten i eutektisk fas. Denna studie observerade förekomsten av kvarvarande metalliska Al fasen under eller mellan Si-partiklar. På grund av Si-partiklarnas närvaro och geometri, kan Al skärmas från oxidation. Si-partiklar har även en nyckelroll i korrosionsskydd av oxidskiktet i Al-Si-legeringar. Korrosionsangreppet propagerar längs Si-partiklar samt oxiddefekter till Al-substrat. Morfologin av Si-partiklar har funnits ha en betydande inverkan på oxidskiktets bildning och korrosionsskydd hos gjutna Al-Si-legeringar. En väsentlig förbättring av korrosionsbeständigheten i anodiserat skikt hos Al-Si-legeringar tillskrivs förändring av kiselns morfologi från sammankopplade flingor till osammanhängande fibrer när Sr tillsätts, med mindre oxiddefekter och bättre fördelning av oxid. Si halten påverkar de mekaniska egenskaperna hos Al-Si-baserade legeringar. En ökning av Si innehålleti Al-legeringar förbättrar de mekaniska egenskaperna såsom brott och sträckgräns samt hårdhet hos materialen, men minskar duktiliteten. En ökning med Si halt i Al-legeringar minskar dessvärre tjockleken hos oxidskiktet, och därigenom, försämrar oxidskiktets korrosionsskydd.

As ligas de alumínio hipereutéticas fundidas por centrifugação apresentam a possibilidade de obtenção de um gradiente funcional de propriedades no material (Functionally Graded Material - FGM). Na fundição por centrifugação, os compostos menos densos tenderão a se concentrar no diâmetro interno de um tubo centrifugado. Como a massa específica do silício e do Mg2Si são menores do que a do alumínio, as partículas dessas fases tendem a concentrar-se na parede interna de tubos centrifugados. Em função disto, este estudo tem como objetivo dar uma contribuição ao entendimento dos mecanismos de migração das partículas de silício e de Mg2Si numa liga de alumínio hipereutética com 19% de silício e com adições de cobre e magnésio fundidas por centrifugação. Diante disto, foram obtidos tubos da liga Al-19%Si com adições de até 5% de cobre e 5% de magnésio por meio da fundição centrífuga numa rotação de 1700 rpm. A caracterização microestrutural em diversas regiões dos tubos centrifugados foi feita utilizando-se a microscopia óptica e eletrônica de varredura com sistema de análise de imagens. A fração das fases presentes e a dureza Vickers foram determinadas ao longo da parede do tubo em diversas posições de vazamento. A fundição centrífuga promove a segregação de partículas de silício primário e de Mg2Si, com massas específicas menores para a parede interna do tubo. Esta segregação é mais acentuada na região final de vazamento devido ao maior tempo de centrifugação até a solidificação. Uma retenção de partículas junto à parede externa do tubo ocorre em decorrência da mais elevada taxa de resfriamento da liga fundida em contato com a parede do molde mais frio. Esta retenção também foi maior na região do tubo de início de vazamento em relação à de final de vazamento. A adição de cobre intensificou a migração das partículas devido ao aumento da densidade do líquido. O aumento do teor de cobre na liga também inibiu a presença de dendritas de alumínio primário que ocorrem em grandes quantidades nas regiões centrais das paredes dos tubos centrifugados. O perfil de dureza ao longo da parede do tubo indicou um aumento de dureza relacionado diretamente à quantidade de partículas de silício (β) e Mg2Si. / A functionally gradient material, in terms of its properties, can be obtained with centrifugally cast hypereutectic aluminum alloys. In centrifugal casting, the less dense compounds tend to concentrate close to the inner wall of a centrifugally cast tube. Since the specific mass of silicon and Mg2Si are less than that of aluminum, particles of these phases tend to concentrate at the inner walls of centrifugally cast tubes. On the basis of this, the aim of this study was to contribute towards increased understanding of the mechanism of segregation of silicon and Mg2Si particles in a centrifugally cast hypereutectic aluminum - 19% silicon alloy to which copper and magnesium were added. Hence, tubes of Al-19%Si alloy with up to 5% copper and up to 5% magnesium were centrifugally cast at rotational speed of 1700 rpm. Microstructural examination of various regions of the centrifugally cast tubes was carried out using an optical microscope and a scanning electron microscope coupled to an image analyzer. The amount of phases that formed and the Vickers hardness were determined across the thickness of the tube at different positions. Centrifugal casting promotes segregation of primary silicon and Mg2Si particles, (with lower specific weights) towards the inner walls of the tube. This segregation was higher at regions that were last to be cast, and due to longer centrifugation until solidification. Retention of particles close to the outer wall of the tube took place due to higher cooling rate of the cast alloy in contact with the cold walls of the mold. This retention was also higher at regions of the tube that were cast first compared with those that were cast last. The addition of copper increased particle migration due to increase in density of the liquid. Increase in the amount of copper in the alloy also inhibited the presence of primary aluminum dendrites that form in large quantities at the central regions of centrifugally cast tube walls. The hardness profile along the tube wall indicated an increase in hardness and this is directly related to the quantity of (β) silicon and Mg2Si particles.

A Função Resposta (FR) foi obtida para os detectores semicondutores Ge e Si(Li) usando o método semiempírico. A FR foi calculada para cinco detectores, 4 de HpGe, de volumes ativos 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 e 5 cm3, e um detector de Si(Li) de 0,143 cm3 de volume ativo. O intervalo de energia estudado dói de 6 keV até 1,5 MeV. Dois tipos de estudos foram realizados neste trabalho. O primeiro estudo foi a dependência da FR com a geometria de detecção. Este estudo envolveu o cálculo da FR para uma geometria denominada simples e a extrapolação da FR calculada. A extração da FR foi realizada para analisar tanto espectros obtidos com uma geometria com blindagem, como espectros onde a distância fonte-detector foi modificada. O segundo estudo foi a dependência da FR com a eletrônica de detecção. Este estudo foi realizado variando-se o tempo de formação de pulso na eletrônica de detecção. O objetivo foi a de verificar a existência ou ausência do efeito do déficit balístico na resolução do detector. Este efeito não foi observado. As componentes da FR que descrevem a região de absorção total da energia dos fótons incidentes, bem como as componentes que descrevem a absorção parcial dessa energia foram estudadas. Particularmente, neste trabalho, foram propostas funções empíricas tanto para o tratamento do espalhamento Compton múltiplo originado no próprio detector (cristal), como para o espalhamento de fótons originado nas vizinhanças do cristal. Um estudo através de simulações via Monte Carlo foi também realizado, para a compreensão das estruturas de espalhamento de fótons produzidas numa blindagem de ferro. Uma proposta de deconvolução de espectros envolvendo radiação espalhada foi estudada, para fins de cálculo da dose depositada no material espalhador. / The Response Function (RF) for Ge and Si(Li) semiconductor detectors was obtained. The RF was calculated for Five detectors, four HpGe with active volumes of 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 and 5 cm3, and one Si(Li) with 0,143 cm3 of active volume. The intervalo f energy studied ranger from 6 keV up to 1,5 MeV. Two kinds of studies were done in this work. The first one was the RF dependence with the detection geometry. Here the calculation of the RF for a geometry named as simple and na extrapolation of that RF, were both done. The extrapolation peocess analyzed both, spectra obtained with a shielding geometry and spectra where the source-detector distance was modified. The second one was the RF dependence with the detection electronics. The purpose was to verify the effect of the ballistic déficit in the resolution of the detector. This effect was not observed. The RF component that describe the region of the total absorption of the energy of the incident phtons, and the partial absorption of this energy, were both treated. In particular, empirical functions were proposed for the treatment of both, the multiple scattering originated in the detector (crystal), and the phton scattering originated in materials of the neighborhood of the crytal. Another study involving Monte Carlo simulations was also done in order to comprehend the photon scattering strutures produced in na iron shield. A deconvolution method is suggested, for spectra related to scattered radition in order to assess the dose delivered to the scattered.

Parmi les différents systèmes de stockage d’énergie électrique étudiés depuis plus de 2 siècles, le stockage électrochimique de type batterie Li-Ion est vraisemblablement le plus pertinent et le plus efficace. Des verrous demeurent cependant pour avoir des batteries Li-Ion répondants aux besoins actuels, et une des limitations provient des matériaux d’électrodes. Le silicium est un candidat de choix pour répondre aux problématiques batteries posées, cependant sa tenue au cyclage est courte et les méthodes de synthèse sont souvent très contraignantes. Associant deux laboratoires de recherche acteurs majeurs dans le domaines des nanosciences (le LRN à l’URCA) et des matériaux et batteries (le LRCS à l’UPJV) le projet pluridisciplinaire NanoSiBL d’une durée de 36 mois se fixe pour objectif d’apporter des solutions aux deux points précédents par : 1, la réalisation d’électrodes négatives en Silicium par une voie de synthèse bas coût originale et innovante développée au LRN (l’électrodépôt en milieu liquide ionique), 2 un accroissement de la durée de vie de l’électrode grâce à deux types de structuration (soit une électrode constituée de nanofils/nanotubes de Si monolithique soit une électrode nanostructurée composite de Si/TiO2). L’expertise dans le domaine des batteries du LRCS devrait permettre sur ce deuxième point de déterminer la géométrie et configuration idéale de l’électrode en termes de performance. Basé des méthodes d’élaboration par électrochimie bas coût et originale, NanoSiBL a pour objectif, grâce au partage de compétences et de technologie entre physiciens et chimistes impliqués, d’initier une nouvelle thématique inter-établissement axée sur la valorisation de nanostructures de silicium et silicium composite nanostructuré. L’intérêt scientifique de ce projet réside dans la mise en œuvre et le contrôle des propriétés intrinsèques de ces nanostructures à base de silicium pour la réalisation d’électrodes négatives performantes de batterie Li-Ion. Dans la littérature, les électrodes négatives à base silicium ou silicium composite (type Si/TiO2) ont déjà démontré une amélioration par rapport aux électrodes de silicium massif. Néanmoins, le passage à des dispositifs opérationnels reste peu fréquent car les voies permettant de contenir l’expansion en volume du silicium restent à éprouver et car les méthodes utilisées pour élaborer ces nanofils de silicium (Chemical Vapor Deposition, évaporation réactive…) restent très contraignantes, tant au niveau des conditions de croissance (nécessité d’utiliser des précurseurs métalliques et des gaz très toxiques) que des coûts de fabrication (travail sous ultra-vide, nombreuses étapes pour la réalisation des dispositifs avec la nécessité de réaliser des contacts post-croissance…). NanoSiBL propose donc une alternative en réelle rupture technologique avec les méthodes de synthèse actuelles. Les techniques de croissance (électrodépôt en liquide ionique) et de nanostructuration (au sein de membranes polycarbonates ou nanotubes de TiO2) utilisées dans le projet permettront la mise au point d’électrodes à bas coût performantes pour l’application batterie Li-Ion visée. En outre la variété conséquente de géométries possibles proposées par les membranes nanoporeuses qui seront utilisées dans le projet (polycarbonate ou nanotubes de TiO2) permettra d’établir un comparatif essentiel de l’impact de la nanostructuration ou encore de la composition des électrodes pour contenir l’expansion en volume du silicium lors du cyclage et ainsi améliorer la durée de vie de telles électrodes (batterie). / Among the various electric energy storage systems studied for more than two centuries, the electrochemical storage battery type Li-Ion is probably the most relevant and most effective. however locks remain for Li-Ion batteries respondents to current needs, and limitations comes from the electrode materials. Silicon is a prime candidate to meet the challenges posed batteries, however its resistance to cycling is short and synthesis methods are often very restrictive. Combining two research laboratories major players in the fields of nanoscience (the LRN to URCA) and materials and batteries (the LRCS to UPJV) the multidisciplinary project NanoSiBL a period of 36 months set the objective of provide solutions to the above two points: 1, the realization of negative electrodes in silicon by a synthetic route down original and innovative cost developed LRN (electrodeposition in ionic liquid medium), 2 increased lifetime of the electrode through two types of structuring (or one electrode made of nanowires / nanotubes Si monolithic or a composite nanostructured electrode Si / TiO2). The expertise in the field of LRCS of batteries should allow this second point to determine the geometry and ideal configuration of the electrode in terms of performance. Based methods developed by electrochemistry low cost and original NanoSiBL aims, through the sharing of expertise and technology between physicists and chemists involved, to initiate an inter-establishment new theme focused on valuation and silicon nanostructures composite nanostructured silicon. The scientific interest of this project lies in the implementation and control of the intrinsic properties of these nanostructures based on silicon for making efficient negative electrodes of Li-Ion battery. In the literature, the negative electrodes based on silicon or silicon composite (type Si / TiO2) have already demonstrated improvement compared to bulk silicon electrodes. However, the transition to operational devices remains uncommon for ways to contain the expansion in volume of the silicon are experiencing and because the methods used to develop these silicon nanowires (chemical vapor deposition, reactive evaporation ...) remain very restrictive both in terms of growth conditions (the need to use metal precursors and highly toxic gases) that manufacturing costs (labor UHV, many steps for the realization of devices with the need for contacts post- growth…). NanoSiBL proposes an alternative in real technological break with the current methods of synthesis. growth techniques (electrodeposition in ionic liquid) and nanostructuring (in polycarbonates or TiO2 nanotube membranes) used in the project will enable the development of electrodes at low cost efficient for application referred Li-Ion battery. Furthermore the consequent variety of possible geometries offered by the nanoporous membranes to be used in the project (polycarbonate or TiO2 nanotubes) will establish a critical comparison of the impact of the nanostructure or composition of electrodes to contain expansion by volume of the silicon during the cycling and improve the life of such electrodes (battery).

No Alcibíades Primeiro, Sócrates diz que o conhecimento de si (gnôthi seauton) corresponde à sabedoria. Esse conhecimento é entendido como condição essencial para o engajamento na vida pública, e está ligado ao discernimento do bem e do mal, podendo ser entendido como uma das condições para o cuidado de si(epiméleia heautou). O gnôthi seauton, na filosofia platônica, diz respeito a um processo de formação. Neste trabalho, trataremos desse processo, sobremaneira, a partir da relação entre as noções de cuidado de si e conhecimento de si. Platão entende que não cabe aos mestres de virtude ou aos dirigentes políticos o papel formativo. Nem mesmo os retóricos, os parentes, o oráculo, os pedagogos competentes podem ensinar aos jovens o que eles realmente são. Se um governo de si é possível, o jovem deve ser o sujeito. A virtude não é aprendida da mesma maneira que se dá a transmissão de um conteúdo pedagógico. Ela só pode ser alcançada de outro modo: a partir de um exercício de si sobre si mesmo. Dessa maneira, a verdadeira função do mestre de virtude, função de Sócrates nos diálogos platônicos, não é a transmissão de um saber, e sim convencer cada um a cuidar da virtude, a aperfeiçoar-se. Dito de outro modo, no Primeiro Alcibíades, o processo formativo não consiste na transmissão de um conteúdo. A educação resulta da nova disposição alcançada pelo interlocutor por intermédio de Sócrates. / Dans l\'Alcibiade Majeur Socrate dit que «la connaissance de soi» (gnôthi seautón) correspond à la sagesse. Cette connaissance est comprise comme condition essentielle pour la participation dans la vie publique, et est lié au discernement du bien et du mal, elle peut être considéré comme l\'une des conditions pour \"soin de soi\" (epimeleia heautou). Gnôthi seautón se rapporte à un processus de formation. Dans ce travail, nous allons traiter ce processus, particulièrement, de la relation entre les notions de «soin de soi» et «connaissance de soi». Platon estime qu\'il n\'incombe pas aux maîtres de la vertu ou aux dirigeants politiques le rôle formateur. Pas même les rhéteurs, les parents, l\'oracle, les pédagogues compétents peuvent enseigner aux jeunes ce qu\'ils sont réellement. Si un gouvernement de soi est possible, le jeune doit être le sujet. La vertu n\'est pas apprise de la même manière que se donne la transmission d\'un contenu éducatif. Elle ne peut être atteinte d\'une autre manière: à partir d\'un exercice de soi sur soi-même. Ainsi, la véritable fonction du maître de vertu, fonction de Socrate dans les dialogues platoniciens, n\'est pas la transmission du savoir, mais pour convaincre chacun de prendre soin de la vertu, à l\'améliorer. En d\'autres termes, dans l\' Alcibiade, le processus de formation ne consiste pas à la transmission du contenu. L\'éducation résulte de la nouvelle disposition atteinte par l\'interlocuteur par l\'intermédiaire de Socrate.

A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseud.opotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruções desta superfície. Obtivemos os principais sítios ligantes para pequenas estruturas de Germânio adsorvidas sobre ela. Para um átomo adsorvido o sítio mais estável encontrado foi o sítio M, semelhante a resultados existentes na literatura. A diferença está na configuração dos dímeros de Si da superfície. Observamos que diferentes configurações destes dímeros nos forneciam diferentes sítios metaestáveis. O deslocamento dos dímeros da superfície é tratado então como um novo grau de liberdade para a adsorção de átomos, além da posição destes sobre a superfície. Também foi estudada a adsorção de alguns trímeros de Ge sobre a superfície, sendo que a estrutura encontrada como sendo a mais estável concorda muito bem com outros resultados teóricos e experimentais. / The (100) surface of Silicon is studied using First Principles methods, based on the Density Functional Theory and on the Pseudopotential method. We obtained the electronic and structural properties of the most important reconstructions of this surface and we also obtained the main bonding sites for the adsorption of small Ge structures on the surface. Site M was found as being the most stable for the monomers adsorption, similar to previous results on the literature. The main difference is on the buckling of the silicon surface dimers. We observed that different configurations of these buckling gave us different metastable adsorption sites. We then insert a new degree of freedom for this kind of adsorption, related to the buckling of the silicon surface dimers. \\Me also studied the adsorption of Ge trimers on the surface, and the structure found as being the most stable agree very well with previous theoretical and experimetal results.

A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseud.opotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruções desta superfície. Obtivemos os principais sítios ligantes para pequenas estruturas de Germânio adsorvidas sobre ela. Para um átomo adsorvido o sítio mais estável encontrado foi o sítio M, semelhante a resultados existentes na literatura. A diferença está na configuração dos dímeros de Si da superfície. Observamos que diferentes configurações destes dímeros nos forneciam diferentes sítios metaestáveis. O deslocamento dos dímeros da superfície é tratado então como um novo grau de liberdade para a adsorção de átomos, além da posição destes sobre a superfície. Também foi estudada a adsorção de alguns trímeros de Ge sobre a superfície, sendo que a estrutura encontrada como sendo a mais estável concorda muito bem com outros resultados teóricos e experimentais. / The (100) surface of Silicon is studied using First Principles methods, based on the Density Functional Theory and on the Pseudopotential method. We obtained the electronic and structural properties of the most important reconstructions of this surface and we also obtained the main bonding sites for the adsorption of small Ge structures on the surface. Site M was found as being the most stable for the monomers adsorption, similar to previous results on the literature. The main difference is on the buckling of the silicon surface dimers. We observed that different configurations of these buckling gave us different metastable adsorption sites. We then insert a new degree of freedom for this kind of adsorption, related to the buckling of the silicon surface dimers. \\Me also studied the adsorption of Ge trimers on the surface, and the structure found as being the most stable agree very well with previous theoretical and experimetal results.

As ligas de alumínio hipereutéticas fundidas por centrifugação apresentam a possibilidade de obtenção de um gradiente funcional de propriedades no material (Functionally Graded Material - FGM). Na fundição por centrifugação, os compostos menos densos tenderão a se concentrar no diâmetro interno de um tubo centrifugado. Como a massa específica do silício e do Mg2Si são menores do que a do alumínio, as partículas dessas fases tendem a concentrar-se na parede interna de tubos centrifugados. Em função disto, este estudo tem como objetivo dar uma contribuição ao entendimento dos mecanismos de migração das partículas de silício e de Mg2Si numa liga de alumínio hipereutética com 19% de silício e com adições de cobre e magnésio fundidas por centrifugação. Diante disto, foram obtidos tubos da liga Al-19%Si com adições de até 5% de cobre e 5% de magnésio por meio da fundição centrífuga numa rotação de 1700 rpm. A caracterização microestrutural em diversas regiões dos tubos centrifugados foi feita utilizando-se a microscopia óptica e eletrônica de varredura com sistema de análise de imagens. A fração das fases presentes e a dureza Vickers foram determinadas ao longo da parede do tubo em diversas posições de vazamento. A fundição centrífuga promove a segregação de partículas de silício primário e de Mg2Si, com massas específicas menores para a parede interna do tubo. Esta segregação é mais acentuada na região final de vazamento devido ao maior tempo de centrifugação até a solidificação. Uma retenção de partículas junto à parede externa do tubo ocorre em decorrência da mais elevada taxa de resfriamento da liga fundida em contato com a parede do molde mais frio. Esta retenção também foi maior na região do tubo de início de vazamento em relação à de final de vazamento. A adição de cobre intensificou a migração das partículas devido ao aumento da densidade do líquido. O aumento do teor de cobre na liga também inibiu a presença de dendritas de alumínio primário que ocorrem em grandes quantidades nas regiões centrais das paredes dos tubos centrifugados. O perfil de dureza ao longo da parede do tubo indicou um aumento de dureza relacionado diretamente à quantidade de partículas de silício (β) e Mg2Si. / A functionally gradient material, in terms of its properties, can be obtained with centrifugally cast hypereutectic aluminum alloys. In centrifugal casting, the less dense compounds tend to concentrate close to the inner wall of a centrifugally cast tube. Since the specific mass of silicon and Mg2Si are less than that of aluminum, particles of these phases tend to concentrate at the inner walls of centrifugally cast tubes. On the basis of this, the aim of this study was to contribute towards increased understanding of the mechanism of segregation of silicon and Mg2Si particles in a centrifugally cast hypereutectic aluminum - 19% silicon alloy to which copper and magnesium were added. Hence, tubes of Al-19%Si alloy with up to 5% copper and up to 5% magnesium were centrifugally cast at rotational speed of 1700 rpm. Microstructural examination of various regions of the centrifugally cast tubes was carried out using an optical microscope and a scanning electron microscope coupled to an image analyzer. The amount of phases that formed and the Vickers hardness were determined across the thickness of the tube at different positions. Centrifugal casting promotes segregation of primary silicon and Mg2Si particles, (with lower specific weights) towards the inner walls of the tube. This segregation was higher at regions that were last to be cast, and due to longer centrifugation until solidification. Retention of particles close to the outer wall of the tube took place due to higher cooling rate of the cast alloy in contact with the cold walls of the mold. This retention was also higher at regions of the tube that were cast first compared with those that were cast last. The addition of copper increased particle migration due to increase in density of the liquid. Increase in the amount of copper in the alloy also inhibited the presence of primary aluminum dendrites that form in large quantities at the central regions of centrifugally cast tube walls. The hardness profile along the tube wall indicated an increase in hardness and this is directly related to the quantity of (β) silicon and Mg2Si particles.

Two SiGe-on-insulator (SGOI) structures for CMOS application are presented: surface-channel strained-Si on SGOI (SSOI) and dual-channel SGOI structures. Comparisons between two structures are made from both device performance and CMOS process point of view. We have demonstrated both structures on SGOI, and have fabricated n-MOSFET’s and p-MOSFET’s on those two structures respectively. Device characteristics are presented. The devices show enhancement on both electron and hole mobilities. / Singapore-MIT Alliance (SMA)