O óxido de zinco é um material semicondutor que apresenta alta transparência óptica no espectro visível, alta energia de ligação de éxcitons e piezoeletricidade. Por suas propriedades, ele é utilizado na área de sensores, eletrodos transparentes e dispositivos optoeletrônicos. No entanto, sua utilização ainda é limitada pela dificuldade de obtenção de condutividade tipo p, cujo principal dopante é o nitrogênio, devido à assimetria de dopagem ocasionada por defeitos intrínsecos do material, dopagem em valências diferentes das esperadas e formação de níveis de aceitadores profundos na banda proibida. A aplicação em dispositivos piezoelétricos também exige alta resistividade e ótimas propriedades cristalinas. Muitos processos de deposição estabelecidos hoje ainda utilizam altas temperaturas, o que impede sua deposição sobre superfícies ou substratos sensíveis a altas temperaturas. O objetivo deste trabalho é desenvolver técnicas de deposição de filmes de ZnO, principalmente em baixas temperaturas ( 100°C), pelo método de magnetron sputtering de rádio frequência, para avaliar a influência dos gases de processo nas características estruturais, estequiométricas, elétricas e ópticas dos filmes. Para isso, foram obtidos filmes utilizando pressão total de argônio, e pressões parciais de argônio e oxigênio e argônio e nitrogênio, utilizando alvo cerâmico de óxido de zinco ou alvo metálico de zinco. Para alvo de ZnO, filmes com condutividade tipo n foram obtidos em ambiente de argônio, em condições que geraram deficiências de oxigênio. Filmes altamente resistivos foram obtidos com a utilização de pressão parcial de oxigênio no gás de processo, em condições que resultaram em filmes estequiométricos, inclusive com condutividade tipo p. Condutividade tipo p mais alta foi observada, apenas por ponta quente, para uma amostra obtida em argônio logo após a utilização de nitrogênio na câmara de processo, que provavelmente sofreu influência da dopagem não intencional do cobre, que foi identificado como um contaminante do processo devido à estrutura da câmara. Para alvo de Zn, observou-se a formação de nitreto de zinco, que demonstrou alta capacidade de oxidação em ambiente atmosférico, e portanto, transforma-se naturalmente ao longo do tempo ou por processos de oxidação térmica em ZnO dopado com nitrogênio. Filmes de ZnO produzidos a partir de nitreto de zinco foram os únicos dos testados que apresentaram fotoluminescência característica do ZnO, mesmo para processos onde não houve aquecimento intencional. / Zinc oxide is a multifunctional semiconductor, which presents high optical transparency in the visible range, high exciton binding energy and piezoelectricity. Due to its properties, ZnO is used in several areas, such as sensors, transparent electrodes and optoelectronics. However, its usage is still limited by the lack of p-type conductivity, which is very difficult to achieve because of intrinsic material defects, unwanted valence states of doping elements and formation of deep acceptor levels. Piezoelectric devices also demand high electrical resistivity and excellent crystallographic properties. Many current deposition processes still apply high temperatures, preventing material deposition onto temperature sensitive substrates and surfaces. The main goal of this investigation is to develop low temperature ( 100°C) deposition techniques by radio frequency magnetron sputtering, to evaluate the influence of process gases in structural, stoichiometric, electrical and optical properties. Thin films were obtained using either pure argon, argon and oxygen or argon and nitrogen partial pressures, by sputtering ceramic ZnO or metallic Zn targets. For ZnO target, n-type conductivity was achieved in argon environment, by creating oxygen deficient films. High resistivity was observed by using oxygen partial pressure, resulting in stoichiometric material and changing carrier type from electrons to holes. Higher p-type conductivity was observed, only by Seebeck measurement, for a nonintentionally heavily doped sample, as there was copper originating from the deposition chamber. For Zn target, zinc nitride formation was observed, showing high capability of transforming itself into nitrogen-doped ZnO by air exposure or thermal annealing. ZnO films produced from zinc nitride were the only ones that exhibited photoluminescence, even when there was no intentional heating involved.

A aplicação de filmes finos em diferentes setores da indústria tem aumentado consideravelmente nos últimos anos. Dentre os diversos tipos de revestimentos, filmes finos cerâmicos tem se destacado por melhorarem as propriedades mecânicas, tribológicas e superficiais dos componentes industriais. Dentre os mais variados filmes finos cerâmicos, o Nitreto de Titânio (TiN) é um dos mais conhecidos e aplicados. Caracteriza-se principalmente por possuir alta dureza, resistência à corrosão, estabilidade química e resistência ao desgaste. Essas e outras características são extremamente sensíveis ao processo e, principalmente, aos parâmetros de deposição. Entender a influência da variação dos parâmetros de deposição em busca de melhorar as propriedades é um dos desafios da Ciência e Engenharia de Superfícies. O objetivo deste trabalho é obter, caracterizar e avaliar as propriedades mecânicas e adesivas de filmes finos de TiN obtidos via deposição física a vapor (PVD, Physical Vapour Deposition). Os filmes foram depositados em substratos de alumínio AA 1000, utilizando a técnica Triodo Magnetron Sputtering. Variou-se o fluxo de N2 durante a deposição e comparou-se com a condição de fluxo de N2 constante, sendo verificada a viabilidade de produção de filmes funcionalmente gradados. Os filmes obtidos foram caracterizados por Nanoindentação instrumentada, Difração de Raios-X por ângulo rasante, Teste de riscamento (scratch test), TEM (Transmission Electron Microscopy), Microscopia de Varredura de Alta Emission Gun) e Ensaio de tração em escala reduzida. Como resultado, os filmes depositados com fluxo de N2 variável possuíram melhor comportamento mecânico/adesivo e quando comparados com os filmes depositados sob fluxo de N2 constante. Portanto, a obtenção de filmes finos de TiN gradados funcionalmente com propriedades superiores aos filmes finos de TiN obtidos de modo convencional é possível, e sua aplicação em diferentes áreas da indústria tendem a ser melhor exploradas. / The application of thin films in different industry sectors has increased considerably in recent years. Among the various types of coatings, thin ceramic films have been distinguished by improving the mechanical, tribological and surface properties of industrial components. Among the ceramic thin films, titanium nitride (TiN) is one of the most known and applied. It is characterized by its high hardness, corrosion resistance, chemical stability and wear resistance. These characteristics are extremely sensitive to the deposition process.Understanding the influence of the variation of deposition parameters to improve properties is one of the challenges of Surface Science and Engineering. The films were deposited on AA 1000 aluminum substrates by Triode Magnetron Sputtering. N2 flow was varied during deposition and compared to the constant N2 flow condition and the viability of production of functionally graded films was tested. The obtained films were characterized by instrumented Nanoindentation, Grazing Incidence X-Ray Diffraction (GIXRD), scratch test, TEM (Transmission Electron Microscopy), Field Emission Gun (FEG) and Tensile Test on a reduced scale. As a result, films deposited with variable N2 flow had better mechanical / adhesive behavior when compared to films deposited under constant N2 flow. Therefore, obtaining thin films of functionally graded TiN with properties superior to the TiN thin films obtained in conventional manner is possible, and their application in different areas of industry tend to be better explored.

Deposition of alumina thin films in the presence of fluorine as a method for reducing thehydrogen incorporation in the films was investigated in this thesis. Hydrogen incorporated in alumina thin films have been shown to cause a lower density and refractive index in amorphous films, assist electrical conduction through thin amorphous films as well as inhibiting the formation of the thermally stable α-phase. The depositions were made in a ultra high vacuum system where high vacuum conditions were simulated by leaking water vapor into the system. No substrate heating or substratebias was applied. Films were deposited at a range of fluorine partial pressures, from 2,5×10-6- 5×10-5 Torr, and were analyzed by elastic recoil detection analysis, nuclear reaction analysis, scanning electron microscopy and x-ray diffraction. Mass spectrometry measurements were done during the depositions to analyze the deposition process. The mass spectrometry investigations show that there is a trend of increasing O2 partial pressures with increasing fluorine partial pressures during the depositions. This is attributed to the well known reaction: 2H2O+F2→O2+4HF. However, no trend in the measured water partial pressures can be observed. The increase in the O2 partial pressure is therefore attributed to a reaction between water and fluorine on the chamber walls. The chemical analysis show that the hydrogen incorporation in the films were lowered from ~10 at.% when deposited in the presence of water vapor to ~3 at.% when deposited in the presence of water vapor and 2×10-5 Torr fluorine. The hydrogen incorporation stabilize at ~3 at.% at higher fluorine partial pressures. However, there is also a large amount of fluorine incorporated in the films, ~20 at.% with a fluorine partial pressure during the deposition of 2×10-5 Torr and ~46 at.% with a fluorine partial pressure of 5×10-5 Torr. There is a slight increase in the aluminum concentration in the films deposited with fluorine. This is attributed to bonding the hydrogen in aluminum hydroxide while the reminder forms Al2O3 or Al leading to an increase in the aluminum concentration in the film. A linear decrease in the deposition rate with increasing fluorinepartial pressures during the deposition was observed, this can be explained by sputter etching of AlFx and AlOxFy by energetic O- ions. The XRD investigation show that the films deposited with the highest fluorine partial pressures were x-ray amorphous, the films with deposited with lower fluorine partial pressures are therefore also assumed to be amorphous.

ZnO window layers for CIGS solar cells are grown with a DC sputtering technique instead of a conventional RF sputtering technique. Transparent window layers and buffer layers are sputtered from the Zn target in the presence of Oxygen. The window layer is doped with Aluminum in order to achieve high electrical conductivity and thermal stability. The effect of different sputtering parameters on the electrical and optical properties of the films is elaborately studied. Sets of annealing experiments are also performed. Combinations of different deposition parameters are examined to design the optimum fabrication conditions. We are able to deposit 85% transparent, Al doped ZnO films having 002-axis orientation and 4e-4 ohm-cm resistivity, which is successfully, used on CIGS solar cells. Resistivity of undoped ZnO buffer layers is varied form 10-2 ohm-cm to unmeasurable by varying the sputtering parameters. The performance of a reactively sputtered window layer and a buffer layer have matched the performance of the RF sputtered ZnO on CIGS solar cells. There has been considerable effort to eliminate Chemical Bath Deposition of the CdS buffer layer from CIS solar cell fabrication. The performance of an undoped DC sputtered ZnO layer is examined on Cd free CIGS solar cells. The ZnO buffer layer is directly sputtered on an underlying CIGS material. The performance of Cd free solar cells is highly susceptible to the presence of Oxygen in the sputtering ambient of the buffer layer deposition [6]. As Oxygen is a growth component in reactive sputtering, the growth mechanisms of the DC-sputtered buffer layer are studied to improve the understanding. The performance of all reactively sputtered ZnO devices matched the values reported in the literature and the results for DC sputtered ZnO on Cd-free solar cells were encouraging.

Made available in DSpace on 2014-12-17T14:06:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 NarayannaMF_DISSERT.PDF: 4537293 bytes, checksum: 5d2c22b8b17b69adbe02ea6e28e15de6 (MD5) Previous issue date: 2011-07-29 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior / Microalloyed steels constitute a specific class of steel with low amount of carbon and microalloying elements such as Vanadium (V), Niobium (Nb) and Titanium (Ti). The development and application of microalloyed steels and steels in general are limited to the handling of powders with particles of submicron or nanometer dimensions. Therefore, this work presents an alternative in order to construction of microalloyed steels utilizing the deposition by magnetron sputtering technique as a microalloying element addiction in which Ti nanoparticles are dispersed in an iron matrix. The advantage of that technique in relation to the conventional metallurgical processes is the possibility of uniformly disperse the microalloying elements in the iron matrix. It was carried out deposition of Ti onto Fe powder in high CH4, H2, Ar plasma atmosphere, with two deposition times. After the deposition, the iron powder with nanoparticles of Ti dispersed distributed, were compacted and sintered at 1120 ? C in resistive furnace. Characterization techniques utilized in the samples of powder before and after deposition of Ti were Granulometry, Scanning Electron Microscopy (SEM), energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and X-ray diffraction (DRX). In the case of sintered samples, it was carried out characterization by SEM and Vickers Microhardness assays. The results show which the deposition technique by magnetron sputtering is practicable in the dispersion of particles in iron matrix. The EDX microanalysis detected higher percentages of Ti when the deposition were carried out with the inert gas and when the deposition process was carried out with reactive gas. The presence of titanium in iron matrix was also evidenced by the results of X-ray diffraction peaks that showed shifts in the network matrix. Given these results it can be said that the technique of magnetron sputtering deposition is feasible in the dispersion of nanoparticles of iron matrix in Ti. / Os a?os microligados constituem uma classe espec?fica de a?o com baixos teores de carbono e elementos microligantes, como: van?dio (V), ni?bio (Nb) e tit?nio (Ti). O desenvolvimento e aplica??o dos a?os microligados, e de a?os em geral, est?o limitados ? manipula??o dos p?s com part?culas de dimens?es submicrom?tricas ou mesmo nanom?tricas. Mediante isto, este trabalho apresenta uma t?cnica alternativa para a fabrica??o de a?os microligado empregando a deposi??o por magnetron sputtering, como fonte de adi??o de elemento microligante na forma de nanopart?culas de tit?nio dispersa em matriz de ferro. A vantagem dessa t?cnica em rela??o aos processos metal?rgicos convencionais ? a possibilidade de dispersar uniformemente o elemento microligante na matriz de ferro. Foram realizadas deposi??es de Ti sobre p? de ferro em atmosfera de CH4, H2, Ar, com dois tempos de deposi??o diferentes. Ap?s as deposi??es, o p? de ferro com nanopart?culas de Ti dispersamente distribu?das, foram compactados e sinterizados a 1120?C em forno resistivo. As t?cnicas de caracteriza??o utilizadas nas amostras de p? de ferro antes e ap?s a deposi??o de Ti foram granulometria, microscopia eletr?nica de varredura (MEV), energia dispersiva de raios X (EDX) e difra??o de raios X (DRX). Para as amostras sinterizadas utilizou-se a caracteriza??o por microscopia eletr?nica de varredura (MEV) e ensaio de microdureza Vickers. A microan?lise por EDX detectou percentuais maiores de Ti para as deposi??es em atmosfera de g?s inerte em rela??o ?s deposi??es em atmosfera de g?s reativo. A presen?a de tit?nio na matriz de ferro tamb?m foi evidenciada pelos resultados da difra??o de raios-X que apresentaram deslocamentos nos picos da rede da matriz. Diante desses resultados pode-se afirmar que a t?cnica de deposi??o por magnetron sputtering ? vi?vel na dispers?o de nanopart?culas de Ti em matriz de ferro.

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / Apresenta-se uma abordagemnumérica para ummodelo que descreve a formação de padrões por sputtering iônico na superfície de ummaterial. Esse processo é responsável pela formação de padrões inesperadamente organizados, como ondulações, nanopontos e filas hexagonais de nanoburacos. Uma análise numérica de padrões preexistentes é proposta para investigar a dinâmica na superfície, baseada em ummodelo resumido em uma equação anisotrópica amortecida de Kuramoto-Sivashinsky, em uma superfície bidimensional com condições de contorno periódicas. Apesar de determinística, seu caráter altamente não-linear fornece uma rica gama de resultados, sendo possível descrever acuradamente diferentes padrões. Umesquema semi implícito de diferenças finitas com fatoração no tempo é aplicado na discretização da equação governante. Simulações foram realizadas com coeficientes realísticos relacionados aos parâmetros físicos (anisotropias, orientação do feixe, difusão). A estabilidade do esquema numérico foi analisada por testes de passo de tempo e espaçamento de malha, enquanto a verificação do mesmo foi realizada pelo Método das Soluções Manufaturadas. Ondulações e padrões hexagonais foram obtidos a partir de condições iniciais monomodais para determinados valores do coeficiente de amortecimento, enquanto caos espaço-temporal apareceu para valores inferiores. Os efeitos anisotrópicos na formação de padrões foramestudados, variando o ângulo de incidência. / A numerical approach is presented for amodel describing the pattern formation by ion beam sputtering on a material surface. This process is responsible for the appearance of unexpectedly organized patterns, such as ripples, nanodots, and hexagonal arrays of nanoholes. A numerical analysis of preexisting patterns is proposed to investigate surface dynamics, based on a model resumed in an anisotropic damped Kuramoto-Sivashinsky equation, in a two dimensional surface with periodic boundary conditions. While deterministic, its highly nonlinear character gives a rich range of results, making it possible to describe accurately different patterns. A finite-difference semi-implicit time splitting scheme is employed on the discretization of the governing equation. Simulations were conducted with realistic coefficients related to physical parameters (anisotropies, beam orientation, diffusion). The stability of the numerical scheme is analyzed with time step and grid spacing tests for the pattern evolution, and the Method ofManufactured Solutions has been used to verify the scheme. Ripples and hexagonal patterns were obtained from amonomodal initial condition for certain values of the damping coefficient, while spatiotemporal chaos appeared for lower values. The anisotropy effects on pattern formation were studied, varying the angle of incidence.

The vanadium dioxide (VO2) shows a metal-insulator transition (MIT) near the room temperature with huge changes in its electrical and optical behavior. Both the electrical and optic properties, and even the transition temperature, depend on the morphologic characteristics of the metal. In this work, vanadium oxide nanolayers were deposited onto glass substrate by reactive magnetron sputtering. The aim was to obtain the best deposition parameters, like substrate temperature (Ts) and oxygen partial pressure (PO2), for the VO2M1 phase synthesis. Samples deposited with oxygen partial pressures ranging from 10 to 20% of the total pressure, and Ts=400°C, have shown metal insulator transition when submitted to a 550°C ex-situ thermal treatment. The analysis of the x-ray diffraction spectra has shown that all the samples were formed simultaneously by more than one phase of vanadium oxides. Moreover, we identify a reciprocal correspondence between the 2q = 27,8° peak, corresponding to (011) plan in VO2M1, and the MIT transition. The measured resistance in samples with VO2M1, in the temperature range of 25 to 100°C, showed variations of almost three orders of magnitude. The transition critical temperature took place between 59 and 82°C and the hysteresis loops width ranged between 9 and 13°C / O dióxido de Vanádio (VO2) apresenta uma transição metal isolante (MIT) próxima da temperatura ambiente com uma grande variação em suas propriedades elétricas e ópticas. Tanto as propriedades elétricas e ópticas quanto a própria temperatura de transição dependem das características morfológicas do material. Neste trabalho, nano-camadas de óxido de Vanádio foram produzidas sobre substratos de vidro pela técnica de magnetron sputtering reativo, visando determinar os parâmetros de deposição, em especial a temperatura do substrato (Ts) e pressão parcial de Oxigênio (PO2), adequadas para a obtenção da fase VO2M1. Amostras depositadas com pressões parciais de Oxigênio entre 10 e 20% da pressão total e Ts=400°C apresentaram MIT quando submetidas a tratamentos térmicos ex-situ a 550°C. A análise dos espectros de difração de raios-x mostrou que houve formação de mais de uma fase simultaneamente em todas as amostras, no entanto há uma correspondência recíproca entre o pico de difração de raios-x em 2q = 27,8° , correspondente ao plano (011) do VO2M1, e a transição MIT na resistividade. As medidas de resistência em função da temperatura, realizadas entre 25 e 100°C, mostraram, nas amostras com VO2M1, transição com variação na resistência em até três ordens de grandeza com temperaturas críticas entre 59 e 82°C e curvas de histerese com larguras entre 9 e 13°C

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:19:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ALBUQUERQUE_Diego_2012.pdf: 2909594 bytes, checksum: 91148b3e77351d9e01e62932373d67a6 (MD5) Previous issue date: 2012-03-30 / Financiadora de Estudos e Projetos / This work studied ultrathin films of titanium oxide deposited by the technique r. f. reactive sputtering with different oxygen flows and different deposition times. Optical properties were studied (ultra-violeta/Visível) and the surface morphology (Atomic Force Microscopy). The composition and structural properties of the films were analyzed by X-ray diffraction and Rutherford Backscattering Spectroscopy. The films are amorphous and rough (fractal dimension around 2.6 to 2.7 and roughness around 1.6 to 2.5 nm). The stoichiometry was fairly close to the titanium dioxide (TiO2). The optical energy Gap obtained by three different models presented values between 3.0 to 3.5 eV. / Neste trabalho foram estudados filmes ultrafinos de óxido de titânio depositados pela técnica sputtering reativo r.f., com diferentes fluxos de oxigênio e diferentes tempos de deposição. Foram estudadas as propriedades ópticas (Ultra-Violeta/Visível), bem como a morfologia da superfície (Microscopia de Força Atômica). As propriedades estruturais e a composição dos filmes foram estudadas por Difração de raios-X e por Rutherford Backscattering Spectroscopy. Os filmes são amorfos e com superfície rugosa (dimensão fractal em torno de 2,6 - 2,7 e rugosidade em torno de 1,6 - 2,5 nm). A estequiometria ficou bastante próxima do dióxido de titânio (TiO2). A energia do Gap óptico obtido por três modelos distintos apresentou valores entre 3,0 3,5 eV.

Made available in DSpace on 2016-06-02T19:19:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ABREU_Caio_2013.pdf: 2028939 bytes, checksum: 65ae46e6485e945dd8307afeb9a40953 (MD5) Previous issue date: 2013-02-19 / This work studied ultrathin films of titanium oxide were deposited on two substrates, such as pure Si (100) and glass corning 7059, by using r.f. magnetron sputtering with different oxygen flows and maintaining another parameters constant. For the purpose of this work, while keeping all parameters constant, varying only the oxygen flow (reactive gas), it was expected to identify the flow of transition between films of substoichiometric TiOx and TiO2 films, and analyze whether there forming nanostructured TiO2 films because the literature shows that variation of control parameters important characteristics of the nanoparticles as medium sized fraction of coverage of the substrate crystal structure and stoichiometry. The chemistries of the ultrathin films were analyzed through technique of Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS), the surface morphology by Atomic Force Microscopy (AFM), the crystallinity by X-Ray Diffraction (XRD) and the optical properties by UV-vis Spectroscopy. Were deposited ultrathin films with substoichiometric compositions for depositions with 0.10% O2 and 0.35% O2. For depositions between 0.67% O2 and 6.00% O2, films were obtained with concentrations of [O]/[Ti] of about 1.9, near the chemical composition of titanium dioxide (TiO2). Films with concentrations close to the TiO2 showed amorphous, but with characteristics of formation of anatase phase. The optical properties presented optical gap values between 3.33 eV and 3,78 eV and had no significant variation, as calculated by E03, E04 and ETauc methods. The roughness of the films decreased proportionally with increasing oxygen flow in the depositions. / No presente trabalho foram estudados filmes finos de óxido de titânio, depositados em dois substratos, Si (100) e vidro Corning 7059, por meio da utilização da técnica de pulverização catódica por rádio freqüência - magnetron sputtering r.f. - com diferentes fluxos de oxigênio e os outros parâmetros mantidos constantes. Com isso, esperava-se identificar o fluxo de transição entre os filmes de TiOx subestequiométricos e filmes de TiO2, analisar se haveria formação de filmes de TiO2 nanoestruturados e diferenças entre os gaps ópticos. As composições químicas dos filmes finos foram analisadas por meio da técnica de espectroscopia de retroespalhamento Rutherford (RBS), a morfologia da superfície por Microscopia de Força Atômica (AFM), a cristalinidade por difração de raios-X (XRD) e as propriedades ópticas por espectroscopia UV-Visível. Foram depositados filmes finos com composições subestequiométricas nas deposições com 0,10% de O2 e 0,35% de O2. Para deposições de O2 entre 0,67% e 6,00%, os filmes foram obtidos com concentrações de [O]/[Ti] de aproximadamente 1,9, ou seja, perto da composição química do dióxido de titânio (TiO2). Filmes com concentrações de [O]/[Ti] próximas ao TiO2 apresentaram-se amorfas, mas com características de formação de fase anatase. As propriedades ópticas não apresentaram nenhuma variação significativa nos valores de gap óptico, com valor entre 3,33 eV e 3,78 eV, calculado pelos métodos E03, E04 e ETauc. A rugosidade dos filmes diminuiu proporcionalmente com o aumento do fluxo de oxigênio nas deposições.

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Anisotropic magnetoresistance (AMR) consists in the change of the resistivity of a ferromagnetic metal as a function of the angle between the current and the magnetization, what makes AMR-based sensors promising to measure both angular and linear positions. These devices usually have a structure of Ta/Ni81Fe19/Ta and the thickness of the Ni81Fe19 layer is about 10 nm so as to reduce the demagnetization field parallel to surface. In order to acquire high magnetic field sensitivity (S) and low Barkhausen noise the films should have high AMR values (ΔDR=R) and low coercivity. However, during fabrication, the structures are often exposed to temperatures above 200oC, what changes the characteristics of the interfaces and reduces ΔDR=R. On the other hand, ΔDR=R and S can be remarkably enhanced by insertion of nano-oxide layers that act like difusion barriers on the interfaces. The enhancement is mainly attributed to the large electron specular reflection at the flatter interfaces. In this work we have proposed to verify the possibility of enhance ΔDR=R and S in structures with good thermal stability just by adding an oxidation step after growthing each layer, forming TaOx. We studied the influence of the deposition parameters in the structural and magnetic properties of the samples and otimized the growth of thin films of Ni81Fe19 by magnetron sputtering. We also verified the influence of the annealing in the structural properties of nanostructures of Ta/Ni81Fe19/Ta exposed or not to oxidation on the interfaces. We observed that the TaOx nano-oxide layer can work as expected, however the poor cristalinity of the Ni81Fe19 layers leads to AMR values lower than the literature ones. / Magnetorresistência anisotrópica (AMR) consiste na variação da resistividade de um metal ferromagnético como uma função do ângulo entre a corrente e a magnetização, o que faz com que sensores que utilizam este efeito sejam promissores para medidas de posição tanto angulares quanto lineares. Estes dispositivos normalmente possuem a estrutura Ta/Ni81Fe19/Ta com a espessura da camada de Ni81Fe19 sendo da ordem de 10 nm, para reduzir o campo desmagnetizante paralelo à superfície. Para obter alta sensibilidade (S) e baixos níveis de ruído Barkhausen os filmes devem apresentar alta variação percentual da AMR (ΔDR=R) e baixa coercividade. Entretanto, durante o processo de fabricação as estruturas frequentemente são expostas à temperaturas maiores que 200oC, o que pode alterar as características das interfaces e reduzir ΔDR=R. Por outro lado, ΔDR=R e S podem ser significativamente incrementados através da inserção de nanocamadas de óxidos que atuam como barreiras contra difusão nas interfaces. O aumento é atribuído ao maior nível de reflexões eletrônicas especulares nas interfaces mais lisas. Neste trabalho, propomos verificar se é possível aumentar ΔDR=R e S para estruturas com boa estabilidade térmica simplesmente acrescentando uma etapa de oxidação após o crescimento de cada camada, pela formação de TaOx. Estudamos a influência dos parâmetros de deposição nas propriedades estruturais e magnéticas das amostras e otimizamos o crescimento de filmes finos de Ni81Fe19 pela técnica de magnetron sputtering. Verificamos também a influência do tratamento térmico nas propriedades estruturais de nanoestruturas do tipo Ta/Ni81Fe19/Ta submetidas ou não à oxidação das interfaces. Observamos que a nanocamada de TaOx pode desempenhar o papel esperado, todavia a qualidade cristalina das camadas de Ni81Fe19 acarretou em valores quantitativos de ΔDR=R menores que os encontrados na literatura.