Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Instituto de Ciências Exatas, Departamento de Matemática, 2018. / Submitted by Raquel Viana (raquelviana@bce.unb.br) on 2018-10-30T21:20:30Z No. of bitstreams: 1 2018_BrunoMarinoXavier.pdf: 1783146 bytes, checksum: 58567e91e514f4dced7a3ca18f00354c (MD5) / Approved for entry into archive by Fabiana Santos (fabianacamargo@bce.unb.br) on 2018-11-12T18:03:20Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2018_BrunoMarinoXavier.pdf: 1783146 bytes, checksum: 58567e91e514f4dced7a3ca18f00354c (MD5) / Made available in DSpace on 2018-11-12T18:03:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2018_BrunoMarinoXavier.pdf: 1783146 bytes, checksum: 58567e91e514f4dced7a3ca18f00354c (MD5) Previous issue date: 2018-11-12 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) e Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq). / Obtemos uma transformação de Bäcklund entre superfı́cies mı́nimas em Nil3 aplicando uma correspondência de Calabi entre uma superfı́cie CMC-1/2 em L3 e sua superfı́cie associada em Nil3 e fazendo uma transformação de Ribaucour na superfı́cie original relacionamos a geometria dessas duas superfı em L3. Em seguida, ́cies usando a segunda forma de Abresch- Rosenberg. Adiante, estendemos a definição de superfı́cies mı́nimas de Laguerre a formas espaciais enquanto relacionamos estas às superfı́cies mı́nimas em L3 e mı́nimas em outros espaços produto M2(k) × R e M2 (k) × R1 , com k = ±1. / We obtain a Bäcklund transformation between minimal surfaces in Nil3 by performing a Calabi correspondence between a CMC-1/2 surface in L3 and its associated minimal surface in Nil3 and sau Rrfiabcaeusc ouusrin tgra tnhsef oArmbr eosnc hth-eR oosreigninbaelr gs usrefaccoen din foLr3m .. NFeuxrtth, ewrem orerela,t ew eth ee xgteenodm ethtrey doef fbinoittiho nth oefs ea Laguerre minimal surface to space forms whilst relating these to the minimal immersions on L3 and minimal surfaces on other product spaces M2(k) × R and M2 (k) × R1 , with k = ±1.

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Ciências Exatas, Departamento de Matemática, Programa de Mestrado Profissional em Matemática em Rede Nacional, 2018. / Submitted by Raquel Viana (raquelviana@bce.unb.br) on 2018-08-14T20:38:22Z No. of bitstreams: 1 2018_NicholasAlvesAmaral.pdf: 5944064 bytes, checksum: b9a75488feac2e031eaf3c3d4d71561d (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana (raquelviana@bce.unb.br) on 2018-08-22T21:44:17Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2018_NicholasAlvesAmaral.pdf: 5944064 bytes, checksum: b9a75488feac2e031eaf3c3d4d71561d (MD5) / Made available in DSpace on 2018-08-22T21:44:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2018_NicholasAlvesAmaral.pdf: 5944064 bytes, checksum: b9a75488feac2e031eaf3c3d4d71561d (MD5) Previous issue date: 2018-08-14 / Neste trabalho, apresentamos resultados gerais relativos ao tópico de superfícies desenvolvíveis. Para tal, introduzimos de forma resumida, os conceitos relativos a curvas parametrizadas e superfícies parametrizadas regulares no espaço euclidiano, necessários para este estudo. Como aplicação, analisamos as parametrizações no plano, de curvas descritas sobre superfícies desenvolvíveis particulares. / This work presents general results about developable surfaces. In order to establish these results, we introduce the necessary concepts that surround the topics of parametrized curves and surfaces in 3-dimensional Euclidean space. We then apply the general results to analyse how curves described on particular developable surfaces unwrap on a plane.

Neste trabalho apresentamos resultados de existência e unicidade para gráficos de curvatura média constante em H² x R, com bordo prescrito em planos paralelos, obtidos através da resolução de problemas de Dirichlet para a equação da curvatura média. / In this work we investigate the existence and uniqueness of constant mean curvature graphs in H² x R, with boundary in parallel planes, by solving a Dirichlet problems for the mean curvature equation.

Neste trabalho apresentamos resultados de existência e unicidade para gráficos de curvatura média constante em H² x R, com bordo prescrito em planos paralelos, obtidos através da resolução de problemas de Dirichlet para a equação da curvatura média. / In this work we investigate the existence and uniqueness of constant mean curvature graphs in H² x R, with boundary in parallel planes, by solving a Dirichlet problems for the mean curvature equation.

Orientador: Irwen Valle Guadalupe / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Matematica, Estatistica e Computação Cientifica / Made available in DSpace on 2018-07-25T16:31:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Avila_LucianaMariaDiasde_M.pdf: 2968227 bytes, checksum: 76d65974ec2f1e8c2a54b245f851ea99 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Neste trabalho estudamos superfícies mínimas conjugadas de uma superfície mínima e as propriedades geométricas que lhes são comuns; estudamos também superfícies mínimas associadas. Construção de superfícies mínimas como solução do problema de Björling também é estudado. Exemplos de superfícies mínimas e suas superfícies mínimas associadas são ilustrados, bem como exemplos de superfícies que são soluções do problema de Björling / Abstract: In this work we study conjugate minimal surfaces of a minimal surface and their geometric properties; we also study associated minimal surfaces. Construction of minimal surfaces are given as solution to the Björling's problem. Examples of minimal surfaces and their associated minimal surfaces are illustrated, as well as examples of surfaces that are solutions to the Björling's problem / Mestrado / Mestre em Matemática

Orientador: Helmut Hans Dispert / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-26T17:48:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pohl_AlexandredeAlmeidaPrado_M.pdf: 937663 bytes, checksum: e1f048d09e9f6135dae1e58fd76c98c9 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Foi construída uma evaporadora à vácuo, a qual foi acoplada um elipsômetro fotométrico automático. O sistema permite estudos In situ de propriedades ópticas de filmes evaporados. São descritos detalhes da construção e operação da evaporadora, assim como detalhes da influência das janelas ópticas nas medidas elipsométricas. A verificação do desempenho do aparato experimental foi realizada depositando-se filmes de diversos metais e analisando-se os resultados para as respectivas constantes ópticas. A cinética de oxidação dos filmes recém-evaporados pôde ser acompanhada, revelando a potencial Idade do Instrumento no estudo da dinâmica de superfícies / Abstract: A vacuum evaporator apparatus coupled to na automatic fotometric ellipsometer was built. The system allows in situ studies of optical properties of evaporated films. Details on its construction and operation, as well as the influence of the optical windows in the ellipsometric measurements, are described. The performance evaluation of the apparatus was accomplished by evaporating films of several metals and by analyzing the results obtained for their optical constants. The kinetics of oxidation of freshly evaporated films was monitored, revealing the potentiality of the instrument in the study of surface dynamics / Mestrado / Física / Mestre em Física

Utilizando a Teoria do Funcional da Densidade e uma Dinâmica Molecular Quântica que envolve o formalismo de pseudopotenciais de primeiros princípios, fizemos cálculos de energia total, estrutura atômica e eletrônica, e ligação química para o cristal perfeito e a superfície do GaAs e das fases cúbicas do BN, AlN, GaN e InN para determinar o papel da aproximação do gradiente generalizado (GGA) no funcional da energia de troca e correlação. Nossos cálculos mostram que o efeito combinado da correção não linear de caroço e da aproximação GGA é responsável por mudanças significativas nos parâmetros estruturais e na estrutura eletrônica das superfícies polares (001), independentemente da ionicidade do elemento estudado, mas não é decisivo para o cristal perfeito e para a superfície não polar (110). Nossos cálculos para a superfície (110) sugerem que o ângulo de rotação da ligação entre o cátion e o ânion que compõe a superfície é muito menor para os nitretos: em torno de '15 GRAUS' comparado com '30 GRAUS'^='2 GRAUS' observado para outros semicondutores III-V. Neste trabalho propomos um modelo com uma relação linear entre o deslocamento vertical do cátion e do ânion da camada superficial e o comprimento de ligação superficial após a relaxação para todos os semicondutores III-V e II-VI. Além disso, observamos que a superfície (110) de todos os compostos III-V e II-V apresentam estruturas eletrônicas muito similares. Também procedemos estudos detalhados da estrutura atômica e eletrônica das reconstruções (1x1), (2x2), c(2x2) e (1x4) terminadas em gálio da fase cúbica do GaN crescido na direção (001). Observamos que apenas a reconstrução (1x4) apresenta caráter semicondutor e que é a mais favorável do ponto de vista energético, com um ganho de 0,29 eV por célula unitária (1x1) quando comparada a reconstrução (1x1). A incorporação do nitrogênio em estruturas cristalinas foi inicialmente testada considerando a dissociação e posterior adsorção das moléculas 'NH IND. 3' e 'NF IND. 3' sobre a reconstrução (2x1) da superfície de silício crescida na direção (001). Nossos cálculos apontam que quando da adsorção, em ambos os casos, os dímeros de Si são simétricos e seu comprimento de ligação é maior do que o observado para a superfície livre. As estruturas eletrônicas obtidas indicam que a adsorção das moléculas de amônia e de trifluoreto de nitrogênio resultam na passivação da superfície de silício.

Problemas ambientais têm estimulado a pesquisa e o desenvolvimento da indústria de tratamento de superfícies. Revestimentos de conversão a base de cromo(VI) estão sendo banidos devido a sua toxicidade e os revestimentos a base de silanos são uma alternativa. Os silanos podem formar um filme reticulado sobre a superfície metálica por um processo sol-gel atuando como barreira à penetração do eletrólito. A incorporação de inibidores de corrosão ao filme a base de silano, como por exemplo, compostos de cério, podem melhorar o seu desempenho. No entanto, poucos estudos avaliam a estabilidade desse inibidor na solução precursora. Este estudo foi dividido em duas etapas. Na primeira etapa foi avaliada a estabilidade do inibidor na solução precursora para diferentes pH em função das propriedades dos filmes. Na segunda etapa deste trabalho, foram estudadas duas influências do tempo: o envelhecimento da solução precursora e o envelhecimento do revestimento sobre a peça. O desempenho foi comparado com revestimentos de conversão a base de Cr(VI) e Cr(III). Para o trabalho foram utilizados painéis de aço galvanizado revestidos com o silano bis-1,2-(trietoxisilil)etano (BTSE) com adição do inibidor nitrato de cério(III) a partir de uma solução com 4% silano/ 48% água/ 48% álcool etílico. Os filmes foram caracterizados por polarização potenciodinâmica, espectroscopia de impedância eletroquímica e ensaios de corrosão acelerada em câmara úmida. Os resultados da avaliação do pH da solução precursora demonstraram que este parâmetro influencia as propriedades do filme formado pois afeta a taxa de hidrólise do silano e também a estabilidade do inibidor nitrato de cério. Com os resultados da influência do tempo, pode-se concluir que o envelhecimento da solução leva à formação de revestimentos com propriedades inferiores. Os resultados de envelhecimento do revestimento sobre a peça indicam que o revestimento a base de silano tem menor influência negativa do tempo de estocagem em ambiente de baixa umidade que os revestimentos cromatizados (VI) e (III). No entanto, o tempo de contato com o eletrólito aquoso tem maior influência negativa no revestimento a base de silano. / Some new researches in surface treatment industry are driven by environmental problems. Chromate conversion coatings based in chromium(VI) are being banished because of its toxicology and many studies indicate silane coatings as alternatives. Silane coatings can form a crosslinked film over the metal surface by sol-gel process acting as a barrier for electrolyte penetration. The incorporation of corrosion inhibitors into the silane film, such as cerium compounds, can improve silane coatings performance. However, few studies evaluate the stability of this inhibitor in the precursor solution. This study was divided into two parts. In the first part, the stability of the inhibitor in the precursor solution for different pH was evaluated through the properties of the films obtained. In the second part of this work, two influences of the time were studied: the aging of the precursor solution and the aging of the coating. The silane coatings performance was compared to chromate conversion coatings based in Cr(VI) and Cr(III). Galvanized steel sheets coated with bis-1,2-(triethoxysilyl)ethane (BTSE) doped with cerium nitrate(III) inhibitor using a solution of 4% silane/ 48% water/ 48% ethyl alcohol were used. The films were characterized by potentiodynamic polarization, electrochemical impedance spectroscopy and corrosion accelerated tests as wet chamber. The results of the study of the precursor solution pH showed that this parameter influences the properties of the silane film formed as it affects the rate of hydrolysis of the silane and also the stability of the cerium nitrate inhibitor. The results of the influence of time indicated that the solution aging leads to the formation of coatings with lower anticorrosion properties. The results of the coating aging indicated that the silane coating is less negatively affected by storage time at low humidity environment than the chromate coatings (VI) and (III). However, the time of immersion in aqueous electrolyte has higher negative influence on the silane coating.

Utilizando a Teoria do Funcional da Densidade e uma Dinâmica Molecular Quântica que envolve o formalismo de pseudopotenciais de primeiros princípios, fizemos cálculos de energia total, estrutura atômica e eletrônica, e ligação química para o cristal perfeito e a superfície do GaAs e das fases cúbicas do BN, AlN, GaN e InN para determinar o papel da aproximação do gradiente generalizado (GGA) no funcional da energia de troca e correlação. Nossos cálculos mostram que o efeito combinado da correção não linear de caroço e da aproximação GGA é responsável por mudanças significativas nos parâmetros estruturais e na estrutura eletrônica das superfícies polares (001), independentemente da ionicidade do elemento estudado, mas não é decisivo para o cristal perfeito e para a superfície não polar (110). Nossos cálculos para a superfície (110) sugerem que o ângulo de rotação da ligação entre o cátion e o ânion que compõe a superfície é muito menor para os nitretos: em torno de '15 GRAUS' comparado com '30 GRAUS'^='2 GRAUS' observado para outros semicondutores III-V. Neste trabalho propomos um modelo com uma relação linear entre o deslocamento vertical do cátion e do ânion da camada superficial e o comprimento de ligação superficial após a relaxação para todos os semicondutores III-V e II-VI. Além disso, observamos que a superfície (110) de todos os compostos III-V e II-V apresentam estruturas eletrônicas muito similares. Também procedemos estudos detalhados da estrutura atômica e eletrônica das reconstruções (1x1), (2x2), c(2x2) e (1x4) terminadas em gálio da fase cúbica do GaN crescido na direção (001). Observamos que apenas a reconstrução (1x4) apresenta caráter semicondutor e que é a mais favorável do ponto de vista energético, com um ganho de 0,29 eV por célula unitária (1x1) quando comparada a reconstrução (1x1). A incorporação do nitrogênio em estruturas cristalinas foi inicialmente testada considerando a dissociação e posterior adsorção das moléculas 'NH IND. 3' e 'NF IND. 3' sobre a reconstrução (2x1) da superfície de silício crescida na direção (001). Nossos cálculos apontam que quando da adsorção, em ambos os casos, os dímeros de Si são simétricos e seu comprimento de ligação é maior do que o observado para a superfície livre. As estruturas eletrônicas obtidas indicam que a adsorção das moléculas de amônia e de trifluoreto de nitrogênio resultam na passivação da superfície de silício.

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