Global ETD Search

1	Characterization of Cu-Co-Cr-K Catalysts Doan, Phuong Thanh 04 August 2001 (has links) The production of higher alcohols from synthesis gas over Cu-Co-Cr-K catalysts has been studied. The production rate of alcohol was measured in the flow reactor, operating at 250 to 350°C, 3500 to 8000 gas hourly space velocity, and 900 to 1800 psig. The productivity as a function of temperature, pressure, gas hourly space velocity, carbon dioxide content of the feed, and reaction time was also examined. Physisorption data have been analyzed using the Langmuir model, the Brunauer-Emmett-Teller (BET) method, the Barret-Joyner-Halenda (BJH) method, and the de Boer and Halsey t-method. The surface areas of catalysts CB1(1), CB1(3), and CB1(1) after reaction were 39.9 ± .9 m2/g, 28.9 ± 1.7 m2/g, and 26.5 ± 0.3 m2/g, respectively. Moreover, information such as pore size distribution, pore shape, monolayer volume, micropore volume and thickness of adsorption layer were also obtained. The atomic concentration and oxidation states of near surface species were established by X-ray Photoelectron Spectroscopy. BJH method BET method t-method x-ray photoelectron spectroscopy Cu-Co-Cr-K catalysts Langmuir model physisorption synthesis gas Higher alcohol synthesis
2	Evaluation of fatigue crack growth software for use on cracks in complex geometries Williams, Joshua Marc 02 May 2009 (has links) Fatigue-crack growth data for the lower arm of the Apache helicopter’s scissor assembly is presented from an Army alternate source qualification test. The lower arm model is imported to finite element analysis software to obtain the stress state at a crack location. The stress state and geometry are used in seven fatigue-crack growth cases in NASGRO and AFGROW, with an additional four cases discussed briefly. The results from the fatigue-crack growth routines are compared to the fatigue-crack growth data from the Army’s test. One case reproduces the crack growth data prior to breakthrough. Some cases are shown to be more applicable to this configuration than others are. The process of performing fatigue life estimates is discussed. Suggestions are made on the viability of this approach and possible future avenues for development. Crack Growth Rotorcraft Helicopter ANSYS NASGRO AFGROW Harter-T Method Corner Crack in Thick Pipe Aviation Engineering Directorate Lower Arm AED Scissor Assembly Apache AH-64 AH-64A
3	Temperaturbestimmung an IGBTs und Dioden unter hohen Stoßstrombelastungen / Temperature measurement of IGBTs and Diodes under high surge current loads Simon, Tom 03 June 2015 (has links) (PDF) Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst. Temperaturbestimmung IGBT GaAs SiC Si Diode Gatethreshold Kalibrierung VCE-Methode Wurzel(t)-Methode thermische Simulation Sentaurus Portunus thermsiche Impedanz Zth temperature measurement IGBT GaAs SiC Si Diode Gatethreshold calibration VCE-method square root(t)-method thermal simulation Sentaurus Portunus thermal impedance Zth ddc:600 Halbleiter Stoßstrom IGBT Diode
4	Temperaturbestimmung an IGBTs und Dioden unter hohen Stoßstrombelastungen Simon, Tom 16 April 2015 (has links) Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst.:Aufgabenstellung Inhaltsverzeichnis Nomenklatur Einleitung 1. Grundlagen 1.1. Halbleitermaterialien 1.2. Dioden Grundlagen 1.2.1. pn-Übergang 1.2.2. Temperaturabhängigkeit der Diffusionsspannung des pn-Übergangs 1.2.3. Diodenstrukturen 1.3. IGBT Grundlagen 1.3.1. Funktionsweise und ESB 1.3.2. Statisches Verhalten des IGBTs 1.4. Messtechnische Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur 1.4.1. VCE(T)- und VGth(T)-Methode 1.4.2. Temperaturreferenzmessung – Kalibrierkennlinie 1.4.3. Wurzel(t)-Methode 1.5. Simulation der virtuellen Sperrschichttemperatur mittels thermischer Ersatzschaltbilder 1.5.1. Thermische Kenngrößen Rth, Cth 1.5.2. Transiente thermische Impedanz Zth 1.5.3. Ersatzschaltbild – Cauer-Netzwerk 1.6. Simulation der virtuellen Sperrschichttemperatur mittels Halbleitersimulator 1.7. Stoßstromereignisse 2. Vormessungen 2.1. Prüflinge 2.2. Messung der Sperrfähigkeit 2.2.1. Testaufbau – Schaltung 2.2.2. Testergebnisse 2.3. Messung des Ausgangskennlinienfeldes/ Durchlassmessungen 2.3.1. Testaufbau – Schaltung 2.3.2. Testergebnisse 2.4. Messung der Transferkennlinie 2.4.1. Testaufbau – Schaltung 2.4.2. Testergebnisse 2.4.3. Bestimmung des “pinch-off”-Bereiches 2.5. Aufnahme der Kalibrierkennlinien 2.5.1. Testaufbau – Schaltung 2.5.2. Testergebnisse 3. Temperaturbestimmung mittels thermischer Impedanz Zth 3.1. Testaufbau – Schaltung 3.2. Testergebnisse 4. Temperaturbestimmung am Stoßstrommessplatz 4.1. Ermittlung der Halbleitertemperatur nach einem Stoßstromereignis 4.1.1. Anpassung des Stoßstrommessplatzes 4.1.2. Pulsmuster VCE(T)-, VGth(T)-Messung 4.1.3. Testergebnisse 4.2. Ermittlung des Halbleitertemperaturverlaufes während des Stoßstromereignisses 4.2.1. Testaufbau - Schaltung 4.2.2. Pulsmuster VCE(T)-, VGth(T)-Messung 4.2.3. Testergebnisse 5. Simulation der Temperaturverläufe 5.1. Temperatursimulation mittels Halbleitersimulator 5.2. Temperatursimulation mittels Cauer-Netzwerk 5.3. Angepasste Temperatursimulation mittels Cauer-Netzwerk 6. Zusammenfassung und Ausblick Anhang Literaturverzeichnis Selbstständigkeitserklärung Danksagung info:eu-repo/classification/ddc/600 ddc:600 Halbleiter; Stoßstrom; IGBT; Diode

1

Page generated in 0.0345 seconds