Der Einfluss der Modifikation der technologisch relevanten GaAs(100) Oberfläche durch Chalkogene, i.e. Selen, Schwefel und Tellur, wird in dieser Arbeit untersucht. Es wird ein Modell vorgestellt, das die Eigenschaften der modifizierten Oberfläche beschreibt. In einem zweiten Schritt werden die so modifizierten Oberflächen mit Metallen unterschiedlicher Reaktivität und verschiedenen Elektronegativitäten bedampft. Die Bandbreite dieser Eigenschaften wird durch die Metalle Indium und Silber, das Alkalimetall Natrium, das Erdalkalimetall Magnesium und das Halbmetall Antimon abgebildet. Die Untersuchung des Einflusses der Chalkogene auf die chemischen Eigenschaften und die Barrierenhöhe der Metall/GaAs(100) Grenzfläche bilden einen weiteren Schwerpunkt. Die Änderung der Barrierenhöhe wird dabei mit Hilfe des Modells metallinduzierter Bandlückenzustände (metal induced gap states) erklärt. Als experimentelle Techniken werden Photoemissionsspektroskopie, Raman Spektroskopie und Strom-Spannungsmessungen verwendet. / The influence of a modification of the technological relevant GaAs(100) surface by chalcogens, i.e. selenium, sulphur and tellurium, is evaluated in this work. A model is proposed, which describes the properties of the modified surface. In a second step metals of different reactivity and electronegativity have been evaporated onto these modified surfaces. Among these materials were the metals indium and silver, the alkali metal sodium, the earth alkali metal magnesium and the half metal antimony. The investigation of the influence of chalcogens on the chemical properties and the barrier height of the metal/GaAs(100) interface is another point of interest. The change in barrier height is explained by the model of metal induced gap states (MIGS). Photoemission spectroscopy, Raman spectroscopy and current-voltage-measurement have been used as experimental techniques.

This work aims at improving the understanding of the fundamental physics behind molecular doping of organic semiconductors, being a requirement for efficient devices like organic light-emitting diodes (OLED) and organic photovoltaic cells (OPV). The underlying physics is studied by electrical conductivity and thermoelectrical Seebeck measurements and the influences of doping concentration and temperature are investigated. Thin doped layers are prepared in vacuum by thermal co-evaporation of host and dopant molecules and measured in-situ. The fullerene C60, known for its high electron mobility, is chosen as host for five different n-dopants. Two strongly ionizing air-sensitive molecules (Cr2(hpp)4 and W2(hpp)4) and three air-stable precursor compounds (AOB, DMBI-POH and o-MeO-DMBI-I) which form the active dopants upon deposition are studied to compare their doping mechanism. High conductivities are achieved, with a maximum of 10.9 S/cm. Investigating the sample degradation by air-exposure, a method for regeneration is proposed, which allows for device processing steps under ambient conditions, greatly enhancing device fabrication possibilities. Various material combinations for p-doping are compared to study the influence of the molecular energy levels of host (MeO-TPD and BF-DPB) and dopant (F6-TCNNQ and C60F36). Corrections for the only estimated literature values for the dopant levels are proposed. Furthermore, the model system of similar-sized host pentacene and dopant F4-TCNQ is studied and compared to theoretical predictions. Finally, a model is developed that allows for estimating charge carrier mobility, density of free charge carriers, doping efficiency, as well as the transport level position from combining conductivity and Seebeck data. / Diese Arbeit untersucht organische Halbleiter und den Einfluss von molekularer Dotierung auf deren elektrische Eigenschaften, mit dem Ziel effizientere Bauelemente wie organische Leuchtdioden oder Solarzellen zu ermöglichen. Mittels Leitfähigkeitsuntersuchungen sowie thermoelektrischen Seebeck-Messungen werden die Einflüsse der Dotierkonzentration sowie der Temperatur auf die elektrischen Eigenschaften dünner dotierter Schichten analysiert. Das Abscheiden der Schichten durch Koverdampfen im Vakuum ermöglicht eine in-situ Analyse. Das Fulleren C60, bekannt für besonders hohe Elektronenbeweglichkeit, wird als Wirt für fünf verschieden n-Dotanden, zwei extrem stark ionisierende luftreaktive (Cr2(hpp)4 und W2(hpp)4) sowie drei luftstabile (AOB, DMBI-POH und o-MeO-DMBI-I), verwendet. Dies ermöglicht Schlüsse auf die unterschiedlichen zugrunde liegenden Dotiermechanismen und das Erreichen von Leitfähigkeiten von bis zu 10.9 S/cm. Für einen der luftreaktiven Dotanden wird die Probendegradation an Luft untersucht und eine Regenerationsmethode aufgezeigt, die Prozessierungsschritte in Luft erlaubt und somit entscheidend für zukünftige Bauelementfertigung sein könnte. Verschiedene p-dotierte Materialkombinationen werden untersucht, um den Einfluss der molekularen Energieniveaus von Wirt (MeO-TPD und BF-DPB) und Dotand (F6-TCNNQ und C60F36) auf die Dotierung zu studieren. Dies ermöglicht Schlussfolgerungen auf die in der Literatur bisher nur abgeschätzten Energieniveaus dieser Dotanden. Ferner werden die Eigenschaften des bereits theoretisch modellierten Paares Pentacen und F4-TCNQ mit den Vorhersagen verglichen und die Abweichungen diskutiert. Abschießend wird ein Modell entwickelt, das die Abschätzung von Dotiereffizienz, Ladungsträgerkonzentration, Ladungsträgerbeweglichkeit sowie der Position des Transportniveaus aus Leitfähigkeits- und Seebeck-Messungen erlaubt.

Es wird der Eigenschaftsbereich von thermisch modififizierter Kartoffelstärke erweitert und durch viele Proben sowie eine große Probenmenge verififiziert. Ziel ist es neue Möglichkeiten zur Optimierung der Stärke-Prozesskette zu erschließen und somit das industrielle Anwendungsspektrum für den Ausgangsstoff Stärke zu vergrößern. Native und konditionierte Kartoffelstärke werden auf neuartige Weise durch eine (Vakuum-)Mikrowellenbehandlung und durch eine konvektive Ofenbehandlung im Labormaßstab thermisch modififiziert. Um Einflussparameter auf die resultierende Eigenschaftsänderung zu identififizieren, werden das Quellungs- und Lösungsverhalten der Stärkeproben in wässriger Umgebung charakterisiert sowie das Stärkegel mikroskopisch untersucht. Eine Steigerung der variierten Behandlungsparameter (Behandlungsdauer und -temperatur bzw. -leistung) bewirkt unabhängig vom Behandlungsverfahren eine Zunahme der Quellung und der Löslichkeit. Die schlüssige grafifische Darstellung der Ergebnisse offenbart die Unterschiede zwischen den thermischen Verfahren. Bei der Mikrowellenbehandlung verursacht der ungehinderte Eintrag der Feldenergie in die Stärke eine erheblich schnellere Modififikation gegenüber der Ofenbehandlung. Bei der Vakuum-Mikrowellenbehandlung bewirkt der große Dampfdruck-Gradient eine intensivere Behandlung gegenüber der Mikrowellenbehandlung bei Atmosphärendruck. Mit den Verfahren können vorbestimmte Eigenschaften der Kartoffelstärke bewirkt werden, bspw. verursacht die Mikrowellenbehandlung eine geringere Löslichkeit als die Ofenbehandlung. Bei der Ofenbehandlung verringert eine Befeuchtung die Quellung und die Löslichkeit, was ähnlich dem Heat-Moisture-Effekt auf eine Modififikation der Stärkestruktur bei erhöhter Feuchte zusammen mit hoher Temperatur hindeutet. Die mikroskopische Geluntersuchung zeigt Unterschiede des Stärkegels für die verschiedenen Verfahren. Nach der Vakuum-Mikrowellenbehandlung brechen bei der Quellung einzelne Körner im Glasübergangsstadium auf und die Kornfragmente sind als Schlieren sichtbar.

Magnetické nanostruktury mají zajímavé vlastnosti, které umožňují jejich aplikace v základním výzkumu i průmyslu. Jednou z těchto vědeckých disciplín je i magnonika - výzkumný obor, který se zabývá fyzikou spinových vln, které lze použít v nediskrétních výpočtech s nízkými ztrátami energie. Výroba magnetických struktur fokusovaným iontovým svazkem (FIB) je alternativní metoda k běžně používaným litografickým metodám. Materiál použitý v této práci - metastabilní železo - je schopen při ozáření iontovým svazkem podstoupit fázovou transformaci z paramagnetické plošně centrované kubické krystalové struktury na feromagnetickou fázi s prostorově centrovanou kubickou krystalovou strukturou. Jednou z vlastností, která ovlivňuje šíření spinových vlny, je magnetická anizotropie. Tato práce představuje vliv depozičních podmínek v ultra vysokém vakuu během přípravy metastabilní železné vrstvy na magnetickou anizotropii struktur vytvořených pomocí FIB do tohoto filmu. Dále prezentujeme souvislosti mezi parametry FIB, krystalografickými vlastnostmi výsledných struktur a jejich magnetickou anizotropií.

Der Einfluss der Modifikation der technologisch relevanten GaAs(100) Oberfläche durch Chalkogene, i.e. Selen, Schwefel und Tellur, wird in dieser Arbeit untersucht. Es wird ein Modell vorgestellt, das die Eigenschaften der modifizierten Oberfläche beschreibt. In einem zweiten Schritt werden die so modifizierten Oberflächen mit Metallen unterschiedlicher Reaktivität und verschiedenen Elektronegativitäten bedampft. Die Bandbreite dieser Eigenschaften wird durch die Metalle Indium und Silber, das Alkalimetall Natrium, das Erdalkalimetall Magnesium und das Halbmetall Antimon abgebildet. Die Untersuchung des Einflusses der Chalkogene auf die chemischen Eigenschaften und die Barrierenhöhe der Metall/GaAs(100) Grenzfläche bilden einen weiteren Schwerpunkt. Die Änderung der Barrierenhöhe wird dabei mit Hilfe des Modells metallinduzierter Bandlückenzustände (metal induced gap states) erklärt. Als experimentelle Techniken werden Photoemissionsspektroskopie, Raman Spektroskopie und Strom-Spannungsmessungen verwendet. / The influence of a modification of the technological relevant GaAs(100) surface by chalcogens, i.e. selenium, sulphur and tellurium, is evaluated in this work. A model is proposed, which describes the properties of the modified surface. In a second step metals of different reactivity and electronegativity have been evaporated onto these modified surfaces. Among these materials were the metals indium and silver, the alkali metal sodium, the earth alkali metal magnesium and the half metal antimony. The investigation of the influence of chalcogens on the chemical properties and the barrier height of the metal/GaAs(100) interface is another point of interest. The change in barrier height is explained by the model of metal induced gap states (MIGS). Photoemission spectroscopy, Raman spectroscopy and current-voltage-measurement have been used as experimental techniques.

Es wird der Eigenschaftsbereich von thermisch modififizierter Kartoffelstärke erweitert und durch viele Proben sowie eine große Probenmenge verififiziert. Ziel ist es neue Möglichkeiten zur Optimierung der Stärke-Prozesskette zu erschließen und somit das industrielle Anwendungsspektrum für den Ausgangsstoff Stärke zu vergrößern. Native und konditionierte Kartoffelstärke werden auf neuartige Weise durch eine (Vakuum-)Mikrowellenbehandlung und durch eine konvektive Ofenbehandlung im Labormaßstab thermisch modififiziert. Um Einflussparameter auf die resultierende Eigenschaftsänderung zu identififizieren, werden das Quellungs- und Lösungsverhalten der Stärkeproben in wässriger Umgebung charakterisiert sowie das Stärkegel mikroskopisch untersucht. Eine Steigerung der variierten Behandlungsparameter (Behandlungsdauer und -temperatur bzw. -leistung) bewirkt unabhängig vom Behandlungsverfahren eine Zunahme der Quellung und der Löslichkeit. Die schlüssige grafifische Darstellung der Ergebnisse offenbart die Unterschiede zwischen den thermischen Verfahren. Bei der Mikrowellenbehandlung verursacht der ungehinderte Eintrag der Feldenergie in die Stärke eine erheblich schnellere Modififikation gegenüber der Ofenbehandlung. Bei der Vakuum-Mikrowellenbehandlung bewirkt der große Dampfdruck-Gradient eine intensivere Behandlung gegenüber der Mikrowellenbehandlung bei Atmosphärendruck. Mit den Verfahren können vorbestimmte Eigenschaften der Kartoffelstärke bewirkt werden, bspw. verursacht die Mikrowellenbehandlung eine geringere Löslichkeit als die Ofenbehandlung. Bei der Ofenbehandlung verringert eine Befeuchtung die Quellung und die Löslichkeit, was ähnlich dem Heat-Moisture-Effekt auf eine Modififikation der Stärkestruktur bei erhöhter Feuchte zusammen mit hoher Temperatur hindeutet. Die mikroskopische Geluntersuchung zeigt Unterschiede des Stärkegels für die verschiedenen Verfahren. Nach der Vakuum-Mikrowellenbehandlung brechen bei der Quellung einzelne Körner im Glasübergangsstadium auf und die Kornfragmente sind als Schlieren sichtbar.:1 Einleitung 1.1 Hintergrund - Marktrelevanz von Stärke 1.2 Motivation - Verfahrensrelevanz von Stärke 1.3 Zielsetzung und Lösungsansatz 2 Stand des Wissens über Stärke 2.1 Thermodynamische Modellvorstellung für hygroskopische, kapillarporöse Materialien 2.2 Aufbau 2.3 Eigenschaften in wässriger Umgebung 2.4 Thermische Behandlungsverfahren und Charakterisierungsmethoden 3 Material und Methoden 3.1 Ausgangsmaterial Kartoffelstärke 3.2 Bestimmung der Feuchte im Stärkepulver 3.3 Konditionierung zur Variation der Anfangsfeuchte im Stärkepulver 3.4 Thermische Behandlung der Stärke im Ofen 3.5 Thermische Behandlung der Stärke in der Mikrowelle 3.6 Labortechnische Charakterisierung der Quellung und der Löslichkeit 3.7 Mikroskopische Untersuchung des Stärkegels 4 Durchführung 4.1 Experimenteller Ablauf 4.2 Versuchsplanung 4.3 Ergebnisdarstellung 5 Ergebnisse und Diskussion 5.1 Einfluss der Wasserbadtemperatur auf Charakterisierungsparameter 5.2 Charakterisierung nativer Stärke mit variierter Anfangsfeuchte 5.3 Charakterisierung der im Ofen behandelten Stärke 5.4 Charakterisierung der Vakuum-Mikrowellen behandelten Stärke 5.5 Charakterisierung der Mikrowellen behandelten Stärke 5.6 Gegenüberstellung der untersuchten Behandlungsverfahren 6 Zusammenfassung und Ausblick

Im Rahmen der Arbeit wurde das Potential von Magnesium für den Einsatz im Fahrwerk eines Automobils, am Beispiel der Querbrücke des Hinterachsträgers, ermittelt. Verschiedene Mg-Legierungen wurden im konventionellen und vakuumunterstützen Druckguss vergossen und der Al-Legierung vergleichend gegenübergestellt. Es wurden in einem ersten Schritt statische und zyklische Werkstoffkennwerte sowie Materialmodelle erforscht und bewertet. Verschiedene Lastfälle im Standard- und Sonderfahrbetrieb wurden durch statische und zyklische Betriebsfestigkeitssimulationen abgesichert. Konstruktive Bauteiloptimierungen waren notwendig um den Werkstoff Magnesium an die Anforderungen der Querbrücke anzupassen. Äußere Umwelteinflüsse im Fahrbetrieb machten ein Korrosionsschutzkonzept für die Querbrücke aus Magnesium notwendig. Untersucht wurden dabei verschiedene Maßnahmen zur Vermeidung von Kontakt- und Oberflächenkorrosion. Grundsätzlich scheint der Einsatz von Magnesium im Fahrwerk im Bereich mittlerer Betriebsbelastungen denkbar.

Vacuum handling is a widespread technology in automated production systems for gripping of workpieces. Unfortunately, this solution accounts for a considerable share of industrial energy consumption. This consumption is mainly due to the losses in the involved steps like air compression, distribution, vacuum generation and gripper suction. However, the energy efficiency of vacuum handling systems is still relatively unexplored. The consortium partners are working together in the BiVaS project, which is funded by the Federal Ministry for Economic Affairs and Energy (BMWi). In this project, the drawback of high energy consumption is approached by the development of an energyefficient ejector, a biomimetic suction gripper as well as on system integration and the development of energy-efficient operating strategies and their energetic balancing in order to reduce the consumption of compressed air by 20 %. This reduction will be quantified experimentally in a pilot plant benchmark, where a realistic handling process is developed and examined. This paper shows the state of the art focusing on energy consumption of vacuum handling technology and the behaviour of the involved components during different handling operations. Furthermore, first biomimetic concepts and an estimation of the increase of energy efficiency will be presented for the running project.

This work aims at improving the understanding of the fundamental physics behind molecular doping of organic semiconductors, being a requirement for efficient devices like organic light-emitting diodes (OLED) and organic photovoltaic cells (OPV). The underlying physics is studied by electrical conductivity and thermoelectrical Seebeck measurements and the influences of doping concentration and temperature are investigated. Thin doped layers are prepared in vacuum by thermal co-evaporation of host and dopant molecules and measured in-situ. The fullerene C60, known for its high electron mobility, is chosen as host for five different n-dopants. Two strongly ionizing air-sensitive molecules (Cr2(hpp)4 and W2(hpp)4) and three air-stable precursor compounds (AOB, DMBI-POH and o-MeO-DMBI-I) which form the active dopants upon deposition are studied to compare their doping mechanism. High conductivities are achieved, with a maximum of 10.9 S/cm. Investigating the sample degradation by air-exposure, a method for regeneration is proposed, which allows for device processing steps under ambient conditions, greatly enhancing device fabrication possibilities. Various material combinations for p-doping are compared to study the influence of the molecular energy levels of host (MeO-TPD and BF-DPB) and dopant (F6-TCNNQ and C60F36). Corrections for the only estimated literature values for the dopant levels are proposed. Furthermore, the model system of similar-sized host pentacene and dopant F4-TCNQ is studied and compared to theoretical predictions. Finally, a model is developed that allows for estimating charge carrier mobility, density of free charge carriers, doping efficiency, as well as the transport level position from combining conductivity and Seebeck data.:1 Introduction 2 Fundamentals of Organic Semiconductors 2.1 Conventional Semiconductors 2.2 Organic Semiconductors 2.3 Seebeck Effect 2.4 Correlation of Seebeck Coefficient and Charge Carrier Density 3 Experimental 3.1 Seebeck Setup 3.2 Materials 4 Air-Sensitive n-Dopants in C60 4.1 Conductivity 4.2 Thermoelectric Measurements 4.3 Morphology 4.4 Degradation 4.5 Conclusion 5 Air-Stable n-Dopants in C60 5.1 Conductivity 5.2 Thermoelectric Measurements 5.3 Morphology 5.4 Conclusion for AOB and DMBI-POH 5.5 o-MeO-DMBI-I 6 p-Dopants in Amorphous Hosts 6.1 Conductivity 6.2 Thermoelectric Measurements 6.3 Degradation 6.4 Conclusion 7 Pentacene p-Doped by F4-TCNQ 7.1 Conductivity Changes after Preparation 7.2 Relation of Conductivity to Doping Concentration 7.3 Comparison of Seebeck Energy and Activation Energy 7.4 Conclusion 8 Estimating the Doping Efficiency and the Mobility 8.1 Lower Limit of the Mobility 8.2 Lower Limit of the Doping Efficiency 8.3 Conclusions from Seebeck Measurements 8.4 Assuming a Constant Transport Level 8.5 Applying the Models to p-Doped Data 8.6 Conclusion 9 Summary and Outlook 9.1 Summary 9.2 Outlook / Diese Arbeit untersucht organische Halbleiter und den Einfluss von molekularer Dotierung auf deren elektrische Eigenschaften, mit dem Ziel effizientere Bauelemente wie organische Leuchtdioden oder Solarzellen zu ermöglichen. Mittels Leitfähigkeitsuntersuchungen sowie thermoelektrischen Seebeck-Messungen werden die Einflüsse der Dotierkonzentration sowie der Temperatur auf die elektrischen Eigenschaften dünner dotierter Schichten analysiert. Das Abscheiden der Schichten durch Koverdampfen im Vakuum ermöglicht eine in-situ Analyse. Das Fulleren C60, bekannt für besonders hohe Elektronenbeweglichkeit, wird als Wirt für fünf verschieden n-Dotanden, zwei extrem stark ionisierende luftreaktive (Cr2(hpp)4 und W2(hpp)4) sowie drei luftstabile (AOB, DMBI-POH und o-MeO-DMBI-I), verwendet. Dies ermöglicht Schlüsse auf die unterschiedlichen zugrunde liegenden Dotiermechanismen und das Erreichen von Leitfähigkeiten von bis zu 10.9 S/cm. Für einen der luftreaktiven Dotanden wird die Probendegradation an Luft untersucht und eine Regenerationsmethode aufgezeigt, die Prozessierungsschritte in Luft erlaubt und somit entscheidend für zukünftige Bauelementfertigung sein könnte. Verschiedene p-dotierte Materialkombinationen werden untersucht, um den Einfluss der molekularen Energieniveaus von Wirt (MeO-TPD und BF-DPB) und Dotand (F6-TCNNQ und C60F36) auf die Dotierung zu studieren. Dies ermöglicht Schlussfolgerungen auf die in der Literatur bisher nur abgeschätzten Energieniveaus dieser Dotanden. Ferner werden die Eigenschaften des bereits theoretisch modellierten Paares Pentacen und F4-TCNQ mit den Vorhersagen verglichen und die Abweichungen diskutiert. Abschießend wird ein Modell entwickelt, das die Abschätzung von Dotiereffizienz, Ladungsträgerkonzentration, Ladungsträgerbeweglichkeit sowie der Position des Transportniveaus aus Leitfähigkeits- und Seebeck-Messungen erlaubt.:1 Introduction 2 Fundamentals of Organic Semiconductors 2.1 Conventional Semiconductors 2.2 Organic Semiconductors 2.3 Seebeck Effect 2.4 Correlation of Seebeck Coefficient and Charge Carrier Density 3 Experimental 3.1 Seebeck Setup 3.2 Materials 4 Air-Sensitive n-Dopants in C60 4.1 Conductivity 4.2 Thermoelectric Measurements 4.3 Morphology 4.4 Degradation 4.5 Conclusion 5 Air-Stable n-Dopants in C60 5.1 Conductivity 5.2 Thermoelectric Measurements 5.3 Morphology 5.4 Conclusion for AOB and DMBI-POH 5.5 o-MeO-DMBI-I 6 p-Dopants in Amorphous Hosts 6.1 Conductivity 6.2 Thermoelectric Measurements 6.3 Degradation 6.4 Conclusion 7 Pentacene p-Doped by F4-TCNQ 7.1 Conductivity Changes after Preparation 7.2 Relation of Conductivity to Doping Concentration 7.3 Comparison of Seebeck Energy and Activation Energy 7.4 Conclusion 8 Estimating the Doping Efficiency and the Mobility 8.1 Lower Limit of the Mobility 8.2 Lower Limit of the Doping Efficiency 8.3 Conclusions from Seebeck Measurements 8.4 Assuming a Constant Transport Level 8.5 Applying the Models to p-Doped Data 8.6 Conclusion 9 Summary and Outlook 9.1 Summary 9.2 Outlook

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