臺灣在2015年高齡人口（65歲以上）比例超過12.5%，依照國家發展委員會的2016年人口推估，預計將於2018年正式邁入高齡社會（高齡人口比例14%），2026年更突破20%的門檻，人口老化速度持續加快。因為身體機能隨年齡增長等因素逐漸老化，高齡人口的就醫需求通常也較多，包括就醫金額、就醫次數，根據中央健康保險署2014年統計，高齡人口比例約為12.0%，但其醫療費用卻佔總費用37.6%。因此本文以探討高齡人口就醫特性為目標，透過高齡人口就醫行為去了解醫療現況，並評估因老化而引發的醫療資源。 本文以高齡人口特性及就醫需求為研究方向，探討近十年高齡人口就醫需求的基本特性，如：醫療使用率、平均就醫次數及平均醫療費用。接著以高齡人口就醫選擇集中度做為出發點，計算各疾病下的就醫集中程度，探討是否高齡人口會隨著不同疾病而有不同的就醫行為。研究結果顯示年紀越大的高齡人口，醫療使用率反而下降，但平均總醫療花費隨著年齡增加亦跟著上升；另外在不同的疾病下會有不同的就醫行為，當就醫地選擇越一致其死亡率也越低。計算依據為全民健康保險資料庫2005年百萬高齡人口抽樣檔，包括承保資料檔(ID)、門診處方及治療明細檔(CD)、住院醫療費用清單明細檔(DD)，以六十五歲以上高齡人口為研究對象，探討其醫療利用行為及就醫習性。 / The population aging is speeding up in Taiwan. The elderly population (65 years and older) is more than 12.5% in 2015 and, according to the population projection of National Development Council, it is expected to reach 14% and 20% in 2017 and 2026, respectively. The elderly usually require more medical attention, partly due to the fact that the human organs degenerate with time. For example, in 2014, the proportion of elderly is about 12.0% and they account for 37.6% of total medical expenditure (Source: National Health Insurance Administration). Taiwan’s total medical expenditure will continue to grow and we need to understand the medical needs of Taiwan’s elderly, in order to cope with the need of aging society. Therefore, we use the data from the National Health Insurance Research Database (NHIRD) to explore the medical needs and behaviors of receiving medical care of Taiwan’s elderly. The dataset used in this study is a sample (one million people aged 65 and beyond, about 46% of total population) of Taiwan’s elderly and the dataset contains the Registry for beneficiaries (ID), outpatient visits (CD), and inpatient admissions (DD). Our analyses show that almost all elderly have at least one medical visit annually and their diseases are more diverse than those of younger generations. Also, the elderly have larger inertia in medical visits and, for example, the proportion of choosing the same medical institution is higher. The results of this study can serve as a reference to future policy planning and resource allocation for the elderly.

京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(理学) / 甲第23032号 / 理博第4709号 / 新制||理||1675(附属図書館) / 京都大学大学院理学研究科化学専攻 / (主査)教授 島川 祐一, 教授 倉田 博基, 教授 長谷川 健 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Science / Kyoto University / DGAM

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第18566号 / 工博第3927号 / 新制||工||1603(附属図書館) / 31466 / 京都大学大学院工学研究科社会基盤工学専攻 / (主査)教授 木村 亮, 教授 杉浦 邦征, 教授 三村 衛 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第18940号 / 工博第3982号 / 新制||工||1614(附属図書館) / 31891 / 京都大学大学院工学研究科建築学専攻 / (主査)教授 林 康裕, 教授 竹脇 出, 教授 川瀬 博 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

第2章の内容：Engineering Fracture Mechanics. Vol.120 (2014) pp.60～66に掲載, 第3章の内容：材料 Vol.65 No.2 (2016)に掲載予定. 第4章の内容：日本機械学会論文集 Vol.81 No.831 p.15-00446 (2015)に掲載 / 京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19683号 / 工博第4138号 / 新制||工||1639(附属図書館) / 32719 / 京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻 / (主査)教授 北村 隆行, 教授 北條 正樹, 教授 西脇 眞二 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19715号 / 工博第4170号 / 新制||工||1643(附属図書館) / 32751 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 山田 啓文, 教授 北野 正雄, 教授 杉村 博之 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

京都大学 / 0048 / 新制・論文博士 / 博士(工学) / 乙第13052号 / 論工博第4145号 / 新制||工||1657(附属図書館) / 33142 / (主査)教授 中島 正愛, 教授 川瀬 博, 教授 竹脇 出 / 学位規則第4条第2項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

SiGe HBTs are preferred for quantum computing (QC) readout circuits due to their high gain and speed as well as the integration with complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. The device physics of SiGe HBTs at cryogenic temperatures (CT), like carrier scattering, carrier transport, high-injection effects were not systematically and physically investigated. Thus, a physical compact model for circuit simulation did not exist at the start of this thesis work. In this work, the measurement setup has been built for obtaining direct-current (DC) and small-signal characteristics from medium to high frequencies over a wide temperature range. The radio frequency (RF) power of network analyzer and integration time of source monitor units have been investigated to ensure the accuracy of the DC and small-signal measurement. The key electrical parameters of SiGe HBTs have been characterized. The temperature trend of the transfer current, base current, sheet resistance, depletion capacitance, and built-in voltage, zero-bias hole charge have been extensively demonstrated and physically analyzed. Based on the comprehensive investigation on the electrical parameters over a wide range of temperatures, the following work consists of two parts: (1) the existing analytical formulations for various electrical components have been compared for their validation, and (2) in case of evident discrepancies the physical origin has been analyzed and valid compact formulations have been derived. For the first part, different bandgap models have been compared and the Lin et al. model is used for both TCAD simulation and compact model due to its high accuracy over a wide temperature and easy normalization for compact model usage. Based on the normalized bandgap voltage model, the derived built-in voltage model has been verified utilizing measured value for three depletion regions, i.e., base-emitter, base-collector and collector-substrate junction. Because the temperature dependence of zero-bias depletion capacitance and hole charge is attributed to the built-in voltage, the temperature behaviors of capacitance and hole charge are well modeled by the existing formulations according to the comparison between calculation and measurement. For the second part, for various SiGe HBT components discrepancies between model and measurement have been identified and comprehensive studies have been conducted. Firstly, the measured sheet and contact resistances of various components reduce with decreasing temperatures and saturate as the temperature towards 0K, which cannot be modeled by a widely used single power-law model. A Matthiesen's rule based model, consisting of two scattering mechanisms with opposite temperature trend, agrees well with the measured values. Additionally, an extended power-law model with a linear term is deduced for backward compatibility and less parameters. Secondly, direct tunneling is supposed to be dominant for transfer current at cryogenic temperatures, and a comprehensive derivation of transfer tunneling current for SiGe HBT is demonstrated. Moreover, a pronounced downward bending effect in both base-emitter and base-collector currents becomes significant at high current density region with decreasing temperatures. A modified diode current model including high-injection effect is given. Additionally, the recombination current is relevant for base-collector current and has been considered in the model. Due to the different temperature trends of thermal conductivity of silicon from cryogenic to room temperature, the thermal resistance shows a bell-shape and a modified formulation has been derived. Moreover, the dependence on chuck temperature and power dissipation has been considered. Finally, the derived formulations have been implemented in the mainstream industry BJT/HBT compact model, HIgh CUrrent Model - Level 2 (HICUM/L2), and good agreement has been achieved with the measurement. / Silizium-Germanium (SiGe) Heterojunction-Bipolartransistoren (HBTs) werden aufgrund ihrer hohen Verstärkung und Geschwindigkeit sowie der Integration in die komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS)-Technologie für Ausleseschaltungen im Quantencomputer (QC) bevorzugt. Die Bauelemente Physik von SiGe-HBTs bei kryogenen Temperaturen (CT), wie z.B. Ladungsträgerstreuung, Ladungsträgertransport und Hochinjektionseffekte, wurde nicht systematisch und physikalisch untersucht. Daher gab es kein physikalisches Kompaktmodell für die Schaltungssimulation zu Beginn dieser Arbeit. In dieser Arbeit wurde der Messaufbau für Gleichstrom- und Kleinsignaleigenschaften von mittleren bis hohen Frequenzen über einen weiten Temperaturbereich aufgebaut. Die Radiofrequenz (RF)-Leistung des Netzwerkanalysators und die Integrationszeit der Source-Monitor-Einheiten wurden untersucht, um die Genauigkeit der Gleichstrom- und Kleinsignalmessung zu gewährleisten. Die wichtigsten elektrischen Parameter von SiGe HBTs wurden charakterisiert. Der Temperaturtrend des Transferstroms, des Basisstroms, der Schichtwiderstände, der Verarmungskapazitäten, der eingebauten Spannung und der Gleichgewicht-Lochladung wurde ausführlich demonstriert und physikalisch analysiert. Basierend auf der umfassenden Untersuchung der elektrischen Parameter über einen weiten Temperaturbereich besteht diese Arbeit aus zwei Teilen: (1) die bestehenden analytischen Formulierungen für verschiedene elektrische Komponenten wurden zu ihrer Validierung verglichen, und (2) im Falle von Abweichungen wurden die physikalischen Ursachen analysiert und gültige kompakte Formulierungen abgeleitet. Für den ersten Teil wurden verschiedene Bandgap-Modelle verglichen, wobei das Modell von Lin et al. für sowohl Technology Computer-Aided Design (TCAD) Simulation als auch das Kompaktmodell aufgrund seiner hohen Genauigkeit über einen großen Temperaturbereich und der einfachen Normierung im Kompaktmodell verwendet wurde. Auf der Grundlage des normaierten Bandlückenmodells wurde das abgeleitete eingebaute Spannungsmodell anhand von Messwerten für drei Verarmungsbereiche, d.h. Basis-Emitter-, Basis-Kollektor- und Kollektor-Substrat-Übergang, verifiziert. Da die Temperaturabhängigkeit der Verarmungskapazität und der Löcherladung auf die eingebaute Spannung zurückzuführen ist, wird das Temperaturverhalten der Kapazität und der Löcherladung gemäß dem Vergleich zwischen den Berechnungen und den Messungen durch die ausgearbeitete Formulierung gut modelliert. Im zweiten Teil wurden für verschiedene Komponenten des SiGe HBTs Abweichungen zwischen Modellen und Messungen identifiziert und umfassende Studien durchgeführt. Erstens nehmen die gemessenen Schicht- und Kontaktwiderstände verschiedener Komponenten mit abnehmender Temperatur ab und bleiben konstant mit der Temperatur in Richtung 0K, was nicht durch ein weit verbreitetes einfaches Power-Law-Modell modelliert werden kann. Ein auf der Matthiesenschen Regel basierendes Modell, das aus zwei Streumechanismen mit entgegengesetztem Temperaturtrend besteht, stimmt gut mit den gemessenen Werten überein. Zusätzlich wird ein erweitertes Power-Law-Modell mit einem linearen Term abgeleitet, um bei geriegerer Parameterzahl die Rückwärtskompatibilität zu gewährleisten. Zweitens wird angenommen, dass direktes Tunneln für den Transferstrom bei kryogenen Temperaturen dominant ist, und es wird eine umfassende Herleitung des Transfer-Tunnelstroms für SiGe HBTs. Drittens wird ein ausgeprägter Effekt sowohl bei den Basis-Emitter- als auch bei den Basis-Kollektor-Strömen im Bereich hoher Stromdichten mit abnehmender Temperatur signifikant. Es wird ein modifiziertes Diodenstrommodell angegeben, das den Hochinjektionseffekt berücksichtigt. Darüber hinaus ist der Rekombinationsstrom für den Basis-Kollektor-Strom von Bedeutung und wurde in dem Modell berücksichtigt. Viertens zeigt der Wärmewiderstand aufgrund des unterschiedlichen Temperaturverlaufs der Wärmeleitfähigkeit in Silizium von Tieftemperatur bis Raumtemperaturen eine Glockenkurve und es wurde eine modifizierte Formulierung abgeleitet. Außerdem wurde die Abhängigkeit von der Chuck-Temperatur und der Verlustleistung wurde berücksichtigt. Schließlich wurden die abgeleiteten Formulierungen in das branchenübliche Bipolartransistor (BJT)/HBT Kompaktmodell, HIgh CUrrent Model - Level 2 (HICUM/L2), implementiert, und es wurde eine gute Übereinstimmung mit der Messung erzielt. / 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)因其高增益、高速度以及与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的集成而成为量子计算(QC)读出电路的首选。极低温 (CT) 下 SiGe HBT 的器件物理特性，如载流子散射、载流子传输、高注入效应等，尚未得到系统的物理研究。因此，在本论文工作开始时，并不存在用于极低温下电路仿真的紧凑型物理模型。 在这项工作中，首先搭建立了极低温电学测量装置，用于在宽温度范围内获得直流(DC)和中高频率小信号特性。为确保直流和小信号测量的准确性，对矢网分析仪的射频功率和信号源测量单元(SMU)的积分时间进行了研究。对 SiGe HBT 的关键电气参数进行了表征。对传输电流、基极电流、薄膜电阻、耗尽电容、内建电压、零偏置空穴电荷的温度变化趋势进行了广泛的论证和物理分析。 基于对宽温度范围内电气参数的全面研究，以下工作由两部分组成：(1) 比较各种电气元件的现有解析公式，以验证其有效性；(2) 对于有明显差异的物理量分析其物理原因，并推导出有效的紧凑型。 在第一部分中，比较了不同的禁带温度模型，由于 Lin 等提出的模型在较宽温度范围内具有较高的精确度，而且易于归一化，因此被用于 TCAD 仿真和紧凑型模型。根据归一化禁带温度模型，利用三个耗尽区(即基极-发射极、基极-集电极和集电极-衬底交界处)的测量值验证了推导出的内建电压模型。由于零偏压耗尽电容和空穴电荷的温度依赖性归因于内建电压，因此根据计算和测量结果的比较，现有公式可以很好地模拟电容和空穴电荷的温度行为。 在第二部分中，针对各种 SiGe HBT 组分发现了模型与测量值之间的差异，并进行了全面研究。首先，测量到的各种组分的薄膜电阻和接触电阻随着温度的降低而减小，当温度接近 0K 时达到饱和，这无法用广泛使用的单一幂律模型来模拟。基于 Matthiesen 规则的模型由两种温度趋势相反的散射机制组成，与测量值非常吻合。此外，为了实现向前兼容和减少参数，还推导出一个带有线性项的扩展幂律模型。其次，在低温条件下，直接隧穿是传输电流的主导，因此对 SiGe HBT 的传输隧穿电流进行了全面推导。此外，随着温度的降低，在高电流密度区域，基极-发射极和基极-集电极电流都会出现明显的向下弯曲效应，由此包含高注入效应的修正二极管电流模型给出。此外，模型还考虑了与基极-集电极电流相关的复合电流。由于硅的热导率从低温到室温的温度变化趋势不同，热阻呈现钟形，因此得出了一个修正的公式。此外，还考虑了热阻受环境温度和功耗的相关性。 最后，推导的公式嵌入到工业界主流 BJT/HBT 紧凑型模型 HIgh CUrrent Model - Level 2 (HICUM/L2) 中，仿真结果与测量结果取得了良好的一致。

科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:14205040 研究代表者:早川 直樹 研究期間:2002-2003年度

電力用遮断器の油圧操作装置において，油圧回路内の気泡が操作装置の動作に及ぼす悪影響を解消するために，新しい油圧回路方式である常時高圧安定回路方式を提案し，油圧回路内の流れおよび可動部の定式化と解析および実測を行った．本方式の動作特性と動作安定性，ピストンの制動特性，複数の油圧操作装置の駆動特性について検討し，本方式が有効かつ安定的に機能することを確認した．以上により，油圧操作装置の動作時間安定化技術を開発することができた． / We proposed and studied a hydraulic operation stabilizing system for a hydraulic operating device of a circuit breaker to eliminate the influence of air bubbles created in hydraulic fluid. We formulated the flow of hydraulic circuit and the motion of moving parts, which were numerically simulated and experimentally confirmed. We confirmed that this stabilizing system functioned effectively and stably through the investigation: operation characteristics and stability of the stabilizing system, braking characteristics of a piston-dashpot system and operation characteristics of two hydraulic operating devices. Based on the results, we could perform an engineering development for stabilizing operation time of the hydraulic operating device. / 博士(工学) / Doctor of Philosophy in Engineering / 同志社大学 / Doshisha University