CrSi2 ist eines der wenigen halbleitenden Silicide. Wegen seiner hohen thermischen und chemischen Stabilität ist es einerseits für thermoelektrische Anwendungen geeignet, andererseits kommt es auch für photovoltaische und mikro-elektronische Applikationen in Frage. Vorraussetzung ist oftmals eine definierte Silizium(001)-Silicid Grenzfläche. Aus diesem Grunde wurden dünne CrSi2-Schichten in einer MBE-Anlage unter UHV-Bedingungen auf n-Si(001) Substrat gewachsen. Die sich ergebene Schichtmorphologie wurde in Abhängigkeit von unterschiedlichen Herstellungsparametern mittels TEM und REM untersucht. Des weiteren wurden die Schichten mit Hilfe von Elektronen- und Röntgenbeugung hinsichtlich bevorzugt auftretender Epitaxiebeziehungen charakterisiert.

In der Mikrosystemtechnik werden Bauelemente mit mikroskopischen Abmessungen hergestellt. Für Mikrospiegel werden Reflexionsbeschichtungen entwickelt, die den speziellen Anforderungen dieser Substrate genügen. Die Reflexionsschichten werden durch DC- und HF- Magnetronsputtern unter Verwendung der Materialien Aluminium, Silber, Titan, Aluminium-(Silizium1%)-oxid, Aluminium-(Silizium1%)-nitrid und Titanoxid hergestellt. Die Abscheideprozesse der einzelnen Schichten werden detailliert vorgestellt. Die dünnen Schichten werden charakterisiert, wobei der Schwerpunkt auf den Schichtspannungen und auf den optischen Eigenschaften liegt. Als Reflexionsbeschichtungen werden folgende drei Lösungen hergestellt, charakterisiert und miteinander verglichen: 1. Einfache Aluminiumschichten; 2. Aluminium mit einer Vergütung aus Aluminium-(Silizium1%)-oxid und Titanoxid; 3. Silber auf Titan-Haftschicht mit einer Vergütung aus Aluminium-(Silizium1%)-nitrid und Titanoxid. Der Aufbau des Silberschichtsystems stellt eine Eigenentwicklung dar, die auch auf andere Anwendungen übertragbar ist. Die Stabilität der Beschichtungen sowie die Anwendbarkeit auf Mikrospiegeln werden nachgewiesen.

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von dünnen Schichten im ternären System B-C-N. In diesem System sind einerseits die härtesten heute bekannten Materialien (Diamant, c-BN) enthalten, aber andererseits auch Stoffe mit unterschiedlichsten elektrischen Eigenschaften (Graphit, h-BN). Es besteht daher das Bestreben, verschiedene bekannte Materialien zu kombinieren und so deren Eigenschaften in gewünschter Weise einzustellen. Allerdings wird sowohl experimentell als auch theoretisch des öfteren eine Separation in BN- und C/CNx-Phasen beobachtet. Im Rahmen dieser Arbeit wurden Schichten über einen weiten Stöchiometriebereich mittels reaktiver DC-Magnetronzerstäubung hergestellt und untersucht. Schwerpunkt wurde dabei auf die Analyse der Struktur und des Bindungszustandes sowie die mechanischen Eigenschaften Härte und Elastizitätsmodul gelegt. Es wird diskutiert, in welchen Elementezusammensetzungen wirkliche ternäre Verbindungen entstanden sind und ein Zusammenhang zwischen Struktur und mechanischen Eigenschaften in Form einer empirischen Formel abgeleitet.

Thin films become more and more important in science and industry. The main objective of this work was the expanding of the measurement capabilities of the XRD 3000PTS to the field of thin films. The success of the changes was documented by maesurements on TiC thin films. / Dünne Schichten gewinnen in Forschung und Industrie zunehmend an Bedeutung. Ziel der Arbeit war es deshalb, den Einsatzbereich des vorhandenen Diffraktometers XRD 3000PTS auf Untersuchungen an dünnen Schichten zu erweitern. Der Erfolg der Veränderungen konnte mit Messungen an einer TiC Probenserie bestätigt werden.

Die vorliegende Arbeit gründet auf einer neuartigen analytischen Theorie zum HERTZschen Kontakt am geschichtet aufgebauten Halbraum von N. SCHWARZER (1998). Der Kugeleindruckversuch in Schichtsysteme kann damit im linear-elastischen Bereich exakt beschrieben werden, was bereits erfolgreich zur Bestimmung des Elastizitätsmoduls von ultradünnen Schichten ausgenutzt wurde. Mit der Theorie kann aber auch das Spannungsfeld im Grenzfall elastischer Deformation, zu Beginn des Materialversagens analysiert werden. Über die Kenntnis kritischer Spannungswerte ließen sich damit Versagensmechanismen identifizieren. So konnte kürzlich für Schichten im System Si3N4/SiO2 gezeigt werden, dass die VON MISES-Vergleichsspannung im Versagensfall kritische Werte annimmt. Dies ist wiederum typisch für das plastische Versagen, womit erstmals die Fließpannung von Dünnschichten bestimmt wurde. Im Rahmen dieser Arbeit sollte dieses Ergebnis an magnetronsputterten Schichten vom B4C-Target bestätigt werden, wobei die mechanischen Eigenschaften über die Gaszusammensetzung N2/Ar variiert wurden. Die Nanoindentermessungen mit dem UMIS 2000 erfolgten an Einzelschichten auf Silizium und Quarzglas sowie an einem speziellen Dreischichtsystem. Die Analyse zeigt, dass die plastische Deformation nicht in allen Fällen zum Versagen führte und bei geeignetem Schichtaufbau einstellbar ist. Ferner zeigt die rasterkraft- und rasterelektronenmikroskopische Schadensbildanalyse, dass das Versagen unter bestimmten Bedingungen wahrscheinlich durch star cracks verursacht wurde. Der zweite Teil der Arbeit beschäftigt sich mit einer anderen Problematik. Ausgangspunkt dafür bildet eine Weiterentwicklung der theoretischen Methode durch SCHWARZER (2001), mit der die Anwendung der elastischen Kugeleindruckmethode an begrenzten oder real geformten Festkörperoberflächen denkbar ist. Konzeptionell wird dabei die existierende Lösung für den geschichteten Halbraum auf geeignete krummlinige Koordinaten transformiert. Zur Überprüfung des Beschreibungskonzepts wurde die Lösung für das spezielle Kontaktproblem am Viertel- und Achtelraum entwickelt. Dabei war allerdings bereits wieder eine Annahme nötig, deren Überprüfung Gegenstand dieser Arbeit ist. Hierzu wurden zwei unabhängige Indenterexperimente in der Nähe von Kanten vorgenommen, die zunächst widersprüchliche Ergebnisse lieferten. Weiterführende Untersuchungen zeigen aber einerseits, dass die Empfindlichkeit einer der beiden Messmethoden nicht ausreichend ist. Andererseits liefern die Zusatzuntersuchungen Vorschläge zu Verbesserung der weiterentwickelten Theorie.

The paper examines the problem of film stress applying a correct three dimensional model. The results are compared with two different forms of Stoney´s equation existing in the Litera-ture and being widely used in the determination of stresses in thin films. It is shown theoretically that only one of the forms is based on an adequate model and yields accurate results whereas the other causes errors of about 30-40 % for typical substrate materi-als. In addition limits for the applicability of the correct Stoney equation are given.

Tantalum and tantalum nitride thin films are routinely applied as diffusion barriers in state-of-the-art metallization systems of microelectronic devices. In this work, such films were prepared by reactive magnetron sputtering on silicon and oxidized silicon substrates and studied by spectroscopic ellipsometry in the spectral range from 190 nm to 2.55 μm. The complex refractive index for thick films (75 to 380 nm) was modeled using a Lorentz-Drude approach. These models were applied to film stacks of 20 nm TaN / 20 nm Ta on unoxidized and thermally oxidized Si. With free oscillator parameters, accurate values of the film thicknesses were obtained according to cross-sectional scanning electron microscope (SEM) measurements. At the same time, a strong variation of the optical properties with film thickness and substrate was observed.

CrSi2 ist eines der wenigen halbleitenden Silicide. Wegen seiner hohen thermischen und chemischen Stabilität ist es einerseits für thermoelektrische Anwendungen geeignet, andererseits kommt es auch für photovoltaische und mikro-elektronische Applikationen in Frage. Vorraussetzung ist oftmals eine definierte Silizium(001)-Silicid Grenzfläche. Aus diesem Grunde wurden dünne CrSi2-Schichten in einer MBE-Anlage unter UHV-Bedingungen auf n-Si(001) Substrat gewachsen. Die sich ergebene Schichtmorphologie wurde in Abhängigkeit von unterschiedlichen Herstellungsparametern mittels TEM und REM untersucht. Des weiteren wurden die Schichten mit Hilfe von Elektronen- und Röntgenbeugung hinsichtlich bevorzugt auftretender Epitaxiebeziehungen charakterisiert.

Dünne Eisen-Platin-Schichten sollen zukünftig in verbesserten magnetischen Speichermedien zum Einsatz kommen. Die Einflüsse einer zusätzlichen Kupferschicht sowie verschiedener RTA-Behandlungstemperaturen auf das FePt-Cu-Schichtsystem wurden mittels Röntgenbeugung und Röntgenreflektometrie untersucht.

The paper examines the problem of film stress applying a correct three dimensional model. The results are compared with two different forms of Stoney´s equation existing in the Litera-ture and being widely used in the determination of stresses in thin films. It is shown theoretically that only one of the forms is based on an adequate model and yields accurate results whereas the other causes errors of about 30-40 % for typical substrate materi-als. In addition limits for the applicability of the correct Stoney equation are given.