• Refine Query
  • Source
  • Publication year
  • to
  • Language
  • 1226
  • 240
  • 213
  • 145
  • 98
  • 93
  • 52
  • 35
  • 31
  • 22
  • 21
  • 19
  • 18
  • 10
  • 6
  • Tagged with
  • 2643
  • 276
  • 219
  • 219
  • 206
  • 179
  • 177
  • 163
  • 162
  • 152
  • 144
  • 138
  • 125
  • 124
  • 120
  • About
  • The Global ETD Search service is a free service for researchers to find electronic theses and dissertations. This service is provided by the Networked Digital Library of Theses and Dissertations.
    Our metadata is collected from universities around the world. If you manage a university/consortium/country archive and want to be added, details can be found on the NDLTD website.
481

Measuring Mismatch Negativity Responses to Gaps in Noise for a Better Understanding of Tinnitus

Duda, Victoria 02 October 2018 (has links)
Hearing in noise is facilitated by the auditory system’s ability to separate sound into small auditory segments. Separation of sound is achieved using an auditory mechanism called temporal resolution that codes for small silent gaps in an acoustic stimulus. This thesis proposes a new method for measuring temporal resolution and applied it to a small pilot group of individuals with tinnitus. Previous studies have postulated that tinnitus can “fill” in silent gaps thereby making gap detection more difficult. This was shown in studies using the gap prepulse inhibition acoustic startle where the amplitude of a startle response indicates the subject’s ability to detect a small silent gap. However studies using behavioural gap detection do not show significant differences in people with reported tinnitus. Thus the behavioural evidence does not appear to support the hypothesis that tinnitus can “fill” in silent gaps. In this thesis a new method was proposed for measuring neural gap detection: the mismatch negativity response (MMN). The mismatch negativity responses were compared to behavioural measures of gap detection in thirty-five normal hearing adults: five with reported tinnitus and thirty without tinnitus. They underwent recordings to gapped stimuli ranging from 2- to 40-ms gap durations. The stimuli were either a broadband or narrowband noise presented in the absence or presence of a filler noise. Results of these experiments found the broadband and narrowband noises elicited MMNs to silent gaps. The amplitude of the MMN increased with larger gap durations. When filled, the amplitude of the entire waveform was proportionally reduced for all gap durations. However, for the tinnitus group the filler reduced the largest gap durations elicited MMNs amplitudes disproportionately more than for the smaller gap durations. The high and low filler noise reduced the amplitude of the 40-ms gap MMNs. This was not reflective in the behavioural performance of gap detection as there were no significant group differences. These studies show that neural gap detection can be measured using mismatch negativities. Reduced behavioural gap detection performance is reflected by a smaller amplitude of the MMN for suprathrehold gaps. This was shown in both normal hearing participants with elevated behavioural gap detection thresholds and participants with tinnitus. Therefore, electrophysiological recordings to gaps may provide further information on the underlying mechanisms involved in impaired gap detection that may not be captured by behavioural measures alone.
482

Identification for control : deterministic algorithms and error bounds

Date, Paresh January 2000 (has links)
This dissertation deals with frequency domain identification of linear dynamic systems in a deterministic set-up. Various untuned algorithms are suggested, including one which is robustly convergent and asymptotically optimal (in n-width sense) for a finite model order. The suggested algorithms can easily be implemented in commercially available software for convex optimization.
483

Social, human and job characteristics as the determinants of wages and gender discrimination in Syria : direct and indirect effects

Ibrahim, Abdulhadi January 2017 (has links)
The issue of gender wage differentials has long been of interest not only to economists, but also to governments and policy makers. In the last few decades, the labour market outcomes for females seem to be improving; however, the gender pay gap persists globally and females still earn significantly less than males. However, labour market discrimination has not received the research attention it deserves in developing countries in general, and in Syria in particular. A wide variety of factors could influence the gender pay gap, such as human capital, job characteristics and social factors. In the Syrian context, social and cultural factors play an important role in determining the position of females in the labour market. However, most previous studies have ignored the effects of social factors on other variables. Therefore, this research investigates the indirect effect of social factors on wages through human capital and job characteristics. This thesis has two main aims: to examine the main determinants of earnings for men and women in Syria, and to investigate the existence and extent of discrimination in the observed gender wage differentials there. To achieve this, two methods were used. Firstly, the Mincerian wage equations were used to analyse gender wage determinants, then discrimination was estimated using Oaxaca’s decomposition. Secondly, General Linear Modelling (GLM) Univariate ANOVA was tested to reveal the main and interaction effects of the factors specified in the theoretical model. The data used in this research came from the Syrian Labour Force Survey (LFS) 2010 conducted by the Government through the Central Bureau of Statistics. The results indicated that human capital variables were vital in explaining individuals’ earnings. Also, job characteristics and social variables explained wages to different degrees. Rates of return to education were, on average, around 5%, with women’s returns being better for higher educational levels. All three groups of variables explained only 17.19% of the earning gap between men and women, leaving 82.81% that could be considered as labour market discrimination. The GLM models revealed that social factors have significant indirect effects on wages as, when adding these indirect effects to the model, the explained variance in wages increased from 35% to 55%. This research makes significant contributions to the field of gender wage differentials and discrimination in Syria. The results of this study could help the Syrian government to develop tailored policies for the Syrian labour market to narrow the gender pay gap as decreasing gender inequality would enhance productivity and foster economic growth.
484

Sobre un Lema de representación de Debreu

Jordán Liza, Abelardo 25 September 2017 (has links)
En el presente artículo de divulgación se expone un gran aporte que Gerard Debreu hizo en el tema de representación de relaciones en (4). En realidad, su aporte yace dentro de la demostración del Lema 1 de (4), donde reconstruye la imagen de una funión con valores en R para conseguir continuidad, este hecho es lo que posteriormente se hace referencia como el Lema Gap de Debreu. Aquí exponemos las construcciones de Debreu para conseguir una función continua que represente a una relación completamente ordenada definida en un espacio topológico.
485

Transição de fase no efeito Hall, em camadas de inversão de materiais com gaps estreitos. / Phase transition in the Hall Effect in inversion layers, of materials with narrow gaps.

Marta Silva dos Santos 18 July 1989 (has links)
A Aproximação de Massa Efetiva para a função evnvelope multi-componente, na presença de uma interface, desenvolvida por Marques e Sham, será utilizada aqui, para materiais de gap estreito do grupo II-VI, da seguinte maneira: A) A forte interação entre bandas de condução e valência, nestes materiais, é justificada em um Hamiltoniano de Kane (6x6) modificado, contendo todas as ondas de Bloch propagantes e evanescentes. Na presença de uma interface, a função de onda eletrônica, &#936, é composta de uma onda de Bloch incidente, uma refletida e duas evanescentes, com a mesma energia E e momento paralelo k. Já que a estrutura da maioria dos isolantes utilizados são desconhecidos, a interface semicondutor-isolante por ser considerada como uma barreira infinita, de modo que, &#936, se anule na interface. Existe uma fina região de espessura &#945 na interface, onde o decaimento das ondas evanescentes é indispensável. Distante desta região, as ondas evanescentes possuem um papel insignificante e eventualmente anulam-se. O limite de &#945 &#8594 0 determina as condições de contorno para cada componente da função de onda envelope na interface. B) As condições de contorno são usadas para computar a estrutura de subbandas e o potencial auto-consistente para o Hg1-xCdxTe. A mais interessante característica é o afastamento dos estados de spin duplamente degenerados. Estes resultados serão utilizados para encontrarmos a dependência da energia das subbandas com um campo magnético perpendicular à interface. C) A magneto-condutividade longitudinal é calculada como função do campo magnético B &#8869. Efeitos das interações elétron-elétron e elétrons-impureza são levadas em conta nas aproximações de Hartee-Foch e auto-consistente de Born, respectivamente. Para uma interação elétron-impureza finita, encontram-se fatores de preenchimentos críticos dos níveis de Landau, onde transições de fase são observadas. Estes resultados explicam as descontinuidades presentes, em medidas experimentais, na magneto-resistividade longitudinal e transversal (Hall), em MISFET de Hg (Cd)Te. / The Effective Mass Approximation for multi-component envelope wave function in the presence of an interface in the MOSFET system, developed by Marques and Sham, will be used here, for II-VI narrow-gap semiconductors, in the following way: A) The strong interaction between conduction and valence bands, in these materials, is justified. The (6x6) Kane type modified Hamiltonian is used and the total wave function contains every propagating and evanescent waves. For an interface, the total function, &#936, is composed of one incident and one reflected and two evanescent Bloch waves, with energy E and parallel wave-vector k. Since the band structure of the most used insulators is usually not well known, the insulator-semiconductor interface can be assumed as an infinite barrier; therefore, the total wave-function there can set to zero. The semiconductor evanescent Bloch waves are indispensable in a thin layer, of thickness &#945, close to this region. Far away from the interface their role are insignificant and can be neglected. In the limit &#945 &#8594 0, the boundary condition for each the limit the total Bloch wave function, are derived. B) These boundary conditions are used to calculate the self-consistent electric subband and potential for MISFET of Hg1-xCdxTe. The subbands present a very important spin splitting, due to the internal electric field. C) The effect of a perpendicular magnetic field is also studied and the longitudinal magneto-conductivity are calculated. The effect of electron-electron and electron-impurity interactions are respectively accounted for in the Hartee-Fock and self-consistent Born approximations. For critical electron-impurity interaction, the Landau level filling shows a phase transition at a given fractional occupation (or magnetic field). These results are experimentally observed in both longitudinal and transverse (Hall) magneto-resistance for Hg(Cd)Te.
486

Efeitos da estimulação transcraniana por corrente contínua sobre parâmetros celulares e moleculares do córtex cerebral

Moreno, Giselle Machado Magalhães 07 March 2014 (has links)
Submitted by Ramon Santana (ramon.souza@ufpe.br) on 2015-03-13T19:49:52Z No. of bitstreams: 2 DISSERTAÇÃO Giselle Machado M. Moreno .pdf: 1689109 bytes, checksum: 2d05742bbd9d111da0b3253b85d9846c (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-03-13T19:49:53Z (GMT). No. of bitstreams: 2 DISSERTAÇÃO Giselle Machado M. Moreno .pdf: 1689109 bytes, checksum: 2d05742bbd9d111da0b3253b85d9846c (MD5) license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Previous issue date: 2014-03-07 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientìfico e Tecnológico – CNPq / A estimulação transcraniana por corrente contínua (ETCC) consiste na aplicação de corrente direta de baixa intensidade através do crânio e tem se mostrado eficaz no tratamento de diversas desordens neurológicas e psiquiátricas. Dentre as técnicas de estimulação do sistema nervoso central a ETCC ocupa posição de destaque por ser capaz de modular a excitabilidade cortical com vantagens como: não ser invasiva, ser indolor, de baixo custo, fácil uso e fácil mascaramento na realização de estudos. No entanto, apesar de extensas pesquisas sobre os efeitos da ETCC em diversos estados patológicos, seus mecanismos básicos de ação permanecem desconhecidos. Partindo do entendimento do grande envolvimento glial e de moléculas envolvidas no crescimento axonal na dinâmica de funcionamento das sinapses e excitabilidade cortical, o objetivo deste estudo foi verificar os efeitos da ETCC anódica sobre parâmetros celulares e moleculares relacionados à plasticidade sináptica. Foram utilizados 20 ratos Wistar machos adultos, divididos aleatoriamente em dois grupos: (i) ETCC ativa anódica (E), e (ii) ETCC fictícia, sham (S). Os animais receberam ETCC anódica com intensidade de corrente igual a 400 μA, durante 10 minutos por dia, durante cinco dias consecutivos. Após o tratamento foi feita análise imunohistoquímica para reatividade microglial (Iba1) e astrocitária (GFAP), foram investigadas possíveis alterações teciduais estruturais (HE) e degeneração neuronal (FJC), bem como quantificação da expressão da proteína associada ao crescimento axonal, GAP-43. Os ratos do grupo E apresentaram aumento de ~90% na expressão da proteína GAP-43 em homogenados de todo o córtex cerebral (p = 0.032) e na reatividade microglial por uma extensa área cortical em torno da região estimulada, quando comparados ao grupo S. Não foram observadas alterações anatomopatológicas no tecido nem sinais de astrogliose ou neurodegeneração no córtex cerebral dos animais que receberam ETCC. Conclui-se que os parâmetros de estimulação utilizados no presente estudo são capazes de induzir alterações moleculares e celulares no córtex cerebral de animais saudáveis, na ausência de injúria ao tecido nervoso. É possível que tais efeitos estejam envolvidos em algumas das ações da ETCC sobre a plasticidade sináptica e excitabilidade cortical.
487

Análise da distribuição de cargas atômicas no modelo RVB para supercondutores

COSTA, Marconi Bezerra da Silva 31 January 2010 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T15:51:55Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo872_1.pdf: 4987624 bytes, checksum: fe10b068072d15ab53986d95b266443d (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2010 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Cálculos de orbitais moleculares usando a Teoria do Funcional de Densidade (DFT) em nível BLYP com funções de base LanL1mb e LanL1dz foram executados para os supercondutores: Nb3Ge, MgB2, LaBa2Cu3Oy, La2-xSrxCuO4, YBa2Cu3Oy, TlBa2Ca2Cu3O8+δ, HgBa2Ca2Cu3O8+δ, LaO1-xFxFeAs e o Ba1-xKxFe2As2. Utilizamos modelos de cluster (aglomerado) baseados na célula unitária com os átomos de fronteira saturados com hidrogênio, o que minimiza o excesso de elétrons no cluster devido às ligações flutuantes. O cluster foi considerado diamagnético. Foram avaliados a distribuição de cargas atômicas e o gap de energia HOMO-LUMO (Highest Occupied Molecular Orbital - Lowest Unoccupied Molecular Orbital: Orbital Molecular de Mais Alta Energia Ocupado - Orbital Molecular de Mais Baixa Energia Desocupado). Os resultados foram interpretados à luz da teoria da ressonância não-sincronizada das ligações covalentes (RVB), como originalmente proposta por Linus Pauling. Uma característica de todos os sistemas investigados neste trabalho é a existência de um gap HOMO-LUMO da ordem de meV e uma distribuição de cargas compatível com a RVB. Apesar de não ser clara sua relação com a supercondutividade, o gap de energia HOMO-LUMO é da mesma ordem de magnitude do gap supercondutor medido experimentalmente. Em adição, verificou-se que os metais presentes nos sistemas investigados se encontram nos três estados de oxidação e na proporção requerida pelo princípio da eletroneutralidade de Pauling. Estes resultados reforçam o modelo RVB e convalidam esta proposta como uma teoria alternativa para a compreensão da supercondutividade. A coerência entre os argumentos da RVB e os resultados dos cálculos para a distribuição de cargas são discutidos
488

Produção, caracterização morfológica e nitretação de nanotubos de TiO2. / Production, morphological characterization and nitriding of Ti02 nanotubes.

Thiago Scremin Bonelli 27 October 2017 (has links)
Nos últimos anos, óxidos metálicos têm sido amplamente estudados para uma série de aplicações na indústria eletrônica e metalúrgica, sendo empregados em revestimentos anticorrosivos, sensores químicos, em dispositivos optoeletrônicos sensíveis, entre outros. Dentre os óxidos metálicos, o TiO2 (óxido de Titânio) tem enorme potencial em aplicações como sensor de gás, sensor de pH e em dispositivos fotossensíveis como células solares sensibilizadas por corante e para degradação fotocatalítica de compostos orgânicos. Há várias morfologias que podem ser obtidas para o TiO2, porém a de maior interesse atualmente é a de arranjos ordenados de nanotubos de TiO2 produzidos pelo processo de anodização do Ti, que por terem maior área superficial que outras morfologias como por exemplo, filmes finos, nanopilares e nanobastões, apresenta também maior sensibilidade à presença dos gases e/ou soluções a serem analisados, assim como maior absorção de fótons, além de uma menor recombinação de pares elétron-lacuna no material. Apesar destas várias vantagens, a atividade fotocatalítica do TiO2 é limitada por absorver apenas radiação ultravioleta devido a seu largo gap de aproximadamente 3,2 eV. Assim, neste trabalho foram produzidos nanotubos de TiO2 pelo processo de oxidação anódica do Ti, com diferentes parâmetros, correlacionando-os com a morfologia resultante. Com isso foi possível observar que o comprimento e diâmetro externo dos nanotubos de TiO2 crescem proporcionalmente com o aumento da tensão, sendo aproximadamente linear até um dado valor de saturação. A exceção a isto refere-se a nanotubos de TiO2 crescidos a partir de Ti depositado e substratos de vidro, no qual, há uma limitação de Ti a ser anodizado, de modo que após a conversão total do Ti em óxido não há mais o crescimento de nanotubos, porém os diâmetros gerados respeitam os mesmos valores para os casos em que não há essa limitação. Os nanotubos de TiO2 crescidos foram submetidos a processos de nitretação em um reator de deposição química a vapor assistida por plasma e os parâmetros foram avaliados com o intuito de encontrar as melhores condições para diminuição de seu gap, afim de aumentar sua atividade fotocatalítica. Pressão e potência de rádio frequência foram variados de 0,66 a 2,66 mBar (0,50 a 2,00 Torr) e 0,22 a 3,51 W/cm2 respectivamente. A maior diminuição no valor do gap, para 2,80 eV, foi obtida usando-se a pressão de 1,33 mBar (1,00 Torr), 1,75 W/cm2 de potência de rádio frequência durante um processo de 2 h a 320 °C, levando a uma diminuição de 14% no valor do gap e a um aumento de 25% na atividade fotocatalítica (redução de Azul de Metileno). Essa diminuição no valor do gap óptico dobra a abrangência de absorção de fótons de 5% para 10% do espectro solar. Os nanotubos de TiO2 nitretados produzidos com gap de 2,80 eV foram facilmente integrados a um microcanal de polidimetilsiloxano, produzindo um dispositivo fotocatalítico para estudo na fotodegradação de compostos orgânicos, podendo ser usado inclusive para redução de poluentes. O dispositivo fotocatalítico reduziu completamente 5 µL de solução de Azul de Metileno em cerca de 12 min, com uma taxa aproximadamente linear de 130 µM/h, enquanto os nanotubos de TiO2 como preparados apresentaram taxa de cerca de 115 µM/h. Logo, o dispositivo com nanotubos de TiO2 nitretados teve um aumento de 13% em sua eficiência de redução. / In recent years, metal oxides have been widely studied for a number of applications in the electronics and metallurgical industry, being used in anticorrosive coatings, chemical sensors, sensitive optoelectronic devices, among others. Among the metal oxides, TiO2 (titanium oxide) has enormous potential in applications such as gas sensor, pH sensor and in photosensitive devices such as dye sensitized solar cells and for photocatalytic degradation of organic compounds. There are several morphologies that can be obtained for TiO2, but the most interesting one today is ordered arrangements of TiO2 nanotubes produced by the Ti anodization process, which have a larger surface area than other morphologies such as thin films, nanopillars and nanobastones, also presents greater sensitivity to the presence of the gases and/or solutions to be analyzed, as well as greater absorption of photons, besides a smaller recombination of electron-hole pairs in the material. Despite these several advantages, the photocatalytic activity of TiO2 is limited by absorbing only ultraviolet radiation due to its wide gap of approximately 3.2 eV. Thus, in this work, TiO2 nanotubes were produced by the anodic oxidation process of Ti, with different parameters, correlating them with the resulting morphology. With this, it was possible to observe that the length and external diameter of the TiO2 nanotubes grow proportionally with the increase of the voltage, being approximately linear up to a given value of saturation. The exception to this relates to TiO2 nanotubes grown from Ti deposited and glass substrates, in which, there is a limitation of Ti to be anodized, so that after the total conversion of Ti to oxide, there is no longer growth of nanotubes, but the diameters generated respect the same values for cases in which there is no such limitation. The as grown TiO2 nanotubes were submitted to nitriding processes in a plasma assisted chemical vapor deposition reactor and the parameters were evaluated in order to find the best conditions to decrease their gap in order to increase their photocatalytic activity. Pressure and radio frequency power were varied from 0.66 to 2.66 mBar (0.50 to 2.00 Torr) and 0.22 to 3.51 W/cm2 respectively. The largest decrease in the gap value, to 2.80 eV, was obtained using the pressure of 1.33 mbar (1.00 Torr), 1.57 W/cm2 of radio frequency power during a process of 2 h in 320 °C, leading to a 14% decrease in gap value and a 25% increase in photocatalytic activity (reduction of Methylene Blue). This decrease in the value of the optical gap doubles the absorption range of photons from 5% to 10% of the solar spectrum. The nitrided TiO2 nanotubes produced with a gap of 2.80 eV were easily integrated into a microchannel of polydimethylsiloxane, producing a photocatalytic device for the study of photodegradation of organic compounds, and could be used to reduce pollutants. The photocatalytic device completely reduced 5 µL of Methylene Blue solution in about 12 min, with an approximately linear rate of 130 µM/h, whereas the TiO2 nanotubes as grown presented a rate of about 115 µM/h. Therefore, the device with nitrided TiO2 nanotubes had a 13% increase in its reduction efficiency.
489

Comparações entre os metodos K.P semi-empirico e APW-K.P em semicondutores III-V : aplicação ao GaP

Moreira, Francisco George Brady 15 July 1974 (has links)
Orientador: N.J. Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T04:46:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moreira_FranciscoGeorgeBrady_M.pdf: 2047683 bytes, checksum: af6637cbab3e4b69986bdb1c6f98dbde (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Estudamos a aplicabilidade do método K.P semi-empírico de Cardona e Pollak aos semicondutores do grupo de compostos III - V, em particular ao GaP, e discutimos suas vantagens e desvantagens quando comparado com um cálculo de primeiros princípios APW - K.P. Por argumentos de simetria é mostrado a necessidade de se incluir no esquema de níveis no ponto G pelo menos um nível com simetria G12, qualquer que seja a tentativa de um cálculo semi-empírico , nas direções de simetria D, L e S. Para compostos III - V isto significa.que a mínima dimensão do hamiltoniano K.P é 11 x 11 com , 11 elementos de matriz diferentes de zero para serem variados. Além do mais os elementos de matriz de p são números complexos e o que é avaliável experimentalmente são os módulos destas quantidades. Por conseguinte, concluimos pela inaplicabilidade do método semi-empírico aos semicondutores III - V enquanto que a aplicação do método APw-K.P não muffin-tin é recomendada / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
490

Heuristiker för digitala spel : En studie om Game Approachability Principles / Heuristics for digital games : A study about Game Approachability Principles

Lindbergh, Patric January 2014 (has links)
Detta arbete har utformats för att besvara frågeställningen: ”Kan Game Approachability Principles (GAP) upptäcka användbarhets-, spelbarhets- och åtkomlighetsproblem i tidiga stadier av utvecklingsprocessen av ett spel?”. Teorier om användbarhet, åtkomlighet, spelbarhet, olika utvärderingsmetoder och användartestning samt Game Approachability Principles studerades för att skapa en teoribildning inom området. Två prototyper av ett spel skapades: en hi-fi prototyp och en lo-fi prototyp. Den första representerar det senare stadiet i utvecklingen av ett spel och den andra representerar det tidigare stadiet. Det har utförts en användartestning på hi-fi prototypen och två olika utvärderingar på lo-fi prototypen för att samla in data om hur väl GAP fungerar. Resultaten visar på att Game Approachability Principles upptäcker användarhets-, spelbarhets- och åtkomlighetsproblem i tidiga stadier av utvecklingsprocessen av ett spel.

Page generated in 0.0531 seconds