Made available in DSpace on 2014-06-11T19:23:30Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2008-05-20Bitstream added on 2014-06-13T18:09:41Z : No. of bitstreams: 1 murad_or_me_bauru.pdf: 1607364 bytes, checksum: a13c081e60319e997b56935fa0771793 (MD5) / O presente trabalho teve como objetivo estudar as propriedades magnéticas e de transporte elétrico de filmes finos de MGBIND.2', de espessura, rescidos pelo método de Pulsed Laser Deposition, diante de variações de conformidade microestrutural. Para efeito de comparação, foram utilizados filmes finos com 100 e 400nm de espessura crescidos pelo método Chemical Vapor Deposition. O trabalho foi possível graças ao desenvolvimento de um sistema de fixação de amostras que mostrou ser eficaz nos casos onde a deposição de terminais com epóxi prata inutiliza as amostras para estudos posteriores devido à contaminação. Foram realizados ensaios de magneto-transporte, magnetização e susceptibilidade magnética utilizando o Physical Property Measurement System (PPMS). Os resultados de magneto-transporte foram modelados matematicamente por meio do modelo de Bloch-Grüneisen, mediante o uso do software Mathematica. A análise dos resultados mostrou que diferenças microestruturais conduzem a um comportamento de resistividade no estado normal diferenciado. A possível existência de uma microestrutura diferenciada, onde há dificuldade em se definir um contorno de grão, e praticamente a inexistência de material intragranular, podem ser a chave para o entendimento de medidas de transporte elétrico e magnéticas tão singulares, onde não há evidências de comportamento inter e intragranular, como ocorre geralmente nos supercondutores cerâmicos. Por último, o modelamento da resistividade permitiu validar todo o sistema de medidas utilizado, pois os resultados obtidos estão em acordo com a literatura. / In this work it was studied magnetic and electrical transport properties of MGB IND.2' thin films, with 200nm of thick, grown by the method of Pulsed Laser Deposition, in front of microstructure variation. For comparison, were also analyzed thin films with 100 and 400nm of thickness grown by Chemical Vapor Deposition method. This study was possible since the development of sample fixing system that showed be effective in the cases that the terminals depositions with silver epoxy make samples useless for the future studies due to contamination. Magnetic-transport, magnetization and magnetic susceptibility were performed using the Physical Property Measurement System (PPMS). The results of magnetictransport measurements were modeled by the Bloch-Grüneisen model through the Mathematica Software. Analysis of the results showed that microstructural differences of the samples make different the value of resistivity in the normal state. Possible existence of the different microstructural where have difficult to define the grain boundary and absent of intergranular material, factors that can the key for the understanding of electrical transport and magnectic measurements how individuals, where no have evidences of inter and intragranular behavior, how exist in the ceramic superconductors. At last, the resistivity model permitted validates all the measurement system utilized, because the results obtained are in agreement with the literature.

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / In this work a survey of the potentialities and limitations of magnetron sputtering as a tool for the production of MgB2 superconductors thin films has been made. Instead of the usual approaches, like co-deposition onto heated substract or room temperature deposition of MgB multilayers for ex situ annealing, the direct deposition of multilayers onto heated substract has been tested. The samples have been deposited onto Si waffers from Mg and B targets. They have been produced by the alternated grown of Mg and B layers, holding the substrate temperatur at 200 and 300 C during the depostion. Pos deposition annealings were performed at temperatures rangingo from 560 up to 800. In order to improve the sticking coefficient of Mg atoms at the substrate, the ayers thicknesses were held under ten monoatomic layers. The composition and structural properties were determined by X-Ray diffraction. The results have shown that, for the used temperatures, the Mg sticking coefficient onto B is just relevant ultil the second or third Mg monoatomic layer is completed. From this point, all Mg atoms impinging the substrate are re-emmitted to the chamber atmospherre. As a consequence, the direct production of MgB2 from the sucessive deposition of B and Mg are not effective, unless the layers thicknesses do not surpass a few tenths of nanometers. / Neste trabalho foram avaliadas as potencialidades e as limitações do "magnetron sputtering" como técnica de deposição de filmes finos de MgB2 supercondutores. No lugar das técnicas tradicionais, como a co-deposição em substrato aquecido ou a deposição de multicamadas para tratamentos térmicos ex-situ, foi testada a rotina de deposição de multicamadas diretamente sobre alvo aquecido, "in situ". As amostras foram depositadas sobre substratos de Si a partir de alvos de Mg e B. Elas foram obtidas pela deposição sucessiva e alternada de camadas de Magnésio e Boro, com temperaturas do substrato (in-situ) de 260oC e 300oC e ex-situ entre 560 e 800oC. Para aumentar a chance de fixação dos átomos de Mg no substrato já durante a deposição, as espessuras das camadas foram mantidas finas, com menos de uma dezena de planos atômicos. A composição e as propriedades estruturais das amostras produzidas foram analisadas a partir de difração de Raios-X. Os resultados obtidos mostram que, na faixa de temperatura usada, o coeficiente de fixação do Mg sobre o B é significativo apenas até que a segunda ou terceira camadas atômicas sejam concluídas. A partir deste ponto, todo o magnésio que atinge o substrato é re-emitido. Como consequência, a obtenção de MgB2 por sputtering na forma de multicamadas não é viável, pelo menos para espessuras maiores que décimos de nanometros.

Submitted by Ronildo Prado (ronisp@ufscar.br) on 2017-08-23T17:56:30Z No. of bitstreams: 1 DissPSS.pdf: 2648669 bytes, checksum: ac3f76c4b2b9666e9decfa0e9745dece (MD5) / Approved for entry into archive by Ronildo Prado (ronisp@ufscar.br) on 2017-08-23T17:56:38Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DissPSS.pdf: 2648669 bytes, checksum: ac3f76c4b2b9666e9decfa0e9745dece (MD5) / Approved for entry into archive by Ronildo Prado (ronisp@ufscar.br) on 2017-08-23T17:56:44Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DissPSS.pdf: 2648669 bytes, checksum: ac3f76c4b2b9666e9decfa0e9745dece (MD5) / Made available in DSpace on 2017-08-23T17:56:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DissPSS.pdf: 2648669 bytes, checksum: ac3f76c4b2b9666e9decfa0e9745dece (MD5) Previous issue date: 2017-03-10 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / With the increase in life expectancy, there has been a raise in the use of prostheses due to the need to replace parts of the human body. To avoid tissue rejection, metal alloys from implants should be biocompatible. The Ti-6Al-4V alloy is widely used in prostheses, however, aluminum presents tissue irritation and inflammation issues and vanadium oxide is unstable, with a high probability of being cytotoxic. Thus, the search for new alternatives has reached the Ti-β alloys, whose properties are more similar to those of the human bone and its structure can present stable or metastable phases according to the quantity of the alloying elements. Unfortunately, Ti prosthesis have a high price compared to the 316L and 316L stainless steel ones, as the later do not have the biocompatibility characteristics of Ti. It seems an interesting research topic about how to use a Ti alloy coating in stainless steel for biomedical application. To be able to deposit the metal alloy, magnetron sputtering is a good choice, since this technique is largely used to obtain thin films due to the quality of the formed films, their high deposition rate, low pressure work and less intense electron bombardment of the substrate. Consequently, it has been used in the manufacture of thin films of Ti and its alloys for biomedical applications. There is no notice of another research group working in this theme. In this project, the objective is to study the influence of the surface change on the deposition of the thin films and if there is difference in the composition when performing chemical cleaning before spraying. / Com o aumento da expectativa de vida, houve um aumento no uso de próteses devido à necessidade de substituir alguma parte do corpo humano. As ligas metálicas utilizadas em implantes devem ser biocompatíveis, para evitar a rejeição pelo corpo. Uma liga muito utilizada é a Ti-6Al-4V, entretanto o alumínio possui problemas de irritação e inflamação de tecidos e o óxido de vanádio é instável, com alta probabilidade de ser citotóxico. Assim, a procura de novas alternativas chegou-se as ligas de Ti-β, cujas propriedades são mais parecidas com as do osso humano e sua estrutura pode apresentar fases estáveis ou metaestáveis de acordo com a quantidade dos seus elementos de liga. Entretanto, próteses de Ti tem um preço alto em relação as de aço inoxidável 316 e 316L. Como estas não possuem as características de biocompatibilidade do Ti, é interessante utilizar um recobrimento de liga de Ti em aço para uso biomédico. Para a deposição da liga metálica, o processo de pulverização magneto-catódica é de grande interesse. Essa técnica consagrou-se na deposição de filmes finos devido a sua alta taxa de deposição, trabalho a baixas pressões, bombardeamento menos intenso de elétrons no substrato e qualidade do filme formado. Consequentemente, passou a ser utilizada na fabricação de filmes finos de Ti e suas ligas para aplicações biomédicas. O objetivo deste projeto é estudar a influência da alteração da superfície na deposição dos filmes finos, ou seja, se há diferença na composição ao se realizar limpeza química antes da pulverização. É importante notar que não se tem notícia de outro grupo de pesquisa trabalhando no mesmo tema.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:27:13Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2013-08-09Bitstream added on 2014-06-13T20:16:15Z : No. of bitstreams: 1 appolinario_mb_me_bauru.pdf: 844280 bytes, checksum: bc38577a283fa018c299c33e4d88b0a2 (MD5) / Neste trabalho, filmes finos amorfos de carbono hidrogenado também contendo bromo foram produzidos por duas técnicas: Deposição e Implantação iônica por Imersão em Plasma (DIII). As deposições foram feitas em plasmas alimentados com diferentes proporções de bromofórmico (CHBr3) e acetileno (C2H2), variando também o tempo de deposição, a potência de radiofrequencia aplicada e a pressão dentro do reator. Para medição de espessura e rugosidade, e molhabilidade, filmes depositados em substratos de vidro foram analisados por perfilometria e geniometria (medidas de ângulo de contato), respectivamente. A estrutura e composição química dos filmes foram examinadas por Espectroscopia de Reflexão-Absorção no Infravermelho (IRRAS) e Espectroscopia de Raios X (XPS) em amostras depositadas em aço inoxidável polido. Para obter espectros de trasmitância no Ultravioleta-visível e infravermelho-próximo, filmes foram depositados em substratos de quartzo. A partir destes espectros e das espessuras dos filmes, propriedades ópticas como o índice de refração, coeficiente de absorção e gap óptico dos materiais foram calculados. Taxas de deposição dos filmes contendo bromo foram tipicamente no itervalo de 33 a 108 nm.min-1 pelo processo de PECVD, e de 13 a 56 nm.min-1 pelo processo de DIIIP. Rugosidades entre 24 e 37 nm foram observadas em ambos os métodos. As medidas de ângulo de contato revelaram que os filmes bromados são hidrofólicos. Espectros IRRAS revelaram a presença de grupos contendo bromo em 1430-1410 com-1 devido à deformação angular de grupos CH2-Br e CH3-BR, e em 1210 cm-1 também referente à deformação angular de CH2-Br nos filmes produzidos com bromofórmio na alimentação do reator. As análises de XPS comprovaram a incorporação de bromo nos filmes em até... / In this work, amorphous hydrogenated carbon this films also containing were produced by two techiniques: Plasma Enhanceb Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition(PIIID). Deposition were realized in plasmas fed with different proportions of bromoform (CHBr3) and acetylene (C2H2), the parameters deposition time, applied radio frequency power, and reactor pressure were also varied. The film thickness and thickness and roughness, and wettability were measured, for films deposited onto glass substrates using perfilometry and goniometry (contact-angle measurements), respectvely. infrared Reflections-Absorption Spectroscopy (IRRAS) and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) were employed to study the chemical structure and composition of films deposited onto polished stainless-steel substrates. Transmission ultraviolet-visible-near infrared spectroscopy (UVS) was used to characterized films deposited onto quartz substrates. From the UVS spectra and film thicknesses, optical properties such as refractive index, absorption coefficient and optical gap were calculated. Bromine-containing film deposition rates ranged from 33 to nm.min-1 for PECVD, and from 13 to nm.min-1 for PIIID. Roughnesses of between 24 e 37 nm were observed for both techniques. Contact angle measurement revealed that brominated films are hydrofobic. Characteritic absorptions owing to the presence in the films of bromine-containing groups at 1430-1410 cm-1 due to asymmetric bending of CH2-Br e CH3-Br groups, and at 1210 cm-1 also due to asymmetric bending of CH2-Br were observed in IRRAS spectra of the brominated films. As confirmed by XPS analyses, bromine was incorporated at up to 43% at in films deposited in CHBr3 plasmas. The refractive index decreased from 2.38 for plasma-polymerized C2H2 film... (Complete abstract click electronic access below)

Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2016-08-26T23:22:11Z No. of bitstreams: 1 ValmarDaSilvaSeverianoSobrinho_DISSERT.pdf: 5455840 bytes, checksum: 21030bd15bb16fb2597187481d68f757 (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2016-08-31T19:35:17Z (GMT) No. of bitstreams: 1 ValmarDaSilvaSeverianoSobrinho_DISSERT.pdf: 5455840 bytes, checksum: 21030bd15bb16fb2597187481d68f757 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-08-31T19:35:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ValmarDaSilvaSeverianoSobrinho_DISSERT.pdf: 5455840 bytes, checksum: 21030bd15bb16fb2597187481d68f757 (MD5) Previous issue date: 2016-05-12 / Filmes finos de TiO2 podem ser a resposta para grandes quest?es atuais sobre as melhores maneiras de obter energia, economizar energia e reduzir a polui??o. Tais filmes t?m sido aplicados com sucesso para produ??o de c?lulas solares; como camada em janelas inteligentes, janelas fotocr?micas e eletrocr?micas; al?m de possu?rem propriedades fotocatal?tica interessantes. Este trabalho explora a import?ncia tecnol?gica e cient?fica desse material realizando investiga??es a respeito dos filmes de TiO2, sua forma de deposi??o, t?cnicas de an?lise, detalhando formas atuais de an?lise ?ptica, buscando, de maneira inovadora, comparar tais t?cnicas, validar seu uso, e comparar seus resultados na busca de meios econ?micos da realiza??o de investiga??es a respeito de espessura, estrutura e avalia??o de propriedades fotocatal?ticas do material produzido. Nesse trabalho foram utilizadas, para cria??o de filmes finos, deposi??o f?sica pelo m?todo de magnetron sputterin. Para an?lise ?ptica e c?lculo de espessura e Band Gap dos filmes ser? apresentado o M?todo do Envelope que foi originalmente proposto por Manifacier (Manifacier, Gasiot e Fillard, 1976) sendo que mais tarde Swanepoel (1983) conseguiu melhorar ainda mais a precis?o desse m?todo para encontrar propriedades ?pticas dos filmes finos e sua espessura. Tamb?m ser? apresentado, a aplica??o de equa??es propostas nos trabalhos de Lindgren (Lindgren et al., 2003) e a Lei de Beer-Lambert para c?lculo do Coeficiente de Absor??o dos filmes, outro dado importante para mais tarde determinar o gap dos mesmos, que ser? encontrado pelo M?todo Tauc. Para filmes muito finos, com poucas ou nenhuma franja de interfer?ncia se faz necess?rio o estudo de algum M?todo Computacional para determina??o dos seus par?metros ?pticos e espessura. Para tanto utilizou-se o M?todo PUMA, um M?todo Computacional desenvolvido por pesquisadores da UNICAMP/USP. Os filmes depositados foram analisados por DRX, EDS, al?m de serem submetidos a an?lise ?ptica, MEV transversal buscando validar os m?todos ?pticos em termos das espessuras recuperadas, al?m de encontrado seus Band Gap e seus valores comparados com o esperado pela literatura confrontando tais resultados com a cristalinidade obtida para os filmes. / TiO2 thin films have been successfully used in solar cells, smart windows, photochromic and electrochromic windows and also as photocatalytic coatings. In this work, TiO2 thin films were deposited by magnetron sputtering on a glass substrate and their optical properties, thickness, microstructure and photocatalytic properties were evaluated. Film thicknesses and band gaps were determined by the Swanepoel method using the envelopes in the transmission spectrum and also the PUMA computational method. The films were analyzed by X-ray Diffraction (XRD), Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS), Scanning electron microscopy (SEM) and optical analysis. SEM measured thicknesses were compared to those obtained using the optical methods. The PUMA method proved advantageous for thickness determination of thin films, particularly when the interference fringes are not evident in the transmission spectrum. In addition, film thicknesses determined using the PUMA method were in better agreement with SEM measurements than those determined by the Swanepoel Method.

Submitted by Automa??o e Estat?stica (sst@bczm.ufrn.br) on 2016-10-11T20:39:41Z No. of bitstreams: 1 LaureniaMartinsPereiraGarcia_TESE.pdf: 2883896 bytes, checksum: f18e0865bcb2cb5e8b2dd2a291c24ebf (MD5) / Approved for entry into archive by Arlan Eloi Leite Silva (eloihistoriador@yahoo.com.br) on 2016-10-13T23:54:22Z (GMT) No. of bitstreams: 1 LaureniaMartinsPereiraGarcia_TESE.pdf: 2883896 bytes, checksum: f18e0865bcb2cb5e8b2dd2a291c24ebf (MD5) / Made available in DSpace on 2016-10-13T23:54:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 LaureniaMartinsPereiraGarcia_TESE.pdf: 2883896 bytes, checksum: f18e0865bcb2cb5e8b2dd2a291c24ebf (MD5) Previous issue date: 2016-05-05 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Cient?fico e Tecnol?gico (CNPq) / Nas ?ltimas d?cadas tem se observado um enorme interesse no estudo de materiais cer?micos nanoestruturados com propriedades fotocatal?ticas e fotoluminescentes. Um dos precursores ? o di?xido de tit?nio (TiO2) que possui propriedades ?pticas, por?m apresenta alto valor de band gap (3.2 eV), combinando-o com outros ?xidos como o ?xido de ?ndio (In2O3) intensificar? suas propriedades, j? que o In2O3 possui menor band gap (2,8 eV), al?m de apresentar absor??o no vis?vel sendo eficaz para aumentar a absor??o do TiO2. Neste trabalho o m?todo de spin-coating foi utilizado na deposi??o de filmes finos multicamadas de TiO2/In2O3. Na prepara??o dos filmes, foram utilizadas resinas obtidas pelo m?todo de polimeriza??o de complexos (MCP), as quais tiveram sua viscosidade ajustada em 20cps. As resinas foram depositadas sobre o substrato de sil?cio (Si) variando em 4, 8 e 16 camadas, logo ap?s, foram cristalizadas em diferentes temperaturas 300?C, 500?C e 700?C. A caracteriza??o dos filmes foi feita por meio de difra??o de Raios-X (DRX), microscopia eletr?nica de varredura com emiss?o de campo (MEV-FEG), microscopia de for?a at?mica (AFM), espectroscopia na regi?o do UV-V?sivel (UV-Vis) e medidas de fotoluminesc?ncia (FL). Os resultados de difra??o de Raios-X confirmaram a forma??o do TiO2 com fase anatase e do In2O3, n?o havendo intera??o qu?mica entre os ?xidos dos filmes. As imagens obtidas por microscopia de for?a at?mica mostraram filmes bem densificados com tamanho m?dio de gr?o variando de 15 a 35 nm. As imagens da se??o transversal dos filmes de TiO2/In2O3 cristalizados a 700?C indicam espessuras bem uniformes variando de 262 a 708nm entre amostras. A atividade fotocatal?tica dos filmes foi avaliada atrav?s da degada??o do corante azul de metileno, os resultados indicaram que os filmes conferiram boa atividade fotocatal?tica na decomposi??o do azul de metileno. Os espectros de fotoluminesc?ncia apresentaram emiss?es correspondentes na regi?o do azul, resultado confirmado atrav?s do diagrama de cromaticidade. / In recent decades it has seen a huge interest in the study of nanostructured ceramic materials with photocatalytic and photoluminescent properties. A precursor is titanium dioxide (TiO2) having optical properties but has a high value of band gap (3.2 eV), combining them with other oxides such as indium oxide (In2O3) intensify their properties, as the In2O3 it has a smaller band gap (2.8 eV), and presents the visible absorption being effective to increase the absorption of the TiO2. In this work the spin-coating method was used in the deposition of multilayer thin films of TiO2 / In2O3. In the preparation of films, resins used were obtained by the complex polymerization method (CPM) which had a viscosity of 20cps adjusted. The resins were deposited on the silicon substrate (Si) ranging in 4, 8 and 16 layers there upon were crystallized at different temperatures 300?C, 500?C and 700?C. The characterization of the films was made by diffraction of X-rays (XRD), scanning electron microscopy, field emission (SEM-FEG), atomic force microscopy (AFM), spectroscopy in the UV-Visible region (UV- Vis) and photoluminescence measurements (PL). The results of X-ray diffraction confirmed the formation of anatase TiO2 with and In2O3 phase, there is no chemical interaction between the oxides of the films. The images obtained by atomic force microscopy showed well densified film with average grain size ranging from 15 to 35 nm. The images of the cross section of the film TiO2/In2O3 crystallized at 700?C indicated a uniform thickness ranging from 262 to 708nm between samples. The photocatalytic activity of the films was evaluated by the degradation of methylene blue dye, the results indicated that the film gave good photocatalytic activity in the decomposition of methylene blue, and increasing the number of layers had no significant influence on the increase in activity photocatalytic. The films were recycled and reused for three cycles photobleaching. The results were quite significant, as demonstrated the feasibility of reuse of thin films in the dye photobleaching. The photoluminescent properties of the films was studied at room temperature using excitation wavelength of 350 nm. The thin films studied had broadband issue. A high photoluminescent intensity was observed for the films annealed at 700 ? C in the different variations of the layer numbers. From the results obtained it was observed the feasibility of using the thin film as a photocatalytic material.

Orientador: Paulo Noronha Lisboa Filho / Banca: Margarida Juri Saeki / Banca: Valmor Roberto Mastelaro / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Este trabalho teve como objetivos a preparação e caracterização de filmes finos de YBa2Cu3O.7-x e La0.7Ca0.3MnO3 depositados sobre substratos de níquel metálico, silício, e substratos cerâmicos de MgO, SrTiO.3. As análises realizadas tiveram como objetivos o estudo da formação da fase, e a determinação do comportamento de condução elétrica e das propriedades magnéticas dos filmes finos. Nas deposições realizadas sobre substratos de níquel foi utilizada uma camada intermediária de Y.2O.3, para posterior deposição de YBa.2Cu.3O.7-x. As soluções precursoras dos filmes foram obtidas através do método dos precursores poliméricos, com a inclusão do ácido etilenodiaminotetraacético (EDTA) como agente complexante. As deposições ocorreram através da técnica Spin-Coating. As análises realizadas através da Espectroscopia de Fotoelétrons de Raios X (XPS) e Difração de Raios X (XRD) auxiliaram, na identificação dos elementos químicos presentes nos filmes finos, e a verificação da formação das fases cristalográficas desejadas. Estas técnicas permitiram comprovar a eficácia da camada intermediária (buffer layer) de Y.2O.3 utilizada para a deposição de YBa.2Cu.3O.7-x sobre substratos de níquel metálico, e comprovar a necessidade de uma camada buffer layer para a obtenção de filmes de YBa.2Cu.3O.7-x depositado sobre substrato de silício. Assim como na deposição realizada sobre substrato de níquel, foi verificada também a boa formação das fases desejadas sobre os substratos cerâmicos. As análises de condução elétrica e das propriedades magnéticas demonstraram a característica supercondutora dos filmes de YBa.2Cu.3.O.7-x depositados sobre substratos de níquel metálico, MgO e SrTiOI.3, e ...(Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: This paper aimed at preparing and characterizing YBa2Cu3O.7-x e La0.7Ca0.3MnO3 and thin films, deposited on metallic nickel substrates, silicon and MgO, SrTiO.3 and LaAIO.3 ceramic substrates. The analyses performed had as objectives to study the phase formation and to determine the electric conduction behavior and the magnetic properties of the thin films. In the depositions perfomed on nickel substrates, a YBa.2Cu.3O.7-x deposition. The precursory solutions of the films were obtained by means of the polymeric precursor method, with the inclusion of the ethylenediaminotetra acetic acid (EDTA), as complexant agent. The depositions occurred through the Spin-coating technique. The analyses performed by means of the X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and X-ray Diffraction (XRD) aided in the identification of the chemical elements present in the thin films and in the verification of the formation of the desired crystallographic phases. Such techniques allowed for confirming the Y.2O.3 buffer layer efficacy, utilized to the YBa.2Cu.3O.7-x deposition on metallic nickel substrates, and for confirming the need of a buffer layer in order to obtain the YBa.2Cu.3O.7-x films deposited on the silicon substrate. As in the deposition performed on the nickel substrate, it was also verified the good formation of the desired phases on the ceramic substrates. The analyses on electrical conduction and magnetic properties demonstrated the superconducting characteristic of the YBa.2Cu.3O.7-x films deposited on metallic nickel substrates, MgO and SrTiO.3, as well as the magnetic characteristic of the La.0.7Ca.0.3MNO.3 film deposited on the silicon substrate. The analyses performed by means of Scanning Electron Microscopy (SEM) showed a better ...(Complete abstract, click electronic address below) / Mestre

Orientador: Victor Ciro Solano Reynoso / Banca: Cláudio Luiz Carvalho / Banca: Celso Xavier Cardoso / Resumo: Neste trabalho foram depositados em substrato vítreo, filmes finos de Óxido de Zinco puro (ZnO) e dopados com alumínio (ZnO:Al) e manganês (ZnO:Mn), utilizando a técnica spray-pirólise. Foram investigadas as propriedades estruturais, ópticas e elétricas dos filmes, assim como, a dependência com a temperatura de deposição e concentração. As temperaturas utilizadas para deposição dos filmes finos foram 400 ºC e 450 ºC, e a concentração de dopantes variaram de 1 a 5 átomo por cento (at%). As técnicas de difração de raios-X e espectroscopia por refletância no infravermelho foram utilizadas para avaliar as características estruturais dos filmes. A Espectroscopia de transmitância na região do UV-Vis foi utilizada como uma das técnicas no estudo das propriedades ópticas, fornecendo valores da banda proibida. A técnica do ângulo de Brewster, foi utilizada com o intuito de avaliar o índice de refração e a espessura dos filmes finos. A avaliação da resistividade foi realizada com a finalidade de estudar a propriedade elétrica, e medidas do efeito Hall para investigar a densidade dos portadores de carga e mobilidade dos filmes semicondutores. A análise dos difratogramas de raio-X, revela picos de difração típicos de uma estrutura policristalina tipo wurtzita. As medidas de refletância especular por FTIR identificam ligações de estiramento do Zn-O na região de 450 cm-1. A técnica do ângulo de Brewster fornece resultados das espessuras dos filmes finos na faixa de 150 a 240 nm. As medidas de espectroscopia de transmitância na região UV-vis é avaliada em torno de 85%. Com os resultados da espessura dos filmes pelo ângulo de Brewster e medidas de transmitância foi calculado na região de forte absorção o coeficiente de absorção destes filmes. O valor do coeficiente de absorção é um parâmetro fundamental para determinação da banda de energia proibida... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: In this work were deposited in glass substrate, thin films of pure zinc oxide (ZnO) and doped with aluminum (ZnO: Al) and manganese (ZnO: Mn) used the spray-pyrolysis technique. The structural, electrical and optical properties of thin films were investigated in dependence the concentration and temperatures deposition. The thin films temperatures deposition were 400 °C and 450 º C, and the doping concentration were from 1 at% to 5 at% range. The deposition technique used aims to obtain good adhesion to the substrate and uniformity of the films. The X-ray diffraction spectroscopy and infrared reflectance were used to evaluate the structural characteristics of the films. The UV-Vis transmittance spectroscopy was used in the study of optical properties, providing values of band gap. The other technique for this purpose is the Brewster angle technique in order to evaluate the refractive index and thickness of thin films deposited on a glass substrate. The resistivity and Hall Effect measurements were used for to investigate the charge carriers density and mobility in semiconductor films. The analysis of the X-ray diffraction shows typical peaks of polycrystalline wurtzite structure. Measurements the FTIR specular reflectances identify bond stretching of Zn-O in the region of 450 cm-1. The Brewster angle technique provides results the thin films thickness in the 150 to 240 nm range. The thin films UV/VIS transmittance measurements are valued around 85%. With the results of the thin film thickness by Brewster angle and measures transmittance were calculated the absorption coefficient data values in strong absorption region. The absorption coefficient is an important parameter for determination the band gap energy. These values, for the ZnO semiconductor is in 3.2 eV range. The resistivity's measurements by Van der Pauw method showed the resistivity of ZnO thin films doped with... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Teófilo Miguel de Souza / Coorientador: José Renato de Oliveira / Banca: Leide Lili Gonçalves da Silva Kostov / Banca: José Feliciano Adami / Banca: Geraldo Lúcio Tiago Filho / Banca: Ederaldo Godoy Júnior / Resumo: A escassez de água potável vem impulsionando diversas pesquisas ao redor do mundo, por este ser um elemento vital e por sua obtenção envolver um grande paradigma, afinal não há efetivamente produção de água, o que existe é uma mudança de estado físico por meio do ciclo hidrológico. É preciso trazer segurança ao abastecimento sem abrir mão do caráter sustentável, utilizando materiais de baixo impacto ambiental associando-os a fontes renováveis de energia para seu funcionamento. Neste sentido, o presente estudo consiste na busca de melhorias de um condensador de vapor atmosférico, utilizando para tal, filmes finos de diamante como trocador de calor. Como este material apresenta condutividade térmica maior que a do cobre e do alumínio, visa-se agregar eficiência energética ao sistema. Dentre os procedimentos tomados identificou-se que o substrato de Silício do tipo P-Boro (111) foi o mais adequado para o crescimento dos filmes, obteve-se diferentes espessuras para comparação de desempenho no condensador e verificou-se a viabilidade técnica da proposta, pois foi possível realizar condensação utilizando o filme de diamante. De maneira geral, não há produção de condensado em umidades relativas inferiores a 50%. A partir de umidades superiores a 80 %, a amostra mais eficiente, no quesito produção de condensado, é a amostra de 4 h de deposição, que atinge o índice de 6 L.h-1.m². O custo ainda se mostra maior se comparado ao cobre e ao alumínio, de qualquer maneira o processo de conde... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The shortage of drinking water has been driving several researches around the world, because its obtaining involves a great paradigm, after all there is no effective production of water, but there is a change of physical state through the hydrological cycle. It is necessary to bring security to the supply without abandoning the sustainable character, using materials of low environmental impact associating them with renewable sources of energy for its operation. In this sense, the present study consists in the search for improvements of an atmospheric vapor condenser, using thin films of diamond as heat exchanger. As this material has higher thermal conductivity than copper and aluminum, it is aimed to add energy efficiency to the system. Among the procedures taken it was found that P-Boron type silicon substrate (111) was the most suitable for the growth of the films, different thicknesses were obtained for the comparison of performance in the condenser and the technical feasibility of the proposal was verified, because it was possible to perform condensation using the diamond film. In general, there is no condensate production at relative humidity of less than 50%. From the humidities more than 80%, the most efficient sample, in the case of condensate production, is the sample of 4 h deposition, which reaches the index of 6 L.h-1 .m². The cost is still unfeasible compared to copper and aluminum, however, the vapor condensation process is an alternative source of supply in places where it is scarce, such as in oil platforms in the arid region of the Brazilian Northeast / Doutor

Orientador: Elidiane Cipriano Rangel / Banca: Rogerio Valentim Gelamo / Banca: Sandro Doninini Mancini / O programa de Pós graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem carater institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da UNESP / Resumo: Filmes finos de alumina vêm sendo amplamente estudados em função de suas propriedades físicas e químicas. Em aplicações industriais, filmes de alumina são utilizados, por exemplo, em ferramentas de corte e em circuitos microeletrônicos. Neste trabalho empregou-se o processo de PECVD (do inglês, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) para sintetizar fimes contendo óxido de alumínio. Os filmes foram depositados a partir de plasmas excitados por radiofrequencia (13,56 MHz) em misturas de acetilacetonato de alumínio e argônio. Uma configuração experimental inédita foi empregada para permitir a incorporação de alumínio nos filmes: o pó do organometálico foi colocado diretamente no eletrodo por onde um plasma de argônio foi excitado. A pulverização catódica aliada a sublimação do organometálico faz com que haja, em determinadas condições, a deposição de filmes contendo alumina. Foram avaliados os efeitos da pressão do plasma e da potência do sinal de excitação nas propriedades dos filmes resultantes. A técnica de perfilometria foi utilizada para determinar a espessura da camada depositada. Difração de raios X (DRX), com a incidência de ângulos rasantes, foi empregada para investigar a estrutura do material. As técnicas de espectroscopia de absorção no infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) e espectroscopia de energia dispersiva (EDS) foram respectivamente utilizadas para analisar a estrutura e a composição química dos filmes. A morfologia das amostras preparadas sobre aço-inoxidável foi analisada por microscopia eletrônica de varredura (MEV) enquanto a dureza foi avaliada por nanoindentação. Foram obtidos filmes amorfos com espessuras de até 7 μm que contêm carbono, alumínio, oxigênio e hidrogênio. Observou-se que as proporções de alumínio e carbono são altamente dependentes da energia cinética dos íons presentes no plasma... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Recently aluminium oxide thin films have been widely studied due to their important physical and chemical properties. Depositions in cutting tools and in microelectronic circuits are examples of industrial applications of industrial applications of aluminum oxide films. In this work, alumina-containing films were prepared by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) using a new configuration of the plasma system; the metalorganic powder was placed directly on the powered electrode while the substrates were mounted on the grounded topmost electrode. The plasma was excited by applying radiofrequency (13.56 MHz) power to the lower electrode in an argon atmosphere. The sputtering combined with the sublimation of organometallic compound enabled the growth of an alumina-containing organic layer. The effect of the plasma excitation parameters on the properties of the resulting films was studied. Film thickness was measured using profilometry. Grazing angle incidence X-ray diffractometry (GAXRD) was used to determine the structure of the films. Fourier trasnform Infrared Spectroscopy (FTIR) and energy dispersive spectroscopy (EDS) techniques were used to analyze chemical structure and coposition, respectively. The surface morphology was analyzed by scanning electron microscopy (SEM) while film hardness was evaluated by nanoindentation Amorphous organic films were deposited with thicknesses of up to 7 μm. The films were composed of aluminum, carbon, oxygen and hydrogen, the proportions of carbon and aluminum being strongly dependent on the kinetic energy of the ions. The film surface was uniform but presented particulares and, in some cases, wrinkles. The proportion of such defects depends on the plasma excitation parameters / Mestre