Made available in DSpace on 2014-06-11T19:32:50Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2009-11-27Bitstream added on 2014-06-13T20:04:23Z : No. of bitstreams: 1 batocki_rgs_dr_guara.pdf: 753160 bytes, checksum: 45bdf421ee548b969fb254971bfe730c (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Filmes finos polimerizados a plasma apresentam várias aplicações nas indústrias óticas, elétrica, mecânica de alimentos, de biomateriais entre outras, devido suas interessantes propriedades químicas e físicas. No entanto, as aplicações para os filmes finos podem ser limitadas em função de algumas de suas características mecânicas e de superfície. Neste trabalho, filmes finos poliméricos foram depositados por radiofrequência a partir de plasmas de hexametildissilazano mantido a baixa pressão. Posteriormente, foram implantados íons de argônio, hélio e nitrogênio nestes filmes através da implantação iônica por imersão a plasma (IIIP). Após os tratamentos, os filmes finos provenientes da polimerização a plasma do hexametildissilazano apresentaram modificações em suas estruturas moleculares e composição química através das análises infravermelha e XPS. O XPS revelou um aumento nas concentrações de oxigênio e decréscimo de carbono e nitrogênio. Este fato indica aumento no nível e entrelaçamento, ramificação e reticulação das cadeias poliméricas para todos os íons implantados. Verificou-se também que a IIIP promoveu mudanças na molhabilidade com variações nos ângulos de contato de 100° para 10°; alterações nos índices de refração entre 1,65 a 2,10; modificações na dureza e módulo elástico de 0,8 a 3,3 GPa e 6,0 a 52,0 GPa respectivamente, assim como redução na taxa etching de 34,0 para 20,0 Å/min. / Plasma polymerized thin films have many applications in optical, electrical, mechanical, food, biomaterial industries among others, due to their interesting chemical and physical properties. Polymer thin films applications, however, can be limited because of some mechanical and surface characteristics. In this work, thin polymer films were deposited from radiofrequency plasmas of hexamethyldisilazane at low pressure. Then, these films were implanted with argon, helium and nitrogen ion, by plasma immersion ion implantation (PIII). After the treatments, plasma polymerized hexamethyldisilazane thin films presented modifications in their molecular structure and chemical composition by infrared and XPS analysis. XPS revealed an increase in the oxygen, decrease in nitrogen and carbon concentrations. This fact indicates increased crosslinking of the polymeric chains of all implanted ions. It was also verified that a PIII caused modification in wettability, changing the contacts angles from 100° to 10°. Modifications were also observed in the refractive index from 1,65 to 2,10; in hardness and in the elastic modulus from 0,8 a 3,3 GPa and 6,0 to 52,0 GPa respectively. The study showed a decrease in etching rate from 34,0 to 20,0 Å/min.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:34:59Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2005Bitstream added on 2014-06-13T20:06:01Z : No. of bitstreams: 1 leandro_cas_dr_guara.pdf: 1518088 bytes, checksum: fc451e8c43716da613ce19792c0f1db4 (MD5) / Universidade Estadual Paulista (UNESP) / O processo de nitretação vem sendo cada vez mais desenvolvido por ser uma técnica extremamente útil para melhorar a vida das ferramentas seja em trabalhos a quente ou a frio. O pleno entendimento do comportamento dos aços ao receber o processo de nitretação é de fundamental importância para o desempenho das ferramentas. O aço H13 é um dos mais utilizados na indústria de extrusão de alumínio, sendo o processo de nitretação de grande importância para elevar a vida de ferramenta ou matrizes e minimizar o custo operacional. Assim nesse trabalho se estudou o comportamento deste aço temperado e revenido para dureza de 48 HRC ao ser submetido ao processo de implantação iônica por imersão em plasma IIIP. Estudouse os principais parâmetros do processo utilizado quanto a temperatura, pressão, pulso, voltagem, frequência, misturas de gases e tempo de exposição de maneira a encontrar uma dureza superficial acima de 1000 sem a ocorrência de camada de compostos. Observou-se que o processo de implantação iônica por imersão ao ser realizado em baixas temperaturas, produz uma camada muito fina com dureza elevada, devido a grande energia imposta aos íons pelo IIIP. A dureza elevada na superfície promovem uma redução no coeficiente de atrito, transformando o desgaste adesivo em desgaste abrasivo, objetivado para ferramentas de corte de alta performance. À medida que se eleva a temperatura de exposição, elevam-se a espessura da camada implantada sem que houvesse a ocorrência de camada de compostos por praticar altas tensões na região catódica. / The nitriding processo has been increasingly developed as it is an extremely useful technique to improve the life of tools whether in hot or cold work. A full understanding of the behavior of steels following nitriding is of fundamentals importance for the development of tools The steel H13 is one of the most used in the aluminum extrusion industry, the nitriding process being of great importance to increase tool life or die and to minimize operating costs. Thus in this work the behavior of this steel, tempered and quenched to a hardness of 48 HRC, and exposed to ion implantation by plasma immersion (IIIP) was studied. The principal parameters of the process, namely the temperature, pressure, pulse form, width, voltage, frequency, mixture of gases and exposition time necessary to achieve a superficial hardness of greater than 1000 without the occurrence of a compound layer were investigated. It was observed that ion implantation by plasma immersion at low temperature, produces a very thin layer of high hardness, owing to the high energy imposed on the ions by IIIP. The great hardness of the surface produced a reduction in the friction coefficient, transforming the adhesive wear into abrasive wear, which is advantageous for high-performance cutting tools. As the exposition temperature was increased, the thickness of the implanted layer increased without the production of a compound layer because of high voltages in the cathodic region.

Made available in DSpace on 2014-06-12T15:52:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2009 / Com a necessidade de melhorar o produto de software para aumentar a competitividade no mercado, as empresas e profissionais de Tecnologia da Informação iniciaram a busca pela qualidade, e para isso, passaram a fazer uso de vários modelos de melhores práticas e disciplinas como RUP [IBM, 2008], CMMI [CMU/SEI, 2007], PMBOK [PMI, 2004], MPS-BR [SOFTEX, 2008], Normas ISO [ABNT, 2004], COBIT [ISACA, 2008] e ITIL [ITIL, 2008] entre outros. Contudo, embora cada um tenha trazido sua importante colaboração para a área de TI1 e para a melhoria do processo de software, o processo de implantação do software no usuário final não recebeu tratamento de processo específico e necessário, levando a que vários projetos de software tenham insucesso na sua conclusão. O tratamento dado ao processo de implantação de software pelos modelos e disciplinas atuais, desconsidera a complexidade de implantação dos grandes sistemas integrados de gestão conhecidos como ERP2, e também dos sistemas específicos aplicados a grandes corporações e governos, fazendo com que as empresas desenvolvedoras destes softwares, criem e apliquem metodologias de implantação customizáveis e proprietárias que são tratadas como patrimônio. O objetivo deste trabalho é criar uma metodologia de implantação de software corporativo, que são os softwares utilizados por um grande número de usuários numa mesma corporação, que considere as condições iniciais necessárias para a instalação e disponibilização do software através de um planejamento, que identifique os usuários chave que serão responsáveis pela disseminação do uso do software na organização, que dê treinamento e acompanhamento aos usuários finais do software e execute todo o processo de implantação numa sequência natural, de forma que a metodologia possa ser utilizada e adaptada por adquirentes de software e consultorias de implantação que não tenham uma metodologia apropriada

Made available in DSpace on 2014-06-12T16:01:12Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7178_1.pdf: 1473982 bytes, checksum: a80205c97e4d02bb017cd160eec998a0 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2005 / A evolução da indústria de software vem seguindo as tendências do mercado global, onde fatores como alta qualidade, baixo custo de produção e manutenção, uso efetivo de recursos e time-to-market ditam os objetivos dos negócios. Além destas demandas, um novo fator está sendo incorporado: a customização de produtos para atender às necessidades únicas de cada cliente. Apesar de novas estratégias terem surgido na indústria de software no sentido de sistematizar o desenvolvimento de produtos de software, ainda existem vários desafios em torno da necessidade de construir produtos modulares e que possuam um alto grau de flexibilidade, como, por exemplo, o amadurecimento de um processo para a construção sistemática de produtos customizáveis de software e a solução dos problemas em torno da instanciação destes produtos para atender às necessidades particulares de diversos clientes. Através de uma análise de processos de software existentes foi possível identificar as lacunas deixadas pelos processos RUP e XP, no âmbito da customização e implantação de produtos de software. As abordagens focam no desenvolvimento de produtos de software, seja ele um serviço para um cliente específico (software sob encomenda) ou um produto fechado. Como resultado deste estudo, foi definida uma abordagem de processo de software cujo objetivo é orientar e apoiar na condução de projetos cujo foco é a customização e implantação de produtos de software. As principais contribuições deste trabalho são a formalização de um processo eficaz para a customização e implantação de produtos de software e que, ao mesmo tempo, seja vantajoso em termos de tempo e custo em relação ao desenvolvimento tradicional de software

Orientador: Mario Antonio Bica de Moraes / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-26T03:43:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rangel_ElidianeCipriano_D.pdf: 787803 bytes, checksum: 0b3afb1a1012d775c5984bbf14f79319 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Neste trabalho, investigou-se a influência da implantação iônica sobre as propriedades de filmes finos de polímero depositados a partir de plasmas de radiofrequência (40 MHz, 70 W) de dois compostos orgânicos (acetileno e benzeno) e de suas misturas com gases nobres. As irradiações foram realizadas em um implantador iônico, com íons He+ , N+ e Ar+ , à fluências entre 1018 e 1021 íons/m2 e energias de 50 a 150 keV. As propriedades estruturais e ópticas dos filmes foram analisadas por espectroscopias no infravermelho e no ultravioleta-visível, respectivamente. Através de Ressonância Paramagnética de Elétrons, foi verificado que o bombardeamento iônico produz radicais livres na estrutura polimérica. A concentração destas espécies no filme foi investigada em função da energia e da fluência do feixe iônico. Variações nas concentrações dos elementos químicos presentes nas amostras com o bombardeamento iônico foram investigadas por Espectroscopia de Retro-espalhamento Rutherford. A espessura dos filmes foi medida com um perfilômetro, e associada aos dados obtidos por RBS, permitiu a determinação da densidade dos polímeros. Medidas de dureza dos filmes foram realizadas com a técnica de nanoindentação. Usando o método de duas pontas foi determinada a resistividade elétrica dos filmes e, através da exposição a plasmas de oxigênio, foi avaliada a resistência à oxidação. A interpretação dos resultados foi baseada nos perfis de perda de energia dos íons obtidos com o programa TRIM (TRansport of Ions in Matter) / Abstract: This work reports the influence of the ion implantation on the properties of thin plasma polymer films deposited from radiofrequency (40 MHz, 70 W) plasmas of two organic compounds (acetylene and benzene) and from their mixtures with noble gases. The irradiations were performed with an ion implanter, using He+, N+ and Ar+ ions, in the fluence and energy range of 1018 to 1021 ions/m2 and 50 to 150 keV, respectively. Infrared and ultraviolet-visible spectroscopies were employed to characterize the structural and optical properties of the films, respectively. Using Electron Paramagnetic Resonance spectroscopy, the formation of free radicals in the film structure was investigated as a function of the ion beam energy and fluence. Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) was employed to determine the elemental composition of the samples and its change induced by the irradiation. Thicknesses of the films were measured with a profilemeter. Combination of the RBS and film thickness data allowed the determination of the density of the films. Hardness measurements were performed using the nanoindentation technique and the electrical resistivity of the films was determined by the two-point probe. The resistance to oxidation was determined from the etching rate of the polymers in an oxygen plasma. Interpretation of various experimental results were based on the implanted ion and energy loss simulation profiles, obtained with the TRansport of Ions in Matter ¿ TRIM code / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-28T13:25:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Maricato_EfesoFranciscodeMelo_M.pdf: 5710050 bytes, checksum: 922d33a93b7944d93f66aff4dde18594 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Neste trabalho projetamos, fabricamos e caracterizamos sensores magnéticos de efeito Hall. Realizamos um estudo sobre os princípios físicos envolvidos e figuras de mérito dos sensores (Tensão Hall, Sensibilidade, Tensão offset, Linearidade, Ruído e Coeficiente de temperatura) e, então, projetamos sensores Hall de várias geometrias, obtendo dispositivos com diferentes sensibilidades. Fabricamos estes dispositivos em camadas ativas de diferentes espessuras e dopagens com o objetivo de estudar o efeito destas variáveis na sensibilidades e linearidade dos dispositivos. O processo de fabricação desenvolvido é compatível com o processo de fabricação de transistores MESFET. Após o projeto dos sensores e processo de fabricação, fabricamos 5 níveis de máscaras através de um equipamento de feixe de elétrons. As camadas ativas foram obtidas por duas diferentes técnicas: implantação de íons e crescimento epitaxial. As regiões ativas implantadas foram dopadas com íons de 'SI POT. + SOB. 29¿ e a camada epitaxial dopada com silício, de modo que a concentração de portadores na camada ficasse na ordem de 1,0 x ¿10 POT. 17¿ 'CM POT. 3¿ e a espessura entre 0,2 - 0,5 'MU¿m. Após o encapsulamento dos dispositivos, caracterizamos os sensores com polarização de 1 - 7 mA e indução magnética entre O - 1,2 T (tesla). Os sensores fabricados apresentaram alta sensibilidade (88 - 820 V/A.T), tensão offset esperada e alta linearidade. Propomos alguns estudos sobre melhorias do processo de fabricação e sobre circuitos de condicionamento de sinais. ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: In this work we designed, fabricated and characterized Hall-effect magnetic sensors. We studied the involved physical principies and figures of merit of sensors (Hali voltage, Sensitivity, Offset voltage, Linearity, Noise and Temperature coefficient) and, then, we designed Hall sensors of different shapes, obtaining devices with different sensitivities. We fabricated these devices in active layers of different thicknesses and doping levels with the objective to study the effect of these variables on the sensitivity and linearity of the devices. The developed process is compatible with the fabrication process of MESFET transistors. After the design of the sensorsand the process,we fabricateda set of 5 levels of masks through an electron-beam equipment. The active layers have been obtained by two different techniques: ion implantation and epitaxial growth. The implanted active regions have been doped with ions of 'SI POT. + SOB. 29¿ and the doped epitaxial layer with silicon, so that the concentration of carriers in the layer was of the order of 1,0 x ¿10 POT. 17¿¿CM POT. 3¿ and the thickness between 0.2 - 0.5 'MU¿m.After the packaging of the devices, we characterized the sensors with current bias of 1 - 7 mA and magnetic induction between O - 1.2 T (tesla).The fabricated Hall sensors presented high sensitivity (88 - 820 V/A.T), low offset voltage and high linearity. Based on the results, some additional studies on improvements on the fabrication process and the signal conditioning circuits are suggested. ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Lisandro Pavie Cardoso / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-25T02:55:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hayashi_MarceloAssaoka_D.pdf: 2429525 bytes, checksum: f3b9a087de71de3923d5f66b44eef481 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Este trabalho tem como objetivo o desenvolvimento da difração múlt ipla de raios-X, como uma nova técnica de caracterização de materiais semicondutores submetidos à implantação iônica, e também de estruturas epitaxiais que apresentam ordenamento atômico. A técnica também mostrou-se de grande utilidade no estudo da coerência entre as redes cristalinas de heteroestruturas. A sensibilidade do caso de difração Bragg-superfície (BSD) ao regime cinemático ou dinâmico, foi aplicado através do mapeamento das curvas de isointensidade, no estudo dos efeitos da dose (fluência) e da energia do feixe iônico na rede do GaAs, fornecendo informação sobre a perfeição cristalina na direção paralela à superfície, através da medida do seu comprimento de coerência. Os casos BSD também foram escolhidos como método de observação direta do ordenamento atômico, pois os picos BSD mais intensos, pela geometria utilizada, são os com reflexões secundárias 111, que já foram descritas na literatura, como sendo as direções em que ocorre o ordenamento nos compostos III-V. A assimetria observada nas intensidades dos picos BSD em relação ao espelho de simetria, é reflexo da presença do ordenamento, que neste trabalho, foi observado pela primeira vez em amostras crescidas por epitaxia por feixe químico (CBE). No estudo das amostras de GaInP/GaAs, utilizando varreduras Renninger com radiação síncrotron, observou-se pela primeira vez a ocorrência de reflexões híbridas coerentes, em casos de quatro feixes da difração múlt ipla. Uma quebra de simetria observada nas varreduras Renninger, foi explicada como conseqüência do miscut do substrato. O grande comprimento de coerência da radiação síncrotron foi importante para essas observações, desde que ele tem que ser preservado ao longo de todo o caminho híbrido / Abstract: The aim of this work is to develop the X-ray multiple diffraction, as a new technique to characterize semiconductors wafers submitted to ion implantation and, epitaxial layers that presents atomic ordering. The technique was also of great usefulness in the study of the heterostucture lattice coherence. The sensitivity of the Bragg-surface diffraction (BSD) case to the regime of diffraction, dynamical or kinematical, was applied through BSD condition mapping, to analyze the role of dose and energy in the ion implantation process in GaAs lattice, providing information regarding in-plane crystalline perfection, it means, in the parallel direction of the sample surface, through the measurement of the surface lattice coherence length. BSD cases were also chosen as a method for direct observation of atomic ordering in semiconductors, since the strongest BSD peaks are in the [111] direction, reported in the literature, as the atomic ordering directions in III-V epitaxial layers. The asymmetry observed in the peak intensities, regarding the symmetry mirrors are due to the presence of ordered regions in the sample, that were observed for the first time in this work, in samples grown by chemical beam epitaxy (CBE). We have also observed for the first time, the occurrence of coherent hybrid reflect ions in mult iple diffract ion four-beam cases using synchrotron radiat ion Renninger scans to analyze GaInP/GaAs(001) samples. The symmetry break observed in the scans was explained as a consequence of the substrate miscut. The large coherence length of synchrotron radiation was important to these observations, since it has to be preserved along the hybrid path / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Lisandro Pavie Cardoso / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T01:39:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hayashi_MarceloAssaoka_M.pdf: 3391920 bytes, checksum: 644b6908248951f4dcb40e3eb2a5089b (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Daniele Botticelli / Banca: Wilson Roberto Poi / Banca: Idelmo Rangel Garcia Júnior / Banca: Luiz Antônio Salata / Banca: Thais da Silveira Rodrigues / Resumo: Objetivo: avaliar a influência da instalação de implantes em alvéolos imediatamente após a extração do elemento dental na regeneração dos tecidos peri-implantares com implantes de diferentes configurações Material e métodos: Nos alvéolos distais dos quartos pré-molares mandibulares de cães, imediatamente após as extrações das raízes dentais, foram instalados implantes cilíndricos com 3,3 mm de diâmetro (grupo controle) e implantes cônicos com 5,0 mm de diâmetro (grupo teste). Foram avaliados histologicamente a regeneração dos tecidos duros e moles peri-implantares após 4 meses do procedimento cirúrgico. Resultados: Todos os implantes apresentaram-se osseointegrados ao tecido ósseo maduro mineralizado. A crista óssea alveolar sofreu reabsorção tanto no grupo teste como controle. A superfície óssea vestibular dos implantes do grupo teste (cônico; 3,6 mm) apresentou maior grau de reabsorção em comparação ao grupo controle (cilíndrico; 1,6 mm). As dimensões dos tecidos moles apresentaram-se semelhantes em ambos os grupos. No entanto, em relação ao ombro do implante, a mucosa peri-implantar localizou-se mais apicalmente no grupo teste em relação ao grupo controle. Conclusão: Este estudo confirmou que a distância entre a superfície do implante e o contorno externo da crista óssea alveolar vestibular influenciou no grau de reabsorção da tábua óssea vestibular. Conseqüentemente, em relação ao ombro do implante, a mucosa peri-implantar será estabelecida em um nível mais apical, se a distância entre a superfície do implante e o contorno externo da crista óssea alveolar for menor / Abstract: Aim: the aim of the present experiment was to study the influence of implant installation into sockets immediately after tooth extraction on the healing periimplant tissues with implants of various configurations. Material & methods: Transmucosal cylindrical 3.3mm in diameter implants in the control sites, and conical 5.0mm in diameter in the test sites, were installed into the distal socket of the forth mandibular premolars in dogs immediately after tooth extraction. After 4 months, the hard and soft tissue healing was evaluated histologically. Results: All implants were integrated in mineralized mature bone. Both at the test and control sites, the alveolar crest underwent resorption. The buccal bony surface at the implant of the test sites (conical; 3.6mm) was more resorbed compared to the control sites (cylindrical; 1.6mm). The soft tissue dimensions were similar in both groups. However, in relation to the implant shoulder, the periimplant mucosa was located more apically at the test compared to the control sites. Conclusion:The present study confirmed that the distance between the implant surface and the outer contour of the buccal alveolar bony crest influenced the degree of resorption of the buccal bone plate. Consequently, in relation to the implant shoulder, the peri-implant mucosa will be established at a more apical level if the distance between the implant surface and the outer contour of the alveolar crest is small / Doutor

Submitted by Daniel Lordelo Costa Araujo (dlcaraujo@gmail.com) on 2012-07-04T04:18:54Z No. of bitstreams: 1 ANÁLISE DOS FATORES PARA IMPLANTAÇÃO DE ESTRATÉGIAS - Daniel Araujo_merged.pdf: 994081 bytes, checksum: ebf7999af48267babc51c63b5fe9c949 (MD5) / Approved for entry into archive by Suzinei Teles Garcia Garcia (suzinei.garcia@fgv.br) on 2012-07-04T12:48:18Z (GMT) No. of bitstreams: 1 ANÁLISE DOS FATORES PARA IMPLANTAÇÃO DE ESTRATÉGIAS - Daniel Araujo_merged.pdf: 994081 bytes, checksum: ebf7999af48267babc51c63b5fe9c949 (MD5) / Made available in DSpace on 2012-07-04T12:53:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ANÁLISE DOS FATORES PARA IMPLANTAÇÃO DE ESTRATÉGIAS - Daniel Araujo_merged.pdf: 994081 bytes, checksum: ebf7999af48267babc51c63b5fe9c949 (MD5) Previous issue date: 2012-06-04 / In The Corporative Strategy Field, several works from 1990 and 2000 year study how the strategies should be formulated to guarantee the success of the corporations. But just a few authors write about obstacles or models to enhance the strategy implementation. Based on how important the middle management is over an organizational strategy implementation, this study has the objective of identifying what motivates and influences the middle managers tounderstand the company strategies. By interviewing the middle managers from a big national bank, this study presents an investigation about similarities and differences from what the interviewed managers think versus what the strategy theory states. Considering the studies of Hornsby (2002), Okumus (2001), Noble (1999), Littler (2000), it was possible to verify that middle managers’ opinion is compatible with actual literature of the models and barriers to implement strategies subject. The main relevant factors that are critical in the strategy implementation in the view of the big national bank middle managers are: transactional, frequent and decentralized communication, the strong involvement of high management over implementation process, development of a broader and qualitative approach in the strategy implementation processes, organizational culture favorable to changes, risks and errors tolerance and clear definition of what every member of the team will earn. / No campo de 'Estratégia Empresarial', diversos estudos dos anos 1990 e 2000 tratam de como as estratégias devem ser formuladas para garantir o sucesso das organizações. Porém, nesse mesmo período, apenas alguns deles se debruçaram sobre o tema modelos e obstáculos na implantação das estratégias. Considerando que os gerentes médios são parte fundamental no sucesso da implantação das estratégias organizacionais, essa dissertação tem como objeto identificar o que motiva e influencia a atuação desses profissionais na condução da equipe e assimilação das diretrizes da empresa. Por meio de entrevistas estruturadas com gerentes médios de um grande banco nacional, esse trabalho apresenta uma investigação empírica e identifica os pontos de convergência e divergência dos entrevistados com a literatura de implantação de estratégia. Retomando as pesquisas de Hornsby (2002), Okumus (2001), Noble (1999), Littler (2000) entre outros autores, verificou-se que a visão dos gerentes médios converge e aprofunda os pontos apresentados na literatura como fundamentais na implantação das estratégias tais como: comunicação transacional, frequente, descentralizada; processos de implantação mais abrangentes, com abordagem qualitativa; alta gestão mais participativa na execução das estratégias, ambiente favorável a mudança, possibilidade de se assumir riscos e definição clara dos papéis e dos ganhos de cada membro no projeto