Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport électronique vertical dans les hétérostructures de nitrures n’existent pas ou ne sont pas accessibles en Europe. Ceci a nécessité la conception d’un nouvel outil de simulation pour analyser et optimiser les dispositifs et aider à la conception. Le modèle développé dans ce manuscrit de thèse est basée sur la résolution auto-cohérente des équations de Schrödinger-Poisson dans l’approche des fonctions de Green hors équilibre. Coté technologique, la stratégie employée pour obtenir un certain nombre d’hétérostructures libres de dislocations reposait sur la réalisation de nano-diodes en suivant les deux approches suivantes. La première dite « ascendante » met en œuvre la technique d’épitaxie sélective sur des ouvertures de masque diélectrique et sur des piliers GaN avec des diamètres compris entre 100 nm et 5 µm. La seconde approche dite « descendante » repose sur la réduction de taille des dispositifs et par voie de conséquence du nombre de dislocations présentes en leur sein. Les caractéristiques électriques de ces nano-diodes ont pu être mesurées sous micro-pointes au FIB, au nano-probe et analyseur de réseau. Le phénomène de NDR est étudié en fonction du sens de la polarisation, du traitement électrique, de la température et du taux d’aluminium dans les couches barrières AlGaN. - Les transistors à haute mobilité mobilité AlGaN/GaN: la première étape de cette seconde partie a consisté à réaliser une structure HEMT conventionnelle AlGaN/GaN à l’état de l’art. La seconde étape a porté sur l’amélioration de la résistivité de la couche buffer GaN soit en y incorporant de l’aluminium ou du bore. Plusieurs épaisseurs et positions de la couche BGaN dans la structure HEMT conventionnelle AlGaN/GaN ont été testées en vue de déterminer la structure optimale. Les études comparatives entre les structures HEMT AlGaN/GaN avec et sans couche BGaN, ont permis de montrer que l’utilisation de cette dernière comme couche contre-barrière permettait d’améliorer drastiquement le confinement des porteurs dans le canal 2DEG et de réduire nettement le dopage résiduel de la zone active. / The work described in this thesis contributes to the improvement on some circuit based on wide band gap semiconductors. The first concerns the oscillators and the second RF amplifiers at microwave frequencies. Components selected to build these two devices are resonant tunneling diodes and high electron mobility transistors. This thesis is divided into two distinct parts:-The resonant tunneling diodes AlGaN/GaN: a software that provides a rigorous description of vertical transport in nitride heterostructures does not exist or are not available in Europe. In this thesis, we developed a model based on the self-consistent resolution of the Schrödinger and Poisson equation using the non-equilibrium Green functions. The strategy employed to obtain some heterostructures free from dislocations is based on the realization of nano-diodes in the following two approaches. The first approach "bottom-up" implements the technique of selective epitaxy on nano-patterned GaN template. The second approach called "top down" is based on the reduction of device size and consequently the number of dislocations. The electrical characteristics of these nano-diodes have been measured by FIB, Nanoprobe and vector network analyzer. The negative differential resistance is studied depending in both direction of bias, electrical treatment, temperature and aluminum incorporation in the AlGaN barriers layers.- The high electron mobility transistors AlGaN/GaN: the second part was aimed to perform a conventional AlGaN/GaN HEMT structure exhibiting in the state of the art performance. To do that, we focused on improving the resistivity of the GaN buffer layer by incorporating either of aluminum or boron. Several positions and thicknesses of BGaN layer in the conventional AlGaN /GaN HEMT structure were tested to determine the optimal structure. Comparative studies between AlGaN/GaN HEMT structures with and without BGaN layer have shown that the use of BGaN layer as a back-barrier drastically improves the carrier confinement in the 2DEG channel and significantly reduces the residual doping of the active area.

La propagation des ondes élastiques dans les structures périodiques infinies est décrite par la théorie de Floquet-Bloch. Les contraintes expérimentales conduisant nécessairement à des cristaux phononiques de taille finie, des écarts à la théorie sont donc envisageables. Par ailleurs, le comportement expérimental des ondes élastiques au sein de ces milieux périodiques est mal décrit à ce jour, car déduit du signal transmis. Ainsi, un grand nombre de phénomènes, n'existant qu'au sein des cristaux, ne peuvent être mis en évidence. La première partie de ce travail expérimental vise à mieux appréhender la dispersion des ondes élastiques se propageant au sein de cristaux phononiques bidimensionnels. Ces derniers sont composés d'inclusions d'air obtenues par photolithographie et attaque chimique de plaques minces de silicium. Un montage "ultrasons-laser", permettant la génération et la détection d'ondes élastiques en tout point de la surface de l'échantillon, a été mis au point. L'analyse des champs de déplacements de surface a permis la mise en évidence de la décomposition des vecteurs d'onde telle que prédite par la théorie de Floquet-Bloch. Une observation des modes à vitesse de groupe nulle en bord de gap a également été réalisée. Enfin, l'influence de la dissymétrie des inclusions sur l'ouverture de gap intra-bande a été étudiée. La seconde partie de ce travail est consacrée à l'observation expérimentale de la réfraction négative d'ondes élastiques, de Lamb et de Rayleigh, par des cristaux phononiques à deux dimensions et à matrices solides (silicium et silice). Le lien entre la propagation des ondes au sein du cristal phononique et leur réfraction à l'interface avec le milieu homogène est établi.

Des structures à base de métamatériaux conçus avec des rubans conducteurs imprimés sur un support diélectrique, notamment le Résonateur en Anneau Fendu (RAF), sont étudiées, fabriquées et leurs performances sont mesurées en bande X [8,2 GHz ; 12,4 GHz]. Le RAF, de dimensions très faibles par rapport à la longueur d'onde, possède des propriétés coupe-bande et une perméabilité négative dans une bande étroite de fréquences autour de sa résonance. Dans un premier temps, une structure à indice de réfraction négatif conçue par une association périodique de RAFs et de rubans rectilignes, est utilisée pour améliorer les performances d'une antenne patch. Ensuite, l'association des RAFs aux guides d'ondes ou aux lignes microrubans permet de mettre en évidence deux phénomènes de filtrage. Enfin, la dernière partie de cette thèse explore l'utilisation d'un nouveau type de plan de masse démétallisé par des Résonateurs en Anneau Fendu Complémentaires (RAFCs). Des structures de filtrage coupe-bande et passe-bande et aussi un nouveau type de coupleur sont proposés comme applications. L'utilisation de ces matériaux offre des avantages tels que la réduction du poids et de l'encombrement, ce qui est bénéfique pour leur intégration dans un système électronique.

Parmi les différents systèmes de stockage d’énergie électrique étudiés depuis plus de 2 siècles, le stockage électrochimique de type batterie Li-Ion est vraisemblablement le plus pertinent et le plus efficace. Des verrous demeurent cependant pour avoir des batteries Li-Ion répondants aux besoins actuels, et une des limitations provient des matériaux d’électrodes. Le silicium est un candidat de choix pour répondre aux problématiques batteries posées, cependant sa tenue au cyclage est courte et les méthodes de synthèse sont souvent très contraignantes. Associant deux laboratoires de recherche acteurs majeurs dans le domaines des nanosciences (le LRN à l’URCA) et des matériaux et batteries (le LRCS à l’UPJV) le projet pluridisciplinaire NanoSiBL d’une durée de 36 mois se fixe pour objectif d’apporter des solutions aux deux points précédents par : 1, la réalisation d’électrodes négatives en Silicium par une voie de synthèse bas coût originale et innovante développée au LRN (l’électrodépôt en milieu liquide ionique), 2 un accroissement de la durée de vie de l’électrode grâce à deux types de structuration (soit une électrode constituée de nanofils/nanotubes de Si monolithique soit une électrode nanostructurée composite de Si/TiO2). L’expertise dans le domaine des batteries du LRCS devrait permettre sur ce deuxième point de déterminer la géométrie et configuration idéale de l’électrode en termes de performance. Basé des méthodes d’élaboration par électrochimie bas coût et originale, NanoSiBL a pour objectif, grâce au partage de compétences et de technologie entre physiciens et chimistes impliqués, d’initier une nouvelle thématique inter-établissement axée sur la valorisation de nanostructures de silicium et silicium composite nanostructuré. L’intérêt scientifique de ce projet réside dans la mise en œuvre et le contrôle des propriétés intrinsèques de ces nanostructures à base de silicium pour la réalisation d’électrodes négatives performantes de batterie Li-Ion. Dans la littérature, les électrodes négatives à base silicium ou silicium composite (type Si/TiO2) ont déjà démontré une amélioration par rapport aux électrodes de silicium massif. Néanmoins, le passage à des dispositifs opérationnels reste peu fréquent car les voies permettant de contenir l’expansion en volume du silicium restent à éprouver et car les méthodes utilisées pour élaborer ces nanofils de silicium (Chemical Vapor Deposition, évaporation réactive…) restent très contraignantes, tant au niveau des conditions de croissance (nécessité d’utiliser des précurseurs métalliques et des gaz très toxiques) que des coûts de fabrication (travail sous ultra-vide, nombreuses étapes pour la réalisation des dispositifs avec la nécessité de réaliser des contacts post-croissance…). NanoSiBL propose donc une alternative en réelle rupture technologique avec les méthodes de synthèse actuelles. Les techniques de croissance (électrodépôt en liquide ionique) et de nanostructuration (au sein de membranes polycarbonates ou nanotubes de TiO2) utilisées dans le projet permettront la mise au point d’électrodes à bas coût performantes pour l’application batterie Li-Ion visée. En outre la variété conséquente de géométries possibles proposées par les membranes nanoporeuses qui seront utilisées dans le projet (polycarbonate ou nanotubes de TiO2) permettra d’établir un comparatif essentiel de l’impact de la nanostructuration ou encore de la composition des électrodes pour contenir l’expansion en volume du silicium lors du cyclage et ainsi améliorer la durée de vie de telles électrodes (batterie). / Among the various electric energy storage systems studied for more than two centuries, the electrochemical storage battery type Li-Ion is probably the most relevant and most effective. however locks remain for Li-Ion batteries respondents to current needs, and limitations comes from the electrode materials. Silicon is a prime candidate to meet the challenges posed batteries, however its resistance to cycling is short and synthesis methods are often very restrictive. Combining two research laboratories major players in the fields of nanoscience (the LRN to URCA) and materials and batteries (the LRCS to UPJV) the multidisciplinary project NanoSiBL a period of 36 months set the objective of provide solutions to the above two points: 1, the realization of negative electrodes in silicon by a synthetic route down original and innovative cost developed LRN (electrodeposition in ionic liquid medium), 2 increased lifetime of the electrode through two types of structuring (or one electrode made of nanowires / nanotubes Si monolithic or a composite nanostructured electrode Si / TiO2). The expertise in the field of LRCS of batteries should allow this second point to determine the geometry and ideal configuration of the electrode in terms of performance. Based methods developed by electrochemistry low cost and original NanoSiBL aims, through the sharing of expertise and technology between physicists and chemists involved, to initiate an inter-establishment new theme focused on valuation and silicon nanostructures composite nanostructured silicon. The scientific interest of this project lies in the implementation and control of the intrinsic properties of these nanostructures based on silicon for making efficient negative electrodes of Li-Ion battery. In the literature, the negative electrodes based on silicon or silicon composite (type Si / TiO2) have already demonstrated improvement compared to bulk silicon electrodes. However, the transition to operational devices remains uncommon for ways to contain the expansion in volume of the silicon are experiencing and because the methods used to develop these silicon nanowires (chemical vapor deposition, reactive evaporation ...) remain very restrictive both in terms of growth conditions (the need to use metal precursors and highly toxic gases) that manufacturing costs (labor UHV, many steps for the realization of devices with the need for contacts post- growth…). NanoSiBL proposes an alternative in real technological break with the current methods of synthesis. growth techniques (electrodeposition in ionic liquid) and nanostructuring (in polycarbonates or TiO2 nanotube membranes) used in the project will enable the development of electrodes at low cost efficient for application referred Li-Ion battery. Furthermore the consequent variety of possible geometries offered by the nanoporous membranes to be used in the project (polycarbonate or TiO2 nanotubes) will establish a critical comparison of the impact of the nanostructure or composition of electrodes to contain expansion by volume of the silicon during the cycling and improve the life of such electrodes (battery).

Les métamatériaux à indice de réfraction négative ont attiré énormément l'attention ces dernières années surtout à cause de leurs propriétés électromagnétiques uniques. Ces matériaux sont des structures artificielles qui présentent des caractéristiques n'étant pas disponibles en matériaux naturels. Récemment, le développement technologique avec de nouvelles techniques de fabrication offrent un grand nombre de nouvelles application et développement de nouveaux matériaux. Il est possible d'obtenir un métamatériau en combinant des structures artificielles périodiquement. Les propriétés uniques du Split Ring Resonator (SRR), les Surfaces à Haute Impédance (HIS), les Surface Sélective en Fréquence (FSS) sont étudiées ainsi que les métamatériaux composés. Il a été démontré avec succès l'utilisation pratique de ces structures dans les circuits et les antennes. Il a été confirmé expérimentalement que les métamatériaux pourrait améliorer la performance des structures considérées dans cette thèse, pour des fréquences où la bande interdite électromagnétique se produit.

L'intolérance à l'incertitude (II) et l'attitude négative face aux problèmes (AN) sont des vulnérabilités cognitives fortement liées à la tendance excessive à s'inquiéter et à d'autres symptômes du trouble d'anxiété généralisée (TAG; Dugas, Gagnon, Ladouceur, & freston, 1998). Tel que proposé par Dugas, Buhr et Ladouceur (2004), certains contextes familiaux pourraient être liés au développement de ces vulnérabilités cognitives. Des études ont démontré un lien entre des comportements parentaux d'anxiété et de surprotection et des symptômes d'anxiété chez l'enfant (Bôgels & Brechman-Toussaint, 2006) et l'adolescent (van Brakel, Muris, Bôgels, & Thomassen, 2006). Une méta-analyse a conclu que les adultes anxieux auraient perçu un patron de comportements parentaux surprotecteurs et peu chaleureux durant l'enfance (Gerlsma, Emmelkamp, & Arrindell, 1990). Malgré l'abondance d'écrits portant sur l'anxiété et les pratiques parentales, peu d'études ont clarifié les comportements parentaux liés spécifiquement au diagnostic de TAG et de ses caractéristiques. La présente étude propose d'examiner les liens entre les comportements parentaux, les symptômes du TAG, l'II et l'AN, en comparant deux groupes de participants : un groupe présentant les critères diagnostiques du TAG et un groupe de participants appariés en bonne santé psychologique (groupe contrôle). L'hypothèse 1 proposait que les adultes souffrant d'un TAG rapporteraient avoir perçu davantage de comportements parentaux d'anxiété et de surprotection que leurs homologues contrôles. L'hypothèse 2 stipulait que I'll et l'AN seraient chacune liée à ces comportements parentaux. Advenant la présence de liens significatifs entre ces variables, la thèse visait à vérifier le rôle médiateur de l'II et de l'AN dans les liens unissant les comportements parentaux et les symptômes du TAG. Les résultats révèlent que les individus ayant un TAG ont perçu davantage de comportements anxieux et surprotecteurs chez leurs deux parents ainsi que moins de chaleur maternelle que leurs homologues non anxieux. Le rôle médiateur de l'II et de l'AN a été confirmé entre, d'une part, la perception de comportements anxieux et surprotecteurs du père, et d'autre part, les symptômes du TAG. L'II apparaît aussi être une variable médiatrice dans le lien unissant la perception de comportements de chaleur paternelle et les symptômes du TAG. L'II et de l'AN constituent des variables médiatrices entre la perception de comportements de chaleur maternelle et les symptômes du TAG, alors que l'AN exerce un rôle médiateur entre la surprotection maternelle et les symptômes du TAG. Ces résultats appuient ceux de Zlomke et Young (2009), qui ont récemment suggéré le rôle médiateur de t'II dans la relation entre les comportements anxieux des parents et l'inquiétude auprès d'étudiants universitaires. La présente étude est la première à illustrer le rôle médiateur de l'll et de l'AN dans la relation entre les comportements parentaux perçus durant l'enfance et les symptômes du TAG et ce, auprès d'un échantillon clinique adulte. Les résultats informent quant aux mécanismes liés au TAG et suggèrent la pertinence d'interventions précoces ciblant ces vulnérabilités cognitives auprès des enfants anxieux et de leur famille.

La somatisation a une prévalence élevée dans la population. Les médecins n'arrivant pas à bien comprendre les symptômes ni à les traiter, certains facteurs psychologiques sont mis en cause dans le développement et le maintien de cette problématique. Parmi ceux-ci, des déficits au niveau de la régulation émotionnelle et de la mentalisation des états affectifs sont identifiés. Le développement d'un attachement insécurisant (c.-à-d. caractérisé par une élévation à la dimension d'anxiété d'abandon ou d'évitement de l'intimité) est reconnu comme étant impliqué dans ces déficits. Un examen de la documentation scientifique permet de constater que les mécanismes affectifs susceptibles de contribuer à la somatisation n'ont étés explorés que partiellement. Afin de préciser ces mécanismes, nous proposons un modèle original qui distingue deux profils de personnes présentant des symptômes de somatisation en fonction de la dimension d'attachement. Il est postulé que l'évitement de l'intimité implique une inhibition émotionnelle et l'anxiété d'abandon une intensification émotionnelle, et que ces deux profils distinctifs engendrent une plus grande incidence de la somatisation. L'affectivité négative, des déficits au niveau de la mentalisation et l'affectivité positive sont aussi intégrés au modèle; il est attendu que les deux premiers facteurs accroissent la somatisation, alors qu'aucune hypothèse n'est formulée concernant l'affectivité positive. Afin de vérifier ces hypothèses, des questionnaires mesurant ces différentes variables ont étés administrés à des personnes présentant des symptômes qui ne sont pas complètement expliqués médicalement. Les résultats montrent que l'évitement de l'intimité va de pair avec une inhibition émotionnelle, mais contrairement à ce qui était prévu, il n'augmente pas la somatisation via ce style de régulation émotionnelle tel que mesuré dans cette étude. Plutôt, l'évitement de l'intimité accroit la somatisation par le mécanisme de l'anhédonie (faible affectivité positive). L'anxiété d'abandon favorise l'intensification émotionnelle. Elle accroit la somatisation par le biais de l'affectivité négative, qu'elle tend à augmenter directement ou indirectement via l'intensification émotionnelle. L'affectivité négative est le meilleur prédicteur de la somatisation dans le modèle, suivie de près par l'anhédonie. Un déficit au niveau de la capacité à envisager ses propres états mentaux est associé à une augmentation de la somatisation et prédit les préoccupations par rapport à la santé, mais pas les symptômes somatiques et leurs impacts. La capacité à envisager les états mentaux des autres n'ayant pas été mesurée adéquatement, ses relations avec la somatisation n'ont pu être convenablement mises à l'épreuve. Dans l'ensemble, les deux profils, soit évitement de l'intimité-inhibition et anxiété d'abandon-intensification, semblent contribuer à la somatisation. Le profil évitement de l'intimité-inhibition le fait principalement via l'anhédonie, possiblement associée à des mécanismes dépressifs, alors que l'action du profil anxiété d'abandon-intensification s'exerce via l'affectivité négative, sans doute affiliée à des mécanismes anxieux. La mentalisation semble également liée à la somatisation : cette dernière augmenterait en fonction des difficultés vécues sur le plan de la capacité à envisager ses propres états mentaux, en accord avec les hypothèses traditionnelles de la médecine psychosomatique. Mots clés : somatisation, symptômes physiques médicalement inexpliqués, attachement, mentalisation, régulation émotionnelle, affectivité positive, affectivité négative.

Ce mémoire d'Habilitation à Diriger des Recherches synthétise mes activités de recherche de 2001 à ce jour. En annexe de chaque chapitre sont données des publications permettant au lecteur d'avoir une connaissance plus détaillée des sujets traités. Le document commence par l'étude de la propagation d'ondes guidées (ondes de Lamb) avec une rugosité de surface. L'influence de cette rugosité sur les courbes de dispersion des ondes est étudiée en détail. On observe notamment une atténuation liée à la hauteur mais également à la périodicité de la perturbation de surface. Cette étude nous conduit naturellement aux structures périodiques. Différentes approches sont exposées dans ce mémoire : expérimentale, numérique (Méthode des Eléments Finis) et théorique. Un certain nombre de résultats sur un cas simple de champs scalaires sont donnés (guide d'onde fluide, ondes SH). La propagation d'ondes de Lamb dans une plaque élastique striée est ensuite étudiée. Les couplages de modes liés à la présence d'une perturbation périodique sont plus particulièrement analysés en lien avec la structure de bande (cristal phononique 1D). La dernière partie est consacrée au phénomène particulier de réfraction négative dans les cristaux phononiques.

Ce mémoire de thèse est consacré à l'étude, la fabrication et la caractérisation de métamatériaux en vue d'applications dans le domaine millimétrique et submillimétrique. Dans un premier temps, nous avons tenu à rappeler les propriétés remarquables ainsi que les processus physiques mis en jeux par cette nouvelle génération de matériaux. Le manuscrit regroupe essentiellement des résultats issus d’études réalisées sur différentes structures en microondes et en terahertz : métamatériaux composites, métamatériaux entièrement diélectriques à base de résonances de Mie, ouvertures sublongueur d’ondes basés sur la transmission extraordinaire assistée par plasmons de surface. Nos investigations ont permis d’ouvrir la voie à de multiples applications dans les domaines des capteurs et des télécommunications. / This PhD dissertation is dedicated to the study, fabrication and characterization of metamaterials for millimeter and submillimeter applications. First of all we proposed to remind the extraordinary properties and physical processes involving within this new generation of materials. The manuscript contains results obtained from studies performed on different categories of metamaterials at microwave and terahertz frequencies: composite metamaterials, all dielectric metamaterials based on Mie resonances, subwavelength apertures based on the extraordinary transmission assisted by surface Plasmon polaritons. Our investigations have contributed to open the path to multiple potential applications in the field of sensors and telecommunications.

L’établissement d’un marché intérieur procède, sur le plan juridique d’un double mécanisme : un mécanisme d’intégration négative et un mécanisme d’intégration positive. L'intégration négative désigne les interdictions adressées aux États et à leurs collectivités, d'entraver la circulation interétatique de marchandises, personnes, services et capitaux. La Constitution américaine et le traité sur le fonctionnement de l’Union européenne contiennent des dispositions permettant cette intégration des marchés étatiques. La Cour Suprême et la Cour de justice de l'Union européenne ont, dans ce cadre, joué un rôle majeur en précisant la portée qu'il convenait de donner à ces dispositions. Elles ont, à cet égard, développé un cadre d'analyse similaire consistant à identifier les mesures susceptibles de restreindre les libertés de circulation et à examiner si de telles mesures pouvaient être justifiées par un intérêt légitime des États. La marge de manœuvre laissée aux États diverge, néanmoins, sensiblement dans la mesure où les objectifs assignés à l’intégration négative ne présentent qu’une similarité partielle. La jurisprudence américaine est, en effet, essentiellement fondée sur la doctrine de l'anti-protectionnisme tandis que la jurisprudence communautaire a posé un principe plus dynamique de décloisonnement des marchés. Cette divergence est révélatrice d'une conception différente des finalités de chaque Union et du rôle du juge. Le juge américain veille avant tout au respect de la répartition des compétences, telle que prévue par la Constitution; le juge communautaire s’inscrit dans une logique fonctionnelle de réalisation d’un marché intérieur. / The establishment of an internal market results, in legal terms, from a dual mechanism: a mechanism of negative integration and a mechanism of positive integration. Negative integration refers to the prohibition addressed to the States and their local authorities, ta impede interstate movement of goods, persons, service and capital. The U.S. Constitution and the Treaty on the Functioning of the European Union contain provision allowing the integration of state markets. The Supreme Court and the Court of Justice of the European Union have played, in this context, a major role in specifying the meaning ta be given ta these provisions. They have in this regard, developed a similar framework to identify measures that are likely to restrict freedom of movement and ta examine whether such measures could be justified by a legitimate interest of the States. They way left to the States differs, however, substantially since the goals of negative integration are only partially identical. American case law is, indeed, essentially based on the anti-protectionist doctrine while F.U case law is based on a more dynamic principle of market liberalization. This difference is indicative of different approaches regarding the purposes of each Union and the roIe of the judge. The U .S. judge ensures, above all, that the division of competences, as provided by the Constitution, is enforced whereas the role of the ECJ is essentially to guarantee market integration.