Atomically thin, semiconducting transition metal dichalogenides (TMDs), a special class of layered semiconductors, that can be shaped as a perfect two dimensional material, have garnered a lot of attention owing to their fascinating electronic properties which are achievable at the extreme nanoscale. In contrast to graphene, the most celebrated two-dimensional (2D) material thus far; TMDs exhibit a direct band gap in the monolayer regime. The presence of a non-zero bandgap along with the broken inversion symmetry in the monolayer limit brands semiconducting TMDs as the perfect candidate for future optoelectronic and valleytronics-based device application. These remarkable discoveries demand exploration of different materials that possess similar properties alike TMDs. Recently, III-VI layered semiconducting materials (example: InSe, GaSe etc.) have also emerged as potential materials for optical device based applications as, similar to TMDs, they can be shaped into a perfect two-dimensional form as well as possess a sizable band gap in their nano-regime. The perfect 2D character in layered materials cause enhancement of strong Coulomb interaction. As a result, excitons, a coulomb bound quasiparticle made of electron-hole pair, dominate the optical properties near the bandgap. The basis of development for future optoelectronic-based devices requires accurate characterization of the essential properties of excitons. Two fundamental parameters that characterize the quantum dynamics of excitons are: a) the dephasing rate, 𝛾, which represents the coherence loss due to the interaction of the excitons with their environment (for example- phonons, impurities, other excitons, etc.) and b) excited state population decay rate arising from radiative and non-radiative relaxation processes. The dephasing rate is representative of the time scale over which excitons can be coherently manipulated, therefore accurately probing the source of exciton decoherence is crucial for understanding the basic unexplored science as well as creating technological developments. The dephasing dynamics in semiconductors typically occur in the picosecond to femtosecond timescale, thus the use of ultrafast laser spectroscopy is a potential route to probe such excitonic responses. The focus of this dissertation is two-fold: firstly, to develop the necessary instrumentation to accurately probe the aforementioned parameters and secondly, to explore the quantum dynamics and the underlying many-body interactions in different layered semiconducting materials. A custom-built multidimensional optical non-linear spectrometer was developed in order to perform two-dimensional spectroscopic (2DFT) measurements. The advantages of this technique are multifaceted compared to regular one-dimensional and non-linear incoherent techniques. 2DFT technique is based on an enhanced version of Four wave mixing experiments. This powerful tool is capable of identifying the resonant coupling, probing the coherent pathways, unambiguously extracting the homogeneous linewidth in the presence of inhomogeneity and decomposing a complex spectra into real and imaginary parts. It is not possible to uncover such crucial features by employing one dimensional non-linear technique. Monolayers as well as bulk TMDs and group III-VI bulk layered materials are explored in this dissertation. The exciton quantum dynamics is explored with three pulse four-wave mixing whereas the phase sensitive measurements are obtained by employing two-dimensional Fourier transform spectroscopy. Temperature and excitation density dependent 2DFT experiments unfold the information associated with the many-body interactions in the layered semiconducting samples.

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Realizamos medidas de tempos de relaxação de centros F em cristais de KCN, pela técnica de saturação do sinal de absorção por pulsos de microonda. Observamos um comportamento não exponencial para a recuperação da magnetização da amostra ap6so pulso. Este fato deve-se ao efeito combinado de relaxação cruzada ou difusão da magnetização pelo espectro de absorção, juntamente com a relaxação spin-rede. Medidas à 4,2 °K e 1,8 °K fornecem indícios que, ap6s algum tempo, apenas a relaxação spin-rede sobrexiste. O modelo teórico baseado na modulação da interação hiperfina e no processo direto fornece tempos menores que os obtidos experimentalmente. Isto deve-se à formação de conglomerados de centros. Também elaboramos um modelo levando em conta processo Raman, para prever tempos de relaxação spin-rede a temperaturas mais elevadas. / We measure the spin-lattice relaxation time of F centers in KCN at 1.8 and 4.2 K using the saturation recovery technique. The observed recovery is non exponential. This result is interpreted in terms of the combined effect of cross-relaxation and spin lattice relaxation. The values obtained for T1 (- sec) are found to be shorter than those calculated theoretically. This discrepancy is throught to arise from the presence of clusters. The characteristic time found from the initial part of recovery is found to be -6 sec in agreement with that found in KC for the recovery of a hole burnt in the resonance line (45). Finally the value of T1 was calculated for the Raman processes at high temperature and compared with known results.

Com o rápido avanço das técnicas experimentais observado nas últimas décadas, a fabricação de sistemas nanoestruturados se tornou uma realidade. Nessa escala de grandeza, as interações entre elétrons e vibrações nucleares têm um papel importante no transporte eletrônico, podendo causar a perda de coerência de fase dos elétrons, a abertura de novos canais de condução e a supressão de canais puramente elásticos. Neste trabalho, o problema do transporte eletrônico em escala nanométrica foi tratado considerando as interações elétron-fônon, o que resultou na implementação de ferramentas computacionais para simulação realística de materiais. O transporte eletrônico foi abordado por meio do formalismo das Funções de Green Fora do Equilíbrio, onde as interações elétron-fônon foram tratadas por diferentes modelos. Para considerar o efeito dessas interações no transporte, é necessário, em princípio, incluir um termo de autoenergia de espalhamento na Hamiltoniana do sistema. Contudo, a forma exata dessa autoenergia é desconhecida e aproximações são necessárias. O primeiro efeito da interação elétron-fônon estudado foi a perda de coerência de fase, o que foi abordado pelo modelo fenomenológico das sondas de Büttiker [1]. Foram realizadas duas implementações diferentes deste modelo, a primeira na forma usual, onde se considera uma aproximação elástica para o cálculo da corrente, e a segunda por meio de uma nova proposta sem a aproximação elástica. Entretanto, como a autoenergia de interação utilizada não contém informação a respeito da estrutura dos fônons, o modelo produz somente um alargamento do canal de condutância, simulando apenas o efeito de perda de coerência de fase dos elétrons devido à interação com fônons do material. Para poder incluir as informações sobre a estrutura dos fônons, foi desenvolvido o programa PhOnonS ITeratIVE VIBRATIONS, para o cálculo das frequências e dos modos vibracionais de materiais e para calcular a matriz de acoplamento elétron-fônon, a partir de métodos de primeiros princípios. No cálculo da matriz de acoplamento elétron-fônon, além da implementação do código algumas intervenções foram realizadas no programa SIESTA [2,3] (uma implementação da Teoria do Funcional da Densidade). Outra abordagem para a interação elétron-fônon consiste em expandir a autoenergia de interação perturbativamente em diagramas de Feynman até a primeira ordem, o que é convencionalmente chamado de primeira aproximação de Born. Essa aproximação, assim como a sua versão autoconsistente, no qual uma classe mais ampla de diagramas é considerada, foram incorporadas ao programa SMEAGOL [4], um código de transporte eletrônico ab initio baseado na combinação DFT-NEGF e que utiliza como plataforma do cálculo da estrutura eletrônica o código SIESTA. Essas implementações, em conjunto com diversas mudanças realizadas no código SMEAGOL, deram origem ao programa Inelastic SMEAGOL para cálculos de transporte inelástico ab initio. Nessa busca por uma descrição mais realista dos dispositivos eletrônicos, outro aspecto que deve ser considerado é o fato de que os dispositivos muitas vezes podem alcançar escalas de comprimento da ordem de 100 nm com um grande número de defeitos aleatoriamente distribuídos, o que pode levar a um novo regime fundamental de transporte, a saber, o de localização de Anderson [5]. Neste trabalho, foi desenvolvido o programa Inelastic DISORDER, que permite calcular, por primeiros princípios, as propriedades de transporte elástico e inelástico de sistemas com dezenas de milhares de átomos com um grande número de defeitos posicionados aleatoriamente. O método combina cálculos de estrutura eletrônica via DFT com o formalismo NEGF para o transporte, onde as interações elétron-fônon são incluídas por meio de teoria de perturbação com relação à matriz de acoplamento elétron-fônon (Lowest Order Expansion). O método desenvolvido foi aplicado ao estudo de nanofitas de grafeno com impurezas hidroxílicas. Observou-se que, ao incluir a interação elétron-fônon, as propriedades de transporte sofrem mudanças significativas, indicando que estas interações podem influenciar nos efeitos de localização por desordem. [1] M. Büttiker. Phys. Rev. B 33(5), 30203026 (1986). [2] E. Artacho, D. Sánchez-Portal, P. Ordejón, A. García e J. M. Soler. Phys. Stat. Sol. (b) 215, 809817 (1999). [3] J. M. Soler, E. Artacho, J. D. Gale, A. García, J. Junquera, P. Ordejón e D. Sánchez- Portal. J. Phys. Cond. Mat. 14, 27452779 (2002). [4] A. R. Rocha, V. M. García-Suárez, S. W. Bailey, C. J. Lambert, J. Ferrer e S. Sanvito. Phys. Rev. B 73, 085414 (2006). [5] P. W. Anderson. Phys. Rev. 109, 1492 (1958). / With the fast improvement of experimental techniques over the past decades, the synthesis of nanoscale systems has become a reality. At this length scales, the interaction between electrons and ionic vibrations plays an important role in electronic transport, and may cause the loss of the electron\'s phase coherence, the opening of new conductance channels and the suppression of purely elastic ones. In this work the electronic transport problem at nanoscale was addressed considering the electron-phonon interactions, resulting on the development of computational tools for realistic simulations of materials. The electronic transport was approached with the Non-Equilibrium Green\'s Function formalism, where electron-phonon interactions were addressed by different models. To take into account the interaction\'s effects, one needs in principle to include a self-energy scattering term in the system Hamiltonian. Nevertheless, the exact form of this self-energy is unknown and approximations are required. The first effect from electron-phonon interactions dealt was the loss of phase coherence, which was approached by the Büttiker\'s probes phenomenological model [1]. Two different implementations of this model were performed, the first in the standard form, where an elastic approximation is considered in order to compute the current, and the second by a new method without the elastic approximation. However, since the interaction self-energy used doesn\'t contains any information about the phonon\'s structure, this model only produces a broadening at the conducting channels, simulating just the effect of loss of phase coherence from the electrons due to their interactions with the phonons. In order to be able to include information about the phonon\'s structure, the computational code PhOnonS ITeratIVE VIBRATIONS was developed, for calculating the frequencies and vibrational modes of the materials and to compute the electron-phonon coupling matrix, from first principles methods. In the calculation of the electron-phonon coupling matrix, besides the code implementation some changes were performed at the SIESTA program [2,3] (a Density Functional Theory implementation). Another approach for the electron-phonon interactions consists of expanding the interaction self-energy perturbatively in Feynman diagrams until the first order, what is conventionally called the first Born approximation. This approximation, together with its self-consistent version, where a wider class of diagrams are regarded, have been incorporated into the SMEAGOL program [4], an ab initio electronic transport code based on the combination DFT-NEGF which uses the SIESTA code as a platform for electronic structure calculations. The implementations, together with many changes performed on SMEAGOL code, gave rise to the Inelastic SMEAGOL program for inelastic ab initio transport calculations. In this search for a more realistic description of electronic devices, another feature that should be taken into account is the fact that these devices most often can reach the 100 nm length scale with a large number of randomly distributed defects, which can lead to a fundamentally new transport regime, namely the Anderson localization regime [5]. In this work, the program Inelastic DISORDER was developed, which allows one to compute, by first principles, the elastic and inelastic transport properties from systems with tens of thousands of atoms with a large number of randomly positioned defects. The method combines electronic structure calculations via DFT with the NEGF formalism for transport, where the electron-phonon interactions are included with perturbation theory on the electron-phonon coupling matrix (Lowest Order Expansion). The developed method was applied to the study of graphene nanoribbons with joint attachment of hydroxyl impurities. It was observed that, by including the electron-phonon interaction, the transport properties experience significant changes, indicating that these interactions can influence the effects of localization by disorder. [1] M. Büttiker. Phys. Rev. B 33(5), 30203026 (1986). [2] E. Artacho, D. Sánchez-Portal, P. Ordejón, A. García, and J. M. Soler. Phys. Stat. Sol. (b) 215, 809817 (1999). [3] J. M. Soler, E. Artacho, J. D. Gale, A. García, J. Junquera, P. Ordejón, and D. Sánchez- Portal. J. Phys. Cond. Mat. 14, 27452779 (2002). [4] A. R. Rocha, V. M. García-Suárez, S. W. Bailey, C. J. Lambert, J. Ferrer, and S. Sanvito. Phys. Rev. B 73, 085414 (2006). [5] P. W. Anderson. Phys. Rev. 109, 1492 (1958).

O objetivo deste trabalho é examinar os efeitos causados pela interação elétron-fônon em pontos quânticos semicondutores polares. Primeiramente, nós apresentamos cálculos detalhados da taxa de espalhamento e do tempo de relaxação eletrônico em pontos quânticos simples (Single Quantum Dot - SQD) e em dois pontos quânticos acoplados (Coupled Quantum Dots - CQDs) devido à interação entre o elétron e os fônons longitudinais acústicos (LA) na presença e na ausência de campos externos, magnético ou elétrico. O regime de energia usado no cálculo do espalhamento eletrônico foi escolhido de forma que os fônons LA dominam o processo de espalhamento. Nós verificamos que na ausência de campo externo, a taxa de espalhamento do elétron por fônons LA entre dois níveis específicos é essencialmente determinada pela diferença de energia entre estes dois níveis. Observamos que um campo magnético modula fortemente a taxa de espalhamento. Verificamos que o processo de relaxação via multicanais desempenha um papel essencial no mecanismo de relaxação do elétron de estados excitados para o estado fundamental. Um campo magnético externo aumenta ainda mais a relaxação através de transições indiretas. Também fizemos um estudo teórico dos efeitos da interação elétron-fônons longitudinais ópticos (LO) em dois pontos quânticos acoplados compostos de InAs/AlInAs. Fizemos cálculos para o polaron ressonante num regime onde a energia de confinamento do elétron é comparável a energia do fônon L0 utilizando o formalismo da função de Green e teoria de perturbação considerando temperatura zero e finita. Observamos uma renormalização do estado fundamental obtida devido a absorção de fônons virtuais para uma temperatura T > O. Discutimos os efeitos do tunelamento entre os pontos quânticos e a sua influência nas propriedades eletrônicas e analisamos o espectro de absorção óptica neste sistema. Verificamos modificações nos orbitais eletrônicos como resultado direto do tunelamento assistido por fônons. Finalmente, avaliamos os efeitos da interação elétron-fônons L0 na densidade de estados do elétron confinado em pontos quânticos utilizando dois modelos distintos: Um modelo não-perturbativo e o formalismo da função de Green. Estudamos cada método separadamente e avaliamos a densidade de estados como função da temperatura e do confinamento lateral. Consideramos um sistema com apenas dois níveis eletrônicos de energia e comparamos os dois métodos avaliando as suas diferenças básicas. Utilizando o método não-perturbativo fizemos cálculos da densidade de estados para um regime de acoplamento forte entre o elétron e os fônons LO / The purpose of this work is to study effects of electron-phonons interactions in polar semiconductor quantum dots. Firstly, we present a detailed calculation on the electron-LA-phonon scattering rates and electron relaxation processes in single and coupled quantum dots in the absence and in the presence of external magnetic or electric fields. In the absence of external field, interplay among the effective confinement lengths in different directions as well as the phonon wavelength leads to a strong oscillation of the LA-phonon scattering rate between two levels. In other words, the scattering depends strongly on the geometry and confinement potential of the quantum dot. An external magnetic field also strongly modulates the scattering rate in severa1 orders of magnitude. The magnetic field induced effects are very similar in single quantum dot (SQD) and coupled quantum dots (CQDs) where the effective confinement strength in the x-direction affects strongly the scattering rate. However, we find that the multiple relaxation process plays an essential role for electron relaxing from the excited states to ground state both in single and coupled quantum dots. Including all possible relaxation channels, an external magnetic field enhances the relaxation through indirect transitions. Secondly, we present a theoretical study on the effects of electron-LO-phonon interaction in two coupled stacked InAs/InAIAs quantum dots. The contribution of resonant and nonresonant electron-LO-phonon coupling to the polaron states are obtained in the framework of t he Green function formalism and the perturbation approach at zero and finite temperatures. Ground state renormalization is found due to virtual phonon absorption at T > O. Tunneling effects between the dots have been addressed and their influente on the electronic properties and optical absorption are analyzed. Topological modifications of electronic orbitals are found as a result of phonon-assisted tunneling. Finally, we investigate the effects of electron-LO-phonon interaction on the electron density of states in quantum dots using two distinct models. A non-perturbative model and the Green function formalism. Within the non-perturbative model, we consider only two electronic levels in a quantum dot interacting to LO-phonons. An exact solution is obtained for the polaron states and spectral function. We evaluate the density of states in the regime at zero and finite temperature for severa1 values of the lateral confinement. We compare the density of states obtained within the two models. Furthermore, we study the polaron effects in strong electron-LO-phonon coupling regime based on the non-perturbative model

Neste trabalho estudamos os efeitos polarônicos sobre um gás de elétrons quase bidimensional presente em heteroestruturas semicondutoras (heterojunções e poços quânticos de GaAs-AlGaAs) sob a ação de um campo magnético uniforme aplicado na direção perpendicular a interface, através de teoria de perturbação de segunda ordem. Calculamos a massa ciclotrônica considerando a interação elétron-fonon LO e os efeitos de blindagem e não parabolicidade da banda de condução do GaAs. Os resultados obtidos são comparados com recentes dados experimentais de ressonância ciclotronica e apresentam ótima concordância. Estudamos também a energia de ligação do estado fundamental de uma impureza hidrogenóide localizada no interior de um fio quântico retangular de GaAs envolvido por AlGaAs, como função das dimensões do fio para varias alturas das barreiras de variacional, usando várias formas para a função de onda tentativa do sistema. Consideramos também a contribuição polarônica a energia de ligação. Comparamos nossos resultados com recentes cálculos da energia de ligação, efetuados por outros autores. / In this work we study the polaronic effects on the two dimensional electron gas present in semiconductor heteroestructures (GaAs-AlGaAs heterojunctions and quantum wells) when a uniform magnetic field is applied perpendicular to the interface, using second order perturbation theory. By taking into account the effect of nonparabolicity and screening of the electron-fonon LO interaction the calculated effective mass is compared to the recent experimental date. Good agreement is found with available date. The binding energies of a hydrogenic impurity located in quantum well wires of GaAs surrounded by AlGaAs are calculated as a functions of the size of the wire for several values of the heights of the potential barriers and diferent positions of the impurity inside the wire. We follow a variational approach choosing several trial wave functions for the ground state. The polaronic contribution to the binding energy is considered. We compare our results with those previously obtained by other authors.

Ein limitierender Faktor der Leitfähigkeit ist die Wechselwirkung der Ladungsträger mit polaren Phononenmoden; das resultierende Quasiteilchen wird als Polaron bezeichnet. Die Stärke der Elektron-Phonon (el-ph)-Wechselwirkung bestimmt die Stärke der Lokalisierung des Polarons, die z.B. die Charakteristik der Temperaturabhängigkeit der Mobliltät definiert. Wir fokussieren uns auf Metalloxide mit starker (el-ph)-Kopplung, bei der sich kleine Polaronen bilden. Die Dichtefunktionaltheorie wird häufig für zur Simulation von Polaronen verwendet. Jedoch treten hierbei zwei Schwierigkeiten auf: Die Sensitivität der berechneten Eigenschaften in Abhängigkeit der Fehler im Austausch-Korrelations (XC)-Funktional und der Effekt der endlichen Superzellgröße. Beide Probleme werden in dieser Arbeit untersucht. Die Polaroneneigenschaften werden auf einer modifizierten Potentialoberfläche (PES) berechnet. Durch Variierung des Anteils der exakten Austauschenergie im hybriden HSE-Funktional zeigen wir, dass das modifizierte PES-Modell deutlich die Abhängigkeit der Polaroneneigenschaften vom XC-Funktional reduziert. Basierend auf dem Potential der el-ph-Kopplung von Pekar leiten wir das korrekte elastische langreichweitige Verhalten des Polarons und darauf aufbauend eine Korrektur für den Fehler durch die endliche Superzellgröße her. Diese Erkenntnisse werden durch ausgiebige Tests an MgO und Rutil TiO2 überprüft. Die oben beschriebene Methode wird zur Untersuchung des Einflusses der Kristallstruktur auf die Bildung von Polaronen in Rutil und Anatas TiO2 und in der β- und κ-Phase von Ga2O3 angewendet. Während in Rutil nur kleine Elektronpolaronen stabil sind, finden wir in Anatas nur stabile Lochpolaronen. Hingegen existieren in beiden Phasen von Ga2O3 nur stabile Lochpolaronen, jedoch mit deutlich unterschiedlichen Bindungsenergien. Dadurch kann durch Verwendung unterschiedlicher Kristallstrukturen Eigenschaften wie Leitfähigkeit und Mobilität der Ladungsträger beeinflusst werden. / An important factor limiting the conductivity is the interaction of the charge carrier with polar phonon modes. Such a phonon-dressed charge carrier is called polaron. The strength of the electron-phonon (el-ph) interaction determines the localization of the polaron, which in turn e.g. defines its characteristic temperature dependence for the charge-carrier mobility. We focus on metal oxides with strong el-ph coupling, where small polarons are formed. Density-functional theory is often used for calculating properties of polarons. However, there are two challenges: sensitivity of the calculated properties to the errors in exchange-correlation (XC) treatment and finite-size effects in supercell calculations. In this work, we develop an approach that addresses both challenges. The polaron properties are obtained using a modified neutral potential-energy surface (PES). By changing the fraction of exact exchange in the hybrid HSE functional we show that the modified PES model significantly reduces the dependence of the polaron properties on the XC functional. Based on Pekar's potential for the long-range el-ph coupling, we derive the proper elastic long-range behavior of the polaron and a finite-size correction for the polaron properties. These findings are proofed by an extensively test for rock salt MgO and rutile TiO2. Finally, the approach is used to investigate the influence of the crystal structure on the polaron properties for rutile and anatase TiO2, as well as for the monoclinic β- and orthorhombic κ-phase of Ga2O3. While in rutile TiO2 only small electron polarons are stable, only small hole polarons are found in anatase. Further, small hole polarons exist in both Ga2O3 polymorphs but have significantly different binding energies. Thus, we conclude that growing crystals of the same material but with different structure can be used to manipulate conductivity and charge-carrier mobility.

no abstract

In this work we study PhD in general transport properties of and quasi particles-energy particles in one-dimensional systems. We study various models and, through different techniques, we obtained a long spectrum of new results. We did a quick study in a ternary d-1 with electronic distribution site built from a stochastic process known by Ornstein-Uhlenbeck (or). Through exact diagonalizacão we calculate the optical absorption spectrum and distribution of spacing between n ´ levels for this ternary model. Overall, we demonstrated that ´ and can control the position of the absorption peaks by regulating the ternary distribution. In a second moment, we present the results obtained for systems with electronic Dynamics coupled to's vibrations. In this sense, we conducted three separate works: at first, we study the dynamics of an electron in a anarmônica in the presence of electron-interaction network. This anarmônica network was built using the formalism of Fermi-Pasta-Ulam with cubic potential. We made also use of the tight-binding approach to treat the electronic transport, and a classical formalism to describe the longitudinal vibrations. In our studies, electron-interaction network was considered such that the integral of transfer between the neighboring atoms ´ is dependent on the effective distance between neighboring atoms ´ (SuSchrieffer-approach model J. Heeger SSH). Our results suggest a kind of solitônico mode control on electronic Dynamics along the nonlinear network adopted. And, therefore, a kind of State electron moving soliton along the chain. This apparent mobility of electron pair-soliton shown with seemingly constant speed and can be a crucial ingredient in the transport of loads in non-linear chains. In our second approach we investigate the dynamics of electronic State moving in a DNA chain containing N bases, in what we consider beyond the DNA intrinsic disorder distribution, the effect of the vibrations of the DNA. Again, the term electron network was considered such that the electronic hopping energy could depend on the effective distance between the nearest DNA bases. The main results obtained show that the electron-Phonon coupling can transpose the location of Anderson, promoting the emergence of a dynamic sub-difusiva to long. In our work, verificamos also played the role of Atomic coupling type (for 1st gear one cas ˆ nicas, cu ´ Bamford or interac ¸ ' Morse type) within the context of electronic transport in the presence of electron-Phonon coupling. Another point which we investigated was the interaction with acoustic waves pumped throughout the network (an simplificada way to consider acu waves ´ sticas ´ also surface in calls from SAW or Surface Acoustic Waves). In a context we conducted a research on the magnetic dynamics of a magnon in Heisenberg ferromagnetic systems in presence of interactions magnon-fo non ˆ. Our results show that the propagation of spin wave follows a super-difusivo scheme for all values of intensity of magnon-coupling network considered. / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / Neste trabalho de doutorado estudamos em linhas gerais propriedades de transporte de energia, partículas e quasi-partículas em sistemas unidimensionais. Estudamos diversos modelos e, através de técnicas distintas, obtivemos um longo espectro de novos resultados. Fizemos um rápido estudo em uma cadeia eletrônica ternária 1-d com distribuição on-site construída a partir de um processo estocástico conhecido por Ornstein-Uhlenbeck (OU). Através de diagonalizacão exata calculamos o espectro de absorção ótica e a distribuição de espaçamentos entre n´níveis para este modelo ternário. De modo geral, demonstramos que ´e possível controlar a posição dos picos de absorção regulando a distribuição ternária. Em um segundo momento, apresentamos os resultados obtidos para sistemas com a dinâmica eletrônica acoplada a`s vibrações da rede. Neste sentido, realizamos três trabalhos distintos: a princípio, estudamos a dinâmica de um elétron em uma cadeia anarmônica na presença da interação elétron-rede. Esta rede anarmônica foi construída utilizando o formalismo de Fermi-Pasta-Ulam com o potencial cúbico. Fizemos uso também da aproximação tight-binding para tratar o transporte eletrônico, e um formalismo clássico para descrever as vibrações longitudinais. Em nossos estudos, a interação elétron-rede foi considerada de tal forma que a integral de transferência entre os ´átomos vizinhos seja dependente da distância efetiva entre os ´átomos vizinhos (modelo de aproximação SuSchrieffer-Heeger SSH). Nossos resultados sugerem um tipo de controle do modo solitônico sobre a dinâmica eletrônica ao longo da rede não-linear adotada. Indicando, portanto, um tipo de estado elétron-sóliton se movendo ao longo da cadeia. Esta aparente mobilidade do par elétron-sóliton se mostra com velocidade aparentemente constante e pode ser um ingrediente crucial no transporte de cargas em cadeias não-lineares. Em nossa segunda abordagem investigamos a dinâmica de um estado eletrônico se movendo em uma cadeia de DNA contendo N bases, em que consideramos além da distribuição de desordem DNA intrínseca, o efeito das vibrações do DNA. Novamente, o termo elétron-rede foi considerado de tal forma que a energia de hopping eletrônica pudesse depender da distância efetiva entre as bases mais próximas do DNA. Os principais resultados obtidos revelam que o acoplamento elétron-fônon pode transpor a localização de Anderson, promovendo o aparecimento de uma dinâmica sub-difusiva para tempos longos. Em nosso trabalho, verificamos também o papel do tipo de acoplamento atômico (for¸cas harmoˆnicas, cu´bicas ou interac¸˜ao tipo Morse) dentro do contexto do transporte eletrônico na presença de acoplamento elétron-fônon. Outro ponto que investigamos foi a interação com ondas acústicas bombeadas ao longo da rede (uma maneira simplificada de considerar ondas acu´sticas de superfície tamb´em chamadas de SAW ou Surface Acoustic Waves). Em um contexto magnético realizamos uma investigacão sobre a dinâmica de um magnon em sistemas ferromagnéticos de Heisenberg na presença de interações magnon-foˆnon. Nossos resultados apontam que a propagação da onda de spin segue um regime super-difusivo para todos os valores de intensidade de acoplamento magnon-rede considerados.

Neste trabalho estudamos os efeitos polarônicos sobre um gás de elétrons quase bidimensional presente em heteroestruturas semicondutoras (heterojunções e poços quânticos de GaAs-AlGaAs) sob a ação de um campo magnético uniforme aplicado na direção perpendicular a interface, através de teoria de perturbação de segunda ordem. Calculamos a massa ciclotrônica considerando a interação elétron-fonon LO e os efeitos de blindagem e não parabolicidade da banda de condução do GaAs. Os resultados obtidos são comparados com recentes dados experimentais de ressonância ciclotronica e apresentam ótima concordância. Estudamos também a energia de ligação do estado fundamental de uma impureza hidrogenóide localizada no interior de um fio quântico retangular de GaAs envolvido por AlGaAs, como função das dimensões do fio para varias alturas das barreiras de variacional, usando várias formas para a função de onda tentativa do sistema. Consideramos também a contribuição polarônica a energia de ligação. Comparamos nossos resultados com recentes cálculos da energia de ligação, efetuados por outros autores. / In this work we study the polaronic effects on the two dimensional electron gas present in semiconductor heteroestructures (GaAs-AlGaAs heterojunctions and quantum wells) when a uniform magnetic field is applied perpendicular to the interface, using second order perturbation theory. By taking into account the effect of nonparabolicity and screening of the electron-fonon LO interaction the calculated effective mass is compared to the recent experimental date. Good agreement is found with available date. The binding energies of a hydrogenic impurity located in quantum well wires of GaAs surrounded by AlGaAs are calculated as a functions of the size of the wire for several values of the heights of the potential barriers and diferent positions of the impurity inside the wire. We follow a variational approach choosing several trial wave functions for the ground state. The polaronic contribution to the binding energy is considered. We compare our results with those previously obtained by other authors.