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1	Radiation damage in Si(001) due to low energy Ar and Cl ion bombardment Al-Bayati, Amir H. H. January 1991 (has links) No description available. 620.11223 Semiconductor etching
2	Measurement and simulation of ion energy distributions in a reactive ion etcher Dickenson, Andrew C. January 1994 (has links) No description available. 530.41 Semiconductor etching
3	Energy and angular distributions of ions induced by electron stimulated desorption from surfaces Greenwood, Claire-Louise January 1993 (has links) No description available. 530.41 Silicon surfaces; Semiconductor etching
4	Beiträge zum Verständnis des sauren nasschemischen Ätzens von Silicium Lippold, Marcus 20 June 2014 (has links) (PDF) Der Siliciumauflöseprozess in HF-HNO3-H2SO4/H2O-Lösungen unterscheidet sich vom Ätzprozess in HF-HNO3-H2O-Standardmischungen in Bezug auf die Reaktivität gegenüber Silicium, erzielte Oberflächenmorpholgien sowie die beim Ätzen entstehenden gelösten und gasförmigen Produkte. Durch die Behandlung in H2SO4-reichen HF-HNO3-H2SO4/H2O-Lösungen werden auf Siliciumwafern Texturen mit hoher Rauigkeit und geringer Reflexion erzeugt. mc-Si-Solarzellen texturiert durch eine H2SO4-reiche Ätzlösung weisen vergleichend zu Solarzellen mit Standardtexturen höhere Wirkungsgrade auf. In HF-HNO3-H2SO4/H2O-Lösungen mit hohen Schwefelsäurekonzentrationen (c(H2SO4) > c(H2O)) wirkt sowohl das Salpetersäuremolekül HNO3 als auch das Nitrylion NO2+ als Oxidationsmittel. Trifluorsilan HSiF3 und Hexafluordisiloxan F3SiOSiF3 wurden erstmalig als gasförmige Produkte des sauren nasschemischen Ätzens identifiziert. Anhand von Modellreaktionen zur Reaktivität von Nitrylionen wurde deren Reduktionssequenz im Siliciumätzprozess aufgeklärt. Silicium Nasschemische Halbleiterätzverfahren Nitrylionen Fluorsilane Solarzellen Texturieren silicon wet chemical semiconductor etching nitronium ions fluorosilanes solar cells texturization ddc:540 Silicium Nassätzen Flusssäure Salpetersäure Schwefelsäure Silane Wafer Textur Ätzen
5	Untersuchungen zum Reaktionsverhalten kristalliner Siliziumoberflächen in HF-basierten Ätzlösungen Patzig-Klein, Sebastian 16 February 2010 (has links) (PDF) Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der grundlegenden Untersuchung von Reaktionsmustern kristalliner Si-Oberflächen in HF-basierten Lösungen. Ausgehend von den industriell genutzten HF-HNO3-H2O-Gemischen wurden wisher wenig untersuchte HF/HNO3-Konzentrationsverhältnisse, die durch gelöste Stickoxide bedingten Folgereaktionen sowie der PH-Wert als Steuerparameter zur Aufarbeitung feinkörniger Si-Rohstoffe (Korngröße ≤ 0,5 mm) identifiziert. Die in diesem Kontext zentrale Rolle der NO+-Ionen wurde durch Untersuchung der spezifischen Reaktionsmuster an kristallinen as-cut und hydrophobierten Si-Oberflächen sowie bei Umsetzungen mit Oligosilanen als Modellverbindungen bestätigt. Die aus den umfassenden analytischen Daten (FT-IR-, Raman-, NMR-Spektroskopie, IC, REM-EDX, AFM) gewonnenen Erkenntnisse liefern einen wichtigen Beitrag zum Verständnis nasschemischer Halbleiterätzprozesse und erschließen neue Anwendungsfelder. Kristallines Silicium Nasschemische Halbleiterätzverfahren Nitrosylionen Elektrochemisches Abtragen Flusssäure Salpetersäure Nitrosylkation crystalline silicon nitrosonium ions electrochemical etching hydrofluoric acid nitric acid ddc:540 rvk:VH 8021 rvk:ZM 7660 rvk:VE 7000
6	Untersuchungen zum Reaktionsverhalten kristalliner Siliziumoberflächen in HF-basierten Ätzlösungen Patzig-Klein, Sebastian 11 September 2009 (has links) Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der grundlegenden Untersuchung von Reaktionsmustern kristalliner Si-Oberflächen in HF-basierten Lösungen. Ausgehend von den industriell genutzten HF-HNO3-H2O-Gemischen wurden wisher wenig untersuchte HF/HNO3-Konzentrationsverhältnisse, die durch gelöste Stickoxide bedingten Folgereaktionen sowie der PH-Wert als Steuerparameter zur Aufarbeitung feinkörniger Si-Rohstoffe (Korngröße ≤ 0,5 mm) identifiziert. Die in diesem Kontext zentrale Rolle der NO+-Ionen wurde durch Untersuchung der spezifischen Reaktionsmuster an kristallinen as-cut und hydrophobierten Si-Oberflächen sowie bei Umsetzungen mit Oligosilanen als Modellverbindungen bestätigt. Die aus den umfassenden analytischen Daten (FT-IR-, Raman-, NMR-Spektroskopie, IC, REM-EDX, AFM) gewonnenen Erkenntnisse liefern einen wichtigen Beitrag zum Verständnis nasschemischer Halbleiterätzprozesse und erschließen neue Anwendungsfelder. info:eu-repo/classification/ddc/540 ddc:540
7	Beiträge zum Verständnis des sauren nasschemischen Ätzens von Silicium: Das System HF-HNO3-H2SO4/H2O Lippold, Marcus 09 May 2014 (has links) Der Siliciumauflöseprozess in HF-HNO3-H2SO4/H2O-Lösungen unterscheidet sich vom Ätzprozess in HF-HNO3-H2O-Standardmischungen in Bezug auf die Reaktivität gegenüber Silicium, erzielte Oberflächenmorpholgien sowie die beim Ätzen entstehenden gelösten und gasförmigen Produkte. Durch die Behandlung in H2SO4-reichen HF-HNO3-H2SO4/H2O-Lösungen werden auf Siliciumwafern Texturen mit hoher Rauigkeit und geringer Reflexion erzeugt. mc-Si-Solarzellen texturiert durch eine H2SO4-reiche Ätzlösung weisen vergleichend zu Solarzellen mit Standardtexturen höhere Wirkungsgrade auf. In HF-HNO3-H2SO4/H2O-Lösungen mit hohen Schwefelsäurekonzentrationen (c(H2SO4) > c(H2O)) wirkt sowohl das Salpetersäuremolekül HNO3 als auch das Nitrylion NO2+ als Oxidationsmittel. Trifluorsilan HSiF3 und Hexafluordisiloxan F3SiOSiF3 wurden erstmalig als gasförmige Produkte des sauren nasschemischen Ätzens identifiziert. Anhand von Modellreaktionen zur Reaktivität von Nitrylionen wurde deren Reduktionssequenz im Siliciumätzprozess aufgeklärt. info:eu-repo/classification/ddc/540 ddc:540

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