This PhD thesis is devoted to study electro-optic properties of Gemanium/Silicon-Germanium (Ge/SiGe) multiple quantum wells (MQWs) for light modulation, detection, and emission on Si platform. It reports the first development of high speed, low energy Ge/SiGe electro-absorption modulator in a waveguide configuration based on the quantum-confined Stark effect (QCSE), demonstrates the first Ge/SiGe photodiode with high speed performance compatible with 40 Gb/s data transmission, and realizes the first Ge/SiGe light emitting diode based on Ge direct gap transition at room temperature. Extensive DC and RF measurements were performed on each tested prototype, which was realized using the same epitaxial growth and fabrication process. Simple theoretical models were employed to describe experimental properties of the Ge/SiGe MQWs. The studies show that Ge/SiGe MQWs could potentially be employed as a new photonics platform for the development of a high speed optical link fully compatible with silicon technology.

Nowadays, silicon photonics is a widely studied research topic. Its high-index-contrast and compatibility with the complementary metal-oxide-semiconductor technology make it a promising platform for low cost high density integration. Several general problems have been brought up, including the lack of silicon active devices, the difficulty of light coupling, the polarization dependence, etc. This thesis aims to give new attempts to novel solutions for some of these problems. Both theoretical modeling and experimental work have been done. Several numerical methods are reviewed first. The semi-vectorial finite-difference mode solver in cylindrical coordinate system is developed and it is mainly used for calculating the eigenmodes of the waveguide structures employed in this thesis. The finite-difference time-domain method and beam propagation method are also used to analyze the light propagation in complex structures. The fabrication and characterization technologies are studied. The fabrication is mainly based on clean room facilities, including plasma assisted film deposition, electron beam lithography and dry etching. The vertical coupling system is mainly used for characterization in this thesis. Compared with conventional butt-coupling system, it can provide much higher coupling efficiency and larger alignment tolerance. Two novel couplers related to silicon photonic wires are studied. In order to improve the coupling efficiency of a grating coupler, a nonuniform grating is theoretically designed to maximize the overlap between the radiated light profile and the optical fiber mode. Over 60% coupling efficiency is obtained experimentally. Another coupler facilitating the light coupling between silicon photonic wires and slot waveguides is demonstrated, both theoretically and experimentally. Almost lossless coupling is achieved in experiments. Two approaches are studied to realize polarization insensitive devices based on silicon photonic wires. The first one is the use of a sandwich waveguide structure to eliminate the polarization dependent wavelength of a microring resonator. By optimizing the multilayer structure, we successfully eliminate the large birefringence in an ultrasmall ring resonator. Another approach is to use polarization diversity scheme. Two key components of the scheme are studied. An efficient polarization beam splitter based on a one-dimensional grating coupler is theoretically designed and experimentally demonstrated. This polarization beam splitter can also serve as an efficient light coupler between silicon-on-insulator waveguides and optical fibers. Over 50% coupling efficiency for both polarizations and -20dB extinction ratio between them are experimentally obtained. A compact polarization rotator based on silicon photonic wire is theoretically analyzed. 100% polarization conversion is achievable and the fabrication tolerance is relatively large by using a compensation method. A novel integration platform based on nano-epitaxial lateral overgrowth technology is investigated to realize monolithic integration of III-V materials on silicon. A silica mask is used to block the threading dislocations from the InP seed layer on silicon. Technologies such as hydride vapor phase epitaxy and chemical-mechanical polishing are developed. A thin dislocation free InP layer on silicon is obtained experimentally. / QC20100705

Depuis une dizaine d’années, avec la diversification des appareils connectés (PCs, Tablettes, TVs et Smartphones), l’écosystème Internet s’est drastiquement étendu. Aujourd’hui, 80 % du trafic IP mondial est concentré dans les centres de données. Pour répondre aux problématiques d’échelle des centres de données en terme de densité de bande passante, de consommation énergétique et de coût des interconnections, le développement de nouveaux émetteurs optiques est critique. L’objectif de cette thèse est de proposer et évaluer différentes architectures d’émetteur en photonique sur silicium afin de répondre à la prochaine norme de débit de 400 Gbit/s sur des transmissions de 2 kilomètres. Le modulateur électro-optique sélectionné est le modulateur silicium en anneau résonant. Il possède des avantages non négligeables: faibles dimensions, faible consommation énergétique, et il permet un multiplexage dense en longueurs d’ondes. Durant cette thèse, l’optimisation de l’émetteur optique a été faite de manière progressive: de la jonction active à l’émetteur complet. Cette première étude a identifié les différents compromis à faire sur les paramètres du modulateur en anneau afin de définir ses performances. Un model compact du modulateur a été créé, permettant d’optimiser le composant avec un temps de simulation très réduit. Puis, tout en utilisant le modèle compact, deux architectures d’émetteur ont été étudiées basées sur une architecture classique de la littérature. Elles sont basées sur la mise en série de 8 modulateurs en anneau, chacun modulant une longueur d’onde différente. La différence entre les deux architectures vient du format de modulation utilisé: la première est modulée avec des signaux sur deux niveaux électriques avec des signaux sur 2 niveaux électriques au format d’impulsions en amplitude (PAM-2) à 50 Gbaud ; alors que la deuxième est modulée avec des signaux sur 4 niveaux électriques au format d’impulsions en amplitude (PAM-4). Les deux solutions répondent aux demandes de performances de la norme 400 Gbit/s avec les mêmes points de compromis de fonctionnement. Finalement, de nouvelles architectures d’émetteur optique ont été proposées permettant de réaliser la modulation PAM-4. Contrairement aux solutions précédemment étudiées, ces architectures utilisent en entrée deux flux de bits en parallèle qui sont optiquement combinés pour générer en sortie une modulation PAM-4. Une première solution est basée sur la mise en série de deux modulateurs en anneaux. Cette architecture a été validée avec des caractérisations de transmission optique à 30 Gbit/s avec seulement 1 Vpp de tension de commande. Une seconde solution a ensuite été proposée, elle est basée sur l’utilisation de deux modulateurs mis en parallèle dans un interféromètre Mach Zehnder. De la même manière, des caractérisations de transmission à 30 Gbit/s avec 1.2 Vpp de tension de commande ont permis de valider le fonctionnement de l’architecture. / Over the past decade, with the diversification of connected devices (PCs, Tablets, TVs and Smartphones), the Internet ecosystem has drastically extended. Today, 80 % world traffic is concentrated in the data centers where the data rate, the size and the cost is still growing. To address such scaling issues as bandwidth density, energy consumption and cost of the interconnects inside the data centers, the development of new optical transmitters is critical. The aim of this thesis is to propose and evaluate transmitter architectures using silicon photonics technology to address next 400 Gbit/s data rate standard over up to 2 kilometer links. The selected electro-optical modulator is the silicon ring resonator modulator which has substantial benefits: low footprint, low energy consumption and enables dense multiplexing. The optical transmitter architectures evaluations were successively optimized: from the active junction to the complete optical transmitter. This study identified the performances trade-offs impacted by the ring resonator modulator parameters. A compact model was generated to physically optimize the component in a reduced simulation time. Then, using the compact model, two transmitter architectures were studied based on classical architecture. Both are based on eight ring resonator modulators arranged in series modulating eight different wavelengths. The difference is the modulation format: the first one is electrically modulated at 50 Gbaud in 2-levels pulse amplitude modulation (PAM-2) and the second one at 25 Gbaud 4-levels pulse amplitude modulation (PAM-4). The two solutions fit the 400 Gbit/s performances demand with the use of the same trade-offs. Finally, new transmitter architectures were proposed to generate PAM-4 modulation. Unlike the previous architecture, they have in input two parallel bit streams which are optically combined to generate the PAM-4 modulation. The first solution is based on two silicon ring resonator modulator arranged in series. This architecture was validated through 30 Gbit/s transmission characterizations with only 1 Vpp. A second solution was then proposed, based on two silicon ring resonator modulators arranged in parallel in a Mach Zehnder interferometer. In the same way, transmission characterizations at 30 Gbit/s with 1.2 Vpp allows this architecture to be validated.

L’intégration photonique permet de réduire la taille et la consommation d’énergie des systèmes de communication par fibre optique par rapport aux systèmes assemblés à partir de composants unitaires. Cette technologie a récemment suscité un grand intérêt avec les progrès de l’intégration sur InP et le développement de la photonique sur silicium. Cette dernière challenge la plate-forme d’intégration sur InP car des composants à hautes performances et faibles coûts peuvent être fabriqués dans des fonderies originellement développées pour la microélectronique. Les lasers sont l'une des pièces maitresses des émetteurs-récepteurs pour les communications optiques. Leur intégration sur la plateforme silicium permet de développer des émetteurs-récepteurs comprenant les fonctions critiques d’émission de lumière, de modulation et de détection sur une même puce. L’intégration de matériaux III-V par collage moléculaire sur plaque silicium permet de produire de grands volumes : plusieurs dizaines voire centaines de composants sont réalisés par wafer. Dans cette thèse, j’ai étudié théoriquement et expérimentalement les propriétés des lasers accordables basés sur des résonateurs en anneau en silicium, des lasers à rétroaction distribuée modulés directement et des lasers à haut facteur de qualité qui présentent un faible bruit de phase et d’intensité. / Photonic integration reduces the size and energy consumption of fiber optic communication systems compared to systems assembled from discrete components. This technology has recently attracted a great interest with the progress of integration on InP and the development of silicon photonics. The latter challenges the integration platform on InP as high-performance and low-cost components can be manufactured in foundries originally developed for microelectronics. Lasers are one of the main parts of transceivers for optical communications. With their integration on the silicon platform, transceivers that include the critical functions of light emission, modulation and detection on the same chip can be made. In the heterogeneous integration platform, components are manufactured in high volumes: several tens or even hundreds of components are produced per wafer. In this thesis, I studied theoretically and experimentally the properties of tunable lasers based on silicon ring resonators, directly modulated distributed feedback lasers and low noise high-quality factor lasers

Cette thèse est une contribution à la modélisation et à l'étude expérimentale de cavités à cristaux photoniques à fente développées en vue d’un intégration hybride de matériaux actifs sur silicium. Parmi les travaux de conception, nous avons d'abord utilisé la méthodes des ondes planes et la méthode des différences finies (FDTD) pour concevoir une série de cavités SOI à hétérostructures, mécaniquement robustes, infiltrées par des liquides d’indices (n environ 1,5), présentant des longueurs d'onde de résonance dans la gamme des télécommunications (1,3 μm - 1,6 μm), des facteurs de qualité de plusieurs dizaines de milliers, et des volumes modaux proches de 0,03 (lambda/n)3. Nous avons ensuite étudié analytiquement et numériquement le couplage entre une cavité à cristaux photoniques à fente et un guide d'onde à fente par la théorie des modes couplés, complétée par des simulations FDTD, qui ont permis de confirmer la possibilité d'exciter efficacement les modes de fente des cavités à partir d'un guide externe. Enfin, nous avons étudié numériquement et semi-analytiquement des géométries de molécules photoniques constituées de deux cavités à cristaux photoniques à fentes couplées, dont l’écart fréquentiel entre les supermodes a pu être ajusté en amplitude et en signe. Nous avons utilisé une méthode perturbative (« Tight binding ») pour estimer les distributions spatiales des modes des molécules photoniques et prédire leurs fréquences dans plusieurs configurations de cavités à cristaux photoniques à fentes couplées.Ce travail exploratoire a été complété par une partie expérimentale qui a porté sur l'étude d'une famille de cavités de hétérostructure à cristaux photoniques à fente. Les cavités à cœur creux fabriquées ont montré des facteurs de qualité (Q) de plusieurs dizaines de milliers, associés à des volumes modaux de l’ordre de V=0,03 (λ/n)^3 après infiltration de la fente et des trous des structures par des liquides d'indice de réfraction proches de 1,46. Des facteurs Q/V supérieurs à 600 000 et atteignant 1 000 000 dans le meilleur des cas (vers lambda=1,3µm) ont ainsi été observés. Cette phase expérimentale préliminaire a donné ensuite lieu à deux types de développements.Tout d'abord, les propriétés des cavités à cristaux photoniques à fentes ont été étudiées pour des applications en détection d'indice en volume, et testées en utilisant différents liquides d'indice de réfraction compris entre 1,345 à 1,545. Les résonateurs étudiés ont présenté des sensibilités de ~ 235 nm / RIU et des facteur de mérite de détection d'indice de l’ordre de 3700, à l’état de l’art pour des résonateurs silicium intégrés à cœur creux.Dans une autre direction, le potentiel des résonateurs diélectriques à fente a été exploré en vue d’une intégration des matériaux actifs sur silicium. Un polymère dopé aux nanotubes de carbone semiconducteurs a été déposé comme matériau de couverture en vue d’étudier le renforcement de la photoluminescence (PL) des nano-émetteurs sous pompage optique vertical à lambda=740nm. Les expériences conduites ont permis de corréler le renforcement de la PL des nanotubes avec les modes de résonance des cavités et de démontrer le couplage partiel de cette PL vers des guides SOI longs de plusieurs millimètres (collection par la tranche vers lambda=1.3µm), apportant une preuve de principe d’une possible intégration des nanotubes émetteurs en photonique sur silicium. / This Ph.D. work is a contribution to the modeling and the experimental study of slot photonic crystal cavities for hybrid on-silicon integration. Among the design works, we first have used plane the wave expansion and finite-difference time-domain methods to design a series of mechanically robust (non-free membrane) SOI slot photonic crystal heterostructure cavities with resonance wavelengths in the telecommunication range, i.e. from 1.3 µm – 1.6 µm, with Q-factors of around several tens of thousands and mode volumes around 0.03(lambda/n)^3 after being infiltrated by cladding materials with typical index values around 1.5. We have then analytically and numerically studied the coupling between a slot photonic crystal cavity and a slot photonic crystal waveguide by using the coupled mode theory and FDTD simulation. Then we confirmed the ability to excite the cavity slot modes from a waveguide by using FDTD simulation. Finally, as a preliminary step towards the use of several coupled slotted cavities for future hybrid integration schemes, we have numerically and semi-analytically investigated photonic molecules made of two coupled slot photonic crystal cavities providing two different supermodes (bonding and antibonding ones) with controllable wavelength splitting. We successfully employed the tight-binding (TB) approach, which relies on the overlap of the two tightly confined cavity electric fields, to predict the supermodes frequencies and spatial distributions in several coupled slot photonic crystal cavity configurations.This exploratory work was supplemented by an experimental part, which focused on the investigation of a family of slot photonic crystal heterostructure cavities. The fabricated silicon on insulator hollow core cavities showed quality factors of several tens of thousands, i.e. from 18,000 to 31,000 and mode volume V of ~0.03(λ/n)3 after being infiltrated with liquids of ~1.46 refractive index, yielding Q/V ratio larger than 600,000, and reaching 1,000,000 in the best case (at λ ≈ 1.3 μm).This preliminary experimental stage gave rise to two types of additional developments.Firstly, the properties of the studied slot photonic crystal cavities have been investigated for index sensing applications by using different liquids with refractive index values ranging from 1.345 to 1.545. The considered photonic crystal resonators have demonstrated quality factors of several tens of thousands with sensitivities of ~235 nm/RIU and index sensing FOMs around 3,700, i.e. at the state of the art considering hollow core silicon integrated resonators.Secondly, in the view of the integration of active materials on silicon, the potential of these hollow core nanoresonators has been considered to enhance the photo-luminescence (PL) of semiconductor single-walled carbon nanotubes (SWNTs) integrated in thin films deposited on top of silicon. We have brought the first experimental demonstration of SWNTs PL collection (around lambda=1.28 µm) under vertical pumping at short wavelength (lambda=740 nm) from a slotted resonator into millimeter long integrated silicon waveguides, providing a first proof-of-concept step towards nanotube/Si-PhC integration as an active photonic platform. The reported works demonstrate the feasibility of integrating telecommunication wavelength nanotube emitters in silicon photonics as well as emphasize the role of slot photonic crystal cavities for on-chip hybrid integration.

According to the 2018 Ethernet Roadmap projections, the requirements for high speed links keep increasing every year, always keeping an eye on the energy per bit consumption of the communication system. The Ethernet requirements are estimated to reach 1Tbps by 2022-2025. Optical links are one of the most concrete solutions to satisfy bandwidth requirements at low energy consumption. An optical link is a communication system that consists of a single end-to-end optical circuit. In contrast with vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) technology, which is based on a direct laser modulation, silicon photonics technology (SPT) is based on indirect modulation. In order to perform the modulation, electro-optical modulators are needed in the optical link system for electrically modulating the optical power.This master thesis, developed at imec, will present the modeling of two different technologies of optical modulators: Silicon Ring Modulator and the Franz-Keldysh ElectroAbsorption Modulator. The work was initiated, since there were no available models of these devices in the actual framework for link analysis. First a preliminary study of the physical principles of the two devices was performed, in order to build the Matlab models. Then, these models were fitted with measurements, in order to adjust them to real-life behavior. After having obtained two working models of the two modulators, an alreadyexisting framework was used, to compare the energy consumption per bit in the optical link. However, the results obtained with the simulation didn’t highlight a technology to be preferred to the other. / Enligt prognoserna från Ethernet Roadmap 2018 fortsätter kraven på höghastighetslänkar att öka varje år och håller alltid ett öga på kommunikationssystemets energi konsumtion per bit. Ethernet-kraven beräknas nå 1Tbps 2022-2025.Optiska länkar är en av de mest konkreta lösningarna för att tillgodose bandbreddskrav vid låg energiförbrukning. En optisk länk är ett kommunikationssystem som utgör en punkt till punkt förbunden optisk krets. I motsats till teknik som utnyttjar den vertikala kavitetsytemitterande lasern (VCSEL), som bygger på en direkt lasermodulering, baseras kisel fotonikteknik (SPT) på indirekt modulering. För att utföra en modulering behövs elektrooptiska modulatorer i det optiska länksystemet för att elektriskt modulera den optiska effekten.Denna masteruppsats, utvecklad vid imec, kommer att presentera modelleringen av två olika teknologier av optiska modulatorer: Silicon Ring Modulatorn och Franz-Keldysh Electro Absorption Modulator. Arbetet, genomfördes eftersom det inte fanns några tillgängliga modeller av dessa enheter i själva ramverket för länkanalys. För det första genomfördes en preliminär studie av de två enheternas fysikaliska principer för att bygga Matlab-modellerna. Sedan jämfördes dessa modeller med mätningar för att anpassa dem till verkligt beteende. Efter att ha fått två arbetsmodeller av de två modulatorerna användes ett redan existerande ramverk för att jämföra energikonsumtionen per bit i den optiska länken. De resultat som erhölls med simuleringen indikerade emellertid inte någon teknik som skulle föredras framför den andra.

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<p>A new electron cyclotron plasma enhanced chemical vapour deposition (ECR-PECVD) reactor has been installed and tested at McMaster University. The focus of this project was the installation of the reactor and the growth of silicon oxide, silicon oxynitride, cerium doped silicon oxynitride and aluminium doped silicon oxide films to test the capabilities of the reactor. Silicon oxide films were prepared with near-stoichiometric compositions and silicon rich compositions. Good repeatability of the growths was seen. An increase in deposition temperature showed stable refractive index and a decrease in the growth rates. Silicon oxynitride films of varying compositions were prepared, and showed a non-uniformity of ~1% and growth rates of ~3.5 nm/min. Films prepared with a low oxygen flow were seen to be nitrogen rich. Although the depositions using Ce(TMHD)4 showed significant cerium incorporation, there was also high carbon contamination. One likely cause of this is the high sublimator temperature used during depositions or a thermal shock to the precursor during initial system calibration. A definitive cause of the carbon contamination has not been established. The cerium films showed strong blue luminescence after post-deposition annealing in N2 above 900° C. A drop in the luminescence was observed at 1100° C and a return of the luminescence at 1200° C. Generally, high cerium incorporation was associated with higher total luminescence. Al(THMD)3 was evaluated as an aluminium precursor for Al-doped silicon oxide films. The films showed aluminium content up to 6% demonstrating the viability of using Al(THMD)3 as a Al doping precursor.</p> / Master of Applied Science (MASc)

A compact device model along with simulations and an experimental analysis of a forward-biasedPNjunction-based silicon Mach-Zehndermodulator (MZM) with a phase-shifter length of 0.5 mm is presented. By placing the PN junction to a certain off-center such that72%of thewaveguide is p-doped, the refractive index swing at a given drive voltage swing is increased by 2% compared to the symmetric layout. The effects of the phase shifters’ length mismatch and asymmetric splitting on the modulation efficiency and extinction ratio of the modulator are simulated and compared with experimental results.Without any pre-emphasis or post-processing, a high-speed operation up to 15 Gb/s using a nonreturn-to-zero modulation format is demonstrated. A modulation efficiency (V πL) as low as 0.07 V × cm is verified and power consumption of 0.88 mW/Gb/s is recorded while a high extinction ratio of 33 dB is experimentally demonstrated. Compared to previously reported forward-biased silicon integrated modulators, without active tuning of the power splitting ratio between the arms, the extinction ratio is 10 dB higher. This MZM along with its compact structure is also sufficiently energy-efficient due to its low power consumption. Thus, it can be suitable for applications like analog signal processing and high-order amplitude modulation transmissions.

[ES] Esta tesis aborda la caracterización de circuitos fotónicos integrados (PIC) usando interferometría óptica en el domino de las frecuencias (OFDI). OFDI tiene una implementación razonablemente simple e interroga al dispositivo bajo test (DUT) proporcionando su respuesta en el dominio del tiempo, en la que los distintos caminos ópticos seguidos por la luz se manifiestan en contribuciones que contienen información de posición, amplitud y fase. Junto con un "setup" OFDI construido en nuestros laboratorios y estructuras de test integradas que involucran anillos resonantes, interferómetros, etc., proponemos e implementamos técnicas para obtener parámetros ópticos cruciales tales como el índice de grupo, dispersión cromática, rotación de polarización y pérdidas de propagación en guías de onda. También para caracterizar acopladores ópticos. Se realizan evaluaciones directas de fase óptica en diferentes experimentos para, entre otras aplicaciones, caracterizar efectos de calor en chips. En la culminación de la tesis, se aborda la integración conjunta de los interferómetros de OFDI junto con el DUT, concibiéndolo como una estructura de caracterización integrada. El uso de guías de onda integradas proporciona una alta estabilidad y adaptación al DUT, además de un mecanismo inherente de compensación de la dispersión. Se realiza un análisis y prueba de concepto experimental caracterizando un "arrayed waveguide grating" en tecnología de nitruro de silicio. Seguidamente, se da un paso adelante proponiendo una arquitectura interferométrica de tres brazos novedosa que permite reducir la complejidad de la medida. Se lleva a cabo una validación experimental amplia usando distintos equipos de laboratorio, acoplamiento horizontal y vertical al chip, y diferentes DUTs en tecnologías de nitruro de silicio y "silicon-on-insulator". / [CAT] Aquesta tesi aborda la caracterització de circuits fotònics integrats (PIC) usant interferometria òptica al domini de les freqüències (OFDI). OFDI té una implementació raonablement simple i interroga el dispositiu sota test (DUT) proporcionant la seva resposta en el domini del temps, en què els diferents camins òptics seguits per la llum es manifesten en contribucions que contenen informació de posició, amplitud i fase. Juntament amb un "setup" OFDI construït als nostres laboratoris i estructures de test integrades que involucren anells ressonants, interferòmetres, etc., proposem i implementem tècniques per obtenir paràmetres òptics crucials com ara l'índex de grup, dispersió cromàtica, rotació de polarització i pèrdues de propagació en guies d'ona. També per caracteritzar acobladors òptics. Es fan avaluacions directes de fase òptica en diferents experiments per, entre altres aplicacions, caracteritzar efectes de calor en xips. A la culminació de la tesi, s'aborda la integració conjunta dels interferòmetres d'OFDI juntament amb el DUT, concebent-ho com una estructura de caracterització integrada. L'ús de guies d'ona integrades proporciona una alta estabilitat i adaptació al DUT, a més d'un mecanisme inherent de compensació de la dispersió. Es realitza una anàlisi i prova de concepte experimental caracteritzant un "arrayed waveguide grating" en tecnologia de nitrur de silici. Seguidament, es fa un pas avant proposant una arquitectura interferomètrica de tres braços nova que permet reduir la complexitat de la mesura. Es du a terme una validació experimental àmplia usant diferents equips de laboratori, acoblament horitzontal i vertical al xip, i diferents DUTs en tecnologies de nitrur de silici i "silicon-on-insulator". / [EN] This PhD thesis covers the characterization of complex photonic integrated circuits (PIC) by using Optical Frequency Domain Interferometry (OFDI). OFDI has a fairly simple implementation and interrogates the device under test (DUT) providing its time domain response, in which the different optical paths followed by light manifest in contributions with position, amplitude and phase information. Together with a working OFDI setup built in our laboratory and integrated test structures involving devices such as ring resonators, interferometers, etc., we propose and implement techniques to get crucial optical parameters such as waveguide group refractive index, chromatic dispersion, polarization rotation, and propagation loss. Also, to characterize optical couplers. Direct optical phase assessment is made in different experiments permitting, amongst others, the characterization of on-chip heat effects. In the culmination of the thesis, the co-integration of the OFDI interferometers with the DUT is addressed, conceiving it as an integrated characterization structure. The use of integrated waveguides provide high stability and adaptation to the DUT, as well as an inherent dispersion de-embedding mechanism. It is provided analysis and experimental proof of concept with an arrayed waveguide grating as DUT in a silicon nitride platform. A considerable leap forward is then taken by proposing a novel three-way interferometer architecture, reducing the measurement complexity. Wide experimental validation is carried out using different laboratory equipment, horizontal and vertical chip coupling, and different DUTs in silicon nitride and silicon-on-insulator. / Bru Orgiles, LA. (2022). Optical Frequency Domain Interferometry for the Characterization and Development of Complex and Tunable Photonic Integrated Circuits [Tesis doctoral]. Universitat Politècnica de València. https://doi.org/10.4995/Thesis/10251/181635