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Caracterização óptica e elétrica de materiais fotocondutores e fotorrefrativos / Optical and electrical characterization of photoconductive and photorefractive materialsPereira, Renata Montenegro 26 February 2007 (has links)
Orientador: Jaime Frejlich Sochaczewsky / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-08T07:16:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2006 / Resumo: O objetivo desta tese foi a caracterização de materiais fotocondutores e fotorrefrativos utilizando técnicas ópticas e elétricas. A propriedade mais importante nestes materiais é a fotocondutividade e por isso nos centramos na medida dessa quantidade. Um dos materiais mais estudados em nosso laboratório, o Bi12TiO20, é pouco fotocondutor e por isso, a técnica clássica, que utiliza uma lâmpada "branca" seguida de um monocromador, para selecionar o comprimento de onda com que a amostra vai ser iluminada, mostrou-se pouco sensível. Para melhorar a sensibilidade da medida, desenvolvemos um sistema baseado num conjunto de LEDs (light-emitting diodes) quase monocromáticos, de diferentes comprimentos de onda, capazes de fornecer maior intensidade de luz do que o sistema clássico. Também propomos uma sistemática diferente para a coleta e processamento dos dados, que leva em consideração, a distribuição exponencial da luz no interior da amostra, devido à absorção¸ característica de cada material. Os resultados mostraram que o novo instrumento e o novo método de processamento de dados permitem obter mais informações sobre os materiais analisados do que seria possível utilizando a técnica clássica. A nova técnica foi aplicada ao estudo de amostras de Bi12TiO20 puro e dopado assim como de Bi12GaO20 e CdTe. Os resultados, junto com outras informações disponíveis por outras técnicas (holografia e fotocorrente modulada), permitiram detectar alguns estados localizados dentro da banda proibida destes materiais, o que é muito importante no estudo da fotocondutividade / Abstract: The objective of this work was the characterization of photoconductive and photo-refractive materials using optical and electrical techniques. The most important property of these materials is photoconductivity so that we concentrated in the measurement of this quantity. One of the most studied materials in our laboratory, Bi12TiO20, is poorly photoconductive and, because of that, the standard technique using a white lamp followed by a monochromator, to select the illumination wavelength on the sample, has shown a very poor sensistivity. In order to improve the measurement we have therefore developed a system based on an array of almost monochromatic LEDs (Light-Emitting Diodes) with different wavelengths, which are able to provide with greater light intensity than with the classical system. We also propose a different system for the data collection and processing, which considers the exponential distribution of light along the sample¿s thickness, due to the characteristic bulk absorption of these materials. Our results have shown that the new instrument and the new data processing method allow us to obtain much more information about the materials under analysis than would be possible with the classical method. The new technique was applied to the study of pure and doped B i12TiO20, as well as Bi12Ga O20 and CdTe. The results, together with further information obtained from other techniques (holography and modulated photocurrent), have allowed us to detect some localized states inside the bandgap of the materials and therefore get a better insight of their structure that is very important for the understanding of their photoconductivity properties / Mestrado / Propriedades Óticas e Espectroscopia da Matéria Condensada / Mestre em Física
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Effet photoréfractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) : détermination des paramètres du matériau, intensification de l'effet photoréfractif par un champ alternatif et amplification d'ondes optiques.Besson, Claudine 11 May 1989 (has links) (PDF)
Etude des paramètres caractéristiques de l'effet photorefractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) par des expériences de diffraction d'ondes optiques. Ces résultats sont mis a profit pour la réalisation d'un amplificateur d'ondes optiques base sur le couplage dans le matériau. Les principaux paramètres photorefractifs mesures sont: la longueur de diffusion des porteurs de charge; la densité de centres ionises dans le noir; la photoconductivité. L'influence du dopage sur ces paramètres est discutées. Des améliorations des performances du bi12Geo20 sont obtenues en appliquant un champ alternatif créneau au cristal. Nous avons réalise des expériences de couplage d'onde sous champ créneau et en avons développé une description analytique. Cette technique intensifie le transfert d'énergie entre deux ondes
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Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas do tetraborato de magnésio (MgB4O7) e do defeito antissítio em compostos Bi12MO20 (M=Ge,Si,Ti) utilizando cálculos de primeiros princípiosOliveira, Tarsila Marília de 17 February 2017 (has links)
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / This work represents a theoretical study, based on density functional theory (DFT), on
structural, electronic and optical properties of magnesium tetraborate (MBO, MgB 4 O 7 )
compound and of antisite Bi M O 4 defect in Bi 12 MO 20 (BMO, M=Ge, Si, Ti) compounds.
All calculations have been realized by linear augmented plane wave (LAPW) method
implemented in Wien2k computer code. The relaxation of atomic positions and lattice
parameters has been performed using LDA (MBO) and PBE-GGA (BMO) exchange-
correlation (XC) functional. Electronic structure, optical properties and chemical bonds
were investigated using the semi-local XC potential of Tran and Blaha (TB-mBJ), which
significantly improved the band gap description and optical properties of studied systems.
The thesis is divided in two parts. The first refers to study of magnesium tetraborate
in pure form. Electronic structure calculations predicted a 9.58 eV band gap value, quite
close to the value determined in the similar compounds. The electronic structure around
the band gap is found to be dominated by the O 2p-states and 2p-states of the boron
ion with trigonal coordination with neighbouring O‘s. Optical properties were analysed
in terms of complex dielectric tensor which imaginary part is directly proportional to
the optical absorption spectra. The latter is found to exhibit two prominent peaks. The
lower energy peak originates from electron transitions within the trigonal B−O 3 structural
group. Refractive index, reflectivity, extinction coefficient and energy loss were analysed
in ultraviolet range (up to 40 eV) and all calculated optical properties are found to be
anisotropic.
The second part presents a theoretical study upon the antisite defect Bi M O 4 in sillenites
compounds, which consists of wrong occupation of the M site by the Bi ion. Calculations
were performed firstly for the pure compounds. The crystal structure has been computatio-
nally optimized and the band gaps found to be 3.39 eV, 3.35 eV and 3.37 eV for the BGO,
BSO and BTO respectively. These values are in very good agreement with experimental
data. Defects were investigated in q=-1,0,1 charge states. Electronic structure calculations
demonstrated that the antisite defect introduces an energy band inside the gap formed by
O 2p- and 6s- states of Bi M ion. This band occupation is directly related to the defect
charge state. The neutral defect presents a semi populated band, the positively defect adonor band and the negatively defect an acceptor band. The Bader analysis confirmed that
the electron added or removed from the host system is always localised in the area of the
defect. The analysis of the defect formation energies demonstrated that the neutral defect
is energetically favourable, and thus dominates the lowest thermal state of the sillenites
(also called colour state). On the other hand, the charged defects are predominant in
the so-called transparent thermal state of the sillenites. From the results, it was possible
to associate the presence of the antisite defect with important properties observed in
the BMO crystals, such as: (1) explanation of the charge mobility required to produce
the photorefractive effect; (2) reversible transitions between the thermal states and (3)
photocromic effect in sillenites. / Nesse trabalho foi realizado um estudo te´orico, baseado na Teoria do Funcional da
Densidade (DFT), das propriedades estruturais, eletrˆonicas e ´opticas do tetraborato de
magn´esio (MgB 4 O 7 ) e um estudo do defeito tipo antiss´ıtio Bi M O 4 em cristais do estruturas
silenitas Bi 12 MO 20 (BMO, onde M=Ge, Si e Ti).
As otimiza¸c˜oes das posi¸c˜oes atˆomicas e parˆametros de rede foram realizadas para todos
os sistemas utilizando o funcional LDA e GGA-PBE para o MgB 4 O 7 e BMO’s, respecti-
vamente. As estruturas eletrˆonicas e propriedades ´opticas do sistemas estudados foram
calculadas utilizando o m´etodo LAPW implementado no c´odigo computacional WIEN2k.
Os efeitos de correla¸c˜ao e troca, das estruturas eletrˆonicas e ´opticas, foram simulados
pelo recentemente desenvolvido potencial TB-mBJ, que foi mostrado ser adequado para
tratamento de sistemas que possuem gap.
Essa tese foi dividida em duas partes. A primeira parte refere-se ao estudo do tetraborato
de magn´esio puro. Os c´alculos da estrutura eletrˆonica resultaram em um valor do gap
de 9,58 eV, bem pr´oximo ao esperado (comparando a compostos similares). O topo da
banda de valˆencia ´e dominado por estados 2p dos oxigˆenios, enquanto o fundo da banda
de condu¸c˜ao consiste predominantemente de estados 2p do boro de coordena¸c˜ao trigonal
com os oxigˆenios vizinhos (BO 3 ). As caracter´ısticas propriedades ´opticas foram calculadas
a partir do tensor diel´etrico complexo, cuja parte imagin´aria ´e diretamente proporcional
ao espectro de absor¸c˜ao ´optica verificou-se que a borda de absor¸c˜ao ´optica ´e originada
por poss´ıveis transi¸c˜oes eletrˆonicas entre os ´ıons que formam a estrutura trigonal BO 3 . O
espectro de absor¸c˜ao tamb´em indicou um car´ater anisotr´opico para o composto. O ´ındice
de refra¸c˜ao, coeficiente de extin¸c˜ao, refletividade e a perda de energia de el´etrons foram
calculados na regi˜ao ultravioleta at´e 40 eV. A segunda parte refere-se ao estudo do defeito
tipo antiss´ıtio em silenitas. Os cristais foram estudados nas formas puras e com a presen¸ca
de um ´atomo de Bi ocupando o s´ıtio do ´atomo M (Bi M O 4 ). Os defeitos foram investigados
nos estados de carga q=−1, 0, +1. Os band gaps dos BMO’s puros foram determinados
com os valores de 3,39 eV para BGO, 3,35 eV para BSO e 3,37 eV para o BTO.
Atrav´es das an´alises das densidades de estados eletrˆonicos foi confirmado que o defeito
antiss´ıtio introduz uma banda de energia situada dentro do intervalo de energias proibidas,bandgap, formada por estados 2p dos oxigˆenios e 6s do defeito Bi M . A popula¸c˜ao eletrˆonica
dessa banda est´a diretamente relacionada ao estado de carga. O defeito neutro (Bi
0
M
)
introduz uma banda semi populada, o defeito carregado negativamente (Bi
−1
M
) uma banda
doadora e o defeito carregado positivamente (Bi
+1
M
) uma banda aceitadora. A an´alise
das liga¸c˜oes qu´ımicas confirmou que a adi¸c˜ao (ou retirada) de um el´etron do sistema
sempre ocorre na banda associada ao defeito. A an´alise da energia de forma¸c˜ao de defeito
constatou que o defeito neutro ´e o energeticamente favor´avel, dominando assim o estado de
menor energia (tamb´em chamado de estado colorido). A partir dos resultados, tamb´em foi
poss´ıvel associar a presen¸ca do defeito antiss´ıtio como geradora de importantes propriedades
observadas nos cristais BMO’s, tais como: a mobilidade de carga que ocasiona o efeito
fotorrefrativo; a compreens˜ao das transi¸c˜oes revers´ıveis entre estados t´ermicos e o efeito
fotocrˆomico.
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