Nesta dissertação estudamos a possibilidade de uso de implantação iônica de estanho para pré-amorfização do silício cristalino e sua aplicabilidade na tecnologia de fabricação de junções rasas. Foi estudada a amorfização de Si em doses altas (~ 1x1016 cm-2) de implantação de Sn. Nas pesquisas foram empregadas as técnicas de espectroscopia Mössbauer e de Retroespalhamento de Rutherford Canalizado (RBS/C). Mesmo para estas doses muito altas, foi observado 93% de substitucionalidade de Sn na rede cristalina de Si, após tratamento térmico, o que corresponde a duas ordens de grandeza a mais que a máxima solubilidade sólida. Doses médias (1x1012 – 3x1014 cm-2) de implantação de Sn foram usadas para encontrar a dose mínima de amorfização, que foi de 1x1014 cm-2, medida com RBS/C. Amostras pré-amorfizadas com implantação iônica de Sn e energias 120 keV e 240 keV foram posteriormente implantadas com BF2 + de 50 keV e dose 5x1014 cm-2 para obtenção de junção rasa tipo p+-n. Diferentes regimes de recozimento térmico rápido foram utilizados. Técnicas de espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS) e medidas elétricas foram usadas para caracterização destas junções. O melhor resultado foi com pré-amorfização de Sn de 240 keV e recozimento de 900 ºC, 30s. A profundidade de junção foi de 115 nm e a resistência de folha de ~ 175 / . / The possibility of using ion implantation of tin to preamorphizing crystalline silicon and its applicability in the fabrication of shallow junctions is studied in this work. Initially we performed the preamorphization with high dose of implanted tin (~1x1016 cm-2). In the analysis of the implanted samples we used the techniques of Mössbauer Spectroscopy and Aligned Rutherford Backscattering (Channeling). Even for those high doses of implantation we observed 93% of substitutionality of tin in the crystalline lattice of silicon, after thermal annealing. This substitutionality is two orders of magnitude higher than the maximum solid solubility. Medium value doses (1x1012 – 3x1014 cm-2) of implanted tin were used in order to find the minimum dose for amorphization, which we found to be 1x1014 cm-2, measured with channeled RBS. Samples preamorphized with tin implanted at different energies, 120 keV and 240 keV, have been afterwards implanted with BF2 + of 50 keV and dose 5x1014 cm-2 to obtain shallow junction of type p+-n. Different processes of rapid thermal annealing have been used. Secondary Ions Mass Spectroscopy (SIMS) and electric measurements were used to characterize these junctions. The best result was obtained with preamorphization by tin at 240 keV and annealing at 900 oC, 30 s. The depth of the junction was 115 nm and sheet resistance of ~175 / .

A partir das controvertidas q uest ões quanto ao processo de ligação dos metais com Hemateína, foram estabelecidas algumas questões fundamentais , obj etivos do presente estu do: - determinação de características de absorção UV- - Visível dos complexos de Estanho com Hemateína, visando obter sua estequiometria em solução e parâmetros termodinâmicos de formação , fornecendo dados para possíveis usos em química analítica; verificação das características de espectro vibra cional da Hemateína e de seus complexos, visando confirmar a estrutura proposta para o quelante e obter informações quanto ao tipo de complexação o corrido ; - determinação do estado de oxidação do ion metálico central, via espectroscopia Môssbauer, procurando esclarecer a similaridade nos espectros de visivel dos complexos sintetizados por ASMUS 20 ; - determinação de dados estrutur a is dos complexos sólidos, visando obter informações sobre composição, número de coordenação e simetria em torno do metal.

A resistência ao cloreto estanoso (SnCl2) nas células eucarióticas de levedura Saccharomyces cerevisiae é um produto de vários processos metabólicos. O mutante rad52 , deficiente no mecanismo de reparação recombinacional, incapaz de reparar quebras simples e duplas no DNA, foi o mais sensível ao íon metálico Sn²+. A resistência relativa dos mutantes rad e rad4 , deficientes na reparação por excisão de nucleotídeos (NER), mostrou-se significativamente elevada, indicando a participação dessa via na reparação dos danos causados pelo SnCl2. Uma série de mutantes defectivos na via de reparação por excisão de bases (BER), combinada com mutantes defectivos em NER, foi utilizada para determinar indiretamente o tipo de lesão causada pelo SnCl2 ao DNA. A DNA N-glicosilase (Ntg2p) mostrou-se, por sua vez, indispensável à reparação das lesões ao DNA induzidas pelo íon metálico Sn²+. A ausência do fator de transcrição Yap1, responsável pela resposta ao estresse oxidativo em leveduras, ocasionou o aumento da sensibilidade ao íon metálico Sn²+. Além disso, a sensibilidade dos mutantes sod1 e sod2 revelou a importância das enzimas antioxidantes Sod1p e Sod2p na resposta aos danos gerados pelo íon metálico Sn²+. A sensibilidade mais elevada ao SnCl2 foi observada quando as células estavam na fase exponencial de crescimento (fase LOG), o que sugere que há dois sistemas independentes (um mediado pela repressão/desrepressão catabólica, e outro, pela ativação da transcrição de genes envolvidos nas vias de defesa contra espécies reativas de oxigênio (EROs)), que atuam em conjunto e contribuem para a resistência aos danos causados pelo íon metálico Sn²+. Para determinar a concentração do íon metálico Sn²+ captada nas células da levedura S. cerevisiae e correlacioná-la com a toxicidade desse íon metálico, foi determinado o conteúdo de metal intracelular pelo método de Emissão de Raios-X Induzida por Partículas Carregadas, ou Particle Induced XRay Emission (PIXE), desenvolvendo-se um protocolo para as análises. Os resultados obtidos mostraram que a linhagem diplóide XS2316 captou 60% da quantidade total do íon metálico Sn²+, captada pela linhagem haplóide XV184-14c. Isso indica que a linhagem haplóide capta maior quantidade do íon metálico Sn²+ do que a linhagem diplóide, o que pode explicar a citotoxicidade diferenciada de ambas as linhagens quando tratadas com SnCl2. Por fim, utilizando-se a mesma metodologia, foi realizada uma análise multielementar para avaliar se havia uma interação entre o íon metálico Sn²+ e outros elementos químicos essenciais para a célula. De acordo com as análises por PIXE, após tratamento com SnCl2, a linhagem haplóide XV185-14c apresentou um decréscimo significativo nas quantidades de Mg, Zn, S e Fe, e, por outro lado, um aumento na quantidade de P. Para verificar como o íon metálico Sn²+ é captado, distribuído e destoxificado, foram associadas técnicas moleculares, incluindo ensaios de citotoxicidade e RT-PCR quantitativo (qRT-PCR), com a metodologia do PIXE. Os ensaios de sobrevivência mostraram que Fet4 e Zrt2, ambas proteínas de transporte de baixa afinidade do ferro e zinco, respectivamente, podem internalizar o íon metálico Sn²+. Por sua vez, qRT-PCR mostrou um aumento da expressão gênica de CCH1 e MID1, os quais codificam as proteínas Cch1 e Mid1, envolvidas no transporte de Ca²+ na membrana plasmática, sugerindo que essas duas proteínas também podem estar envolvidas na captação do íon metálico Sn²+. Os resultados indicaram que, uma vez dentro da célula, o íon metálico Sn²+ pode ser armazenado no vacúolo através da ação da proteína P-type ATPase Pmc1 e quelado no citoplasma pela metalotioneína Crs5. Alternativamente, o íon metálico Sn²+ pode gerar EROs, em especial o ânion superóxido (O2 -), o qual pode ser dismutado pela proteína Sod1, formando peróxido de hidrogênio (H2O2) e radical hidroxil (.OH). Consequentemente, as EROs podem induzir a transcrição de vários genes envolvidos na resposta ao estresse oxidativo, como SOD1, YAP1 e APN1. Para elucidar os mecanismos moleculares envolvidos na genotoxicidade do íon metálico Sn²+, foi avaliada a indução de quebras causadas pelo SnCl2 na presença de formamidopirimidina (FPG) e endonuclease III (ENDO III), bem como a interferência desse íon na reparação das lesões induzidas pelo agente alquilante metilmetanosulfonato (MMS) em células de pulmão de hamster chinês (V79) pelo ensaio cometa. Os resultados mostraram que, em concentrações tóxicas, o íon metálico Sn²+ induziu somente uma limitada elevação nos sítios sensíveis de FPG e ENDO III, sugerindo que o íon metálico Sn²+ preferencialmente não induz lesões oxidativas nas bases nitrogenadas. Embora a concentração de 50 μM de SnCl2 não tenha produzido um aumento significativo na quantidade de danos ao DNA, ela foi capaz de inibir a reparação dos danos provocados pelo agente alquilante metilmetanosulfonato (MMS) durante o período de pós-tratamento de 24h. Os resultados demonstraram o efeito genotóxico e comutagênico do SnCl2 em células V79. O efeito inibitório do íon metálico Sn²+ na reparação dos danos induzidos pelo MMS no DNA sugeriu que esse metal também pode interferir em sistemas de reparação do DNA, que contribuem para o aumento de mutações pela alteração do equilíbrio entre o processo de reparação livre de erro e o sujeito a erro. / Resistance to stannous chloride (SnCl2) of the yeast Saccharomyces cerevisiae is a product of several metabolic pathways of this unicellular eukaryote. The recombination deficient rad52 mutant, unable to repair DNA single and double strand breaks was the most sensitive. The relative resistance of mutant strains rad2 e rad, deficient in nucleotide excision repair (NER), was rather high, indicating a minor but significant contribution to repair of Sn²+ -induced DNA lesions by this repair pathway. A series of mutants defective in different base excision repair (BER) pathway, combined with NER were used to indirectly determine the type of SnCl2-produced DNA lesion. The Ntg2p DNA N-glycosylase seems to be indispensable for repair of Sn²+ -induced DNA lesions. Lack of transcription factor Yap1p, responsible for the oxidative stress response in yeast, led to increase in Sn²+ -sensitivity. In addition, sensitivity of the superoxide dismutase mutants sod1 and sod2 revealed the importance of these anti-oxidative defence enzymes against Sn²+ -imposed DNA damage. The highest SnCl2 -sensitivity, however, was observed in glucose-repressed pre-diauxic shift exponentially growing cells (LOG cells). It has been suggested that two independently acting anti-ROS protective systems (one mediated by glucose repression/de-repression, the other via ROS-inducible transcription activators) are working together, and that both contribute to Sn²+ -resistance. To determine the concentration of Sn²+ ions cells of the S. cerevisiae and to correlate their quantity with the toxicity, the intracellular metal content of yeast cells was determined by Particle Induced X-ray emission (PIXE). A thick target protocol was developed for PIXE analysis. The PIXE analysis suggested that diploid (XS2316) cells absorbed about 60% of the total amount of Sn²+ absorbed by the haploid (XV185-14c) yeast cells. This indicates that Sn²+ absorption is better in haploid yeast cells and agrees well with published toxicity results. Finally, we performed a screening in order to know the putative interactions between Sn²+ and other essential elements. According to PIXE analysis, the results for XV185-14c yeast cells indicate a significant loss of intracellular elements such as Mg, Zn, S, Fe and an increase of P levels after 1 h exposure to 25 mM SnCl2 in STAT phase. In order to verify how Sn²+ is uptaken, distributed and detoxified, we associated molecular techniques including survival assay and quantitative real time PCR (qRT-PCR) with PIXE. The survival assay showed that Fet4p and Zrt2p both low-affinity iron and zinc transporters, respectively, may internalize Sn²+. By its turn, qRT-PCR showed an increased in CCH1 and MID1 gene expression, which encode for the cytoplasmic transmembrane Ca²+ transporters Cch1p and Mid1p, suggesting that both proteins may also take up Sn²+. Our data also indicated that once inside the cell, Sn²+ may be taken up from the cytosol by a P-type ATPase to the vacuole (Pmc1p) or may be chelated by Crs5p metallothionein in the cytosol. Alternatively, Sn²+ may generate reactive oxygen species (ROS), especially O2 - which can be dismutate to form H2O2 and the highly reactive OH. In consequence, ROS can induce cellular injury and stress-generated activation of many genes, e.g., SOD1, YAP1, and APN1. In order to clarify the molecular mechanisms of Sn²+ genotoxicity, we evaluated the induction of strand breaks, FPG and ENDO III sensitive sites, and the interference with the repair of MMS-caused DNA damage in V79 Chinese hamster lung fibroblasts exposed to stannous chloride by comet assay. Our results demonstrated that Sn²+ induced only a limited elevation in FPG and ENDO III sensitive sites in toxic concentrations. This suggests that stannous ion does not preferentially induce base modifications that are the substrate of FPG and ENDO III enzymes in V79 cells. Although 50 µM SnCl2 concentration did not increase significantly the DNA migration by itself in comet assay, it was capable to inhibit the repair of MMSinduced DNA damage during the pos-treatment period of 24h. Our results demonstrate the genotoxic and comutagenic effects of stannous chloride in V79 cells. The inhibitory effect of Sn²+ on repair of MMS-induced DNA damage suggests that this metal can also interfere in DNA repair systems thus contributing to increased mutation by shifting the balance from error-free to error-prone repair processes.

Orientador: Saul Barisnick Suslick / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Geociencias / Made available in DSpace on 2018-07-22T14:49:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodrigues_AntonioFernandodaSilva_M.pdf: 6733965 bytes, checksum: 4b0bd968ca46e070634cbdde209f0b2c (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Esta dissertação identifica e analisa alguns aspectos do boom estanífero nacional, dando ênfase aos seus principais fatores determinantes, efeitos e perspectivas setoriais, com o propósito de avaliar sua importância no cenário mínero-econômico nacional, no período de 1980 a 1996. Na década de 80 o segmento estanífero brasileiro experimentou um incremento produtivo súbito, com índices da ordem de 1.365% (1970-1989) e 665%(1980-1989). Consolidou internamente sua condição superavitária entre os produtores de não-ferrosos e apresentou-se ao mercado internacional como importante exportador de estanho metálico, evoluindo de um modesto sexto lugar como produtor no ranking ocidental, em 1980 - abaixo da Austrália, Bolívia, Indonésia, Tailândia e Malásia - para o primeiro posto durante o triênio 1988-1990. Neste contexto, observa-se que o impacto positivo das exportações, associado às vantagens comparativas da jazidas brasileiras, geraram um clima de euforia setorial, dando a falsa impressão de que se absorveria a crise internacional do estanho deflagrada na London Metal Exchange LME, em 1985. Contudo, não obstante a reconhecida competitividade inata às jazidas nacionais, implicações de ordem político-gerencial do boom comprometeram sobremaneira a sustentabilidade do segmento minero-estanífero brasileiro / Abstract: This dissertation identifies and analyzes some aspeets of the Brazilian tin boom. It emphasizes the main determinant faetors, the effeets and the eeonomie perspeetives ofthe seetor, in order to show its role in the Brazilian mining-eeonomie setting, in the period 1980-1996. In the 1980's the Brazilian tin seetor experieneed a sudden growth in tin eontent of ores produetion, about 1,365% (1970-1988) and 665% (1980-1989). The internal market reinforeed its condition showing a surplus among non-ferrous producers and was launehed to the international market as an important exporter of metallie tin, climbing from the sixth plaee, as a produeer in the Western World, in 1980 below Australia, Bolivia, Thailand and Malaysia to the first rank, during the period 1988-1990. In this setting, it ean be seen that the positive impaet of the exports, due to the favorable conditions provided by the Brazilian deposits, eaused an exeess of optimism in the tin business, leading to the impression that the erisis initiated by the London Metal Exehange LME would be overeome. Despite the inherent eompetitivity of the Brazilian deposits, both management and politieal issues eompromised greatly the sustainability ofthe mining-eeonomie Brasilian tin seetor / Mestrado / Administração e Politica de Recursos Minerais / Mestre em Geociências

Orientador: Antonio Jose Gomez Cobo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-27T04:55:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_JoseWilsonda_M.pdf: 3875780 bytes, checksum: f8e262727690e843be6520358cf012d8 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: No presente trabalho foi investigado a influência dos aditivos ferro, ZInco e estanho sobre os sistemas Ru/Ti02 e Ru/Si02. Para tal, a avaliação do desempenho dos catalisadores RuFeITi02, RuZnlTi02, RuSnlTi02 e RuFe/Si02 na reação de hidrogenação parcial do benzeno (373 K e 5 J / Abstract: n this work the influence of Fe, Zn and Sn on Ru/Ti02 and Ru/Si02 was investigated. The catalytic performance of RuFe/Ti02, RuZnlTi02, RuSnlTi02 and RuFe/Si02 was evaluated on the benzene partial hydrogenation (373 K and 5 :Mpa). The catalysts were prepared by incipient wetness impregnation from an aqueous solution of the chloride precursors. A constant Ru/additive atomic ratio was kept in alI systems. The powders were calcined and reduced (573 K) before the catalytic testes. Some techniques were used to characterize the catalysts, namely N2 adsorption, thermogravimetric analysis, X-ray difftaction, temperature-programmed reduction and oxygen chemisorption. The catalysts performances revealed that the addition of Fe and Zn improved the Ru/Ti02 selectivity towards the desired product ciclohexene. Such a behaviour showed to be dependent of the additive loading, particularly for Zn. On the other hand, the addition of tin to the same system (Ru/Ti02) exhibited a negative effect since the catalyst showed to be practicalIy inactive in the reaction / Mestrado / Desenvolvimento de Processos Biotecnologicos / Mestre em Engenharia Química

Foram produzidos xerogéis e filmes finos de SnO2 dopados com Er e codopados com Yb pelo processo sol-gel, sendo usada a técnica de molhamento (“dip-coating”) para a produção de filmes finos. Propriedades ópticas, estruturais e elétricas são analisadas neste material, destacando-se espectros de emissão e excitação em xerogéis de SnO2:Er e SnO2:Er,Yb, os quais revelam algumas peculiaridades a respeito da incorporação de Er na matriz SnO2. São detectadas duas famílias de Er em SnO2, na primeira Er3+ entra substituindo Sn4+ na estrutura cassiterita, e na segunda fica segregado na superfície das partículas. Processos de transferência de energia de Yb3+ para Er3+ são efetivos nestas amostras. Medidas de difração de raios X mostram um aumento do tamanho do cristalito à medida que se aumenta a temperatura de tratamento térmico. O oposto ocorre quando o dopante é introduzido, pois um aumento na concentração de Er proporciona uma diminuição no tamanho do cristalito. Usando experimentos de caracterização elétrica, é identificada a ação aceitadora de Er em SnO2 tipo-n, pois se observou um aumento de até 5 ordens de grandeza na resistividade de filmes dopados com Er comparados à amostras não-dopadas. Resultados de decaimento da condutividade fotoexcitada em filmes finos, também dão indícios deste cárater aceitador, já que a remoção da iluminação com a linha 266nm (4o harmônico de um laser Nd:YAG), induz a um decaimento da condutividade. Além destas técnicas, foram empregadas ainda absorção óptica, a qual mostrou transparência acima de 80% no visível; reflexão especular de raios X, indicando espessura de 6,3nm/camada, rugosidade de 1,55nm e 39% de porosidade. Usando medida de resistência e corrente-voltagem em função da temperatura, observou-se que os modelos de emissão Schottky e Poole-Frenkel são obedecidos para baixos e altos campos elétricos, respectivamente.

Orientador: Elizabete Jordão / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-25T16:59:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Coupe_JulioEduardoNogueira_M.pdf: 3513602 bytes, checksum: 36c28624ac21eaf943b1559f4955fccb (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: O Citral, um membro da família dos aldeídos 'alfa¿, 'beta¿ insaturados pode, por hidrogenação levar a uma extensa gama de produtos, dentre os quais o geraniol e o nerol, que são importantes compostos empregados na indústria de cosméticos. Recentemente o geraniol tem obtido destaque na industria farmacêutica, onde tem sido empregado com êxito em pesquisas contra tumores malignos, e quanto a sua ação bactericida. A hidrogenação seletiva do citral foi estudada em presença do sistema catalítico Rh-Sn/Si¿O IND. 2¿. Os catalisadores foram preparados utilizando o método de preparação de reação controlada à superfície(CSR) por via organometálica, o método de impregnação sucessiva e o método de co-impregnação. O emprego de métodos de impregnação sucessiva e de co-impregnação para a preparação de catalisadores Rh-Sn/¿SI¿¿O IND. 2¿ para a hidrogenação do Citral não foram, até onde investigadas, encontrados na literatura. A adição do promotor Sn através de seu cloreto ou pelo complexo organometálico tetrabutilestanho aumentou a seletividade do catalisador Rh/¿SI¿¿O IND. 2¿ a álcoois insaturados, geraniol e nerol, com decréscimo da atividade do mesmo. O catalisador preparado via (CSR) mostrou uma seletividade a álcoois bi-insaturados muito alta, sendo esta atribuída principalmente ao caráter ácido do estanho e à presença de fragmentos alquil na superfície metálica do catalisador... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Citral, a member of 'alfa¿, 'beta¿ unsaturated aldehydes, is able by hidrogenation, to lead to an extensive number of products, like geraniol and nerol. They are important compounds in the field of fine chemicals, particularly in the cosmetics industry. More recently, geraniol has also been outlined in the pharmaceutical industry, where it has been successfully used in tumor research and as a bactericidal agent. In this work, the selective hydrogenation of Citral has been studied over Rh-Sn/¿SI¿¿O IND. 2¿. The catalysts have been prepared by using the controlled surface reaction (CSR) technique, co-impregnation and successive methods. Apart from the former, the other methods, as far as it has been known, have ever not been found in the literature for this system. The addition of tin as a promoter by means of its salt precursor or its organometallic comples rose the 'Rh/¿SI¿¿O IND. 2¿ catalyst selectivity to unsaturated alcohols, geranol and nerol, with a sharp drop in activity. The catalysts prepared by CSR showed a high selectivity to unsaturated alcohols. It has been attributed mainly to the tin acid character and the presence of alkyl fragments on the catalyst metal surface. The catalyst prepared by successive impregnation, in which the promoter was formerly added, did not show a good selectivity to the desired products as that reached by the others... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Sistema de Processos Quimicos e Informatica / Mestre em Engenharia Química

Made available in DSpace on 2014-06-12T23:15:41Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo9252_1.pdf: 3386538 bytes, checksum: 0726d46e56ae70d920d73bf135e33163 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2007 / O estudo de reações organometálicas ganhou novo impulso, a partir da década de 1980, com a descoberta de que algumas dessas reações mediadas por metais poderiam ser realizadas na presença de água. A partir de então, a reação de Barbier tem sido uma das mais estudadas com diversos metais, destacando-se o, índio, zinco e estanho. Neste trabalho, a alilação e crotilação em reações de Barbier foram investigadas em meio aquoso com alguns aldeídos, destacando-se os benzaldeídos hidroxilados e metoxilados na presença de estanho metálico. Em uma primeira etapa do estudo, os melhores resultados obtidos corresponderam às reações realizadas em solução de K2HPO4 e 24 horas de reação. Os metoxibenzaldeídos (anisaldeídos) apresentaram rendimentos geralmente maiores que os correspondentes benzaldeídos hidroxilados, e em muitos casos, superiores a alguns exemplos encontrados na literatura, seja em meio aquoso, seja em meio anidro. O produto observado na reação de crotilação é exclusivamente o regioisômero γ, sendo a melhor diastereosseletividade de 70:30 syn/anti obtida com o 2-hidroxibenzaldeído. Testes envolvendo iniciadores e inibidores radicalares indicaram que a reação mediada por estanho em meio básico não deve proceder por um mecanismo radicalar ou ânion-radicalar, mas passando por um mecanismo envolvendo um intermediário organometálico de alilestanho. Posteriormente, novos estudos mostraram que a reações de alilação e crotilação poderiam ser realizadas em tempos muito menores quando realizadas em solução aquosa ácida. A maioria dos aldeídos aromáticos testados apresentaram excelentes rendimentos em 15 minutos de reação em solução aquosa de HCl, enquanto os aldeídos alifáticos levaram tempos um pouco maiores que variavam de 30 a 60 minutos. Esses aldeídos, em geral, necessitavam de maiores excessos de haleto e soluções ácidas mais concentradas. Nestas reações mais rápidas, com exceção do 4-metoxi-benzaldeído, todas as reações apresentaram uma diastereosseletividade que variou de 60:40 até 75:25 syn/anti, sendo que os melhores resultados foram observados com o 2-hidroxibenzaldeído e o 2-metoxi-benzaldeído. Para 2-metoxi-benzaldeído foi observado uma diminuição da diastereosseletividade com o tempo reacional, indicando um processo de equilibração entre os isômeros, que poderia ser explicado neste caso por uma solvólise. As reações de brometo de alila e estanho metálico na ausência de aldeído, monitoradas por RMN 1H, indicaram a formação de espécies organoestanho tanto em meio básico quanto em meio ácido. Nesses estudos observou-se que em meio básico uma única espécie, o tetraalilestanho, era formada nos diferentes intervalos de tempo analisados e, em meio ácido, duas espécies eram observadas, o tetraalilestanho e o trialilestanho. No entanto a formação dessas espécies era mais rápida em meio ácido do que em água, o que pode explicar o aumento da velocidade da reação de alilação. Para estender a metodologia da reação de Barbier mediado por estanho para outros substratos eletrofílicos, deu-se início a um estudo de reações de alquilação com nitrobenzeno. Apesar de estarem ainda no início, os resultados são promissores, mostrando alquilação e alilação em moderados e bons resultados em dimetilsulfóxido, bem como a formação de azocompostos

Orientador: Margarita Ballester Ferreira Santos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-18T06:00:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_CeliaReginaTomachukdos_M.pdf: 2716568 bytes, checksum: 060e0eed1b36fb8ece3461881a7bcb62 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Revestimentos de Sn-Ni obtidos através de codeposição eletrolítica apresentam propriedades de interesse tecnológico: resistencia à corrosã, soldabilidade, dureza, brilho, etc...Observação: O resumo, na íntegra poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Eletrodeposited Sn-Ni coatings have properties of technological interest like soldability, hardness, brightness and is resistant to corrosion...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:31:04Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2008-02-28Bitstream added on 2014-06-13T19:40:49Z : No. of bitstreams: 1 morais_ea_dr_bauru.pdf: 1277460 bytes, checksum: 74230ee0501ddb2bea981d37cf21ce82 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Através do processo sol-gel, foi sintetizado o material semicondutor dióxido de estanho ('SNO IND. 2') dopado com as terras-raras 'ER' e 'EU', sendo obtidas amostras na forma de xerogéis (pós) e filmes finos, neste último caso pela técnica de emersão. A introdução das terras-raras provoca desordens estruturais no material e impede o crescimento dos cristalitos, cujo tamanho varia entre 5-20NM, devido a segregação dos terras-raras na superfície das partículas, o que está relacionado a sua baixa solubilidade em 'SNO IND. 2'. A análise das propriedades ópticas mostra emissão eficiente dos íons terras-raras 'ER POT. 3'/' e 'EU POT. 3'/' quando introduzidos nesta matriz. A emissão é confirmada tanto por excitação direta destes íons, como por processos de transferência de energia, tanto correspondente ao bandgap da matriz como a transição 'INTPOT. 2 F IND. 7/2 de íon 'YB POT. 3'/' em amostras codopadas com 'ER POT. 3'/' e 'YB POT. 3'/'. A análise por fotoluminescência permite distinguir terras-raras em sítios substitucionais a 'SN POT. 4'/' ou em centros na superfície das partículas. A investigação das propriedades elétricas mostra um aumento de resistividade de até seis ordens de magnitude em relação a filmes não dopados. Isto está relacionado com o carácter aceitador de íons 'ER POT. 3'/' e 'EU POT. 3'/' em 'SNO IND. 2', que é naturalmente tipo-N, oque acarreta alta compensação de carga e também barreiras de potencial intergranulares que diminuem a mobilidade eletrônica. Foi investidada também a captura de elétrons fotoexcitados por centros de 'ER' e 'EU' termicamente ativados. À medida que se aumenta a temperatura e a concentração de 'ER' e 'EU', maior é a taxa de captura. Do modelo proposto, foram obtidos parâmetros importantes, como de captura devido aos defeitos dominantes. / The semiconductor material tin dioxide ('SNO IND. 2') has been produced by the sol-gel process, doped with the rare-earth 'ER' and 'EU'. Samples are obtained in the from of xerogels (powder) and thin films, in this latter case by the dip-coating technique. The incorporation of rare-earth ions promotes structural disorder in the material, which avoids the crystallite growth due to segregation of rare-earth ions to the surface, which is related to the low solubility in the 'SNO IND. 2' matrix. The crystallite size is in the range 5-20NM. Analysis of optical properties shows efficient emission of rare-earth ions 'ER POT. 3'/' and 'EU POT. 3'/', whem introduced in this matrix. This emission is confirmed either by direct excitation of ions, as well as by energy transfer processes, corresponding to the matrix bandgap or to the transition 'INTPOT. 2 F IND. 7/2 of íon 'YB POT. 3'/' ion in samples codoped with 'ER POT. 3'/' and 'YB POT. 3'/'. Photoluminescence spectra allow distinguishing rare-earth ions in substitutional sites of 'SN' and particles surface located centers. Investigation of electrical properties show a resitivity increase up to 6 orders of magnitude compared to undoped films. This behavior is related with the acceptor like character of 'ER POT. 3'/' and 'EU POT. 3'/' in 'SNO IND. 2', which is naturally a N-type material, leading to a high charge compensation degree and also to intergrain potential barriers that decrease the electronic mobility. It has also been investigated the capture of photogenerated electrons by ER' and 'ER' thermally activated centers. When the temperature is raised or the ER' or 'EU' concentratin is increased the capture ratebecomes faster. From a proposed model, some very relevent parameters are obtained, scu as the capture barrier due to the dominating defect.