Le modèle dualiste de la passion propose deux types de passion, la passion harmonieuse et la passion obsessive, qui jouent un rôle important et distinct par rapport au fonctionnement de la personne (Vallerand, 2015). Ce modèle a été appliqué à divers contextes de vie, incluant les activités de loisir, le sport et le travail. Toutefois, peu d’études ont examiné le rôle des types de passion pour le fonctionnement scolaire des étudiants. Comme de plus en plus d’étudiants fréquentent l’université et éprouvent des difficultés liées à leur santé mentale (Mackean, 2011; Ministère de l’Éducation, du Loisir et du Sport, 2014), il apparaît pertinent d’étudier ce modèle dans le contexte scolaire. Ce mémoire a pour objectif d’identifier les profils distincts de passions harmonieuse et obsessive envers les études universitaires, grâce à une analyse centrée sur la personne, et de comparer le fonctionnement scolaire (c.-à-d. l’épuisement scolaire, l’engagement dans les études, la satisfaction envers les études, les intentions d’abandonner son programme d’études et la réussite scolaire) des étudiants universitaires en fonction de leur profil de passion. Les résultats d’analyses de profils latents ont démontré la présence de quatre profils de passion scolaire, soit le profil Élevé (niveaux élevés de passions harmonieuse et obsessive), le profil Modéré (niveaux moyens de passions harmonieuse et obsessive), le profil Faible (niveaux faibles de passions harmonieuse et obsessive) et le profil Optimal (niveau élevé de passion harmonieuse et niveau faible de passion obsessive). Les étudiants fortement passionnés (profils Élevé et Optimal) démontrent globalement les meilleurs indices de fonctionnement scolaire. De plus, les étudiants du profil Optimal sont les moins épuisés (excepté pour la dimension d’inefficacité) et ceux du profil Élevé sont les plus engagés. À l’opposé, les étudiants peu passionnés (profil Faible) démontrent les pires indices de fonctionnement scolaire. Ces résultats témoignent de l’importance de considérer la cooccurrence des deux types de passion chez un même étudiant puisque les bienfaits de la passion harmonieuse semblent protéger contre certaines conséquences négatives liées à la passion obsessive. / The dualistic model of passion proposes two types of passion, harmonious and obsessive passions, who play important and distinct roles in predicting individuals’ functioning (Vallerand, 2015). This model has been applied in many contexts like leisure activities, sports, and work. However, few studies have explored the contribution of passion types for students’ academic functioning. As the number of students attending post-secondary education is increasing, including more students with mental health issues (Mackean, 2011; Ministère de l’Éducation, du Loisir et du Sport, 2014), it appears relevant to explore the role of passion types in an academic context. The purpose of this thesis was to identify distinct passion profiles of harmonious and obsessive passions toward one’s university studies and to compare students’ academic functioning (burnout, engagement, satisfaction, dropout intentions, and achievement) as a function of their passion profile. Using a person-centered approach, results of latent profile analysis demonstrated the presence of four passion profiles, labelled High (high levels of harmonious and obsessive passions), Moderate (moderate levels of harmonious and obsessive passions), Low (low levels of harmonious and obsessive passions), and Optimal (high level of harmonious passion and low level of obsessive passion) in a sample of university students. Overall, highly passionate students (High and Optimal profiles) reported the best indices of academic functioning. In addition, students in the Optimal profile showed the lowest levels of academic burnout (except for the dimension of inefficacy) and students in the High profile reported the highest levels of academic engagement. In contrast, students in the Low profile evidenced the worst levels of academic functioning. This study demonstrated that both types of passion coexist within students and that the benefits of having a harmonious passion can protect against the negative consequences of obsessive passion.

L'estampe est une oeuvre d’art imprimée sur papier à partir d'une matrice sur laquelle l'artiste a inscrit l'image de façon à ce que l'encre d'impression puisse y être déposée puis reportée sur le papier. L'oeuvre se réalise donc en deux étapes distinctes. Dans la première, l'artiste intervient techniquement pour modifier la surface de la matrice selon l'idée personnelle qu'il veut concrétiser. C'est alors que s'accomplit le processus créateur mais l'image n'existe que virtuellement, la matrice n'étant qu'un moule et non l'oeuvre en soi. A la deuxième étape, celle de l'impression, l'estampe est réalisée alors que l'encre déposée sur la matrice est reportée sur papier, révélant l'image créée par l'artiste. Au cours des siècles, les métiers de l'estampe se sont développés avec la contribution des artistes et des artisans qui ont cherché à en élargir les possibilités. C'est ainsi que les quatre grandes techniques de l'estampe se sont succédé, chacune ayant une pratique particulière et une écriture expressive qui lui soit propre. Ce sont, par ordre d'apparition historique, la gravure en relief, l'intaglio ou la gravure en creux, la lithographie et la sérigraphie. L'estampe est donc un métier d'art issu d'une grande tradition, celle de l'impression artisanale, mais aussi une oeuvre née de l'esprit créateur de l'artiste. Ces deux aspects sont indissociables, le métier ne prenant sa vocation artistique qu'avec la sensibilité de l'artiste et le rapport constant de ses gestes è l'image qu'il veut créer; mais à travers le processus technique, l'esprit créateur élabore à mime le dialogue avec la matière une j ^ réflexion qui donne son caractère expressif à l'oeuvre. C'est pourquoi le contenu de ce livre, qui traite du déroulement technique de chacun des métiers de l'estampe, laisse toujours une place importante h la volonté de l'artiste, â son intuition et à ses choix esthétiques afin que l'essence même du processus créateur s'intègre à la pratique technique. Ce livre, consacré à l'estampe en tant qu'expérience artistique, a été conçu pour faire connaître tous les aspects impliqués dans la pratique de ses métiers en dégageant autant la logique du procédé technique, d'une part, que la dimension expressive des interventions de l'artiste, d'autre part. Chaque chapitre décrit donc, geste après geste, l'élaboration technique d'un des quatre grands métiers de l'estampe. Chaque séquence technique se déploie d'abord autour d'une trame théorique afin de donner un fil directeur et une compréhension à la complexité de ces métiers; chaque matériel, chaque intervention est justifié en fonction de son rôle dans l'articulation des principes techniques propres à chacun des métiers. A la rigueur logique du procédé technique se juxtapose l'esprit du processus expressif qui élargit la fonction des interventions techniques, ces dernières devenant simultanément des gestes créateurs de signes ou d'effets répondant aux exigences de l'expression individuelle. C'est essentiellement à cette synthèse que l'artiste doit parvenir, chaque geste se soumettant â la fois à l'approche expressive et S la logique technique, générant une image originale tout en respectant le caractère du métier dont il emprunte la voie de réalisation. / Québec Université Laval, Bibliothèque 2014

Made available in DSpace on 2014-12-17T15:26:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MarconioSS_DISSERT.pdf: 828358 bytes, checksum: d4bc4c24d61f5cdfad5c76519c34784e (MD5) Previous issue date: 2010-06-28 / Coordena??o de Aperfei?oamento de Pessoal de N?vel Superior / In this work we studied the asymptotic unbiasedness, the strong and the uniform strong consistencies of a class of kernel estimators fn as an estimator of the density function f taking values on a k-dimensional sphere / Nesse trabalho estudamos o n?o-v?cio assint?tico, a consist?ncia forte e a consist?ncia uniformemente forte de um estimador do tipo n?cleo, que como a maioria dos estimadores ? constru?do com base em n observa??es i.i.d. X1,..., Xn de X, para a densidade f(x) de um vetor aleat?rio X que assume valores em uma esfera unit?ria k-dimensional

Ce travail de thèse présente une étude numérique et théorique de l’influence des effets coopératifs sur la localisation de la lumière dans des vapeurs atomiques, suivie d’une étude expérimentale de ces effets coopératifs dans le régime de diffusion multiple dans des nuages d’atomes froids dilués. Le premier chapitre décrit le modèle que nous utilisons, basé sur l’Hamiltonien effectif d’interaction matière rayonnement, afin d’étudier numériquement la localisation de la lumière et les effets coopératifs. Nous discutons également des différences fondamentales existant entre la situation réelle où la lumière est assimilée à une onde vectorielle et l’approximation scalaire plus facile à traiter analytiquement. Le deuxième chapitre se concentre sur la présentation des résultats numériques complétée d’une comparaison systématique entre les cas scalaire et vectoriel. Nous remarquons dans cette partie que l’approximation scalaire, valable dans la limite des milieux spatialement dilués, présente des différences drastiques avec le cas vectoriel lorsque nous considérons des milieux spatialement denses. Nous n’observons pas également d’indications suffisantes nous permettant de discriminer le fait que les effets coopératifs ne soient pas à la base des mécanismes de localisation de la lumière. Dans la dernière partie nous nous intéressons expérimentalement aux signatures des effets coopératifs dans le régime de diffusion multiple en confrontant à nos résultats expérimentaux plusieurs approches théoriques tenant compte ou pas des effets d’interférences. / In this thesis we present a numerical and theoretical study of the interplay between cooperative effects and light localization in atomic vapour, completed by an experimental study of these cooperative effects for dilute cold atom clouds in the multiple scattering regime. The first chapter describes the model we use, based on the light matter effective Hamiltonian, in order to investigate numerically light localization and cooperative effects. We also discuss the fundamental differences existing between the real situation where light is considered as a vector wave and its scalar approximation easier to treat analytically. The second chapter focuses on the numerical results where we compare systematically the scalar and the vector cases. We show that the scalar approximation, valid for spatially dilute systems, leads to drastic differences compared to the vector case when we consider spatially dense clouds. We also do not observe sufficient proofs to establish that cooperative effects are not at the origin of light localization mechanisms. In the last chapter we investigate experimentally the signatures of cooperative effects in the multiple scattering regime, comparing our results to several theoretical approaches taking or not into account interference effects related to the wave nature of light.

Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l’étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d’une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d’états dans le gap du a-Si:H est d’une grande importance car il s’agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d’étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d’états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l’étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d’extraire la densité d’états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l’étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l’existence d'une couche d’inversion forte à l’interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu’un des ces échelons est attribué à l’activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l’autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d’inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l’objet d’une discussion. Nous mettons en relief le fait que l’approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l’existence de la couche d’inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d’inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d’inversion forte dans les échantillons étudiés. / In this thesis, research on a-Si:H Schottky diodes and a-Si:H/c-Si heterojunctions is presented with the focus on the capacitance spectroscopy and information on electronic properties that can be derived from this technique. Last years a-Si:H/c-Si heterojunctions (HJ) have received growing attention as an approach which combines wafer and thin film technologies due to their low material consumption and low temperature processing. HJ solar cells benefit from lower fabrication temperatures thus reduced costs, possibilities of large-scale deposition, better temperature coefficient and lower silicon consumption. The most recent record efficiency belongs to Panasonic with 24.7% for a cell of 100 cm² was obtained. The aim of this thesis is to provide a critical study of the capacitance spectroscopy as a technique that can provide information on both subjects: DOS in a-Si:H and band offset values in a-Si:H/c-Si heterojunctions.The first part of the manuscript is devoted to capacitance spectroscopy in a-Si:H Schottky diodes. The interest is concentrated on the simplified treatment of the temperature and frequency dependence of the capacitance that allows one to extract the density of states at the Fermi level in a-Si:H. We focus on the study of the reliability and validity of this approach applied to a-Si:H Schottky barriers with various magnitudes and shapes of the DOS. Several structures representing n-type and undoped hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes are modeled with the help of numerical simulation softwares. We show that the reliability of the studied treatment drastically depends on the approximations used to obtain the explicit analytical expression of the capacitance in such an amorphous semiconductor.In the second part of the chapter, we study the possibility of fitting experimental capacitance data by numerical calculations with the input a-Si:H parameters obtained from other experimental techniques. We conclude that the simplified treatment of the experimentally obtained capacitance data together with numerical modeling can be a valuable tool to assess some important parameters of the material if one considers the results of numerical modeling and performs some adjustments. The second part is dedicated to capacitance spectroscopy of a-Si:H/c-Si heterojunctions with special emphasis on the influence of a strong inversion layer in c-Si at the interface. Firstly, we focus on the study of the frequency dependent low temperature range of capacitance-temperature dependencies of a-Si:H/c-Si heterojunctions. The theoretical analysis of the capacitance steps in calculated capacitance-temperature dependencies is presented by means of numerical modeling. It is shown that two steps can occur in the low temperature range, one being attributed to the activation of the response of the gap states in a-Si:H to the small signal modulation, the other one being related to the response of holes in the strong inversion layer in c-Si at the interface. The experimental behavior of C-T curves is discussed. The quasi-static regime of the capacitance is studied as well. We show that the depletion approximation fails to reproduce the experimental data obtained for (p) a-Si:H/(n) c-Si heterojunctions. Due to the existence of the strong inversion layer, the depletion approximation overestimates the potential drop in the depleted region in crystalline silicon and thus underestimates the capacitance and its increase with temperature. A complete analytical calculation of the heterojunction capacitance taking into account the hole inversion layer is developed. It is shown that within the complete analytical approach the inversion layer brings significant changes to the capacitance for large values of the valence band offset. The experimentally obtained C-T curves show a good agreement with the complete analytical calculation and the presence of the inversion layer in the studied samples is thus confirmed.

Le développement des systèmes de conversion photovoltaïques ces trente dernières années a permis des améliorations considérables en terme de coût et de performances. A ce jour, les meilleurs rendements de conversion photovoltaïques sont obtenus avec des systèmes à oncentration solaire utilisant des cellules multi-jonctions (MJ) à base de matériaux semi-conducteurs III-V. Dans ce domaine, le meilleur rendement atteint à ce jour est de 46,0 % sous une concentration de 508 soleils avec une cellule à 4 jonctions issu du partenariat Soitec/Fraunhofer ISE/CEA. Cette cellule MJ est composée d’une cellule tandem accordée sur GaAs assemblée par collage moléculaire à une autre cellule tandem accordée sur InP. Bien que le rendement atteint soit élevé, les performances de la cellule sont limitées sous fortes concentrations à cause de ce collage moléculaire. Dans le domaine des fortes concentrations, le record est actuellement détenu par la société américaine Solar Junction avec un rendement de 44,0 % mesuré sur une cellule triple jonction monolithique en GaInP/GaAs/GaInNAs de 0,3 cm² pour un taux de concentration de 942 soleils (irradiance directe de 942 kW/m²). Une seconde cellule a atteint un rendement performant à une irradiance directe supérieure à 1 MW/m², il s’agit d’une cellule tandem en GaInP/GaAs de l’IES-UPM qui a atteint 32,6 % sous une concentration de 1026 soleils.Dans le contexte précédent, les travaux présentés dans ce manuscrit visent à l’évaluation d’une nouvelle filière dans le domaine du CPV à base de semi-conducteurs III-V : la filière antimoniure (III-Sb). Les cellules que nous avons étudiées dans le cadre de cette thèse sont à base de GaSb et de l’alliage AlxGa1-xAsySb1-y, fabriquées de façon monolithique par MBE (Molecular Beam Epitaxy) sur substrat GaSb. Ce type de cellules, du fait de la très bonne complémentarité des gaps des matériaux, constitue une alternative crédible et originale aux cellules existantes pour une utilisation sous flux solaire fortement concentré.Le travail à réaliser dans le cadre de cette thèse porte sur :- La caractérisation électrique et optique des alliages quaternaires utilisés.- La conception et le design des cellules.- La réalisation et la mise au point de toutes les étapes technologiques nécessaires à la conception des cellules (photolithographie UV, gravure, métallisation, …).- La caractérisation électrique et optique des cellules fabriquées (I(V), TLM, réponse spectrale, …).- La caractérisation des cellules sous flux solaire (fortement) concentré.Ce travail a été cofinancé par l’Université de Montpellier et le LabEx SOLSTICE. / The development of photovoltaic conversion systems these past thirty years led to considerable improvements in terms of cost and performances. The best conversion efficiencies are currently obtained with solar concentration systems associated with multi-junction solar cells (MJSC) made of III-V materials. In this field, the record efficiency is of 46.0% under a 508-sun solar concentration with a 4-junction cell from Soitec/Fraunhofer ISE/CEA. This MJSC is composed of a tandem cell lattice-matched to GaAs wafer bonded to another tandem cell lattice-matched to InP. Although it reached high conversion efficiency, its performances are limited under solar concentration because of the wafer bonding. In the field of high solar concentrations, the record is held by Solar Junction with a monolithic triple junction GaInP/GaAs/GaInNAs cell of 0.3 cm² that reached an efficiency of 44.0% under 942 suns (direct irradiance of 942 kW/m²). Another high solar concentration efficiency record worth mentioning is held by IES-UPM with a tandem solar cell (GaInP/GaAs) that reached an efficiency of 32.6% under a concentration of 1026 suns.In this context, the work presented in this manuscript aims to evaluate the potential of a new family of III-V materials for high solar concentration applications: antimonide-based materials (III-Sb). The studied cells in this thesis are made out of GaSb and the quaternary AlxGa1-xAsySb1-y, monolithically grown by MBE (Molecular Beam Epitaxy) on a GaSb substrate. These materials, thanks to the large range of available band-gaps, represent an original and well-founded alternative to existing solar cells for high solar concentration applications.The work achieved in this thesis covers:- The electrical and optical characterization of the quaternary materials used.- The conception and designing of the cells.- The production and tuning of every technological steps in order to fabricate our solar cells (UV photolithography, etching, metal deposition,…).- The electrical and optical characterization of our fabricated solar cells (I(V), TLM, spectral response,…).- The characterization under (high) solar concentration of our cells.This work was cofounded by the University of Montpellier and the LabEx SOLSTICE.

Submitted by Mariana Dornelles Vargas (marianadv) on 2015-05-28T15:06:50Z No. of bitstreams: 1 antecipacao_resultados.pdf: 428709 bytes, checksum: ca71891b697321c422b397b5e45104c7 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-05-28T15:06:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 antecipacao_resultados.pdf: 428709 bytes, checksum: ca71891b697321c422b397b5e45104c7 (MD5) Previous issue date: 2013 / Nenhuma / O principal objetivo da dissertação é verificar se o mercado tem capacidade de prever altas variações em indicadores financeiros das empresas listadas na BM&FBOVESPA. Foram escolhidos três indicadores na disponibilidade de dados históricos P/L preço lucro, P/Ebitda preço Ebtida e P/VPA preço/valor patrimonial da ação. A comparação entre dados passados no período de 1994 a 2011 procurou verificar se o lucro da empresa tende a aumentar (diminuir) quando o indicador preço/lucro (P/L) estiver acima (abaixo) do esperado; se a rentabilidade da empresa tende a aumentar (diminuir) quando o indicador mercado de mercado da empresa/valor contábil (VM/VPA) estiver acima (abaixo) do esperado e verificar se o EBITDA da empresa tende a aumentar (diminuir) quando o indicador preço/EBITDA (P/Ebitda) estiver acima (abaixo) do esperado. Quanto aos objetivos específicos foi verificar se os índices financeiros Preço/lucro, preço/ebitda e preço/VPA quando muito altos ou baixos, ou seja, fora da faixa entre média menos um desvio-padrão e média mais um desvio-padrão, tendem se ajustar à média. Para isso foi selecionada uma amostra de empresas em cada ano desde 1994 até 2011 que apresentavam cotações no último dia de negociação do ano que levava o indicador analisado para algum dos extremos (alto ou baixo), foram testados se os múltiplos se ajustam à média e se o mercado tem capacidade de antecipar variações futuras nos indicadores financeiros da empresa. Considerando os indicadores estudados permite aceitar que o mercado tem capacidade de antecipar variações futuras no lucro líquido e os preços atuais refletem corretamente o valor da empresa, situação essa de acordo com a eficiência semi-forte do mercado acionário brasileiro. Já nas relações de índices de empresas no extremo inferior, a capacidade de acerto do mercado não apresentou-se tão eficiente, todavia não há uma situação de erro sistemático que poderia se caracterizar como uma anomalia, desta forma, também neste caso aceita-se a hipótese de eficiência semi-forte do mercado acionário brasileiro. / The dissertation main goal is to verify if the market has capacity of foreseeing high variations in financial indicators of the companies listed in BM&BOVESPA. They were chosen three indicators in the availability of given historical P/L price profit, P/Ebitda, price/ebitda and P/VPA price/valor patrimonial of the action. The comparison between given pasts in the period from 1994 to 2011 between given pasts tried to verify if the company profit tends to increase (decrease) when the indicator price/lucre (P/L) is above (below) of the waited, if the company profitability tends to increase (decrease) when the indicator market, company /value accounting (VM/VPA) is above (below) of the waited and to verify if Ebitda of the company tends to increase (decrease) when the indicator price/ebitda (P/Ebitda) is above (below) of the waited. Regarding the objective specific was to verify and indices financiers Price /lucre, Price/ebitda, and price/VPA at most high or low, in other words, outside the between average less and a deviation standard and average one more deviation standard, they tend to be adjust the average. For that was selected a company’s sample in each year of 1994 up to 2011 that presented quotations in ultimo year negotiation day that leave the indicator analyzed for one of the ends (high or low) were tried if multiple the average are adjusted and the market has capacity of anticipating future variations in the profit liquidate and the current price reflect correctly the company value, situation this according to the efficiency semi-strong of the Brazilian stock market. Already in the companies index relations in the inferior end, the market not hit capacity it presented efficient, however there is not a mistake systematic situation that could if characterize as an anomaly, thus, also in this case it accepts for hypothesis of efficiency semi-strong of the Brazilian stock market.

Made available in DSpace on 2015-04-15T12:50:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 458000.pdf: 1124041 bytes, checksum: 4c1383c393e779b0b1cb4d145770f5ef (MD5) Previous issue date: 2014-03-19 / The paper focus the thematic: The Silence of God face human suffering, according to Bruno Forte theology. Object of study is the silence of God and human suffering. The objectives are: to present the theology of Bruno Forte, answer why the silence of God in the face of human suffering and demonstrate the participation and presence of God in human history center. The method is literature. The results are found in Bruno Forte writes about Theology and Company, Memory and Prophecy, and the writing on the Trinity manifested as Silence and Word Meeting. These results are obtained from a theology of the cross that is sure that God is in distress. The certainty of the victory of life over death. It confirms that God is not absent in silence, but it's company. From this certainly opens up the prospect of seeing the face of the suffering God's presence. / A disserta??o aborda o tema do Sil?ncio de Deus diante do sofrimento humano, na teologia de Bruno Forte. Tem por objeto de estudo o sil?ncio de Deus e o sofrimento humano. Os objetivos s?o: apresentar a teologia de Bruno Forte, responder o porqu? do sil?ncio de Deus diante do sofrimento humano e demonstrar a participa??o e presen?a de Deus no centro da hist?ria humana. O m?todo ? de pesquisa bibliogr?fica. Os resultados s?o encontrados no que Bruno Forte escreve sobre a Teologia como Companhia, Mem?ria e Profecia, e no que escreve sobre a Trindade que se manifesta como Sil?ncio, Palavra e Encontro. Estes resultados s?o obtidos a partir de uma teologia da cruz que ? a certeza que Deus est? no sofrimento. A certeza da vit?ria da vida sobre a morte. Nela confirma-se que Deus n?o ? ausente no sil?ncio, mas ? companhia. A partir dessa certeza abre-se a perspectiva de ver no rosto dos que sofrem a presen?a de Deus.

Este trabalho visa a estudar o modelo de percolação independente, de Bernoulli, em grafos, tendo como objetivo principal obter condições que garantam a ocorrência de transição de fase. Iniciamos apresentando as definições e algumas técnicas fundamentais para o modelo de percolação (de elos ou de sítios) em um grafo infinito, conectado e localmente finito. Demonstramos então dois resultados essenciais: os fatos do parâmetro crítico não depender da escolha do vértice e da existência de um aglomerado infinito ter probabilidade 0 ou 1. Também obtemos um limitante inferior para o parâmetro crítico quando o grafo é de grau limitado. Para finalizar esta parte introdutória, analisamos a percolação em grafos particulares, a saber, a rede hipercúbica Z^d (para a qual mostramos a existência de transição de fase em dimensão d >= 2 e a unicidade do aglomerado infinito na fase supercrítica) e alguns tipos de árvores (para as quais apresentamos os parâmetros críticos). Na parte mais importante da dissertação, tendo como base os trabalhos de Benjamini e Schramm, de Häggström, Schonmann e Steif e de Lyons e Peres, introduzimos os conceitos de transitividade, amenabilidade e amenabilidade forte para um grafo. Fazemos uma detalhada discussão destas definições: provamos que a constante de Cheeger ancorada não depende do vértice em que é ancorada, estudamos relações entre os conceitos (amenabilidade e amenabilidade forte são noções distintas, bem como condições necessárias e suficientes para ambas) e calculamos a constante de Cheeger e a constante de Cheeger ancorada para alguns grafos. Finalmente, utilizando a técnica de crescimento do aglomerado, apresentamos para a probabilidade crítica um limitante superior que depende da constante ancorada. Isto nos permite concluir que ocorre transição de fase para qualquer grafo infinito, conectado, fracamente não-amenável (de constante de Cheeger ancorada positiva) e de grau limitado. / This work intends to study independent Bernoulli percolation model on graphs; the main purpose is obtaining conditions for phase transition. We begin presenting the definitions and some basic techniques for bond percolation and site percolation models on infinite, connected, locally finite graphs. We prove two essential results: the critical parameter is independent of the choice of the vertex and the probability that there exists an infinite cluster takes the values 0 and 1 only. We also obtain a lower bound for critical parameter when the graph is of bounded degree. To finish this preliminary part, we analyze percolation on particular graphs, namely the d-dimensional cubic lattice Z^d (for which we prove that there exists phase transition in dimension d >= 2 and the uniqueness of the infinite cluster in supercritical phase) and some trees (for which we present the critical parameters). In the most important part of this essay, founded in the works of Benjamini and Schramm, Häggström, Schonmann and Steif and Lyons and Peres, we introduce the concepts of transitivity, amenability and strong amenability. We discuss in detail these definitions: we prove that anchored Cheeger constant does not depend on the choice of the vertex, we study some relations (amenability and strong amenability are distinct notions, and necessary and sufficient conditions for both) and we obtain Cheeger constant and anchored Cheeger constant for some graphs. Finally, using the growing cluster technique, we present for the critical probability an upper bound that depends on the anchored constant. This permits us to conclude that there exists phase transition on infinite, connected, weakly non-amenable graphs of bounded degree.

Le $\lambda \mu^{\wedge \vee}$-calcul est une extension du $\lambda$-calcul associée à la déduction naturelle classique où sont considérés tous les connecteurs.<br>Les principaux résultats de cette thèse sont :<br>- La standardisation, la confluence et une extension de la machin de J.-L. Krivine en $\lambda \mu^{\wedge \vee}$-calcul.<br>- Une preuve sémantique de la forte normalisation du théorème d'élimination des coupures.<br>- Une sémantique de réalisabilité pour le $\lambda \mu^{\wedge \vee}$-calcul qui permet de caractériser le comportement calculatoire de certains termes typés et clos.<br>- Un théorème de complétude pour le $\lambda \mu$-calcul simplement typé.<br>- Une introduction à un $\lambda \mu^{\wedge \vee}$-calcul par valeur confluent.