La dernière génération de cartes à puce permet le téléchargement d'applications après leur mise en circulation. Outre les problèmes que cela implique, cette capacité d'extension applicative reste encore aujourd'hui bridée par un espace de stockage adressable restreint. La thèse défendue dans ce mémoire est qu'il est possible d'exécuter efficacement des applications stockées dans la mémoire non-adressable des cartes à puce, disponible en plus grande quantité, et ce, malgré ses temps de latences très longs, donc peu favorables a priori à l'exécution de code. Notre travail consiste d'abord à étudier les forces et faiblesse de la principale réponse proposée par l'état de l'art qu'est un cache. Cependant, dans notre contexte, il ne peut être implémenté qu'en logiciel, avec alors une latence supplémentaire. De plus, ce cache doit respecter les contraintes mémoires des cartes à puce et doit donc avoir une empreinte mémoire faible. Nous montrons comment et pourquoi ces deux contraintes réduisent fortement les performances d'un cache, qui devient alors une réponse insuffisante pour la résolution de notre challenge. Nous appliquons notre démonstration aux caches de code natif, puis de code et méta-données Java et JavaCard2. Forts de ces constats, nous proposons puis validons une solution reposant sur une pré-interprétation de code, dont le but est à la fois de détecter précocement les données manquantes en cache pour les charger à l'avance et en parallèle, mais aussi grouper des accès au cache et réduire ainsi l'impact de son temps de latence logiciel, démontré comme son principal coût. Le tout produit alors une solution efficace, passant l'échelle des cartes à puce.

Les nouvelles approches de technologies mémoires permettront une intégration dite back-end, où les cellules élémentaires de stockage seront fabriquées lors des dernières étapes de réalisation à grande échelle du circuit. Ces approches innovantes sont souvent basées sur l'utilisation de matériaux actifs présentant deux états de résistance distincts. Le passage d'un état à l'autre est contrôlé en courant ou en tension donnant lieu à une caractéristique I-V hystérétique. Nos mémoires résistives sont composées d'argent en métal électrochimiquement actif et de sulfure amorphe agissant comme électrolyte. Leur fonctionnement repose sur la formation réversible et la dissolution d'un filament conducteur. Le potentiel d'application de ces nouveaux dispositifs n'est pas limité aux mémoires ultra-haute densité mais aussi aux circuits embarqués. En empilant ces mémoires dans la troisième dimension au niveau des interconnections des circuits logiques CMOS, de nouvelles architectures hybrides et innovantes deviennent possibles. Il serait alors envisageable d'exploiter un fonctionnement à basse énergie, à haute vitesse d'écriture/lecture et de haute performance telles que l'endurance et la rétention. Dans cette thèse, en se concentrant sur les aspects de la technologie de mémoire en vue de développer de nouvelles architectures, l'introduction d'une fonctionnalité non-volatile au niveau logique est démontrée par trois circuits hybrides: commutateurs de routage non volatiles dans un Field Programmable Gate Arrays, un 6T-SRAM non volatile, et les neurones stochastiques pour un réseau neuronal. Pour améliorer les solutions existantes, les limitations de la performances des dispositifs mémoires sont identifiés et résolus avec des nouveaux empilements ou en fournissant des défauts de circuits tolérants.

Les nouvelles approches de technologies mémoires permettront une intégration dite back-end, où les cellules élémentaires de stockage seront fabriquées lors des dernières étapes de réalisation à grande échelle du circuit. Ces approches innovantes sont souvent basées sur l'utilisation de matériaux actifs présentant deux états de résistance distincts. Le passage d'un état à l'autre est contrôlé en courant ou en tension donnant lieu à une caractéristique I-V hystérétique. Nos mémoires résistives sont composées d'argent en métal électrochimiquement actif et de sulfure amorphe agissant comme électrolyte. Leur fonctionnement repose sur la formation réversible et la dissolution d'un filament conducteur. Le potentiel d'application de ces nouveaux dispositifs n'est pas limité aux mémoires ultra-haute densité mais aussi aux circuits embarqués. En empilant ces mémoires dans la troisième dimension au niveau des interconnections des circuits logiques CMOS, de nouvelles architectures hybrides et innovantes deviennent possibles. Il serait alors envisageable d'exploiter un fonctionnement à basse énergie, à haute vitesse d'écriture/lecture et de haute performance telles que l'endurance et la rétention. Dans cette thèse, en se concentrant sur les aspects de la technologie de mémoire en vue de développer de nouvelles architectures, l'introduction d'une fonctionnalité non-volatile au niveau logique est démontrée par trois circuits hybrides: commutateurs de routage non volatiles dans un Field Programmable Gate Arrays, un 6T-SRAM non volatile, et les neurones stochastiques pour un réseau neuronal. Pour améliorer les solutions existantes, les limitations de la performances des dispositifs mémoires sont identifiés et résolus avec des nouveaux empilements ou en fournissant des défauts de circuits tolérants. / Novel approaches in the field of memory technology should enable backend integration, where individual storage nodes will be fabricated during the last fabrication steps of the VLSI circuit. In this case, memory operation is often based upon the use of active materials with resistive switching properties. A topology of resistive memory consists of silver as electrochemically active metal and amorphous sulfide acting as electrolyte and relies on the reversible formation and dissolution of a conductive filament. The application potential of these new memories is not limited to stand-alone (ultra-high density), but is also suitable for embedded applications. By stacking these memories in the third dimension at the interconnection level of CMOS logic, new ultra-scalable hybrid architectures becomes possible which exploit low energy operation, fast write/read access and high performance with respect to endurance and retention. In this thesis, focusing on memory technology aspects in view of developing new architectures, the introduction of non-volatile functionality at the logic level is demonstrated through three hybrid (CMOS logic ReRAM devices) circuits: nonvolatile routing switches in a Field Programmable Gate Array, nonvolatile 6T-SRAMs, and stochastic neurons of an hardware neural network. To be competitive or even improve existing solutions, limitations on the memory devices performances are identified and solved by stack engineering of CBRAM devices or providing faults tolerant circuits.

Ce mémoire explore les différents témoignages que nous ont laissés les soldats et officiers polonais ayant combattu du côté de la France durant l’existence du Duché de Varsovie, entre 1807 et 1815. L’objectif premier de l’analyse est de déterminer quelles étaient les représentations qu’ont faites les Polonais de la France et des Français et quelles attitudes ils ont adoptées envers leurs alliés. La première partie du mémoire fait un survol des sources en présentant plus en détail les auteurs étudiés ainsi que les différentes formations militaires dont ils ont fait partie. La section suivante porte quant à elle sur les représentations de la France et des Français dans les écrits polonais en mettant en perspective de nombreux extraits issus des mémoires et de la correspondance des officiers. En dernier lieu, le mémoire explore les représentations que se sont faites les auteurs de leur propre nation, les attitudes qu’ils ont adoptées envers leurs alliés français au courant des guerres napoléoniennes ainsi que l’influence du parcours suivi par les auteurs suite à la chute de l’Empire en 1815. En empruntant des concepts d’analyse aux post-colonial studies ainsi qu’à plusieurs ouvrages récents portant sur la psychologie des combattants, le mémoire en vient à illustrer l’existence, chez les militaires polonais, d’un double discours mêlant admiration et désir de résistance face à l’influence française en Pologne. Ceci contredit l’idée reçue que les militaires polonais sont entièrement dévoués à la cause de la France et de Napoléon et appui l’idée d’une interaction mutuelle plus complexe qui entraîne l’écriture d’une histoire où les Polonais ne sont pas que des témoins passifs des guerres d’Empire.

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

L’Histoire de ma vie constitue une plate-forme privilégiée pour examiner la figure de l’aventurier du XVIIIe siècle : non seulement Casanova est la meilleure approximation de cet idéal-type, mais il décrit longuement ses rapports avec ses pairs et le milieu qu’ils forment. L’art de la représentation, au cœur du mode d’existence de l’aventurier, se trouve comme porté au second degré par l’entreprise mémorialiste.Pour mesurer l’originalité de l’aventurier du XVIIIe siècle vis-à-vis de figures comparables antérieures, un détour généalogique s’impose. Le mot et l’idée d’aventure apparaissent dans la littérature médiévale tardive, avec trois axes sémantiques principaux (l’aventure marchande, l’aventure chevaleresque, un peu plus tard l’aventure amoureuse). Bientôt, l’aventurier paraît : défini par son affinité pour le risque ou son opportunisme, il prend, selon les époques, divers visages, du chevalier errant au chevalier d’industrie. Chaque fois qu’émerge un espace vide de pouvoir, une nouvelle figure d’aventurier surgit dans les représentations pour le remplir. Les aventuriers du XVIIIe siècle sont de ce point de vue engendrés par les fissures des sociétés d’ordre ; ils tirent parti des innovations de leur siècle (déplacements facilités ; finance, qui emploie les mêmes mathématiques probabilistes que le jeu). Les aventuriers incarnent un type de rapport au risque ambigu, entre quantification et tentation de mettre son destin à l’épreuve, en une ordalie moderne qui fonderait leur autorité spécifique. L’autonomie qu’ils incarnent et mettent en scène trouve un paroxysme chez Casanova avec la formulation d’une pensée de l’existence au caractère asystémique revendiqué. / Histoire de ma vie provides a unique insight into an emerging literary type of eighteenth-century French speaking literature, the aventurier. Not only is Casanova the best approximation for this ideal-type, but he describes at length in his memoirs his interactions with his peers and their specific milieu. The art of self representation that lays at the core of the adventurer’s daily routine is transposed into a new dimension by the autobiographical endeavor.To fully capture the originality of the eighteenth-century adventurer, as compared to preexisting comparable literary types, it may be necessary to take a genealogical step back. The idea and the word aventure appear in French in late medieval romance ; it then develops along three semantic axes (the merchant, knightly, and, somewhat later, erotic adventure). Soon the aventurier appears : defined by his acquaintance with risk or his opportunism, he assumes various forms throughout the eras, from the knight errant to the rake. From this date every time a space, geographic or social, appears void of power, a new adventurous character emerges to fill it in narratives. The eighteenth-century adventurers are the byproduct of the tears in the hierarchical European societies ; they take advantage of various innovations (easier travel, finance – which uses the probabilistic mathematical breakthroughs they also use in gambling). These adventurers manifest a new, ambiguous view of risk, between a fresh desire of quantifying it and the age-old temptation of putting one’s destiny to the test. They embody a new autonomy, that finds a spectacular expression in Casanova’s explicitly asystemic philosophy of existence.

Cette étude est concentrée sur deux zones de la wilaya-I Aurès –Nememcha, la zone-II qui correspond au massif occidental de l’Aurès, principal foyer de l’insurrection du 1er Novembre 1954, devenu en 1956-1959 l’un des foyers de la dissidence contestant le Congrès de la Soummam, ainsi que la zone-I, région de Batna, ‘’capitale de l’Aurès’’. Le contexte volontairement réduit, rendait la recherche pertinente par la diversité des textes du corpus faisant l’objet d’une lecture globale et critique : ils sont écrits par un communiste, un réformiste religieux, un étudiant gréviste, trois chefs successifs de la wilaya-I, un ancien dissident, un chef de Zaouïa, des anciens militants du PPA-MTLD ayant été proches des messalistes durant la crise du parti, et divers autres documents. Une longue familiarité avec cette région et de l’historiographie locale a permis à l’auteur de cette étude, de ne pas s’arrêter aux explications de type anthropologique, et de traiter de questions de sociologie de l’histoire, en les inscrivant dans le champ de l’histoire : il en va ainsi de la dissidence, un sujet qui ne peut être épuisé par le seul fait du tribalisme. Il demeure que la profusion de mémoires d’acteurs de la guerre d’indépendance apparus à la fin des années 1980, sont tardifs et se conforment à une mémoire officielle, commandée par des dogmes, constituant des mythes incapacitants qui découragent toute perspective historique quand il s’agit du domaine de l’Aurès.La confrontation de cette littérature mémorielle permet toutefois de construire des objets de l’histoire, une fois ces mythes incapacitants circonscrits et reconnus comme tels. / This study focused on two areas of the province-I -Nememcha Aures, the zone-II which corresponds to the western massif of the Aures, main focus of the insurrection of November 1, 1954, in 1956-1959 became one of outbreaks of dissent challenging the Congress of Soummam and the -I area corresponding to the region of Batna, '' capital of the Aures. '' The context of the research and voluntarily reduced, became relevant by the diversity of texts adopted in the corpus subject to a comprehensive and critical reading: they are written by a Communist, a religious reformer, a student strike, three successive heads wilaya-I-Nememcha Aures, a former dissident, a leader of zawiya, former activists of PPA-MTLD having been close Messalists during the crisis of the party, and various other documents. Long familiarity with this region of the Aures and local historiography has enabled the author of that study, not to stop the anthropological explanations, and treat issues of sociology of history, in the registering in the field of history: it is the case of dissent, a subject that can not be exhausted by the mere fact of tribalism. It remains that the profusion of memories of actors in the war of independence emerged in the late 1980s, are late and comply official memory, controlled by dogmas, constituting incapacitating myths that discourage any historical perspective when he'is the domain of the Aures. The confrontation of this voluminous literature memorial but allows to build objects of history, once these debilitating myths identified and recognized as such.

De nos jours, les mémoires occupent une grande superficie en silicium dans les System-on-Chip. Très largement utilisés, les mémoires Flash non volatiles présentent encore plusieurs inconvénients. Les MRAMs permettent de répondre à toutes les problématiques liées aux Flash. Cependant, elles sont sujettes à des défauts comme tout autre type de mémoire. Très peu de travaux portent sur le test de MRAM et la recherche effectuée dans ce domaine vise principalement la première génération de mémoires magnétiques. Dans ce travail, la physique derrière la modélisation MTJ est abordée. Cette compréhension est le point de départ pour développer un modèle fiable. Le MTJ est l'élément de base pour les technologies MRAM. L'injection de défauts résistif ouvert, résistif courts-circuits et capacitives ont été réalisées dans le but d'analyser les mécanismes de défaillance spécifiques de la TAS-MRAM. Un test du type march spécifique est proposé à l'aide des résultats d'analyses d'injection de défauts et de l'association de chaque mécanisme de défaillance à un modèle de défaut fonctionnel spécifique. L'évolution du TAS-MRAM est la MRAM à base MLU qui est également développée par Crocus Technology. Finalement, un modèle MLU-MTJ sera élaboré et discuté. / Memories occupy most of the silicon area in nowadays System-on-Chips. Though widely used, non-volatile Flash memories still have several drawbacks. MRAMs have the potential to mitigate almost all Flash related issues. However, they are prone to defects as any other kind of memory. Only few studies on MRAM testing can be found in the literature, and target mainly the first generation of Magnetic Memories.In this work the physics behind MTJ modeling is discussed in this work as this understanding is the starting point in order to develop a reliable model. MTJ is the basic building block of MRAMs. Moreover, Resistive-open, resistive-bridge and capacitive of defect injection are performedin order to analyze specific failure mechanisms of TAS-MRAMs. As result of defect injection analyses and the association of each failure mechanism to a specific functional fault model, a specific march test is proposed. The evolution of TAS-MRAMs is the MLU based MRAM also developed by Crocus Technology. Finally, a MLU-MTJ model will be developed and discussed.

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This Master's thesis belongs to the field of sixteenth century studies. The text I have chosen to study is the Memoires of Marguerite de Valois, begun in 1594 and published in 1628, thirteen years following the death of this queen. My analysis encompasses both the conventions of genre and rhetoric evidenced in the text. The first chapter explores the peculiarities inherent in the memoirs genre, especially where these explicitly distinguish it from the autobiography. The second chapter examines the rhetorical aspects of Marguerite de Valois' Memoires. In doing so, I have highlighted and analyzed the rhetorical strategies employed in the text, whose ultimate intent was to convince the initial reader, Brantome, and subsequently posterity, of the political astuteness of an author who was also worthy of her correspondent's trust as a loyal ally.