Darbo tikslas - ištirti egzistuojančius pralaidumo matavimo metodus, palyginti jau sukurtas programines jų realizacijas, ir pasinaudojus rezultatais, pateikti rekomendacijas jų praktiniam panaudojimui atskirose tinklų grupėse. Šis darbas apima pralaidumo metrikas, naudojamas kompiuterinio tinklo kokybei apibudinti bei kitas pralaidumo charakteristikas. Nagrinėjami teoriniai egzistuojančių matavimo algoritmų veikimo aspektai bei praktiškai tikrinamas programinės įrangos, paremtos šiais algoritmais, veikimas. Pateiktos rekomendacijos turėtų padėti kompiuterinių tinklų administratoriams bei vartotojams pasirinkti efektyviausius įrankius pralaidumo matavimui įvairių tipų tinkluose. / The purpose of this work is to make an individual research about existing methods used for network bandwidth measurement, and make practical recommendations regarding usability of these methods for users, accessing networks by different types of connections. This paper covers: important bandwidth metrics used to describe quality of network connections; different characteristics of bandwidth; theoretical approach to inner workings of existing bandwidth measurement algorithms, and practical testing of software implementing these methods. Recommendations, based on this work, should help network administrators and users to select most effective tools for measuring bandwidth in different types of networks.

Vienas iš efektyviausių medžiagos savybių tyrimo būdų yra praėjusios pro medžiagą ir atsispindėjusios nuo jos šviesos parametrų analizė. Darbe išnagrinėtas šviesos sklidimas anizotropine medžiaga,analizuojami būdai, suskaičiuojantys atsispindėjusios, praėjusios pro anizotropinę plėvelę atspindžio ir pralaidumo matricų elementai. / On purpose about structure of the light, you must to make measurement of light reflections and transmission parameters.In this work we finding following parameters with the help of the program “Mathematica 6”. I with “Mathematica 6 “can find the light reflection from anisotropic media and transmission through anisotropic media slab coefficient by the anisotropic media to matrixs.

Mielių (Saccharomyces cerevisiae) taikymas biologiniuose jutikliuose ar biokatalizėje ribojamas jų ląstelės sienelės struktūros, kuri apsunkina reikiamų medžiagų transportą. Todėl darbo tikslas – ištirti mielių ląstelių mechaninių savybių ir plazminės membranos bei sienelės pralaidumo pakitimus, veikiant mielių ląsteles cheminėmis medžiagomis bei mikro- ir nanosekundžių trukmės didelės galios impulsais naudojant atominių jėgų mikroskopą bei tetrafenilfosfonio katijonų elektrocheminę analizę. Nustatyta, kad ditiotreitolis (DTT) keisdamas mielių sienelių pralaidumą, pakeičia mielių ląstelių mechanines savybes. Esant didelėms deformacijoms mielių ląstelių tamprumo modulis (Young‘o) padidėjo nuo 1,00 ± 0,04 MPa nepaveiktoms iki 2,14 ± 0,1 MPa DTT paveiktoms mielėms. Tiriant impulsinio elektrinio lauko (IEL) poveikį mielių sienelės pralaidumui, impulso trukmių nuo mikrosekundžių iki nanosekundžių diapazone stebima tiesinė TPP+ absorbcijos greičio priklausomybė nuo impulso energijos. Nustatyta, kad veikiat mieles 60 ns trukmės impulsais ląstelių pralaidumas TPP+ molekulėms, nepažeidžiant mielų gyvybingumo, padidėjo iki 65 kartų lyginant su nepaveiktomis elektriniu lauku mielių ląstelėmis, t.y. 3,5 karto daugiau negu mieles paveikus 150 μs impulsais. Tyrimų rezultatai rodo, kad IEL galima didinti visos ląstelės biologinių jutiklių spartą ir atrankumą. / The application of yeast (Saccharomyces cerevisiae) in the biosensors or in the biocatalysis is limited due to the structure of their cell walls, which complicates the transport of necessary materials. The aim of this work was to investigate the mechanical properties of the yeast cells and the changes of permeability of cell plasma membrane and cell wall, after the impact of chemical compounds on the cell wall permeability and after their exposure of pulsed electric field (PEF) in the range from microsecond till nanosecond pulse duration. For analysis the atomic force microscopy and the electrochemical detection of tetraphenylphosphonium ions were used. Dithiothreitol (DTT) modifies the yeast cell wall permeability changing the mechanical properties of the cells and for high indentations Young modulus increasing from 1.00 ± 0.04 MPa for intact cells to 2.14 ± 0.1 MPa for DTT treated ones. The linear relation between TPP+ absorption rate and pulse energy was determined after investigations of PEF effect to the yeast cell permeability in the range of pulse duration from microseconds to nanoseconds. The obtained 65 time increase of yeast cell wall permeability to TPP+ molecules after the exposure of 60 ns PEF, which does not affect the cell viability, comparing with the intact yeast cells. Such permeability increment was 3.5 times higher in comparison to the yeast cells exposure to 150 µs duration PEF. The finding can be useful for the enhancement of selectivity and response of... [to full text]

The application of yeast (Saccharomyces cerevisiae) in the biosensors or in the biocatalysis is limited due to the structure of their cell walls, which complicates the transport of necessary materials. The aim of this work was to investigate the mechanical properties of the yeast cells and the changes of permeability of cell plasma membrane and cell wall, after the impact of chemical compounds on the cell wall permeability and after their exposure of pulsed electric field (PEF) in the range from microsecond till nanosecond pulse duration. For analysis the atomic force microscopy and the electrochemical detection of tetraphenylphosphonium ions were used. Dithiothreitol (DTT) modifies the yeast cell wall permeability changing the mechanical properties of the cells and for high indentations Young modulus increasing from 1.00 ± 0.04 MPa for intact cells to 2.14 ± 0.1 MPa for DTT treated ones. The linear relation between TPP+ absorption rate and pulse energy was determined after investigations of PEF effect to the yeast cell permeability in the range of pulse duration from microseconds to nanoseconds. The obtained 65 time increase of yeast cell wall permeability to TPP+ molecules after the exposure of 60 ns PEF, which does not affect the cell viability, comparing with the intact yeast cells. Such permeability increment was 3.5 times higher in comparison to the yeast cells exposure to 150 µs duration PEF. The finding can be useful for the enhancement of selectivity and response of... [to full text] / Mielių (Saccharomyces cerevisiae) taikymas biologiniuose jutikliuose ar biokatalizėje ribojamas jų ląstelės sienelės struktūros, kuri apsunkina reikiamų medžiagų transportą. Todėl darbo tikslas – ištirti mielių ląstelių mechaninių savybių ir plazminės membranos bei sienelės pralaidumo pakitimus, veikiant mielių ląsteles cheminėmis medžiagomis bei mikro- ir nanosekundžių trukmės didelės galios impulsais naudojant atominių jėgų mikroskopą bei tetrafenilfosfonio katijonų elektrocheminę analizę. Nustatyta, kad ditiotreitolis (DTT) keisdamas mielių sienelių pralaidumą, pakeičia mielių ląstelių mechanines savybes. Esant didelėms deformacijoms mielių ląstelių tamprumo modulis (Young‘o) padidėjo nuo 1,00 ± 0,04 MPa nepaveiktoms iki 2,14 ± 0,1 MPa DTT paveiktoms mielėms. Tiriant impulsinio elektrinio lauko (IEL) poveikį mielių sienelės pralaidumui, impulso trukmių nuo mikrosekundžių iki nanosekundžių diapazone stebima tiesinė TPP+ absorbcijos greičio priklausomybė nuo impulso energijos. Nustatyta, kad veikiat mieles 60 ns trukmės impulsais ląstelių pralaidumas TPP+ molekulėms, nepažeidžiant mielų gyvybingumo, padidėjo iki 65 kartų lyginant su nepaveiktomis elektriniu lauku mielių ląstelėmis, t.y. 3,5 karto daugiau negu mieles paveikus 150 μs impulsais. Tyrimų rezultatai rodo, kad IEL galima didinti visos ląstelės biologinių jutiklių spartą ir atrankumą.

In the present task it is analysed the influence of centralist microprocessor traffic control system for Kaišiadorys – Radviliškis track capasity and traffic safety. It is given a lot of attention to description of the system, infrastructure reconstruction and calculations of the track Kaišiadorys – Radviliškis capasity. In the task it is given the evaluation of Kaišiadorys – Radviliškis track capasity and traffic safety. It is explored the track eploitation problems and perspectives. JSC Lietuvos geležinkeliai could use the calculation results of track capasity and intervals making trains traffic timetables, the calculations and suggestions also could be used making the exploitation plans for I and IX corridors development.

The thesis is dedicated to investigation of carrier dynamics in InN, InGaN, and GaAsBi heterostructures by using light-induced transient gratings and differential transmission techniques. The experimental studies in a wide range of excess carrier densities and temperatures revealed that trap-assisted Auger recombination is the dominant recombination mechanism in MBE-grown InN layers at room temperature. Investigation of carrier dynamics in In-rich InGaN alloys revealed that density of fast nonradiative recombination centers increases with Ga content. The correlation between excess carrier lifetime and diffusion coefficient in MOCVD-grown single InGaN layer with 13% In is governed by diffusive flow to the extended defects. Investigations of carrier lifetime and diffusivity dependence on excitation fluence indicated that both nonradiative and radiative recombination contribute to an increase of excess carrier recombination rate at high photo-excitation levels in MOCVD-grown InGaN multiple quantum wells. Transient grating measurements in MBE-grown GaAsBi layers with different Bi content revealed that Bi induced potential fluctuations determine the tenfold decrease in nonequilibrium hole mobility, if compare to GaAs. / Disertacija skirta nepusiausvirųjų krūvininkų dinamikos tyrimams InN, InGaN ir GaAsBi heterosandarose naudojant šviesa indukuotų dinaminių gardelių ir skirtuminio pralaidumo metodikas. Atlikti tyrimai plačiame nepusiausvirųjų krūvininkų tankių ir bandinio temperatūrų intervale parodė, kad krūvininkų rekombinacijos sparta MBE būdu užaugintuose InN sluoksniuose dominuojantis rekombinacijos mechanizmas kambario temperatūroje yra gaudyklių įtakota Ožė rekombinacija. Nustatyta koreliacija tarp krūvininkų gyvavimo trukmės ir difuzijos koeficiento MOCVD būdu užaugintame InGaN sluoksnyje su 13% In parodė, kad krūvininkų gyvavimo trukmę lemia difuzinė jų perneša link rekobinacijos centrų. Parodoma, kad MBE metodu užaugintuose InGaN sluoksniuose su dideliu In kiekiu (x>0,7) didėjant Ga kiekiui didėja nespindulinės rekombinacijos centrų tankis, o krūvininkų rekombinacijos sparta yra termiškai aktyvuojama. MOCVD metodu užaugintose InGaN kvantinėse sandarose dinaminių gardelių tyrimais parodoma, kad spartėjančią krūvininkų rekombinaciją didėjant sužadinimo intensyvumui lemia ne tik spindulinė rekombinacija, tačiau reikia atsižvelgti ir į nespindulinės rekombinacijos spartėjimą. Nustatyta, kad į GaAs įterpiant Bi atomus daugiau nei dešimt kartų sumažėja skylių judris dėl Bi atomų kuriamų valentinės juostos fliuktuacijų.

Disertacija skirta nepusiausvirųjų krūvininkų dinamikos tyrimams SiC, GaN bei deimantuose naudojant šviesa indukuotų dinaminių gardelių, diferencinio pralaidumo, diferencinio atspindžio bei fotoliuminescencijos metodikas. Taipogi pristatomos naujos sugerties koeficiento matavimo bei gyvavimo trukmės mikroskopijos metodikos. Tyrimai atlikti plačiame nepusiausvirųjų krūvininkų tankių ir temperatūrų intervale esant vienfotoniam bei dvifotoniam sužadinimui. Nustatytas stiprus krūvininkų difuzijos koeficiento priklausomumas nuo krūvininkų tankio ir temperatūros. Jis paaiškintas fononine sklaida, krūvininkų tarpusavio sąveikos procesais bei išsigimimu. Buvo nustatyta, kad netiesiatarpiuose SiC ir deimanto puslaidininkiuose prie mažų sužadinimų rekombinacija yra ribota taškiniais bei paviršiniais defektais, o GaN dominuoja rekombinacija ant tarpkristalitinių ribų. Taipogi pasireiškė netiesinis Ože rekombinacijos procesas, kuris prie žemų sužadinimų buvo sustiprintas kulonine sąveika bei susilpnintas prie didelių dėl elektron-fononinės sąveikos ekranavimo bei išsigimimo. Fotoliuminescencijos efektyvumas parodė, kad spindulinės rekombinacijos koeficientas GaN mažėja nuo sužadinimo, tuo tarpu SiC jis nuo žadinimo nepriklauso. Kompensuojančių defektų (aliuminio SiC ir boro deimante) koncentracijos ir aktyvacijos energijos nustatytos stebint jų sąlygotos sugerties įsisotinimą bei jų signalo relaksacijos spartos priklausomybę nuo temperatūros. / The thesis is dedicated to investigation of carrier dynamics in SiC, GaN and diamond by using light-induced transient gratings, differential transmittivity, differential reflectivity and photoluminescence techniques. Also new absorption coefficient measurement and carrier lifetime microscopy techniques are presented. The experimental studies were performed in a wide range of excess carrier densities and temperatures under single- and two- photon excitation conditions. Strong diffusion coefficient temperature and injection dependences were determined. They were explained by phonon scattering, inter-carrier interaction processes and degeneracy. It was determined, that in indirect-gap SiC and diamond semiconductors at low injections lifetime is limited by point and surface defects, while in GaN recombination on grain boundaries prevails. Also nonlinear Auger recombination coefficient was observed. It was Coulombically enhanced at low injections and screened at high ones. Photoluminescence efficiency revealed radiative recombination coefficient reduction with injection in GaN. On the other hand, in SiC radiative coefficient was injection independent. Compensating defect (aluminum in SiC and boron in diamond) concentrations and activation energies were determined from their absorption saturation and recovery rate temperature dependences.

Disertacija skirta nepusiausvirųjų krūvininkų dinamikos tyrimams InN, InGaN ir GaAsBi heterosandarose naudojant šviesa indukuotų dinaminių gardelių ir skirtuminio pralaidumo metodikas. Atlikti tyrimai plačiame nepusiausvirųjų krūvininkų tankių ir bandinio temperatūrų intervale parodė, kad krūvininkų rekombinacijos sparta MBE būdu užaugintuose InN sluoksniuose dominuojantis rekombinacijos mechanizmas kambario temperatūroje yra gaudyklių įtakota Ožė rekombinacija. Nustatyta koreliacija tarp krūvininkų gyvavimo trukmės ir difuzijos koeficiento MOCVD būdu užaugintame InGaN sluoksnyje su 13% In parodė, kad krūvininkų gyvavimo trukmę lemia difuzinė jų perneša link rekobinacijos centrų. Parodoma, kad MBE metodu užaugintuose InGaN sluoksniuose su dideliu In kiekiu (x>0,7) didėjant Ga kiekiui didėja nespindulinės rekombinacijos centrų tankis, o krūvininkų rekombinacijos sparta yra termiškai aktyvuojama. MOCVD metodu užaugintose InGaN kvantinėse sandarose dinaminių gardelių tyrimais parodoma, kad spartėjančią krūvininkų rekombinaciją didėjant sužadinimo intensyvumui lemia ne tik spindulinė rekombinacija, tačiau reikia atsižvelgti ir į nespindulinės rekombinacijos spartėjimą. Nustatyta, kad į GaAs įterpiant Bi atomus daugiau nei dešimt kartų sumažėja skylių judris dėl Bi atomų kuriamų valentinės juostos fliuktuacijų. / The thesis is dedicated to investigation of carrier dynamics in InN, InGaN, and GaAsBi heterostructures by using light-induced transient gratings and differential transmission techniques. The experimental studies in a wide range of excess carrier densities and temperatures revealed that trap-assisted Auger recombination is the dominant recombination mechanism in MBE-grown InN layers at room temperature. Investigation of carrier dynamics in In-rich InGaN alloys revealed that density of fast nonradiative recombination centers increases with Ga content. The correlation between excess carrier lifetime and diffusion coefficient in MOCVD-grown single InGaN layer with 13% In is governed by diffusive flow to the extended defects. Investigations of carrier lifetime and diffusivity dependence on excitation fluence indicated that both nonradiative and radiative recombination contribute to an increase of excess carrier recombination rate at high photo-excitation levels in MOCVD-grown InGaN multiple quantum wells. Transient grating measurements in MBE-grown GaAsBi layers with different Bi content revealed that Bi induced potential fluctuations determine the tenfold decrease in nonequilibrium hole mobility, if compare to GaAs.

Lietuvoje per palyginti trumpą laiką informacinės visuomenės plėtros, e. valdžios diegimo ir informacinių technologijų taikymo srityje įvyko ženklių pokyčių, tačiau pagal šiuos rodiklius Lietuva vis dar atsilieka nuo ES šalių vidurkio. Darbe teigiama, kad e. valdžios diegimo procesai šiandien gali vykti operatyviau ir efektyviau, todėl būtina ieškoti e. valdžios paslaugų plėtros didinimo būdų. Šio tikslo siekiama atliekant teorinę e. valdžios paslaugų piliečiams plėtros problemų analizę bei vertinant įvykdyto „E. valdžios paslaugų piliečiams plėtros Lietuvos regionuose“ tyrimo rezultatus. Nustatyta, kad e. valdžios paslaugų plėtra yra ribojama tam tikrų problemų. Analizės metu identifikuotos 26 problemos, kurios buvo nuosekliai patalpintos loginėje – grafinėje schemoje ir sudarytas realios dabarties e. valdžios paslaugų problemų medį. Darbe taikomi apribojimų teorijos principai. Remiantis apribojimų teorija, nustatytas efektyviausias e. valdžios paslaugų piliečiams plėtros didinimo būdas, kuris nurodo, kad pirmiausia, visas pastangas reikia sutelkti sprendžiant e. valdžios paslaugų problemų medžio nustatytas šaknines problemas. Analizės metu nustatytos šios šakninės problemos: neišnaudotos socialinio marketingo galimybės ir augantis viešojo administravimo sistemos modernizavimo poreikis. / The impementation of e-Government services system for citizens in Lithuania during past years has achieved solid positive changes, although they are not sufficient for a competitive, knowledge and information based society oriented modern state. Today e-Government implementation processes may proceed more effectively, therefore it is necessary to search for methods to increase the development of e-Government services. This final work is a research study based on the Theory of Constraints, and it analyses the increase of development in Lithuania of e-Government services for citizens. During the proceeding of analysis there were determined the following features: the purpose of the system of e-Government services, its achievement measurement indicators, as well as main problems of system’s throughput constraints, cause and result relationships. The Current Reality Problem Tree of e-Government services development was formed. With its help these core problems were identified: insufficient modernization of public segment and unexploited possibilities of social marketing. Referring to the Theory of Constraints, in order to increase the system throughput of e-Government services we need to focus all efforts on solving the core problems stated in the problem tree of e-Government services’ system.

Purpose of the thesis – evaluate flows capacity of T. Narbuto st. – Laisvės ave. junction Identify existing problems and critical streams in the junction. Propose reasoned solutions for the existing problems, using Lithuanian and foreign countries methods, examples and experience. During preparation of Master thesis were calculated: flows of the vehicles, existing signalising cycles, traffic delays and statistical research. After analysis and research the proposals for new cycles were made for the T. Narbuto st. – Laisvės ave. and for the Justiniškių st. – Laisvės ave. Durations of new cycles were calculated, stage and phrase diagrams were calculated. Changes to existing organisation of traffic movements in the junctions were proposed. During peak hours linking proposals were made and calculated. Master thesis consists of explanatory text and following drawings: Existing and calculated signalising cycles for the Justiniškių st. – Laisvės ave. junction. Existing and calculated signalising cycles for theT. Narbuto st. – Laisvės ave. junction. Calculated signalising cycles for theT. Narbuto st.. – Laisvės ave. junction Traffic flows during morning peak hour. Traffic flows durin non peak hour. Traffic flows during evening peak hour. Changes to existing traffic organisation in the junctions.