Ce travail vise à identifier et définir une nouvelle tendance du platonisme mathématique que l'on propose d'appeler « platonisme sobre ». Comme le platonisme mathématiques classique, le platonisme sobre admet la fiabilité de la connaissance mathématique et l'existence d'objets mathématiques. Contrairement au platonisme mathématique classique, son engagement ontologique aux objets mathématiques est atténué par des arguments démontrant qu'un monde sans objets mathématiques ne serait pas cohérent. Quand bien même il le serait, on ne pourrait pas accepter de rejeter les mathématiques pour des raisons philosophiques. Le platonisme sobre suggère donc de concilier l'enquête philosophique avec la pratique mathématique. Dans le premier chapitre, on analyse le platonisme mathématique classique. Le deuxième, troisième, quatrième et cinquième chapitre sont respectivement dévoués à l'examen du platonisme pur-sang, du structuralisme ante rem, de la théorie de l'objet abstrait du trivialisme. Cette théories sont explicitement platoniciennes, mais seulement sobrement engagées dans l'existence d'objets mathématiques. Elles traitent l'existence d'objets mathématiques, la possibilité d'accéder à la connaissance mathématique, le sens des énoncés mathématiques et la référence de leur termes en tant que questions philosophiquement pertinentes. Cependant, elles sont dévouées à l'élaboration d'une description précise des mathématiques en tant que telles. Dans le dernier chapitre, le platonisme sobre est défini comme une description méthodologique de la façon dont les mathématiques sont réalisées, plutôt que comme une prescription normative de la façon dont les mathématiques doivent être réalisées. / This work aims at identifying and defining a new trend in mathematical platonism I propose to call “Sober Platonism”. As classical mathematical platonism, Sober Platonism acknowledges the reliability of mathematical knowledge and the existence of mathematical objects. But, contrary to classical mathematical Platonism, its ontological commitment with mathematical objects is softened by several arguments that demonstrate the claim that a world without mathematical abjects wouldn't be consistent. And even if it would be, rejecting mathematics for philosophical reasons wouldn't be acceptable. As a result, Sober Platonism suggests to lined up philosophical inquiry with mathematics as practiced. In the first chapter, I analyzed classical mathematical Platonism. The second, third, fourth and fifth chapters are devoted to the examination of full-blooded Platonism, ante rem Structuralism, Object Theory and Trivialism respectively. This theories are explicitly platonist, but only soberly committed with the existence of mathematical abjects. They take into account the existence of mathematical abjects, the possibility to access to mathematical knowledge, the meaning of mathematical statements and the reference of their terms as philosophically relevant questions. But they are firstly focused on providing an accurate description of mathematics by its own. In the last chapter, Sober Platonism is defined as a methodological description of how mathematics is performed, rather than as a normative prescription of how mathematics should be performed. In conclusion, Sober Platonism admittedly achieves the goal of providing both philosophy and mathematics with a proper domain of inquiry.

Dans le cadre de cette thèse, nous nous sommes intéressés à la caractérisation des mécanismes de déformation et de leurs interactions pour un zinc polycristallin pur, sous les conditions de chargement complexe et local qui caractérisent l'essai de nanoindentation. En effet, l'interaction des différents mécanismes mis en jeu a généralement été étudiée sur la base de sollicitations dites simples, telles que les essais de traction uniaxiale, biaxiale… Sous l'action d'un chargement uniforme, la prépondérance d'un système particulier sera conditionnée par l'orientation du cristal et par le sens du chargement par rapport à l'axe sénaire. La situation peut être rendue plus complexe dans le cas d'un chargement non simple, comme c'est le cas de l'essai d'indentation. Nous avons réalisé des essais de nanoindentation sur des grains de différentes orientations cristallographiques (mesurées par EBSD), et les résultats obtenus en termes de courbes "charge-profondeur de pénétration" et topographie des empreintes résiduelles ont été analysés. La complexité de l'état de contrainte qui se développe dans le matériau dépend des caractéristiques géométriques de l'indenteur et des orientations cristallographiques en présence, ce qui peut donner lieu à diverses interactions entre les modes de déformation. Ces interactions impacteront directement l'écoulement plastique local du matériau, et par voie de conséquence les propriétés mécaniques macroscopiques du matériau. En adoptant une loi de comportement en plasticité cristalline, nous avons ensuite procédé à la détermination des cissions résolues critiques et des paramètres d'écrouissage pour les différents mécanismes observés. Cette détermination s'est basée sur la résolution d'un problème inverse, au cours duquel nous avons couplé la simulation numérique 3D de l'essai de nanoindentation à l'identification des paramètres de la loi de comportement au moyen d'algorithmes génétiques. La confrontation des résultats expérimentaux et numériques en termes de courbes "charge-profondeur de pénétration" et profils de déformation montrent la bonne adéquation entre les données expérimentales et le modèle identifié. Les résultats obtenus ont ainsi permis de caractériser les mécanismes de déformation observés, et de proposer des perspectives à ce travail. / Within the scope of this thesis, we focused on the characterization of deformation mechanisms and their interactions for pure polycrystalline zinc under complex and local loading conditions such that those involved in a nanoindentation test. Indeed, the interaction between the different mechanisms involved has generally been studied on the basis of so-called simple tests, such as uniaxial or biaxial tensile tests ... Given uniform loading conditions, the predominance of a given deformation system depends on the crystal orientation and the loading direction relative to the crystal c-axis. The situation may be further complicated in case of a complex stress state, as it is the case of the indentation test. We performed nanoindentation tests on grains of different crystallographic orientations (measured by EBSD) and the results (curves "load-penetration depth" and topography of residual imprints) were analyzed. The complexity of the stress state that develops underneath the indenter depends on both the geometrical characteristics of the latter and the crystallographic orientations of the grains, which can give rise to different interactions between the deformation modes. Those interactions will directly affect the local plastic flow, and thus the mechanical properties of the macroscopic material.By using a crystal plasticity model, we have then determined the critical resolved shear stresses and hardening parameters for the observed deformation mechanisms. This determination is based on the solution of an inverse problem, in which we have coupled 3D numerical simulations of the nanoindentation test to genetic algorithms to solve an optimization problem. Comparison between experimental and numerical results in terms of "load-penetration depth" curves and penetration depth profiles show a good agreement between the experimental data and the identified model. The results enabled to characterize the observed deformation mechanisms, and to provide perspectives to this work.

La technologie CMOS a contribué au développement de l'industrie des semi-conducteurs. Cependant, au fur et à mesure que le noeud technologique est réduit, la technologie CMOS fait face à des défis importants liés à la dissipation dûe aux courants de fuite et aux effets du canal court. Pour résoudre ce problème, les chercheurs se sont intéressés à la spintronique ces dernières années, compte tenu de la possibilité de fabriquer des dispositifs de taille réduite et d'opérations de faible puissance. La jonction tunnel magnétique (MTJ) est l'un des dispositifs spintroniques les plus importants qui peut stocker des données binaires grâce à la Magnétorésistance à effet tunnel (TMR). En dehors des applications de mémoire non volatile, la MTJ peut également être utilisée pour combiner ou remplacer les circuits CMOS pour implémenter un circuit hybride, de façon à combiner une faible consommation d'énergie et des performances à grande vitesse. Cependant, le problème de la conversion fréquente de charge en spin dans un circuit hybride peut entraîner une importante consommation d'énergie, ce qui obère l'intérêt pour des circuits hybrides. Par conséquent, le concept ASL qui repose sur un pur courant de spin comme support de l'information est proposé pour limiter les conversions entre charge et spin, donc pour réduire la consommation d'énergie. La conception de circuits à base de dispositif ASL entraîne de nombreux défis liés à l'hétérogénéité qu'ils introduisent et à l'espace de conception étendu à explorer. Par conséquent, cette thèse se concentre sur l'écart entre les exigences d'application au niveau du système et la fabrication des nanodispositifs. Au niveau du dispositif, nous avons développé un modèle compact intégrant le STT, la TMR, les effets d'injection/accumulation de spin, le courant de breakdown des canaux et le délai de diffusion de spin. Validé par comparaison avec les résultats expérimentaux, ce modèle permet d'explorer les paramètres du dispositif liés à la fabrication, tels que les longueurs de canaux et les tailles de MTJ, et aide les concepteurs à éviter leur destruction. De plus, ce modèle, décrit avec Verilog-A sur Cadence et divisé en plusieurs blocs : injecteur, détecteur, canal et contact, permet une conception indépendante et une optimisation des circuits ASL qui facilitent la conception de circuits hiérarchiques et complexes. En outre, les expressions permettant le calcul de l'injection/accumulation de spin pour le dispositif ASL utilisé sont dérivées. Elles permettent de discuter des phénomènes expérimentaux observés sur les dispositifs ASL. Au niveau circuit, nous avons développé une méthodologie de conception de circuit/système, en tenant compte de la distribution des canaux, de l'interconnexion des portes et des différents rapports de courant d'injection provoqués par la diffusion de spin. Avec les spécifications et les contraintes du circuit/système, les fonctions booléennes du circuit sont synthétisées en fonction de la méthode de synthèse développée et des paramètres de niveau de fabrication : longueur des canaux, et tailles MTJ sont spécifiées. Basé sur cette méthodologie développée, les circuits combinatoires de base qui forment une bibliothèque de circuits sont conçus et évalués en utilisant le modèle compact développé. Au niveau du système, un circuit DCT, un circuit de convolution et un système Intel i7 sont évalués en explorant les problèmes d'interconnexion : la répartition de l'interconnexion entre les portes et le nombre de tampons inséré. Avec des paramètres théoriques, les résultats montrent que le circuit/système ASL peut surpasser le circuit/système basé sur CMOS. De plus, le pipeline du circuit basé sur ASL est discuté avec MTJ comme tampons insérés entre les étapes. La reconfigurabilité provoquée par les polarités/valeurs du courant d'injection et les états des terminaux de control des circuits ASL sont également discutés avec l'exploration reconfigurable des circuits logiques de base. / The CMOS technology has tremendously affected the development of the semi-conductor industry. However, as the technology node is scaled down, the CMOS technology faces significant challenges set by the leakage power and the short channel effects. To cope with this problem, researchers pay their attention to the spintronics in recent years, considering its possibilities to allow smaller size fabrication and lower power operations. The magnetic tunnel junction (MTJ) is one of the most important spintronic devices which can store binary data based on Tunnel MagnetoResistance (TMR) effect. Except for the non-volatile memory, MTJ can be also used to combine with or replace the CMOS circuits to implement a hybrid circuit, for the potential to achieve low power consumption and high speed performance. However, the problem of frequent spin-charge conversion in a hybrid circuit may cause large power consumption, which diminishes the advantage of the hybrid circuits. Therefore, the ASL concept which uses a pure spin current to transport the information is proposed for fewer charge-spin conversions, thus for less power consumption. The design of ASL device-based circuits leads to numerous challenges related to the heterogeneity they introduce and the large design space to explore. Hence, this thesis focus on filling the gap between application requirements at the system level and the device fabrication at the device level. In device level, we developed a compact model integrating the STT, the TMR, the spin injection/accumulation effects, the channel breakdown current and the spin diffusion delay. Validated by comparing with experimental results, this model allows exploring fabrication-related device parameters such as channel lengths and MTJ sizes and help designers to prevent from device damages. Moreover, programmed with Verilog-A on Cadence and divided into several blocks: injector, detector, channel and contact devices, this model allows the independent design and cross-layer optimization of ASL-based circuits, that eases the design of hierarchical, complex circuits. Furthermore, the spin injection/accumulation expressions for the used ASL device are derived, enabling to discuss the experimental phenomena of the ASL device. In circuit level, we developed a circuit/system design methodology, taking into account the channel distribution, the gate interconnection and the different injection current ratios caused by the spin diffusion. With circuit/system specifications and constraints, the boolean functions of a circuit are synthesized based on the developed synthesis method and fabrication-level parameters: channel lengths, MTJ sizes are specified. Based on this developed methodology, basic combinational circuits that form a circuit library are designed and evaluated by using the developed compact model. In system level, a DCT circuit, a convolution circuit and an Intel i7 system are evaluated exploring the interconnection issues: interconnection distribution between gates and inserted buffer count. With theoretical parameters, results show that ASL-based circuit/system can outperform CMOS-based circuit/system. Moreover, the pipelining schema of the ASL-based circuit is discussed with MTJ as latches inserted between stages. The reconfigurability caused by the injection current polarities/values and the control terminal states of ASL-based circuits are also discussed with the reconfigurable exploration of basic logic circuits.

Diploma thesis diels with the influence of temperature on the strength and the quality of the glued joints between beech edge and particleboard. The samples were tested in peel test performed at an angle of 90° and shear under compression loading at an angle of 45°. To perform the tests were made two sets of test samples. A set where the edge was glued with hotmelt adhesive EVA, the second set glued with hotmelt adhesive PUR. The experiment was conducted on samples stored in standard conditions and on samples being exposede to cyclic thermal load. Cyclic thermal load was used to simulate the internal environment in shipping containers in international transport of goods. The results of the measurements were processed, analyzed, statistically evaluated then matched with each other.

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal.

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Les aciers ferrito-martensitiques sont d’excellents candidats potentiels en tant que matériaux de structure dans les futurs réacteurs de fusion. A ce titre, ils devront résister à des flux intenses de neutrons de 14 MeV qui créeront des cascades de déplacements atomiques et des produits de transmutation tels que l’hélium. Afin de mieux comprendre le comportement de base de ces aciers sous irradiation en présence d’hélium, nous avons étudié les effets de l’hélium et ceux du chrome dans le cadre de ce travail de thèse. Du fer pur et un alliage modèle Fe-5,4%pds Cr ont ainsi été irradiés dans la plateforme JANNuS à 500°C en bi-faisceau avec des ions Fe+ et He+ et en mono-faisceau avec des ions Fe+. L’utilisation de cette plateforme a permis de suivre l’évolution du dommage jusqu’à des doses faibles (1 dpa) et de caractériser la microstructure après irradiation à forte dose (100 dpa). Elle a également permis l’observation in situ dans un MET couplé à deux accélérateurs des effets cinétiques d’implantation/irradiation. La nature et la répartition des défauts d’irradiation ont été déterminés : ce sont essentiellement des boucles de dislocations de vecteur de Burgers de type a<100> et des cavités/bulles. Nous avons montré que la co-implantation d’hélium et l’addition de chrome réduisent la mobilité des boucles. Par ailleurs, avec ou sans hélium, l’addition de chrome réduit le gonflement dans toutes les conditions étudiées. De plus, dans le fer pur irradié avec hélium, un phénomène original de germination hétérogène de cavités/bulles dans les plans des boucles a été mis en évidence. Enfin, nous avons également utilisé le code de dynamique d’amas CRESCENDO pour interpréter les résultats expérimentaux dans le fer pur irradié avec hélium. / Ferritic-martensitic steels are excellent potential candidates for a use as structural materials in future fusion reactors. For this application, they will have to withstand high fluxes of 14 MeV neutrons that will create atomic displacement cascades and transmutation reactions which will produce large quantities of helium. In order to understand the basic mechanisms under irradiation with helium, we have studied the effects of helium and those of chromium. Pure iron and a Fe-5.4 wt. % Cr model alloy were irradiated at the JANNuS platform in dual-beam mode with Fe+ and He+ ions and in single-beam mode with Fe+ ions at 500ºC. This platform enabled us to follow the evolution of damage up to low doses (1 dpa) and to characterize the microstructure at high doses (100 dpa). It also allowed us to observe in situ irradiation/implantation kinetic effects in a TEM coupled to two accelerators. The nature and distribution of irradiation defects was determined: they are essentially dislocation loops with a<100> Burgers vectors and cavities/bubbles. We have demonstrated that the co-implantation of helium and the addition of chromium both reduce the mobility of dislocation loops. The addition of chromium reduces swelling for all the irradiation conditions studied, with or without helium. In pure iron irradiated with helium, an original phenomenon was discovered for the first time: cavities/bubbles nucleate heterogeneously on the planes of the dislocation loops. We have also interpreted our experimental results in pure iron irradiated with helium using the cluster dynamics code CRESCENDO.

Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal

Depuis la découverte de la magnétorésistance (MR) géante en 1988 par le groupe d'Albert Fert (prix Nobel de physique en 2007), le domaine de l'électronique de spin a connu un essor sans précédent, justifié par toutes les applications qu'elle permet d'envisager en électronique.Depuis une vingtaine d'années, il est question d'utiliser le degré de liberté de spin directement dans les matériaux semi-conducteurs avec le gros avantage par rapport aux métaux de pouvoir manipuler électriquement le spin des porteurs. L'électronique de spin dans les matériaux semi-conducteurs utilise pour coder l'information non seulement la charge des porteurs (électrons et trous), mais aussi leur spin. En associant charge et spin, on ajoute de nouvelles fonctionnalités aux dispositifs de micro-électronique traditionnels.Le premier challenge consiste à contrôler l’injection et la détection d’une population de porteurs polarisés en spin dans les semi-conducteurs traditionnels (Si, Ge).Pour cela, nous avons étudié des dispositifs hybrides de type MIS: Métal ferromagnétique/Isolant/Semi-conducteur qui nous permettent d'injecter et de détecter électriquement un courant de spin. La première partie de cette thèse concerne les dispositifs à 3 terminaux sur différents substrats qui utilisent une unique électrode ferromagnétique pour injecter et détecter par effet Hanle l’accumulation de spin dans les semi-conducteurs. Une amplification des signaux de spin extraits expérimentalement par rapport aux valeurs théoriques du modèle diffusif est à l’origine d’une controverse importante. Nous avons alors démontré que l’origine du signal de MR ou de l’amplification ne peut être expliquée par la présence de défauts dans la barrière tunnel. A l’inverse, nous prouvons la présence d’états d’interface qui peuvent expliquer l’amplification du signal de spin. De plus, la réduction de la densité d’états d’interface par une préparation de surface montre des changements significatifs comme la diminution du signal de spin.La deuxième partie de ces travaux concerne la transition vers les vannes de spin latérales sur semi-conducteurs. Dans ces dispositifs utilisant deux électrodes FM, le découplage entre l’injection et la détection de spin permet de s’affranchir des effets de magnétorésistance parasites car seul un pur courant de spin est détecté dans le semi-conducteur. Par une croissance d’une jonction tunnel ferromagnétique épitaxiée, nous avons démontré l’injection de spin dans des substrats de silicium et germanium sur isolant. En particulier nous observons un fort signal de spin jusqu’à température ambiante dans le germanium.Finalement, les prémices de la manipulation de spin par l’étude du couplage spin-orbite ont été étudiées dans les substrats d’arséniure de gallium et de germanium. En effet, nous avons induit par effet Hall de spin (une conséquence du couplage spin-orbite) une accumulation de spin qui a été sondée en utilisant la spectroscopie de muon. On démontre alors, à basse température, la présence de l’accumulation grâce au couplage entre les spins électroniques accumulés et les noyaux de l’arséniure de gallium. / Since the discovery of the giant magnetoresistance in 1988 by the group of Albert Fert (Nobel Prize in 2007), the field of spintronics has been growing very fast due to its potential applications in micro-electronics.For almost 20 years, it has been proposed to introduce the spin degree of freedom directly in the semiconducting materials. Spintronics aims at using not only the charge of carriers (electrons and holes) but also their intrinsic spin degree of freedom. In that case, spins might be manipulated with electric fields. By using both charge and spin, one might add new functionalities to traditional micro-electronic devices.Indeed, the first challenge of semiconductor spintronics is to create and detect a spin polarized carrier population in traditional semiconductors like Si and Ge to further manipulate them.For this purpose, we have used hybrid ferromagnetic metal/insulator/semiconductor devices which allow us to perform electrical spin injection and detection. The first part of this thesis deals with 3 terminal devices grown on different substrates and in which a single ferromagnetic electrode is used to inject and detect spin polarized electrons using the Hanle effect. A spin signal amplification is measured experimentally as compared to the value from the theoretical diffusive model, this raised a controversy concerning 3 terminal measurements. We demonstrate that localized defects in the tunnel barrier cannot be at the origin of the measured MR signal and spin signal amplification. Instead, we show that the presence of interface states is the origin of the spin signal amplification in all the substrates. By using a proper surface preparation and the MBE growth of the magnetic tunnel junctions, we reduce the density of interface states and show a significant modification of the spin signals.In a second part, we present the transition from 3 terminal measurements to lateral spin valves on semiconductors. In the last configuration by using two ferromagnetic electrodes, charge and spin currents are decoupled in order to avoid any spurious magnetoresistance artefacts. Using epitaxially grown magnetic tunnel junctions we can prove the spin injection in silicon and germanium. Especially, we are able to measure non local spin signals in germanium up to room temperature.Finally, we study the spin Hall effect in gallium arsenide and germanium substrates. For this propose we induce spin accumulation using the spin Hall effect (i.e spin-orbit coupling) and probe it using muon spectroscopy. We demonstrate, at low temperature the presence of spin accumulation by the coupling between nuclear spins and the electron spin accumulation.

>Magister Scientiae - MSc / Pensions are essentially the only source of income for many retired workers. It is thus critical that the pension fund manager chooses the right type of plan for his/her workers.Every pension scheme follows its own set of rules when calculating the benefits of the fund’s members at retirement. Whichever plan the manager chooses for the members,he/she will have to invest their contributions in the financial market. The manager is therefore faced with the daunting task of selecting the most appropriate investment strat-egy as to maximize the returns from the financial assets. Due to the volatile nature of stock markets, some pension companies have attached minimum guarantees to pension contracts. These guarantees come at a price, but ensure that the member does not suffer a loss due to poorly performing equities.In this thesis we study four types of mathematical problems in pension fund management,of which three are essentially optimization problems. Firstly, following Blake [5], we show in a discrete time setting how to decompose a pension benefit into a combination of Euro-pean options. We also model the pension plan preferences of workers, sponsors and fund managers. We make a number of contributions additional to the paper by Blake [5]. In particular, we contribute graphic illustrations of the expected values of the pension fund assets, liabilities and the actuarial surplus processes. In more detail than in the original source, we derive the variance of the assets of a defined benefit pension plan. Secondly,we dedicate Chapter 6 to the problem of minimizing the cost of a minimum guarantee included in defined contribution (DC) pension contracts. Here we work in discrete time and consider multi-period guarantees similar to those in Hipp [25]. This entire chapter is original work. Using a standard optimization method, we propose a strategy that cal- culates an optimal sequence of guarantees that minimizes the sum of the squares of the present value of the total price of the guarantee. Graphic illustrations are included to in-dicate the minimum value and corresponding optimal sequence of guarantees. Thirdly, we derive an optimal investment strategy for a defined contribution fund with three financial assets in the presence of a minimum guarantee. We work in a continuous time setting and in particular contribute simulations of the dynamics of the short interest rate process and the assets in the financial market of Deelstra et al. [19]. We also derive an optimal investment strategy of the surplus process introduced in Deelstra et al. [19]. The results regarding the surplus are then converted to consider the actual investment portfolio per- taining to the wealth of the fund. We note that the aforementioned paper does not use optimal control theory. In order to illustrate the method of stochastic optimal control, we study a fourth problem by including a discussion of the paper by Devolder et al. [21] in Chapter 3. We enhance the work in the latter paper by including some simulations. The specific portfolio management strategies are applicable to banking as well (and is being pursued independently).