Neste trabalho iniciou-se os estudos com transistores de tunelamento por efeito de campo (TFET) de silício (Si) em estruturas de nanofios (NW-TFET), analisando o efeito da redução do diâmetro dos nanofios, de 167 nm até 15 nm, através de analises baseadas em medidas experimentais e simulações numéricas. Para diâmetros maiores que 30 nm, os dispositivos são pouco influenciados pela redução do diâmetro. Para diâmetros menores que 30 nm, ao diminui-los, o tunelamento entre bandas (BTBT) passa a ser o mecanismo dominante, aumentando a corrente de dreno normalizada. Reduzindo o diâmetro em baixa condução, a maior parte da junção passa a ser dominada por BTBT, aumentando a eficiência devido ao melhor acoplamento eletrostático, reduzindo a inclinação de sublimiar (SS). A análise em diferentes temperaturas (de 10 K a 423 K) destes TFETs de estruturas de nanofios mostrou que o aumento da temperatura aumentou tanto a corrente de estado ligado (ION) quanto a de estado desligado (IOFF), sendo que o aumento de IOFF é responsável pela degradação da eficiência em baixa condução. Para melhorar o desempenho dos dispositivos TFET de Si, que possuem baixa corrente, foram utilizados dispositivos experimentais com fontes de Germânio (Ge) e de uma liga de Si e Ge (Si0,73Ge0,27). O aumento da concentração de Ge na fonte reduz a largura da banda proibida (EG), resultando em um aumento da corrente de BTBT nos dispositivos. Esse aumento da corrente de BTBT também aumenta a transcondutância (gm) e o ganho intrínseco de tensão (AV). Para melhorar ainda mais o desempenho dos TFETs, foram estudados novos dispositivos fabricado com Arseneto de Indio-Galio (InXGa1-XAs), com leiaute em anel, com comprimento de canal de 5 µm e largura de canal de 400 µm, utilizando dispositivos experimentais e simulados. O uso desse material gera um grande aumento de ION devido ao aumento considerável de BTBT, alcançando valores de SS próximos a 60mV/dec, valor muito menor que 200mV/dec obtido nos dispositivos de Si. Os dispositivos com InXGa1-XAs apresentaram alto AV (~50 dB) mesmo em baixas polarizações, sendo promissores em aplicações de baixa tensão e baixa potência. Aumento da concentração de In (In0,7Ga0,3As) reduz EG, aumentando BTBT. O aumento de BTBT aumenta gm, porém, aumenta também a condutância de saída (gD), aumentando AV para alto VGS e reduzindo para baixos VGS. A redução da espessura de HfO2, de 3nm para 2nm, resultou em melhoria em todos os dispositivos devido ao melhor acoplamento eletrostático, onde o dispositivo de In0,53Ga0,47As apresentou um SS de 56mV/dec. A temperatura influencia mais gD que gm, aumentando AV em baixas temperaturas. O uso de fonte gasosa na difusão de Zinco (Zn), no lugar de fonte sólida, resultou em uma junção mais abrupta, aumentando ION e melhorando SS. Pode-se obter um dispositivo otimizado utilizando In0,7Ga0,3As utilizando difusão de Zn na fonte por fase gasosa, para dispositivos que vão atuar em aplicações digitais, ou utilizando difusão de Zn na fonte por fonte sólida, para dispositivos que vão atuar em aplicações analógicas, ambos à 520ºC por 1 minuto, utilizando 2 nm de HfO2 na porta. / In this work, initially it was studied Silicon (Si) n type tunnel field effects transistors (TFET) in nanowire structures (NW-TFET), analyzing the diameter reduction effect of the nanowires, from 167 nm to 15 nm, using experimental measurements and numerical simulations. For diameters higher than 30 nm, the devices are less influenced by the diameter reduction. For diameters lower than 30 nm, decreasing the diameter, band-to-band tunneling (BTBT) start to become the dominant mechanism, increasing the normalized drain current. Reducing the diameter, in low conduction, the most of the junction becomes dominated by BTBT, increasing the transistor efficiency due to the better electrostatic coupling, reducing the subthreshold swing (SS). The analysis of this nTFETs at different temperatures (from 10 K to 423 K) showed that at high temperatures both the on and the off state current (ION and IOFF) of these NW-TFETs have raised, degrading SS, and consequently the efficiency at low conduction. In order to improve ION, which is very low in pure Si nTFETs, experimental devices using source made by Ge and Si0.73Ge0.27 was studied. The increase of the Ge concentration in the source reduces the bandgap results in higher BTBT current. This high BTBT current also lead the transconductance (gm) and the intrinsic voltage gain (AV) to increase. To further improve the TFETs performance, new devices made of InGaAs with ring layout, with channel length of 5 µm and channel width of 400 µm was studied, using experimental and simulated data. The use of InGaAs generates a large increase of ION due to its low bandgap, enabling to reach values of SS near 60 mV/dec, much steeper than the 200mV/dec obtained on Si nTFETs. These InGaAs nTFETs have presented high AV (~50 dB), even at low bias, being promising devices in low power low voltage applications. When increasing the In concentration in the InXGa1-XAs TFET the bandgap is reduced, improving the BTBT current. The BTBT raise leads both gm and the output conductance (gD) to increase, improving AV for high VGS bias and degrading it at low VGS bias. The reduction of the HfO2 thickness, from 3 nm to 2 nm, have resulted in improvement all devices due to the better electrostatic coupling, where the In0.53Ga0.47As device have presented SS of 56mV/dec. As the temperature have more influence in gD than gm, AV is improved at low temperatures. The use of gas phase Zn diffusion at the source doping, instead of solid source Zn diffusion, have increased ION and improved SS. The possibly reason to this behavior is the higher abruptness of the source/channel junction when using gas phase Zn diffusion. An optimized device can be obtained using a device with In0,7Ga0,3As with the source diffusion made by gas phase, for devices to be used in digital applications, or with the source diffusion made by solid source, for devices to be used in analog applications. Both diffusion process made at 520 ºC, using 2 nm of HfO2 in the gate stack.

Made available in DSpace on 2016-08-10T10:54:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 IARA BRITO BUCAR OLIVEIRA.pdf: 1533960 bytes, checksum: ce25fdb7cee220732c0a9ac44bb9332d (MD5) Previous issue date: 2014-05-09 / Introduction: The main objective of this study is to demonstrate the epidemiological and environmental characteristics of visceral leishmaniasis (VL) in children under 15 years of age in the period from 2007 to 2012. Methods: Descriptive, cross-sectional epidemiological study of VL cases in children under 15 years of age, diagnosed at the Hospital for Tropical Diseases (Araguaína) in the period from 2007 to 2012. Clinical data were gathered from medical reports; meteorological data were obtained at the Meteorological Measurement Department of the Federal University of Tocantins. Results: The study assessed 821 medical reports of patients under 15 years of age diagnosed with VL. The disease affected both genders, with no significant difference (p= 0.67); the urban area had the highest prevalence of the disease (99.03%; p=0.0001); the most affected ethnic group was mixed (pardo) race (85.5%) (p=0.0001). The age group with the highest prevalence of the disease was between 1 and 5 years (58.6%) (p=0.0001). The most used diagnostic criterion was laboratorial (92.3%) (p=0.0001). The Araguaína Sul primary healthcare unit had the record with the highest rate of cases (20.8%). The highest incidence rate occurred in 2008, following a reduction showing a negative and significant correlation (p<0.04). The highest incidence coefficient occurred in the age group of under 1 year of age, while the highest mortality and lethality coefficients took place in 2008 and 2011. Most patients (96.2%) reached the cure of the disease. Regarding mortality, the most affected age group was between one and five years of age (47.8%). The climatic condition had a small effect on the epidemiology of the disease. Conclusions: In Araguaína, visceral leishmaniasis is an urban-based, endemic disease, with higher prevalence in children between one and five years of age, showing a high incidence coefficient and strongly contributing to child mortality rates. Among the environmental factors assessed by this study, temperature was the one aspect that influenced the VL incidence coefficient, showing that milder temperatures may increase the number of cases of this disease. / Introdução: O objetivo principal deste estudo é demonstrar as características epidemiológicas e ambientais da LV em menores de 15 anos de idade no período de 2007 a 2012. Método: É um estudo epidemiológico descritivo e transversal de casos diagnosticados de LV em menores de 15 anos, no Hospital de Doenças Tropicais (Araguaína-TO) no período de 2007 a 2012. As informações clínicas e óbitos foram obtidos dos prontuários de pacientes. Os dados meteorológicos foram cedidos pela Casa de Medições Meteorológica da Universidade Federal do Tocantins. Resultados: Foram analisados 821 prontuários de pacientes menores de 15 anos de idade com diagnóstico de LV. Não houve diferença significativa de número de casos entre os sexos (p= 0,67), com maior prevalência dos casos da zona urbana (99,03%) (p= 0,0001), sendo a raça parda a mais acometida com (85,5%) (p=0,0001). A faixa etária com maior prevalência foi entre um a cinco anos (58,6%) (p=0,0001). O Critério diagnóstico mais usado foi o Laboratorial (92,3%) (p=0,0001). A UBS Araguaína Sul registrou o maior número de casos (20,8%). O maior coeficiente de incidência ocorreu em 2008, seguido de um declínio apresentando correlação negativa e significativa (p<0,04). O maior coeficiente de incidência ocorreu na faixa etária menor de um ano e os maiores coeficientes de mortalidade e letalidade ocorreram nos anos de 2008 e 2011. A evolução clínica para a cura ocorreu na maioria dos pacientes (96,2%). A maior taxa de mortalidade por LV ocorreu na faixa etária de um a cinco anos (47,8%). A condição climática pouco influenciou na epidemiologia da doença. Conclusões: Assim, a LV na cidade de Araguaína é uma doença com características urbana, endêmica, com predileção para crianças menores de cinco anos de idade, com alto coeficiente de incidência, quando comparado a outros estudos, contribuindo para a mortalidade infantil nas faixas etárias estudadas, não se obteve correlação da doença com os fatores ambientais, com exceção da temperatura onde apesar de apresentar uma correlação negativa foi significativa demonstrando que em temperatura mais amenas houve um incremento no número de casos.

Neste trabalho de mestrado são descritos o projeto, a montagem e os testes de funcionamento de uma câmara porta amostra para medidas elétricas de quatro pontas de prova dc. A estrutura da câmara porta amostra é em material cerâmico, que garante a estabilidade física e química do sistema, prolongando sua vida útil e melhorando a qualidade das análises realizadas. Este sistema permite a realização de medidas elétricas de diferentes materiais desde a temperatura ambiente até ~1500 °C em ampla faixa de pressões parciais de oxigênio. A funcionalidade da câmara porta amostras foi avaliada por meio da comparação de medidas da dependência da resistividade elétrica com a temperatura de amostras de zircônia estabilizada com ítria. Visando à aferição e a aplicação deste sistema de medidas elétricas, foram fabricados e caracterizados compósitos à base de zircônia estabilizada com ítria e nitreto de titânio, obtidos pela técnica de sinterização por plasma pulsado (\"spark plasma sintering\", SPS). As propriedades gerais destes compósitos foram investigadas por meio de análises térmicas, difratometria de raios X (DRX) e medidas elétricas de quatro pontas de prova dc, usando o sistema construído. As análises das amostras dos compósitos à base de zircônia e TiN mostraram que a técnica SPS produz amostras densas, sem reação entre as fases ou degradação do TiN por oxidação. As amostras com adição de TiN apresentaram comportamento metálico da resistividade elétrica, evidenciando a percolação do nitreto na matriz de zircônia para frações volumétricas &le; 27 vol.%. Medidas de resistividade elétrica combinadas com análises térmicas e de DRX foram usadas para monitorar a oxidação do TiN nos compósitos em altas temperaturas. As amostras produzidas apresentam propriedades promissoras para aplicações de alta temperatura que requeiram elevada condutividade elétrica. / This study describes the design, construction, and tests of a sample holder for four-probe dc electrical measurements. The structural parts of the sample holder are built using ceramic material (alumina) that ensures physical and chemical stability, prolonging its use and the quality of experiments. The sample holder allows electrical measurements from room temperature up to ~1500 °C in a wide range of oxygen partial pressures. The functionality of the constructed sample holder was assessed by comparing measurements of the temperature dependence of the electrical resistivity of yttria-stabilized zirconia samples. To further explore the capabilities of the measuring apparatus, samples of high-temperature composites based on yttria-stabilized zirconia and titanium nitride were prepared by spark plasma sintering (SPS). The general properties of these composites were investigated by thermal analysis, X-rays diffraction (XRD), and four-probe dc electrical measurements. The study of the composites showed that SPS resulted in dense samples with no detected reaction between phases and free from TiN oxidation. Samples with TiN addition displayed metallic behavior of the electrical resistivity, evidencing that the nitride attained the percolation threshold in the oxide matrix at volume fractions &le; 27 vol.%. Electrical measurements combined with thermal analysis and XRD were used to monitor the oxidation of TiN at high temperature. The studied composites show good properties indicating that it is a promising material for high temperature applications that require high electrical conductivity.

O aumento da ingestão de alimentos industrializados e produtos como refrigerantes, bebidas açucaradas e xarope de milho contendo alta concentração de frutose podem originar desordens metabólicas como obesidade, resistência à insulina, diabetes mellitus tipo 2 e doenças cardiovasculares em humanos. Estas desordens metabólicas podem alterar a resposta imunológica destes indivíduos. O objetivo deste trabalho foi investigar a hiperalgesia inflamatória e comportamento doentio após um desafio imunológico em animais com desordens metabólicas induzidas por dieta rica em frutose. Ratos adultos machos foram tratados com água ou solução de frutose 10% por cinco semanas. A hiperalgesia inflamatória periférica através do teste de Von Frey eletrônico foi avaliada após estímulo com carragenina, lipopolissacarídeo (LPS) ou prostaglandina E2 (PGE2). Comportamento doentio foi avaliado 2 horas após a injeção de LPS ou veículo. Os animais foram sujeitos ao teste de campo aberto, interação social, ingestão alimentar e avaliação da resposta febril. Expressão de citocinas foi avaliada nos tecidos adiposos e hipotálamo e a resposta neural foi investigada via imunohistoquímica para c-Fos. Comparado ao grupo controle, a frutose induziu dislipidemias, altos níveis de glicose, aumento da adiposidade retroperitoneal e epididimal e resistência a insulina. O aumento da hiperalgesia inflamatória periférica foi observado em animais tratados com frutose. Em resposta ao LPS os animais tratados com frutose exibiram respostas comportamentais exacerbadas e aumento da febre além do aumento da expressão de citocinas no hipotálamo e tecido adiposo quando comparados aos animais tratados com água. A expressão de Fos induzida pelo LPS foi maior em diversas áreas cerebrais nos animais controle e esta resposta foi aumentada nos ratos induzidos por dieta de frutose. Neste estudo podemos concluir que a dieta rica em frutose desempenha um importante papel na indução de desordens metabólicas as quais irão intensificar a hiperalgesia inflamatória e o comportamento doentio em resposta a um desafio imunológico via indução de citocinas no hipotálamo. / The increased intake of processed foods and products such as soft drinks, sweetened drinks and corn syrup containing high concentration of fructose can cause metabolic disorders such as obesity, insulin resistance, type 2 diabetes mellitus and cardiovascular disease in humans. These disorders may alter the immune response of these individuals. The objective of this study was to investigate the inflammatory hyperalgesia and sickness behavior after an immune challenge in animals with metabolic disorders induced by diet rich in fructose. Adult male Wistar rats were provided either water or a fructose solution (10%) for 5 weeks. Peripheral inflammatory hyperalgesia according to the Von Frey test were evaluated after stimuli with carrageenan, lipopolysaccharide (LPS) and prostaglandin E2 (PGE2). Sickness behaviors were assessed 2 h following the injection of either a lipopolysaccharide (LPS) or vehicle. The rats were subjected to an open field test, a social interaction test, a food intake test and a fever evaluation. Cytokine expression was assessed in both adipose tissue and hypothalamus samples. The neural response was assessed in the forebrain via immunohistochemistry for c-Fos. Compared with the control group, the fructose diet induced dyslipidemia and significantly higher plasma glucose levels as well as both epididymal and retroperitoneal adiposity and insulin resistance. Increased peripheral inflammatory hyperalgesia were observed in animals treated with fructose. Furthermore, in response to LPS, the rats subjected to a fructose diet exhibited exacerbated sickness behaviors and accentuated febrile responses. Larger increases in cytokine expression were observed in both the hypothalamus and the adipose tissue of the obese rats compared with the control rats in response to LPS. LPS induced Fos protein expression in several areas of the brains of the control rats; however, larger numbers of Fos-positive cells were observed in the brains of the rats that were fed a fructose diet. In this study we conclude that the high-fructose diet plays an important role in the induction of metabolic disorders which will enhance inflammatory hyperalgesia and sickness behavior in response to an immune challenge induction via cytokines in the hypothalamus. / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES

O leite é um alimento amplamente consumido pelo homem e pelo alto valor nutritivo é alvo de grandes contaminações. São necessários rigorosos cuidados de higiene na obtenção, armazenamento, transporte e industrialização desse produto, garantindo sua qualidade, segurança e a satisfação do consumidor. A publicação da Instrução Normativa número 51 (IN 51) foi um marco para o setor leiteiro, pois previa a redução da Contagem Bacteriana Total (CBT) de um milhão para 100 mil UFC/ml. Após revisão dessa normativa, foi publicada a Instrução Normativa número 62 (IN 62) que passou a escalonar os prazos e estendeu o limite da adequação até o ano de 2016. Neste trabalho, objetivou-se modelar matematicamente o crescimento de bactérias no leite cru com a influência da temperatura e mistura das ordenhas determinando assim sua dinâmica populacional, e estimar o melhor período para a remoção do leite do tanque de expansão. A variável resposta de interesse foi a Contagem Bacteriana Total (em UFC/mL) e a temperatura (em ºC), considerando as possíveis interações com o momento de ordenha e o período de coleta (em horas). Esperava-se que o crescimento bacteriano no leite cru seguisse uma linha exponencial, segundo o modelo de Malthus, pois a mistura de ordenhas, além de elevar a temperatura, adiciona nutrientes ao meio, contribuindo para a multiplicação bacteriana. Considerando a natureza das variáveis resposta, a equação polinomial de grau dois se foi a que melhor se ajustou aos dados reais. Para modelar a temperatura, a equação logarítmica apresentou melhor ajuste aos dados reais, sendo a temperatura, a variável que mais se correlacionou com o número de bactérias. Os resultados mostraram que para o leite de baixa contagem bacteriana inicial, a mistura dos momentos de ordenha e o tempo de coleta do leite não interferem na contagem bacteriana, mantendo a qualidade do leite e o limite legal de UFC/mL prevista na IN-62. / 80 f.

O dióxido de titânio é um material usado em uma grande variedade de aplicações comuns e de alta tecnologia. Tem sido intensamente investigado por suas excelentes propriedades ópticas, elétricas e químicas, que o tornam apropriado para aplicações como células solares fotoquímicas, sensores de gases, filtros de interferência dielétricas, etc. Neste trabalho é proposta a investigação das melhores condições para deposição de filmes finos cristalinos de TiO2, preparado em baixas temperaturas (<150C) por magnetron sputtering reativo sobre substratos de silício tipo p. Para isso, o efeito da variação dos parâmetros de deposição como distância entre alvo e substrato, pressão total dos gases, concentração de oxigênio na mistura Ar+O2 e polarização do substrato, nas características dos filmes depositados foram estudadas e correlacionadas. É bem conhecido que altas temperaturas de processo favorecem a cristalização do filme. Todavia, temperaturas elevadas de deposição podem induzir a degradação das camadas estruturais promovendo reações interfaciais, interdifusão e outros defeitos na formação dos filmes. Estes problemas são as razões principais para se explicar o baixo desempenho ou até mesmo falha em alguns dispositivos fabricados. Neste trabalho foi demonstrado que é possível a obtenção de filmes cristalinos crescidos por processos de sputtering em baixa temperatura, mediante o uso parâmetros de deposição específicos. Isto é muito importante quando filmes cristalinos devem ser crescidos sobre substratos sensíveis a temperatura. A influência do aquecimento do substrato, pela descarga de plasma, na cristalização dos filmes finos de TiO2 depositados em substratos não aquecidos de silício, foi estudada para diversos valores de distância entre alvo e substrato e concentração de oxigênio na mistura de gases. Os resultados mostram que a temperatura superficial do substrato durante o processo de deposição é mais alta que a temperatura de substrato medida convencionalmente. A diferença pode alcançar 75C para deposições usando oxigênio puro. A espessura, estrutura e morfologia superficial dos filmes foram analisadas utilizando-se perfilometria, difração de raios x (XRD) e microscopia de força atômica (AFM), respectivamente. Resultados de XRD revelam que quando depositado sem aquecimento o filme de TiO2 tende a ser amorfo ou na forma anatasio para as condições normais de operação do magnetron (pressão=0,7 Pa, potência de 150W), dependendo da distância entre alvo e substrato. Observou-se que a fase rutílio somente foi obtida em pressões reduzidas (<0,5 Pa) ou sob polarização do substrato. Além disso, as medidas de AFM apontam para a formação de filmes com superfícies bastante rugosas, quando o substrato foi polarizado com voltagens entre -50 V e -200 V, este é um fato interessante quando se deseja a aplicação deste material como emissor de campo elétrico. Conclui-se que um controle rigoroso dos parâmetros de deposição e o uso da técnica de espectrometria de massas promovem um método eficiente para otimização dos compostos gerados na descarga e consequentemente condições estáveis de deposição para o crescimento de filmes finos cristalinos de TiO2 em baixas temperaturas de deposição.

O objetivo desta tese de mestrado é apresentar e analisar os resultados de cargas térmicas e distribuição de temperatura obtidos a partir da simulação numérica do comportamento térmico do satélite ITASAT (satélite universitário) para os casos críticos de vôo. O ITASAT será o primeiro satélite brasileiro de serviços desenvolvido por universidades. O programa está sendo coordenado pelo Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) em conjunto com outras universidades do país, com apoio do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) e financiado pela Agência Espacial Brasileira (AEB). Para cumprir esse objetivo, foi utilizada a ferramenta computacional SINDA (System Improved Numerical Differencing Analyser), um software comercial de análise térmica que possui facilidade para aplicações espaciais. Durante a órbita, o satélite sofrerá a influência de cargas térmicas externas (radiação solar, albedo e radiação terrestre), e parâmetros como o tipo de órbita e atitude tem influência direta sobre a intensidade dessas cargas. Associando as cargas térmicas externas às dissipações internas dos equipamentos que compõem o satélite, foi possível obter a distribuição de temperatura prevista para vôo. A geometria utilizada partiu de uma proposta inicial do modelo de satélite, a qual estará sujeita a alterações com o desenvolvimento do projeto. Como os equipamentos que irão compor o ITASAT ainda não foram definidos, neste trabalho o modelo foi implementado com equipamentos de características térmicas, e de potências dissipadas idênticas aos utilizados no satélite de coleta de dados SCD-1 do INPE, lançado em 1993. Este estudo é parte do projeto de controle térmico do satélite ITASAT, e garantirá que as temperaturas limites aceitáveis, máximas e mínimas, para todos os equipamentos possam ser obedecidas, fornecendo assim informações iniciais para a fase de testes que o modelo de vôo do ITASAT será submetido posteriormente. Os resultados apresentados são fisicamente coerentes para satélites em baixa órbita (LEO).

O presente trabalho estuda o problema da distribuição de temperaturas nos elementos de um canhão de elétrons de 5 A e 50 kV (primeiro e segundo anodos, catodo, flanges e isoladores externos de cerâmica) tendo como condição de contorno a temperatura do filamento aquecedor que se encontra a 2300 graus centigrados no interior do catodo cônico e que mantém a temperatura da faixa emissora de elétrons em 1000 graus centígrados. As medidas experimentais, efetuadas a partir de um conjunto de termopares instalados em vários pontos do canhão, são comparadas com resultados obtidos via simulação numérica usando um programa computacional de elementos finitos. A otimização mecânica nas peças do canhão e o desenvolvimento de dispositivos como o sistema de aquecimento da faixa emissora de elétrons por filamento, métodos para determinação da temperatura de um filamento de tungstênio e a construção de uma sonda térmica para medidas de velocidade e cálculo do coeficiente de convecção do ar em regiões turbulentas próximas da parede externa do canhão também integram este trabalho. A presente tese reveste-se de caráter inédito, pois constitui um estudo detalhado das características térmicas de um canhão injetor de elétrons do tipo magnetrônico em que os resultados experimentais e simulados apresentam excelente concordância.

Neste trabalho apresentaremos o estudo da distribuição de temperatura ao longo do corpo da estrutura aceleradora de um acelerador linear de elétrons durante a sua operação. Uma alta potência de microondas (8MW) é injetada no interior da estrutura, que está mantido em vácuo, para gerar o campo elétrico que acelera os elétrons. Desta potência injetada parte é absorvida pelas paredes internas da estrutura, provocando o aquecimento desta e alterando assim as suas dimensões. A sintonia entre os elétrons e o campo elétrico gerado pelo sinal de microondas está diretamente ligada às dimensões da estrutura, logo a temperatura no interior deste deve ter um rígido controle para que as suas dimensões se mantenham constantes e conseqüentemente sejam evitados os desvios no valor da freqüência de oscilação do modo acelerador. Devido a complexidade da geometria da estrutura aceleradora e da grande quantidade de fontes existentes, será utilizado o código numérico "FLUX 2D" para a execução do cálculo da distribuição de temperatura no corpo da estrutura aceleradora, sendo que, para obtermos mais confiança no código utilizado, foi feita a verificação de sua aplicabilidade ao nosso problema usando um protótipo da estrutura em escala reduzida. Este estudo da distribuição de temperatura visa obter os dados necessários para que seja possível fazer o cálculo do sistema de refrigeração e controle que deverá manter o interior da estrutura aceleradora numa temperatura constante, definida e uniforme ao longo de todo o seu eixo longitudinal.

Esta tese apresenta a analise, teorica e experimental, da tecnica de interferometria optica aplicada na caracterizacao de microvibracoes em superficies de solidos. Na parte teorica, analisa-se configuracoes interferometricas homodinas e heterodinas dos tipos Zehnder e Michelson. As aplicabilidades destas configuracoes para caracterizacao de microvibracoes superficiais de naturezas transversal e longitudinal sao discutidas mediante uma formulacao matematica, desenvolvida nesta tese, que constitui uma sintese de trabalhos independentes apresentados por diversos autores. Na formulacao proposta, as microvibracoes sao geradas por ondas elasticas volumetricas incidentes na superficie de um solido nao transparente a radicacao optica. Nesta abordagem, eis os parametros relevantes da vibracao: amplitude, velocidade de propagacao, frequencia e orientacao de deslocamento das particulas. A sensibilidade do interferometro heterodino com relacao a amplitude de vibracao tambem e determinada. Na parte experimental, a configuracao interferometrica investigada e do tipo Mach-Zehnder, onde o feixe optico do braco sensor incide na superficie de um solido que suporta uma onda elastica volumetricagerada por transdutor piezoeletrico. Neste arranjo, utilizou-se um circuito PLL para demodulacao do sinal optico de saida do interferometro. Os resultados experimentais incluem ensaios com microvibracoes continuas e pulsadas. Atraves deles, foi possivel estimar parametroselasticos do material em boa concordancia com aqueles obtidos por tecnicas convencionais.