En Electrodynamique Quantique en Cavité (" Cavity QED "), l'interaction entre la transition atomique et le champ de la cavité est quantifiée par la fréquence de Rabi du vide. L'expression analogue " circuit QED " a été introduite pour certains circuits supraconducteurs contenant des Jonctions Josephson, parce qu'ils pouvaient se comporter comme des atomes artificiels couplés au mode bosonique du résonateur. Dans le régime où la fréquence de Rabi du vide est comparable à la fréquence de transition du système à deux niveaux, des transitions de phases quantiques superradiantes ont été prédites pour le fondamental du système, par exemple dans le cadre du modèle de Dicke. Des réalisations possibles du modèle de Dicke par des systèmes de circuit QED sont étudiées ici théoriquement dans les cas de couplage capacitif ou inductif. Prédictions et contraintes sont analysées pour l'obtention d'une transition de phase quantique, avec un vide deux fois dégénéré au-dessus d'un point critique quantique. La robustesse et la protection de la dégénérescence du vide dans le régime de couplage ultrafort sont étudiées, et conduisent à de possibles applications en Information Quantique avec des réseaux de plusieurs résonateurs. Finalement, un modèle de Dicke généralisé avec une phase doublement superradiante et un vide quatre fois dégénéré est proposé.

Cette thèse de doctorat s'inscrit principalement, mais non entièrement, dans le domaine de la phonologie générale et romane. Elle a pour objet d'étude plusieurs phénomènes de sandhi attestés dans quelques variétés de gallo-roman : français, occitan, wallon, franco-provençal. Comme une grande partie des phénomènes phonologiques postlexicaux étudiés sont panromans, la thèse ne les analyse pas comme des processus isolés, mais à travers leur variation diatopique et diachronique, c'est-à-dire comme des manifestations concrètes de tendances communes aux langues romanes, tout en essayant d'expliquer leur motivation par des principes phonologiques universels, ainsi que par les méthodes de l'analyse contrastive.Dans cette thèse on pourrait délimiter trois grandes parties thématiques. La première a une portée théorique et englobe les chapitres I et II où sont présentées et analysées des données d'une soixantaine de langues parlées dans le monde entier. Dans cette partie je passe en revue les diverses acceptions controversées du terme de sandhi en vue d'en proposer ma propre définition grâce au formalisme de la phonologie prosodique. La deuxième partie a une portée phonologique et englobe les chapitres III, IV et V où sont étudiés trois phénomènes de sandhi de l'espace gallo-roman, à savoir la liaison, le redoublement phonosyntaxique et les alternances vocaliques avec zéro en syllabe initiale. La dernière partie thématique est représentée par le chapitre VI qui a une portée sociolinguistique. Les trois phénomènes de sandhi en question y sont comparés et analysés à la lumière des facteurs pour leur variation, parmi lesquels la tradition graphique occupe une place privilégiée.

Nous avons mesuré la durée de vie de l'etat supraconducteur d'une jonction Josephson<br />polarisée en courant et shuntée par un circuit microonde se comportant comme une ligne à echos electromagnetiques. En faisant varier in situ la longueur de cette ligne, nous pouvons ajuster le temps d'aller-retour de ces echos. A basse température (T=20mK), la jonction transite hors de l'état supraconducteur par effet tunnel quantique macroscopique. Nous montrons que cet effet tunnel est fortement attenué si le temps d'aller-retour des<br />échos est inférieur à un nouveau temps caractéristique de l'effet tunnel, différent du temps de vie. Nous interprétons ce nouveau temps caracteristique comme le temps moyen passé par la particule sous la barrière de potentiel lors de sa sortie du puits. A plus haute<br />température (T=1K), la jonction transite hors de l'état supraconducteur par activation thermique. Dans ce regime, le taux de sortie varie de façon oscillatoire en fonction de la longueur de la ligne. Nous interprétons ce phenomène comme la manifestation des oscillations<br />effectuées par la différence de phase de la jonction dans l'état supraconducteur juste avant la transition vers l'état dissipatif, ces oscillations etant entretenues par les fluctuations thermiques.

Les mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) sont en passe de supplanter les autres formes de mémoires à accès aléatoire utilisant des états de charge électrique, et ce grâce à leurs nombreux avantages techniques : non-volatilité, rapidité, faible consommation énergétique, robustesse. Egalement, les MRAM sont prétendues insensibles aux rayonnements ionisants, ce qui n'a pas été vérifié expérimentalement jusqu'à présent. L'architecture actuelle des MRAM est basée sur l'utilisation de jonctions tunnel magnétiques (JTM). Ces MRAM peuvent présenter un inconvénient de taille, car elles sont susceptibles d'exhiber des erreurs d'adressage, en particulier lorsque l'intégration (la densité de points mémoire) est de plus en plus poussée. Le travail mené pendant cette thèse concerne ces deux points : - vérifier la fiabilité fonctionnelle des MRAM à base de JTM exposées aux rayonnements ionisants de haute énergie ; - étudier un alliage amorphe ferrimagnétique, le GdCo, susceptible d'entrer dans la composition de JTM et permettant de s'affranchir des éventuelles erreurs d'adressage par un processus d'inhibition thermique des points mémoire. Ces travaux de thèse ont démontré que les MRAM à base de JTM conservent pleinement leurs propriétés fonctionnelles lorsqu'elles sont soumises à un rayonnement ionisant intense, et que le GdCo est un matériau très intéressant du point de vue de la physique du solide et du magnétisme, que ses propriétés physiques sont très prometteuses quant à ses applications, et que son intégration dans une JTM réclame encore des évolutions technologiques.

Les cellules tumorales, comme les leucocytes, franchissent l'endothélium vasculaire au niveau des jonctions intercellulaires à l'endroit même où s'exprime la VE-cadhérine, la protéine majeure des jonctions adhérentes. Cette transmigration déstabilise transitoirement les jonctions, ce qui affecte l'intégrité de ce tissu.<br />Afin de comprendre les mécanismes sous-jacents à l'ouverture des jonctions, nous avons établi la composition protéique du complexe à base de VE-cadhérine des jonctions adhérentes matures de cellules endothéliales primaires confluentes de type HUVEC. Pour cela, nous avons couplé immunoprécipitation et analyse protéomique par spectrométrie de masse (LC-nanoESI-MS/MS). Nous avons ainsi identifié de nouveaux partenaires du complexe à base de VE-cadhérine jamais identifiés auparavant au niveau de la jonction adhérente endothéliale. Parmi ceux-ci se trouvent des protéines liant l'actine telles l'annexine 2 et la moésine.<br />Nos résultats indiquent que l'annexine 2, qui s'accumule à la membrane plasmique au niveau des radeaux de cholestérol, entre en interaction directe avec le complexe à base de VE-cadhérine. Ainsi, l'annexine 2 connecte le complexe jonctionnel à base de VE-cadhérine au cytosquelette d'actine dans les HUVEC confluentes. L'utilisation de siRNA nous a permis d'établir que l'expression de l'annexine 2 est absolument nécessaire au maintien de la VE-cadhérine à la membrane plasmique. Nos résultats suggèrent que l'annexine 2, connectée à l'actine, arrime le complexe à base de VE-cadhérine au niveau des radeaux de cholestérol. En limitant la diffusion membranaire du complexe jonctionnel, ces interactions aboutissent à une consolidation des jonctions adhérentes ce qui contribue à maintenir l'intégrité de l'endothélium vasculaire. Lorsque les HUVEC sont soumises à des molecules destabilisant les jonctions adhérentes, une délocalisation de l'annexine 2 de la membrane vers le cytosol et une perturbation de la localisation de la VE-cadhérine sont observés. Ceci suggère que le prérequis à l'ouverture des jonctions adhérentes nécessite une rupture de l'interaction existant entre le complexe à base de VE-cadhérine et l'annexine 2.<br />La moésine, quant à elle, semble interagir avec le complexe à base de VE-cadhérine dans les jonctions immatures formées entre cellules sub-confluentes. La moésine serait donc impliquée dans l'établissement des contacts intercellulaires précoces plutôt que dans la maturation des jonctions endothéliales.

La première partie de cette thèse décrit l'élaboration et la caractérisation de couches minces supraconductrices de composition YBa2Cu3O7-d. Leurs propriétés de transport ont été analysées dans le cadre de la théorie B.C.S. La deuxième partie est relative à la mise en évidence et à l'étude des propriétés structurales de nouvelles perovskites de composition Ln2CuTiO6-d (Ln=terre rare) et AxLn2-xCu1+yTi1-yO6-d (A=alcalinoterreux). Un modèle de distribution cationique reposant sur des études de diffraction X et de microscopie électronique est proposé.

Au niveau de la jonction neuromusculaire (JNM) squelettique de Vertébrés, deux enzymes d'une remarquable efficacité peuvent hydrolyser l'acétylcholine (ACh) : l'acétylcholinestérase (AChE) et la butyrylcholinestérase (BChE). L'hydrolyse de l'ACh dépend non seulement de l'activité enzymatique de l'AChE et de la BChE mais également de leur localisation. Ces deux enzymes semblent posséder des capacités fonctionnelles différentes dont l'importance relative n'a pas encore été établie.<br />Nous avons choisi une approche génétique pour analyser le rôle des cholinestérases dans la transmission neuromusculaire. Nous disposons de plusieurs lignées de souris qui présentent un déficit dans l'hydrolyse de l'ACh à la jonction neuromusculaire. Certaines de ces souris génétiquement modifiées n'ont plus d'activité enzymatique AChE (souris AChE KO) dans tous les tissus, d'autres ne possèdent que la forme moléculaire soluble de l'AChE (souris AChE Del E5,6), d'autres sont dépourvues de la forme ancrée à la membrane par un glycophospholipide (souris AChE Del E5/neo) ou des formes ancrées à la membrane par PRiMA (souris PRiMA KO) ou totalement de BChE (souris BChE KO). La caractérisation des JNM de ces souris par des approches électrophysiologiques et de microscopie confocale nous a permis d'appréhender les rôles des différentes formes moléculaires des cholinestérases dans la transmission neuromusculaire ainsi que les éventuelles adaptations pré- et postsynaptiques qui conditionnent l'efficacité synaptique.<br />Malgré l'absence totale ou partielle d'AChE, les souris développent des contractions tétaniques dans une gamme de fréquences physiologiques (10 à 100 Hz) mais ne peuvent pas les maintenir constantes à des fréquences supérieures à 30 Hz. Chez ces souris, l'inhibition de la BChE entraîne une accentuation de la dépression de ces réponses, ce qui suggère que la BChE joue un rôle de modulateur dans la transmission synaptique. De plus, les cours temporels des réponses synaptiques enregistrées au niveau des JNM sont augmentés de par l'activation répétitive des récepteurs nicotiniques de l'ACh (RnACh) par l'ACh. Enfin, des remodelages pré- et postsynaptiques post-nataux ont été mis en évidence au niveau des JNM. Ces remodelages synaptiques sont probablement dus à l'adaptation des RnACh et des terminaisons nerveuses motrices face à l'absence d'activité enzymatique de l'AChE.<br />Nous proposons que, chez ces souris génétiquement modifiées, la petite taille des aires de distribution des RnACh ainsi que la discontinuité des amas de ces récepteurs et de celle des terminaisons nerveuses permettent à l'ACh de diffuser facilement et rapidement hors de la fente synaptique.

Thèse d'exercice : Médecine. Ophtalmologie : Paris 12 : 2008. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. f. 62-70.

L?????laboration d???exp??rience permettant de sonder la sym??trie du gap supraconducteur ?? l???aide d???une mesure de la phase de ce gap supraconducteur est l???une des techniques les plus directes pour observer la sym??trie ???d??? des cuprates dop??s au trous. Malheureusement, il existe tr??s peu d???exp??riences de ce type qui ont ??t?? r??ussies pour sonder la sym??trie du gap supraconducteur dans les cuprates dop??s aux ??lectrons. Effectivement, les exp??riences sondant la phase du gap supraconducteur demandent d???utiliser g??n??ralement des jonctions Josephson entre un cuprate et un supraconducteur conventionnel (Exemple : SQUID et jonctions Josephson en coin). Cependant, il est extr??mement difficile d???obtenir de telles jonctions Josephson avec les cuprates dop??s aux ??lectrons, car la croissance de ce mat??riau est extr??mement difficile et les propri??t??s physiques de ceux-ci sont tr??s sensibles aux diff??rentes ??tapes de fabrication que l???on doit effectuer pour obtenir une jonction Josephson. Cependant, de r??cents travaux effectu??s par notre groupe sur la purification des phases dans les couches minces de Pr[indice inf??rieur 2???x]Ce[indice inf??rieur x]CuO[indice inf??rieur 4], un cuprate dop?? aux ??lectrons, ainsi que sur la production de jonctions Josephson de qualit?? entre deux ??lectrodes supraconductrices de Pr[indice inf??rieur 2???x]Ce[indice inf??rieur x]CuO[indice inf??rieur 4] ont revigor?? l???int??r??t de fabriquer une jonction Josephson de qualit?? entre Pr[indice inf??rieur 2???x]Ce[indice inf??rieur x]CuO[indice inf??rieur 4] et un supraconducteur conventionnel. Dans ce m??moire, on propose une m??thode de fabrication de jonctions Josephson en rampe entre un cuprate dop?? aux ??lectrons (Pr[indice inf??rieur 1.85]Ce[indice inf??rieur 0.15]CuO[indice inf??rieur 4]) et un supraconducteur conventionnel (PbIn). Cette m??thode de fabrication nous a permis de fabriquer des jonctions Josephson poss??dant une densit?? de courant critique de 44 A/cm[indice sup??rieur 2] et un produit I[indice inf??rieur c]R[indice inf??rieur n] valant 40 ??V . On retrouve aussi, tel qu???attendu par la th??orie, les oscillations du courant critique de ces jonctions en fonction du champ magn??tique appliqu?? perpendiculairement sur celles-ci. Ces caract??ristiques nous permettent de conclure que nous avons r??ussi ?? produire les meilleures jonctions Josephson de ce type (Re[indice inf??rieur 2???x]Ce[indice inf??rieur x]CuO[indice inf??rieur 4] / Au /supraconducteur m??tallique) r??pertori??es dans la litt??rature. Ainsi, d???apr??s ces r??sultats il est maintenant possible de tenter l???exp??rience sondant la sym??trie du gap supraconducteur dans le Pr[indice inf??rieur 1.85]Ce[indice inf??rieur 0.15]CuO[indice inf??rieur 4] ?? l???aide d???une jonction Josephson en coin.

Les transistors monoélectroniques (SET) sont des dispositifs de tailles nanométriques qui permettent la commande d'un électron à la fois et donc, qui consomment peu d'énergie. Une des applications complémentaires des SET qui attire l'attention est son utilisation dans des circuits de mémoire. Une mémoire monoélectronique (SEM) non volatile a le potentiel d'opérer à des fréquences de l'ordre des gigahertz ce qui lui permettrait de remplacer en même temps les mémoires mortes de type FLASH et les mémoires vives de type DRAM. Une puce SEM permettrait donc ultimement la réunification des deux grands types de mémoire au sein des ordinateurs. Cette thèse porte sur la fabrication de mémoires monoélectroniques non volatiles. Le procédé de fabrication proposé repose sur le procédé nanodamascène développé par C. Dubuc et al. à l'Université de Sherbrooke. L'un des avantages de ce procédé est sa compatibilité avec le back-end-of-line (BEOL) des circuits CMOS. Ce procédé a le potentiel de fabriquer plusieurs couches de circuits mémoirestrès denses au-dessus de tranches CMOS. Ce document présente, entre autres, la réalisation d'un simulateur de mémoires monoélectroniques ainsi que les résultats de simulations de différentes structures. L'optimisation du procédé de fabrication de dispositifs monoélectroniques et la réalisation de différentes architectures de SEM simples sont traitées. Les optimisations ont été faites à plusieurs niveaux : l'électrolithographie, la gravure de l'oxyde, le soulèvement du titane, la métallisation et la planarisation CMP. La caractérisation électrique a permis d'étudier en profondeur les dispositifs formés de jonction de Ti/TiO2 et elle a démontré que ces matériaux ne sont pas appropriés. Par contre, un SET formé de jonction de TiN/Al2 O3 a été fabriqué et caractérisé avec succès à basse température. Cette démonstration démontre le potentiel du procédé de fabrication et de la déposition de couche atomique (ALD) pour la fabrication de mémoires monoélectroniques.[symboles non conformes]