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Photoluminescence Specroscopy Of Cds And GaseSeyhan, Ayse 01 January 2003 (has links) (PDF)
With the use of photoluminescence (PL) spectroscopy one can able to get a
great deal of information about electronic structure and optical processes in
semiconductors by the aid of optical characterization. Among various compound
semiconductors, Cadmium Sulfide (CdS) and Gallium Selenide (GaSe) are
interesting materials for their PL emissions. Particularly, due to its strong anisotropy,
investigation of GaSe necessitates new experimental approaches to the PL technique.
We have designed, fabricated and used new experimental set-up for this purpose.
In this thesis, we have investigated the PL spectra of both CdS and GaSe as a
function of temperature. We observed interesting features in these samples. These
features were analyzed experimentally and described by taking the band structure of
the crystals into account. From the excitonic emissions, we determined the bandgap
energy of both materials. We studied various peaks that appear in the PL spectra and their origin in the material. We have found that donor acceptor transitions are
effective in CdS at low temperatures. A transition giving rise to a red emission was
observed and attributed to a donor level which is likely to result form an S vacancy
in CdS crystal. The PL peaks with energy close to the bandgap were observed in
GaSe. These peak were attributed to the bound excitons connected either to the direct
or indirect band edge of GaSe. The striking experimental finding in this work was the
PL spectra of GaSe measured in different angular position with respect to the crystal
axis. We observed that PL spectra exhibit substantial differences when the angular
position of the laser beam and the detector is changed. The optical anisotropy which
is responsible for these differences was measured experimentally and discussed by
considering the selection rules of the band states of GaSe.
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Alternativní způsoby analýzy strukturálních změn svalové tkáně / Alternative Methods for the Analysis of Structural Changes in Muscle TissueKaspar, Pavel January 2017 (has links)
Tato disertační práce se zabývá tématikou analýzy strukturálních změn ve svalové tkáni a metodikou optického měření. I přesto, že existuje nezanedbatelné množství metod pro detekci konkrétních změn ve svalovině, především pak v konzumním mase, drtivá většina z nich se zaměřuje na jeden konkrétní proces a vyžaduje komplikované postupy a drahé přístroje. Předmětem prezentovaného výzkumu není tedy nalézt metody přesnější a specifičtější, než jsou ty již exitující, ale raději zvolit alternativní přístup k problematice. Součástí je pak i snaha najít možnosti jak obejít technologické nároky moderních postupů a přitom se přiblížit co nejvíce jejich informačnímu přínosu. Za tímto účelem je potřeba mít dostatečné teoretické znalosti a experimentální zkušenosti především v oboru fyziky, optiky a postupů měření, ale také široké povědomí o problematice biologických tkání a procesů v nich probíhajících. Na základě získaných informací a pochopení pochodů ve svalové tkáni jsou navrhnuty a testovány tři rozdílné přístupy. Vytvořené metody pracují s fotony v transmisním i reflexním uspořádání. Pomocí pozorování změn absorpce, rozptylu a polarizace světla po interakci se vzorkem svalové tkáně jsou posouzeny jeho další optické vlastnosti především index lomu a optická anizotropie. Identifikace změn optických vlastností vzorků za různých podmínek umožňuje společně se simulací Monte Carlo posoudit rozdíly mezi vzorky čerstvými, starými, sušenými a jednou či dvakrát zmraženými a rozmraženými.
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Optical and Microstructural Properties of Sputtered Thin Films for Photovoltaic ApplicationsAdhikari, Dipendra January 2019 (has links)
No description available.
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Microscopie à l'angle de Brewster : transitions de phases et défauts d'orientation dans des films monomoléculairessHénon, Sylvie 11 March 1993 (has links) (PDF)
La microscopie à l'angle de Brewster est une nouvelle et tres puissante technique d'étude des films monomoléculaires à la surface de l'eau. Son principe est basé sur les propriétés de réflectivité des interfaces. Elle est sensible à l'épaisseur, la densité et l'anisotropie optique des films. Cette technique a été appliquée à l'étude de couches adsorbées à la surface de solutions aqueuses d'acides gras (acides palmitiques et myristiques). Ces couches traversent pendant leur formation des transitions de phases. Le nombre, la nature et la morphologie de ces phases dépendent de nombreux paramètres dont le pH. Nous avons entre autres observé des phases optiquement anisotropes, contituées de molécules inclinées par rapport à la normale à la solution.Ces phases sont sans doute des mésophases "verrouillées", c'est à dire que la direction des molécules est fixée par rapport aux directions intermoléculaires. Elles présentent différents types de défauts d'orientation, dont des structures en étoile. L'existence de telles structures est expliquée par application d'un modèle d'élasticité continue développé pour l'étude des films minces de cristaux liquides smectiques. Des structures en zig-zag, en spirales et en bandes de largeur déterminée ont également été observées. Nous avons également étudié les couches d'un polymère (le PDMS) à la surface de l'eau. Nous y avons observé la séparation latérale en domaines de densités de surface différentes, à la fois dans le régime monocouche et le régime multicouches.
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Epitaksinių InGaAs kvantinių taškų darinių moduliuoto atspindžio ir fotoliuminescencijos spektroskopija / Modulated Reflectance and Photoluminescence Spectroscopy of Epitaxial InGaAs Quantum Dot StructuresNedzinskas, Ramūnas 01 October 2012 (has links)
Saviformuojantys puslaidininkiniai kvantiniai taškai (quantum dots, QDs), kurių charakteringos elektronų subjuostinių (intraband) šuolių energijos yra infraraudonajame spektriniame ruože (3–25 μm), sudaro daugelio fotojutiklių aktyviąją terpę ir yra aktualūs taikymams šiuolaikinėje optoelektronikoje. Disertacijoje nagrinėjami molekulinio pluoštelio epitaksijos būdu užauginti: -- InAs kvantiniai taškai, įterpti į GaAs matricą ir GaAs/AlAs supergardelę; -- InAs kvantiniai taškai be ir su įtempimus sumažinančiuoju InGaAs sluoksniu, įterpti į kompozitinę GaAs/AlAs kvantinę duobę; -- skirtingo aukščio koloniniai InGaAs kvantiniai taškai arba kvantiniai strypeliai (quantum rods, QRs), apsupti dvimačiu InGaAs sluoksniu, ir užauginti naudojant arba As2, arba As4 šaltinį. Taikant moduliacinę atspindžio spektroskopiją ir fotoliuminescenciją, buvo ištirtos šių darinių optinės savybės bei jų elektroninė sandara, o taip pat atskleista auginimo sąlygų įtaka darinių struktūrai. Eksperimentiniai tyrimai buvo interpretuojami atliekant teorinį modeliavimą skaitmeniniu (nextnano3 programa) bei analitiniu (sukurtas algoritmas) metodais. / Self-assembled InAs quantum dots (QDs), whose intersublevel transition energies lie in the mid- and far-infrared spectral range (3–25μm), have attracted particular interest as active elements of infrared photodetectors. This interest is mainly due to intriguing atomic-like quantum confinement and unique optical and electronic properties of QDs. Moreover, QD electronic structure can be adjusted by varying the dots size and shape or their environment. These features make QDs to be of importance in creation of photoelectronic devices with a desired spectral range. The dissertation is concerned specifically with molecular beam epitaxy grown InGaAs QD structures with: -- InAs QD stacks embedded in GaAs matrix and GaAs/AlAs superlattice (SL), or alternatively InAs/GaAs QD-SL structures with and without AlAs barriers between the dot layers; -- InAs QDs with and without InGaAs strain-reducing layers, embedded within GaAs/AlAs quantum wells; -- columnar InGaAs QDs, also referred to as quantum rods (QRs) or quantum posts, of different morphology. (The quantum confined structure consists of vertically oriented InGaAs QRs immersed in a two-dimensional InGaAs layer). These QD structures were studied by modulated reflectance and photo- luminescence spectroscopies to reveal their optical properties and the full- extent of electronic structure. Experimental data were interpreted by numerical (nextnano3 software) and analytical (algorithm developed) modelling.
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Synthesis of self-organized dendrimers and dendronized nanohybrids and their physical properties / Synthèse de dendrimères et de nanohybrids dendronisés, autoorganisés et étude de leurs propriétés physiquesNagy, Zsuzsanna tamara 14 September 2012 (has links)
Pour ce travail de thèse, nous nous sommes intéressés dans une première partie à la conception et à la synthèse de nouveaux matériaux multifonctionnels (LC, photosensible, systèmes moléculaires dendritiques) capables d'être élaborés en films minces anisotropes et doués de propriétés photo-induites. Nous avons réalisé l'étude complète des propriétés mésomorphes de ces nouveaux matériaux et de dérivés structuraux (en fonction de la connectivité dendritique intrinsèque) par la diffraction des rayons X aux petits angles; l’étude de leurs propriétés optiques a également été effectuée. Dans une seconde partie, nous avons fonctionnalisé des nanoparticules d'or avec des ligands dendritiques mésogènes afin d'organiser ces particules dans des structures mésomorphes. Les objectifs principaux de cette partie sont tout d’abord la synthèse d'une "bibliothèque" de nanoparticules mésomorphes dendronisées, et ensuite la caractérisation de réseaux simples formée par l’auto-assemblage des particules précédentes. / The need to expand further the range of mesomorphic organization, develop original materials where different functionalities can be added (i.e. multifunctional), and to design “multitask materials” with tunable properties are particularly interesting and crucial challenges for potential uses in future technologies. On the one hand, we focused on the design and synthesis of multifunctional materials (liquid crystalline, dendritic, photoresponisve) which are suitable for making thin films where photoinduced optical anisotropy and surface relief gratings can be generated. The mesomorphic behaviour of these dendrimers was investigated and also their optical properties. On the other hand, we grafted structurally related protodendritic mesogenic ligands to monodisperse gold nanoparticles to elaborate liquid crystalline hybrids in order to self-organize NPs in periodic arrays. A set of dendronized gold nanohybrids was synthesized to carry out this study.
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Dielectric Anisotropy and Optical Transitions.pdfSanjay Debnath (13982137) 25 October 2022 (has links)
<p>Similar to thermodynamic phase transitions in matter, readily apparent changes in optical response arise in the transition from isotropic to anisotropic optical phases. Treating the anisotropy of the dielectric permittivity as a control parameter, which changes continuously from zero to a nonzero finite value at the transition, in this work we describe the resulting effect on light propagation. </p>
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<p>We begin by investigating a simple case of the manifestations of such optical transition in lossy media. In the presence of loss, isotropic materials do not support Brewster phenomenon, however, if one changes the anisotropy continuously, the exact zero in the reflection at the Brewster incidence angle is recovered. Next, in the case of uniaxial anisotropy, we uncover dramatic changes in far-field thermal radiation induced by the transitions between metal, dielectric, and hyperbolic optical regimes that can be observed in the same material. We demonstrate that continuous evolution between different ''phases'' in the electromagnetic response imprints a characteristic signature in the far-field thermal emission. Finally, we show that the evolution of the optical anisotropy from uniaxial to biaxial symmetry brings qualitatively new optical modes which are different from the conventional propagating and evanescent fields. These emergent ''ghost'' waves offer a unique way to control mode interactions in optical systems. Our work uncovers the connection between the macroscopic properties of the optical materials and the transitions between different regimes of the electromagnetic response in these media. At last, we propose a range of potential applications of the resulting phenomena, from perfect absorption in lossy media to thermal radiation and optical sensing.</p>
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Dilute Solution Properties of Poly( n-hexyl isocyanate)and Poly(diisopropyl fumarate) / ポリ-n-ヘキシルイソシアナートおよびポリジイソプロピルフマレートの稀薄溶液物性Nakatsuji, Masayuki 25 March 2019 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・論文博士 / 博士(工学) / 乙第13241号 / 論工博第4179号 / 新制||工||1720(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科高分子化学専攻 / (主査)教授 吉崎 武尚, 教授 中村 洋, 教授 古賀 毅 / 学位規則第4条第2項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM
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Optical Anisotropy and Molecular Orientation of CuPc Films and Optical Properties of Ultra-thin High-k FilmsDing, Li 15 October 2012 (has links) (PDF)
In the thesis CuPc thin films were investigated by (in situ) SE and RAS, which are employed to determine the out-of-plane and in-plane optical anisotropy and molecular orientation, respectively. CuPc is a promising candidate of organic semiconductors used in organic field effect transistors, organic light emitting diodes and organic solar cells. Vicinal Si(111) substrates are interesting due to the in-plane anisotropy caused by the steps and terraces on the surface. The strength of in-plane anisotropy of vicinal Si(111) is dependent on the offcut angle. The influence of offcut angle on out-of-plane and in-plane molecular orientation in CuPc thin films is explored. The in situ investigation of CuPc films suggests that structural changes occur during film growth. In addition, two different surface modification layers were utilized to examine the effect on CuPc molecular orientation: OTS monolayer with upright standing molecules and PTCDA layers with flat lying molecules. Metal-organic interface plays an important role in organic electronic devices. In-CuPc is chosen to be an example system investigated employing in situ SE and RAS. When In was thermally evaporated onto CuPc film, In atoms firstly diffuse into the CuPc film underneath and then aggregate to form clusters on top.
Hafnium dioxide (HfO2) is currently a hot topic to replace the conventionally used SiO2 as gate dielectrics in order to minimize leakage current when further scaling down microelectronic devices. Since HfO2 films are often crystalline, in order to obtain amorphous films which are beneficial to minimize leakage current, aluminum oxide (Al2O3) (k value: 9) which stays amorphous at much higher temperatures are combined to overcome this difficulty. Two series of ultra-thin samples were deposited by atomic layer deposition: mixed layers HfxAl1-xOz and bilayers HfO2 on Al2O3. Optical constants and bandgap are determined using SE in the energy range of 0.7-10 eV. It is found that the (effective) optical bandgap of both mixed layer and bilayer structures can be tuned by the film composition. Aging effect of high-k films was observed after storage of samples in air for two months, which is attributed to further oxidation of the dielectric films caused by the oxygen diffusion from ambient air to high-k films. / In dieser Arbeit werden dünne Schichten aus Kupferphthalozyanin (CuPc) mittels spektroskopischer (in-situ) Ellipsometrie (SE) und (in-situ) Reflektions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) untersucht, um die optische Anisotropie in einer Ebene parallel und senkrecht zur Schichtoberfläche und die molekulare Orientierung zu bestimmen. CuPc ist ein aussichtsreicher Kandidat als organischer Halbleiter in organischen Feldeffekt-Transistoren, organischen Leuchtdioden und organischen Solarzellen. Vizinale Si(111)-Substrate sind wegen der Anisotropie in der Substratebene interessant, die durch die Treppen und Terrassen auf der Oberfläche verursacht wird. Die Stärke der Anisotropie der vizinalen Si(111)-Oberfläche ist vom Schnittwinkel (Offcut) abhängig. Es wird der Einfluss des Offcut-Winkels auf die molekulare Orientierung in dünnen CuPc-Schichten parallel und senkrecht zur Substratoberfläche untersucht. Die in-situ Untersuchungen von CuPc-Schichten weisen darauf hin, dass strukturelle Veränderungen beim Wachstum auftreten. Darüber hinaus wurden zwei unterschiedliche Oberflächenmodifizierungsschichten, um deren Wirkung auf die molekulare Orientierung von CuPc zu untersuchen, verwendet: eine OTS-Monoschicht mit aufrecht stehenden Molekülen und PTCDA-Schichten mit flach liegenden Molekülen. Metall-organische Grenzflächen spielen eine wichtige Rolle in organischen elektronischen Bauelementen. In-CuPc wird als Beispiel für ein Metall-organisches System durch in-situ SE und RAS untersucht. Wenn In thermisch auf eine CuPc-Schicht aufgedampft wird, diffundieren In-Atome zunächst in die darunterliegende CuPc-Schicht und bilden dann Cluster auf der Schicht.
Hafniumdioxid (HfO2) ist ein heißer Kandidat für das Ersetzen des herkömmlich als Gate-Dielektrikum verwendeten SiO2 mit dem Ziel, die Leckströme bei der weiteren Verkleinerung mikroelektronischer Bauelemente zu minimieren. Um amorphe Schichten, die vorteilhaft zur Minimierung der Leckströme sind, zu erhalten, werden die HfO2-Schichten, die oft kristallin sind, mit Aluminiumoxid (Al2O3) (k-Wert: 9) kombiniert, das bei wesentlich höheren Temperaturen amorph bleibt. Zwei Serien von ultra-dünnen Proben wurden durch Atomlagenabscheidung hergestellt: Mischschichten HfxAl1-xOz und Doppelschichten HfO2 auf Al2O3. Die optischen Konstanten und Bandlücken wurden mittels SE im Energiebereich von 0,7 bis 10 eV bestimmt. Es hat sich gezeigt, dass die (effektive) Bandlücke der Misch- und Doppelschichten durch die Komposition abgestimmt werden kann. Nach Lagerung der High-k-Schichten für zwei Monate an Luft konnte ein Alterungseffekt beobachtet werden. Dieser wird auf die weitere Oxidation der dielektrischen Schichten, die durch Sauerstoffdiffusion aus der Umgebungsluft in die High-k-Schichten ermöglicht wird, zurückgeführt.
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Optical Anisotropy and Molecular Orientation of CuPc Films and Optical Properties of Ultra-thin High-k Films: Optical Anisotropy and Molecular Orientation of CuPc Films and Optical Properties of Ultra-thin High-k FilmsDing, Li 25 September 2012 (has links)
In the thesis CuPc thin films were investigated by (in situ) SE and RAS, which are employed to determine the out-of-plane and in-plane optical anisotropy and molecular orientation, respectively. CuPc is a promising candidate of organic semiconductors used in organic field effect transistors, organic light emitting diodes and organic solar cells. Vicinal Si(111) substrates are interesting due to the in-plane anisotropy caused by the steps and terraces on the surface. The strength of in-plane anisotropy of vicinal Si(111) is dependent on the offcut angle. The influence of offcut angle on out-of-plane and in-plane molecular orientation in CuPc thin films is explored. The in situ investigation of CuPc films suggests that structural changes occur during film growth. In addition, two different surface modification layers were utilized to examine the effect on CuPc molecular orientation: OTS monolayer with upright standing molecules and PTCDA layers with flat lying molecules. Metal-organic interface plays an important role in organic electronic devices. In-CuPc is chosen to be an example system investigated employing in situ SE and RAS. When In was thermally evaporated onto CuPc film, In atoms firstly diffuse into the CuPc film underneath and then aggregate to form clusters on top.
Hafnium dioxide (HfO2) is currently a hot topic to replace the conventionally used SiO2 as gate dielectrics in order to minimize leakage current when further scaling down microelectronic devices. Since HfO2 films are often crystalline, in order to obtain amorphous films which are beneficial to minimize leakage current, aluminum oxide (Al2O3) (k value: 9) which stays amorphous at much higher temperatures are combined to overcome this difficulty. Two series of ultra-thin samples were deposited by atomic layer deposition: mixed layers HfxAl1-xOz and bilayers HfO2 on Al2O3. Optical constants and bandgap are determined using SE in the energy range of 0.7-10 eV. It is found that the (effective) optical bandgap of both mixed layer and bilayer structures can be tuned by the film composition. Aging effect of high-k films was observed after storage of samples in air for two months, which is attributed to further oxidation of the dielectric films caused by the oxygen diffusion from ambient air to high-k films. / In dieser Arbeit werden dünne Schichten aus Kupferphthalozyanin (CuPc) mittels spektroskopischer (in-situ) Ellipsometrie (SE) und (in-situ) Reflektions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) untersucht, um die optische Anisotropie in einer Ebene parallel und senkrecht zur Schichtoberfläche und die molekulare Orientierung zu bestimmen. CuPc ist ein aussichtsreicher Kandidat als organischer Halbleiter in organischen Feldeffekt-Transistoren, organischen Leuchtdioden und organischen Solarzellen. Vizinale Si(111)-Substrate sind wegen der Anisotropie in der Substratebene interessant, die durch die Treppen und Terrassen auf der Oberfläche verursacht wird. Die Stärke der Anisotropie der vizinalen Si(111)-Oberfläche ist vom Schnittwinkel (Offcut) abhängig. Es wird der Einfluss des Offcut-Winkels auf die molekulare Orientierung in dünnen CuPc-Schichten parallel und senkrecht zur Substratoberfläche untersucht. Die in-situ Untersuchungen von CuPc-Schichten weisen darauf hin, dass strukturelle Veränderungen beim Wachstum auftreten. Darüber hinaus wurden zwei unterschiedliche Oberflächenmodifizierungsschichten, um deren Wirkung auf die molekulare Orientierung von CuPc zu untersuchen, verwendet: eine OTS-Monoschicht mit aufrecht stehenden Molekülen und PTCDA-Schichten mit flach liegenden Molekülen. Metall-organische Grenzflächen spielen eine wichtige Rolle in organischen elektronischen Bauelementen. In-CuPc wird als Beispiel für ein Metall-organisches System durch in-situ SE und RAS untersucht. Wenn In thermisch auf eine CuPc-Schicht aufgedampft wird, diffundieren In-Atome zunächst in die darunterliegende CuPc-Schicht und bilden dann Cluster auf der Schicht.
Hafniumdioxid (HfO2) ist ein heißer Kandidat für das Ersetzen des herkömmlich als Gate-Dielektrikum verwendeten SiO2 mit dem Ziel, die Leckströme bei der weiteren Verkleinerung mikroelektronischer Bauelemente zu minimieren. Um amorphe Schichten, die vorteilhaft zur Minimierung der Leckströme sind, zu erhalten, werden die HfO2-Schichten, die oft kristallin sind, mit Aluminiumoxid (Al2O3) (k-Wert: 9) kombiniert, das bei wesentlich höheren Temperaturen amorph bleibt. Zwei Serien von ultra-dünnen Proben wurden durch Atomlagenabscheidung hergestellt: Mischschichten HfxAl1-xOz und Doppelschichten HfO2 auf Al2O3. Die optischen Konstanten und Bandlücken wurden mittels SE im Energiebereich von 0,7 bis 10 eV bestimmt. Es hat sich gezeigt, dass die (effektive) Bandlücke der Misch- und Doppelschichten durch die Komposition abgestimmt werden kann. Nach Lagerung der High-k-Schichten für zwei Monate an Luft konnte ein Alterungseffekt beobachtet werden. Dieser wird auf die weitere Oxidation der dielektrischen Schichten, die durch Sauerstoffdiffusion aus der Umgebungsluft in die High-k-Schichten ermöglicht wird, zurückgeführt.
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