Global ETD Search

21	Modelling and simulation of surface morphology driven by ion bombardment / Modellieren und Simulation der Oberflächenmorphologie gefahren durch Ionenbombardierung Yewande, Emmanuel Oluwole 02 May 2006 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Non-equilibrium Oberflächen Ionenbombardierung Selbst--organisierte nano Muster Monte-Carlo Simulation Kontinuumtheorie die coarsening Kräuselung Topographie Quantenpunkt Non-equilibrium surfaces ion bombardment self-organized nano patterns Monte Carlo simulation continuum theory ripple coarsening topography quantum dot 33.06 33.10 33.68 RTF 400: Ionenimplantation {Physik}
22	Transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zur Koausscheidung von Übergangselementen in kristallinem Silizium / Co-precipitation of transition metal impurities in crystalline silicon investigated by transmission electron microscopy Rudolf, Carsten 24 February 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Silizium metallische Verunreinigungen Metallsilizidausscheidungen Elektronenmikroskopie ternäre Phasen silicon metal impurities metal silicide precipitates ternary phases electron microscopy 33.05 33.61 33.72 RPV 750: Elektronenmikroskopie {Physik} RDE 000: Experimentalphysik RVQ 000: Halbleiter {Physik}
23	Ferromagnetismus bei Raumtemperatur in mehrphasigen (Ga,Mn)N Schichten und Heterostrukturen / Ferromagnetism at room temperature in multiphase (Ga,Mn)N layers and heterostructures Mai, Dong-Du 15 July 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science GaN (Ga Mn)N GaMnN DMS MBE SQUID TEM XRD PL Ferromagnetismus Superparamagnetismus Spin-Glas GaN (Ga Mn)N GaMnN DMS MBE SQUID TEM XRD PL ferromagnetism superparamagnetism spin-glass 33.05 33.09 33.6 33.68 33.72 33.75 RVQ 460: Elektrische 800
24	Ionenstrahlunterstütztes Wachstum von Zinn-dotierten Indiumoxid-Filmen / Ion beam assisted growth of tin-doped indium oxide films Thiele, Karola 26 March 2004 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Indium Zinn Oxid ITO dünne Schichten ionenstrahlunterstützte Deposition IBAD Mikrostruktur Wachstumsmechanismen elektrische Leitfähigkeit YBCO 530 Physik indium tin oxide ITO thin films ion beam assisted deposition IBAD microstructure growth mechanisms electrical conductivity YBCO 33.61 33.68 33.79 33.72 RVS 700: Mikrostruktur Gefüge- {Physik}
25	Elemental resolved magnetism of Gadoliniumnitride layers and GdN/Fe multilayers / Elementspezifischer Magnetismus von Gadoliniumnitrid und GdN/Fe Multilagen Leuenberger, Frank 08 July 2004 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Halbleiter Magnetismus Spektroskopie Röntgenabsorption Multilagen Spinpolarisation XMCD Semiconductors Magnetism Spectroscopy X-ray absorption Multilayers Spin polarisation XMCD 33.75 33.68 33.72 RVQ 460: Elektrische
26	Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen Vetter, Ulrich 15 July 2003 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Lanthanide Kathodoluminesznez intra-4f Elektronenübergänge Europium Thulium Gadolinium Halbleiter mit großer Bandlücke Aluminiumnitrid kubisches Bornitrid Siliziumkarbid Diamant dünne Schichten tetraedrischer amorpher Kohlenstoff Lichtemitter Starkniveau-Spektroskopie Kristallfeldanalyse Kathodolumineszenz Energiematrix Judd-Ofelt-Theorie Ionenimplantation massenselektierte Ionenstrahldeposition Emissionschanneling Gitterplatz Mössbauerspektroskopie radioaktive Lanthanidisotope 530 Physik lanthanides cathodoluminescence intra-4f electron transitions europium thulium gadolinium wide band gap semiconductors aluminum nitride cubic boron nitride silicon carbide diamond thin films tetrahedral amorphous carbon light emitters Stark level spectroscopy crystal field analysis energy matrix Judd-Ofelt theory ion implantation mass-selected ion beam deposition emission channeling lattice location Mössbauer spectroscopy radioactive lanthanide isotopes 33.60 33.30 33.07 33.06 33.43 33.72 RTF 400: Ionenimplantation {Physik} RTG 400: Anregung von Atomen atomare Energiezustände {Atomphysik} RRJ 000: Emissions- Absorptionsspektroskopie {Physik} RVQ 000: Halbleiter {Physik}

Page generated in 0.016 seconds