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1	Scanning tunneling spectroscopy of space charge regions in semiconductors: From single donor to heterostructure systems / Rastertunnelspektroskopie von Raumladungszonen in Halbleitern: Vom einzelnen Donator zu Heterostruktursystemen Teichmann, Karen 17 April 2012 (has links) No description available. 530 Physik RVQ 000 RDE 000 RVQ 475 RVQ 220 Physics scanning tunneling spectroscopy semiconductor donor charge switching heterostructure Rastertunnelspektroskopie Halbleiter Donator Ladungsschalten Heterostruktur 33.72 33.61 33.05 33.68
2	Atomic Scale Images of Acceptors in III-V Semiconductors / Band Bending, Tunneling Paths and Wave Functions Loth, Sebastian 26 October 2007 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science scanning tunneling microscopy semiconductors surfaces defects acceptors electronic band structure GaAs InAs Rastertunnelmikroskopie Halbleiter Oberflächen Defekte Akzeptoren Elektronische Bandstruktur GaAs InAs 33.72 33.23 33.68 magnetische und optische Eigenschaften}
3	Untersuchung der lokalen strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Fe-GaAs Schottky-Kontakten mit atomar aufgelöster Raster-Tunnel-Mikroskopie in Querschnittsgeometrie / Investigation of the structural and local electronic properties of Fe-GaAs Schottky contacts with atomically resolved Scanning Tunneling Microscopy in Cross-sectional configuration Winking, Lars-Helge 29 January 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science STM STS Querschnittsgeometrie Fe GaAs idealer Schottky-Kontakt Bandlückenzustände Barrierenhöhe FEM-Simulation spitzeninduzierte Bandverbiegung STM STS Cross-sectional Fe GaAs ideal Schottky contact gap-states barrier heigt FEM simulation tip-induced band bending 33.05 33.61 33.68 RVQ 475: Halbleiter-Randschichten p-n-Übergänge {Physik: Elektrische magnetische und optische Eigenschaften}
4	Target tracking using residual vector quantization Aslam, Salman Muhammad 18 November 2011 (has links) In this work, our goal is to track visual targets using residual vector quantization (RVQ). We compare our results with principal components analysis (PCA) and tree structured vector quantization (TSVQ) based tracking. This work is significant since PCA is commonly used in the Pattern Recognition, Machine Learning and Computer Vision communities. On the other hand, TSVQ is commonly used in the Signal Processing and data compression communities. RVQ with more than two stages has not received much attention due to the difficulty in producing stable designs. In this work, we bring together these different approaches into an integrated tracking framework and show that RVQ tracking performs best according to multiple criteria on publicly available datasets. Moreover, an advantage of our approach is a learning-based tracker that builds the target model while it tracks, thus avoiding the costly step of building target models prior to tracking. Visual tracking RVQ Tree structured vector quantization PCA Principal components analysis TSVQ Computer vision Residual vector quantization Image processing Imaging systems Computer graphics Image processing Digital techniques
5	Structural and electronic properties of swift heavy ion tracks in amorphous carbon / Strukturelle und elektronische Eigenschaften von Spuren schneller schwerer Ionen in amorphem Kohlenstoff Schwen, Daniel 14 February 2007 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science schwerionenbestrahlung ionenspuren amorpher Kohlenstoff Swift heavy ion tracks amorphous carbon molecular dynamics 33.60 33.06
6	Elektronische Eigenschaften neuer dotierter Halbleiter / Supraleitung im Diamant und Transporteigenschaften von RuIn<sub>3</sub> / Electronic properties of newly-discovered doped semiconductors / Superconductivity in diamond and transport properties of RuIn<sub>3</sub> Bogdanov, Dmitrij 01 August 2006 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Dotierte Halbleiter Supraleitung Leitfähigkeit Magnetowiderstand Diamant Anisotropie Metall-Isolator Übergang Doped semiconductors superconductivity conductivity magnetoresistance diamond anisotropy metal-insulator transition 33.61 33.72 33.74
7	InN and In-rich InGaN Nanocolumns by Molecular Beam Epitaxy / InN und In-reiche InGaN Nanodrähte mittels Molekularstrahlepitaxy Denker, Christian 08 November 2011 (has links) No description available. 530 Physik Physics Nanodrähte InN In-reiches InGaN Kristalwachstum Nanodrahtwachstum Eigenschaften von InN Nanodrähten Nanowires InN In-rich InGaN crystal growth nanowire growth properties of InN nanocolumns 33.61 33.72
8	GaN:Gd - Ein verdünnter magnetischer Halbleiter? / GaN:Gd - A dilute magnetic semiconductor? Röver, Martin 18 October 2010 (has links) No description available. 530 Physik Physics Molekularstrahlepitaxie Verdünnte magnetische Halbleiter Gadolinium Galliumnitrid Defekte Raumtemperaturferromagnetismus Positronenvernichtung GaN Gd MBE PAS dilute magnetic semiconductor gadolinium gallium nitride defects room temperature ferromagnetism positron annihilation spectroscopy GaN Gd MBE PAS 33.61 33.72 33.75 RVQ 460: Elektrische
9	Structural, magnetic and electrical transport properties of GaN-based magnetic semiconductors and hybrid structures / Strukturelle, magnetische und elektrische Eigenschaften von GaN-basierten verdünnten magnetischen Halbleiter und Hybridstrukturen Bedoya Pinto, Amilcar 09 November 2010 (has links) No description available. 530 Physik Physics Spintronik verdünnte magnetische Halbleiter Defekte und Dotierung von Halbleitern elektronische Lokalisierung Hopping Transport spintronics dilute magnetic semiconductors defects and doping of semiconductors electronic localization hopping transport 33.72 Halbleiterphysik
10	Single Particle Dynamics of Anderson-like Impurity Models: A Functional Renormalization Group Study / Die Einteilchendynamik von Anderson-artigen Störstellenmodellen: Untersuchung mit Hilfe der funktionalen Renormierungsgruppe Hedden, Ralf 15 March 2007 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Anderson-Störstellen-Modell Quantenpunkte Kondo-Effekt Korrelierte Elektronen Anderson Impurity Model Quantum Dots Kondo-effect Correlated Electrons 33.60 Kondensierte Materie: Allgemeines RVQ 200 Störstellen

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