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1	Scanning tunneling spectroscopy of space charge regions in semiconductors: From single donor to heterostructure systems / Rastertunnelspektroskopie von Raumladungszonen in Halbleitern: Vom einzelnen Donator zu Heterostruktursystemen Teichmann, Karen 17 April 2012 (has links) No description available. 530 Physik RVQ 000 RDE 000 RVQ 475 RVQ 220 Physics scanning tunneling spectroscopy semiconductor donor charge switching heterostructure Rastertunnelspektroskopie Halbleiter Donator Ladungsschalten Heterostruktur 33.72 33.61 33.05 33.68
2	Scanning Tunnelling Spectroscopy of Subsurface Magnetic Atoms in Copper / Electron Focusing and Kondo Effect / Rastertunnelspektroskopie an vergrabenen magnetischen Atomen in Kupfer / Elektronenfokussierung und Kondo-Effekt Weismann, Alexander 09 July 2008 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Rastertunnelspektroskopie Kondo-Effekt Friedel-Oszillationen Elektronenfokussierung Scanning Tunnelling Spectroscopy Kondo Effect Friedel Oscillations Electron Focusing 33.07 33.23 33.68 RVC740
3	Atomic Scale Images of Acceptors in III-V Semiconductors / Band Bending, Tunneling Paths and Wave Functions Loth, Sebastian 26 October 2007 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science scanning tunneling microscopy semiconductors surfaces defects acceptors electronic band structure GaAs InAs Rastertunnelmikroskopie Halbleiter Oberflächen Defekte Akzeptoren Elektronische Bandstruktur GaAs InAs 33.72 33.23 33.68 magnetische und optische Eigenschaften}
4	GaN:Gd - Ein verdünnter magnetischer Halbleiter? / GaN:Gd - A dilute magnetic semiconductor? Röver, Martin 18 October 2010 (has links) No description available. 530 Physik Physics Molekularstrahlepitaxie Verdünnte magnetische Halbleiter Gadolinium Galliumnitrid Defekte Raumtemperaturferromagnetismus Positronenvernichtung GaN Gd MBE PAS dilute magnetic semiconductor gadolinium gallium nitride defects room temperature ferromagnetism positron annihilation spectroscopy GaN Gd MBE PAS 33.61 33.72 33.75 RVQ 460: Elektrische
5	Untersuchung der lokalen strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Fe-GaAs Schottky-Kontakten mit atomar aufgelöster Raster-Tunnel-Mikroskopie in Querschnittsgeometrie / Investigation of the structural and local electronic properties of Fe-GaAs Schottky contacts with atomically resolved Scanning Tunneling Microscopy in Cross-sectional configuration Winking, Lars-Helge 29 January 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science STM STS Querschnittsgeometrie Fe GaAs idealer Schottky-Kontakt Bandlückenzustände Barrierenhöhe FEM-Simulation spitzeninduzierte Bandverbiegung STM STS Cross-sectional Fe GaAs ideal Schottky contact gap-states barrier heigt FEM simulation tip-induced band bending 33.05 33.61 33.68 RVQ 475: Halbleiter-Randschichten p-n-Übergänge {Physik: Elektrische magnetische und optische Eigenschaften}
6	Structural and optical impact of transition metal implantation into zinc oxide single crystals and nanowires / Strukturelle und optische Auswirkungen derÜbergangsmetallimplantation in ZnO Einkristalle und Nanodrähte Müller, Sven 30 March 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Nanodraht Zinkoxid Photolumineszenz Kathodolumineszenz Ionenimplantation Leuchtzentren Dotierung Übergangsmetalle Eisen Nickel Mangan Kobalt Vanadium interstitieller Sauerstoff interstitielles Zink grünes Lumineszenzband rot-gelbes Lumineszenzband intra-3d Lumineszenz Zweiphasen Raman Röntgenbeugung nanowire zinc oxide photoluminescence cathodoluminescence ion implantation color center doping transition metals iron nickel manganese cobalt vanadium interstitial oxygen interstitial zinc green luminescence band red-yellow luminescence band intra-3d-shell luminescence secondary phases raman X-ray diffraction 33.07 33.61 33.72 RVC 520: Gitterschwingungen RVQ 000: Halbleiter {Physik}
7	Lanthanide Doped Wide Band Gap Semiconductors: Intra-4f Luminescence and Lattice Location Studies / Lanthanid-dotierte Halbleiter mit großer Bandlücke: Intra-4f Lumineszenz- und Gitterplatzuntersuchungen Vetter, Ulrich 15 July 2003 (has links) No description available. Mathematics and Computer Science Lanthanide Kathodoluminesznez intra-4f Elektronenübergänge Europium Thulium Gadolinium Halbleiter mit großer Bandlücke Aluminiumnitrid kubisches Bornitrid Siliziumkarbid Diamant dünne Schichten tetraedrischer amorpher Kohlenstoff Lichtemitter Starkniveau-Spektroskopie Kristallfeldanalyse Kathodolumineszenz Energiematrix Judd-Ofelt-Theorie Ionenimplantation massenselektierte Ionenstrahldeposition Emissionschanneling Gitterplatz Mössbauerspektroskopie radioaktive Lanthanidisotope 530 Physik lanthanides cathodoluminescence intra-4f electron transitions europium thulium gadolinium wide band gap semiconductors aluminum nitride cubic boron nitride silicon carbide diamond thin films tetrahedral amorphous carbon light emitters Stark level spectroscopy crystal field analysis energy matrix Judd-Ofelt theory ion implantation mass-selected ion beam deposition emission channeling lattice location Mössbauer spectroscopy radioactive lanthanide isotopes 33.60 33.30 33.07 33.06 33.43 33.72 RTF 400: Ionenimplantation {Physik} RTG 400: Anregung von Atomen atomare Energiezustände {Atomphysik} RRJ 000: Emissions- Absorptionsspektroskopie {Physik} RVQ 000: Halbleiter {Physik}

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