SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de integração com a tecnologia de Si. Implantação em alta temperatura (600°C) através de uma capa de SiO2, recozimento pós-implantação a 1250°C sob um ambiente de Ar (com 1% de O2) e ataque químico são a base da presente síntese. Implantações à energia de 40 keV foram executadas em substratos SIMOX(111) e Si(111), cobertos com uma capa de 100 nm de SiO2. Implantação em SIMOX foi o foco principal. Isto nos permitiu obter uma camada sintetizada de SiC separada do Si bulk e analisar as conseqüências estruturais. Neste caso, foi produzida a conversão da camada superior de 65 nm de Si superior da estrutura SIMOX em 30-45 nm de SiC. Implantações seqüenciais de C (passos de fluências de ~ 5 × 1016 C/cm2), seguidas por recozimento à 1250°C, permitiu estimar as fluências mínimas de C para atingir a estequiometria como 2,3 × 1017 C/cm2 e 2,8 × 1017 C/cm2, quando implantado em SIMOX e em Si, respectivamente. Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS) foi empregada para medir a evolução composicional da camada. Pela análise das implantações seqüenciais, foi possível compreender a redistribuição de carbono durante a implantação e recozimento. Uma estrutura de duas camadas é observada no SiC sintetizado separado do Si bulk, sendo a camada superficial mais rica em Si. Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM) mostrou que as camadas sintetizadas são sempre cúbicas e epitaxiais à estrutura original do Si. TEM também mostrou que as implantações diretas, até as fluências mínimas, resultam em uma melhor qualidade estrutural. Para uma fluência muito mais alta (4 × 1017 C/cm2), uma camada completamente estequiométrica é obtida, com redução na qualidade estrutural. Nossos resultados indicam que o excesso de carbono é o principal fator determinante da qualidade cristalina final do SiC sintetizado por feixe de íons, quando comparado ao stress, resultante de um casamento de redes forçado entre o substrato Si e o SiC sintetizado. / SiC is a promising semiconductor for high-power, high-frequency and hightemperature electronic devices and the synthesis of an epitaxial layer of SiC by implantation, on the surface of Si, can be a route for integration with the Si technology. High temperature implantation (600oC) through a SiO2 cap, 1250oC post-implantation annealing under Ar ambient (with 1% of O2), and chemical etching are the base for the present synthesis. 40 keV carbon implantations were performed into SIMOX(111) and Si(111) substrates covered with a 100 nm SiO2 cap. Implantation into SIMOX was the main focus. It has allowed us to obtain a SiC synthesized layer separated from the bulk silicon and to analyze the structural consequences. In this case, it was performed the conversion of a 65 nm Si(111) overlayer of a SIMOX(111) into 30-45 nm SiC. Sequential C implantations (fluence steps of about 5 × 1016 C/cm2), followed by 1250oC annealing, has allowed to estimate the minimum C fluences to reach the stoichiometric composition as 2.3 × 1017 C/cm2 and 2.8 × 1017 C/cm2, when implanting into SIMOX and into Si, respectively. Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) was employed to measure layer composition evolution. By analyzing the sequential implantations it was possible to understand the carbon redistribution during implantation and annealing. A two-sublayers structure is observed in the synthesized SiC separated from the bulk Si, being the superficial one richer in Si. Transmission Electron Microscopy (TEM) has shown that the synthesized layers are always cubic and epitaxial to the original Si structure. TEM also show that single-step implantations, up to the minimum fluences, result in better structural quality. For a much higher C fluence (4 × 1017 C/cm2), a whole stoichiometric layer is obtained, with reduction of structural quality. Our results indicate that excess of carbon content is the major detrimental factor to determine the final crystalline quality in SiC ion beam synthesis, as compared to the stress, resulting from a forced lattice matching between the Si substrate and the synthesized SiC.

As propriedades magnéticas e de magneto-transporte de filmes finos de diamante dopado com boro e de amostras massivas de grafite pirolítico altamente orientado (HOPG) implantado com sódio foram estudadas experimentalmente em função da temperatura, do campo magnético aplicado e da concentração de impurezas. Os filmes de diamante foram produzidos com a técnica de deposição química a partir da fase vapor (CVD). Os filmes foram crescidos sobre substrato de ZrO2 e são auto-sustentáveis. Fonte sólida de boro foi usada para o processo de dopagem. A introdução de boro produz uma banda de impurezas que domina o transporte elétrico nestes materiais. O mecanismo de condução eletrônica é do tipo salto de alcance variável na presença de um gap de Coulomb. Para uma certa concentração de boro, uma transição metal/isolante induzida pela temperatura foi observada. Nesta amostra, medidas de coeficiente Hall indicam que a concentração é devida a portadores de tipo elétron e de tipo lacuna. A concentração de Na nas amostras de grafite HOPG alcançou 1 e 2 at % na região implantada. Medidas magnéticas nas amostras HOPG mostram a presença de uma fraca contribuição ferromagnética, que se manifesta na configuração de campo magnético aplicado paralelamente aos planos de grafeno. A magnetização de saturação correspondente a essa resposta é significativamente maior nas amostras implantadas que no sistema puro. Oscilações de Schubnikov-de Haas são observadas nas medidas de magnetoresistência efetuadas neste sistema. A partir da dependência em temperatura do fator de Lifchitz-Kosevich foram obtidas as massas efetivas dos portadores de carga relevantes, as quais não dependem da quantidade de impurezas de Na presentes nas amostras. / Magnetic and magneto-transport properties of boron doped-diamond thin films and bulk samples of highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) were studied as functions of temperature, applied magnetic field and impurity content. Self-sustained diamond films were prepared by chemical vapor deposition (CVD). Doping was obtained from a solid boron source. Eletrical transport in these films is dominated by a variable range hopping process in the presence of a Coulomb gap. For a givem boron concentration, a temperature induced metal-isulator transition was observed. Measurements of the Hall coefficient in this sample revealed that electron-like and hole-like carriers are present. The Na concentrations in the implanted-HOPG samples attain 1 and 2 at % in the implanted region. Magnetic measurements in the HOPG samples revealed the occurrence of a weak ferromagnetic response when the field is applied parallel to the graphene sheets. The saturation magnetization of the implanted samples is significantly larger than that of the undoped HOPG system. Schubnikov-de Haas oscilations are observed in magneto-resistance measurements. From the temperature dependence of the Lifchitz- Kosevich factor, the effective masses of the relevant carries in HOPG are determined. These masses do not depend on the presence of the Na impurities.

Este trabalho apresenta um estudo sobre a inserção de boro em filmes de diamante crescidos via deposição química a vapor (CVD) e propõe-se a conceber uma rota alternativa de incorporação de boro por fonte sólida, em alta concentração, a partir do substrato de deposição. Num primeiro grupo de experimentos estudou-se o comportamento dos filmes depositados em zircônia parcialmente estabilizada, traçando procedimentos específicos de pré-tratamento dos substratos. Num segundo grupo de experimentos objetivou-se estudar a incorporação de boro em filmes crescidos em substratos de grafite e substratos compostos de grafite/boro amorfo e grafite/boro cristalino. Num terceiro grupo de experimentos foi testada a deposição dos filmes em substratos de boro amorfo. Foram utilizadas diferentes técnicas de análise, sendo que aqueles filmes crescidos sobre zircônia, além de auto-sustentados, apresentaram boa cristalinidade e alta incorporação de boro. Ainda pôde ser observado nesses filmes: texturização, defeitos cristalinos e segregação de ordem nanométrica. Os filmes oriundos do segundo grupo de análise cresceram fortemente aderidos e nos permitiram caracterizar a região de interface filme-substrato a partir de um ataque químico realizado nos mesmos. Foi identificada uma concentração ótima de boro a ser misturada à grafite no substrato para obter filmes altamente dopados. É indiferente utilizar boro amorfo ou cristalino no processo, como apontado pelos resultados. Para o grupo de substratos de boro amorfo, nas condições estudadas, não foi possível a nucleação de diamante. / This work presents a study about boron doping of diamond films grown by chemical vapor deposition (CVD) and proposes an alternative route of boron incorporation by solid source, in high concentration, from the substrate of deposition. In the first group of experiments the behavior of the films deposited in partially stabilized zirconia was studied, tracing specific procedures of pre-treatment of substrate. In the second group of experiments it was studied the boron incorporation in films grown in substrates of graphite and substrates of graphite/amorphous boron and graphite/crystalline boron. In the third group of experiments the deposition of the films in amorphous boron substrates was investigated. Different techniques of analysis were used, being that those films that had been grown on zirconia, beyond self-supporting, showed good crystallinity and high incorporation of boron. It could be observed in those films: texturization, crystalline defects and segregation of nanometric order. The films deriving from the second group of analysis had grown strongly adhered to substrate and made possible the characterization of region between substrate-film from a chemical treatment realized on them. It was identified a saturation limit of the concentration of boron to be mixed to graphite in the substrate to get highly doped films. It is indifferent to use amorphous or crystalline boron during the process, like showed by the results. To the group of amorphous boron substrates, in the studied conditions, it was not possible to nucleate diamond.

A Espectroscopia de Transientes de Níveis Profundos (DLTS – Deep Level Transient Spectroscopy) foi, detalhadamente, descrita e analisada. O processo de isolação por implantação em GaAs foi estudado. Sua dependência com a sub-rede, do As ou do Ga, em que o dopante é ativado foi investigada para material tipo-p. Semelhantes doses de implantação de prótons foram necessárias para se tornar semi-isolantes camadas de GaAs dopadas com C ou com Mg possuindo a mesma concentração de pico de lacunas livres. A estabilidade térmica da isolação nestas amostras foi medida. Diferenças no comportamento de recozimento destas apontaram a formação, provavelmente durante a referida etapa térmica, de uma estrutura diferente de defeitos em cada caso. Medidas de DLTS foram realizadas em amostras de GaAs tipo-n e tipo-p implantadas com prótons de 600 keV. A estrutura de picos observada apresentou, além de boa parte dos defeitos introduzidos para o caso de irradiação com elétrons, defeitos mais complexos. Um novo nível, com energia superior em ~0,64 eV ao valor correspondente ao topo da banda de valência, foi identificado nos espectros medidos em material tipo-p. A variação da concentração dos centros de captura introduzidos com diferentes etapas de recozimento foi estudada e comparada com o comportamento previamente observado para a resistência de folha em camadas de GaAs implantadas com prótons. Simulações foram feitas, indicando que a interpretação adotada anteriormente, associando o processo de isolação diretamente à formação de defeitos relacionados a anti-sítios, pode não estar completa.

O conhecimento da física de semicondutores foi usado para desenvolver e otimizar um sensor ótico de silício capaz de determinar com precisão a posição bidimensional de incidência de um feixe de luz em sua superfície. O sensor usa o efeito de fototensão lateral para gerar um sinal elétrico de saída que é função da posição de incidência da luz. Tecnologia planar do silício foi usada na fabricação do dispositivo, incluindo implantação iônica, difusão, fotolitografia, deposição de filmes metálicos e crescimento de dielétricos. A caracterização elétrica do sensor inclui medidas estáticas, com a distribuição de portadores em regime estacionário, medidas dinâmicas, onde é analisado o transiente do sinal elétrico e medidas espectroscópicas para analisar a resposta do sensor em função do comprimento de onda da luz incidente. Simulações dos processos de fabricação, parâmetros dos passos tecnológicos, distribuição dos portadores e do potencial elétrico bidimensional no sensor foram usadas para a otimização das características do sensor.

Neste trabalho estudamos comportamento assintótico de problemas parabólicos semilineares do tipo ut ¡div(p(x)Nu)+l u = h(u) em um domí?nio limitado e suave W ½ Rn, com condições de Neumann na fronteira, quando o coeficiente de difusão p se torna grande em uma sub-região W0 que é interior ao domí?nio físico W. Provamos que, sob determinadas hipóteses, a família de atratores se comporta semicontinuamente inferior e superiormente quando a difusão explode em W0 / In this work we study the asymptotic behavior of semilinear parabolic problems of the form ut ¡div(p(x)Ñu)+l u = h(u) in a bounded smooth domain W ½ Rn and Neumann boundary conditions when the diffusion coefficient p becomes large in a subregion W0 which is interior to the physical domain W. We prove, under suitable assumptions, that the family of attractors behave upper and lowersemicontinuously as the diffusion blows up in W0.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:22:36Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2014-01-20Bitstream added on 2014-06-13T20:27:27Z : No. of bitstreams: 1 paz_rr_me_bauru.pdf: 1210657 bytes, checksum: dda81099a2ae7f6313bd197c95e5e2ab (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / O objetivo deste trabalho consiste em realizar a análise de topologias de conversores CC-CC chaveados elevadores, com elevado ganho, para servirem de estágio de entrada em aplicações de sistemas de energias alternativas. As arquiteturas dos conversores são analisados e comparadas com relação aos seus aspectos construtivos e operacionais, incluindo os esforços de tensão e corrente nos interruptores e a característica da forma da onda de corrente drenada da fonte de alimentação. Os conversores elevadores avaliados na proposta são construídos empregando técnicas de arquitetura celular, considerando a associação paralela das células de potência de conversores elevadores, especificamente a célula Boost. Os modos de operação são analisados considerando o modo de condução contínua, modo de condução crítica e modo de condução descontínua. Para a associação paralela, a operação das células de potência é delimitada através da técnica de entrelaçamento. Os comportamentos dos conversores são avaliados considerando o desenvolvimento de modelos baseados na estratégia de modelação por valores médios, e ratificados por simulações computacionais / The goal of this work is to develop the analysis and modeling of step-up switched DC-DC converters architectures, with high gain, to serve as input stage in renewable energy systems applications. The power converter architectures are analyzed and compared with respect to their construction and operational aspects, including voltage and current stresses in the switches and the characteristic of the current waveform draw from the power source. The step-up converters are constructed using cellular archiecture, considering the parallel association of power cells, specifically the Boost power cell. The operating modes are analyzed considering continuous conduction mode, discontinuous conduction mode and critical conductional mode. In parallel association, the operation of power cells is performed using interleaved technique. The behavior of the converters are evaluated considering the development of models based on average modeling strategy averages, and ratified by computer simulations

Submitted by PEDRO HENRIQUE SUMAN null (phsuman@yahoo.com.br) on 2016-10-01T00:34:00Z No. of bitstreams: 1 Tese_Pedro_Final_novo.pdf: 17387364 bytes, checksum: 4749ea76239f897a32a707ec991707c0 (MD5) / Approved for entry into archive by Ana Paula Grisoto (grisotoana@reitoria.unesp.br) on 2016-10-04T17:39:33Z (GMT) No. of bitstreams: 1 suman_ph_dr_araiq.pdf: 17387364 bytes, checksum: 4749ea76239f897a32a707ec991707c0 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-10-04T17:39:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 suman_ph_dr_araiq.pdf: 17387364 bytes, checksum: 4749ea76239f897a32a707ec991707c0 (MD5) Previous issue date: 2016-06-30 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Neste trabalho, as propriedades sensoras de gás de nanoestruturas de óxido de estanho puras (SnO2) e híbridas (SnO2-Pt, SnO2-CuO e SnO2-CuO-Pt) foram estudadas na presença de diferentes gases. Os materiais foram sintetizados pelo método de electrospinning seguido por tratamento térmico e, posteriormente, foram caracterizados por termogravimetria (TG), difração de raios X (DRX), microscopia eletrônica de varredura com emissão por campo (MEV-FEG), microscopia eletrônica de transmissão (MET), espectroscopia por dispersão em energia de raios X (EDS), microscopia de força atômica (AFM) e área de superfície específica e porosidade (BET). O foco principal do trabalho foi analisar a resposta dos materiais sintetizados como sensores de gás para a detecção de gases tóxicos e inflamáveis em baixas concentrações e em uma temperatura de operação de 300 °C. Os resultados obtidos a partir das caracterizações estruturais e morfológicas mostraram que o método de electrospinning permite a obtenção de materiais unidimensionais (1D) policristalinos com elevada homogeneidade morfológica e pureza cristalina. Além disso, os elementos químicos presentes nas estruturas de cada material sintetizado foram mapeados e identificados, onde verificou-se que todos os elementos estão homogeneamente distribuídos ao longo da estrutura das fibras. As características superficiais dos materiais, tais como rugosidade e porosidade também foram estudadas e os resultados indicaram que, dependendo da composição química das fibras, estruturas com diferentes níveis de rugosidade e área superficial podem ser obtidas. Medidas elétricas na presença de NO2, CO, H2, e CH4 mostraram que todos os materiais exibem comportamento de semicondutor do tipo-n e resposta sensora dependente da concentração do gás analito. As fibras de SnO2 e SnO2-Pt exibiram maior resposta sensora para a detecção de NO2 enquanto as fibras de SnO2-CuO e SnO2-CuO-Pt tiveram maior resposta na presença de H2, além de elevada seletividade para H2 em relação ao CH4. Em geral, os resultados obtidos mostram que os materiais produzidos são bastante promissores e têm grande potencial para serem estudados detalhadamente como sensores de gás. / In this work, the gas sensing properties of pure (SnO2) and hybrid (SnO2-Pt, SnO2-CuO and SnO2-CuO-Pt) tin oxide nanostructures were studied in the presence of different analyte gases. Materials were synthesized by electrospinning method followed by thermal treatment and subsequently characterized by thermogravimetry (TG), X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), transmission electron microscopy (TEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), atomic force microscopy (AFM) and specific surface area and porosity (BET). The main focus of the work was to analyze the gas sensor response of the synthesized materials for the detection of toxic and flammable gases in low concentrations at 300 °C. The results from the morphological and structural characterizations by XRD, SEM and TEM showed the electrospinning method allows obtaining polycrystalline 1D materials with high morphological homogeneity and crystalline purity. Furthermore, the chemical elements present in the structures of each synthesized material and it was found that all elements are homogeneously distributed throughout the fiber structures. The surface characteristics of materials, such as roughness and porosity were also studied and the results indicated that depending on the chemical composition of the fibers, structures with different levels of roughness and surface area can be obtained. Electrical measurements in the presence of NO2, H2, CO and CH4 were performed in order to verify the gas sensor properties of the nanostructures, and results showed that all materials exhibit n-type semiconducting behavior and the sensor response to be dependent on the analyte gas concentration. The SnO2 and SnO2-Pt fibers showed higher sensor response to NO2 detection while SnO2-CuO and SnO2-CuO-Pt fibers presented greater sensitivity for H2 as well as high selectivity to H2 compared to CH4. In general, the results showed that the produced materials are very promising and have high potential to be studied in detail as gas sensors materials. / FAPESP: 2012/11139-7

Made available in DSpace on 2015-05-14T12:14:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 arquivototal.pdf: 1772565 bytes, checksum: 5c517512ca9bac528800c128842a30be (MD5) Previous issue date: 2011-09-16 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / In this work we present results of systematic experimental experiments observing the emission of semiconductor lasers under optical orthogonal feedback. Following previous work on the frequency behavior of laser diodes submitted to orthogonal feedback, we analyse the behavior of the two orthogonal polarization of the radiation. The emission has a main polarization (the so-called TE polarization) whose intensity is higher than the orthogonal one (the TM polarization). This ratio depends on the type of laser diode and we have measure ration between the two modes of about 100, 500, 800 and 1300 for different lasers, from different models and producers. We catheterize the TM mode, whose current threshold and spectral width is about the same than the main TE mode. We also analyze how the frequency shifts as a function of the feedback power, and we observed s correlation between this frequency shift and the ratio between the two polarizations. We interpreted this result as been due to the geometrical coupling of the feedback beam into the semiconductor cavity. The is a good agreement of the measurement with the calculated behavior. / Neste trabalho apresentamos um estudo sistemático da emissão de lasers semicondutores submetidos a uma realimentação ótica ortogonal. Após uma série de estudos anteriores da dinâmica em freqüência de diodos lasers com re-injeção ótica ortogonal, estamos analisando mais detalhadamente o comportamento das duas componentes de polarização da radiação laser. A emissão principal (TE) tem intensidade entre dezenas e centenas de vezes maior que a emissão no modo ortogonal (TM) dependendo do tipo do diodo laser. Medimos fatores de cerca de 100, 500, 800 e 1300 para lasers de diferentes fabricantes e modelos. Inicialmente observamos, para alguns lasers, que a pequena emissão TM também tem largura de emissão comparável ao modo principal e possui o mesmo limiar de corrente. Analisamos também a dependência do deslocamento em freqüência que ocorre quando re-injetamos com polarização cruzada parte do feixe laser na cavidade semicondutora. Observamos que para diferentes lasers existe uma variação sistemática do deslocamento para uma mesma potência de realimentação. Fizemos uma interpretação simples desse comportamento em termos do acoplamento geométrico do nível de luz que volta na junção do semicondutor.

Orientador: Victor Ciro Solano Reynoso / Banca: José Humberto Dias da Silva / Banca: Luiz Francisco Malmonge / Resumo: Preparou-se e caracterizou-se, neste trabalho, semicondutores de PbS (Chumbo Sulfide) e Bi2S3 (Bismuto Sulfide) através do método de Deposição por Banho Químico (CBD). Este método tem provado ser o método mais barato e também não poluente. A técnica consistiu na preparação de solução de íons metálicos misturada em uma solução que contenha o íon S-2 formar o semicondutor na forma de filme fino e precipitado (pó). Semicondutor de PbS foi preparado misturando, em temperatura ambiente, solução de acetato de chumbo, hidróxido de sódio, tiouréia e trietanolamina (TEA). Por outro lado, semicondutor de Bi2S3 foi preparado misturando, em temperatura ambiente, solução de nitrato de bismuto, tioacetamida e trietanolamina. A medida de difração de Raios-X (XRD) mostrou a uma estrutura cúbica de face centrada de PbS e uma estrutura ortorrômbica de Bi2S3, que além de formar os semicondutores, mostrou indícios de impureza (sulfate e hidroxidos) em tratamento térmico acima de 200ºC. Pela medida de Calorimetria Diferencial de Varredura, (DSC) dos pós dos semicondutores, o dado mostrou que para PbS a temperatura de cristalização está em torno de 350ºC e para Bi2S3 está em torno de 273ºC com formações de outras fases. Medidas de Transmitância Uv-Vis-Nir foram usadas para determinar os "gaps" ópticos para os filmes finos semicondutores. Considerando as transições diretas e indiretas, os valores dos "gaps" para os filmes finos de PbS estiveram em torno de 0,5 eV e para os filmes finos de Bi2S3 em torno de 1,6 eV, mudando com o tratamento térmico. A medida Espectroscopia Fotoelétria de Raios-X (XPS) foi usada para mostrar a evolução de crescimento dos semicondutores nos filmes. Na medida elétrica, a resistência diminuiu com o aumento da temperatura, mostrando o comportamento típico dos semicondutores. / Abstract: In this work, we prepared and characterized PbS (Lead Sulfide) and Bi2S3 (Bismuth Sulfide) semiconductors by Chemical Bath Deposition (CBD) method. This method has been proved to be the least expensive and non-polluting method. The technique consisted in the preparation of metallic ions solution mixed in a solution that contains the S-2 ion to form the semiconductor in the thin film and precipitated (powder) forms. PbS semiconductor was prepared by mixing, at room temperature, of lead acetate, sodium hydroxide, thiourea, and triethanolamine (TEA) solutions. On the other hand, Bi2S3 semiconductor was prepared by mixing, at room temperature, of bismuth nitrate, thioacetamide, and triethanolamine solutions. The X-ray diffraction (XRD) measure showed a PbS face centered cubic structure and a Bi2S3 orthorhombic structure that besides forming the semiconductors, there were indications of impurity (sulfate and hydroxide) in thermal treatment above 200ºC. By the measure of Differential Scanning Calorimetric (DSC) of the semiconductor powders, data has shown that for PbS the crystallization temperature is about 350ºC and for Bi2S3 is about 273ºC with other phase formations. Uv-Vis-Nir transmittance measures were used to determine the optical gaps for the semiconductor thin films. Considering direct and indirect transition, the gap values for PbS thin films are about 0.5 eV and for Bi2S3 thin films are about 1.6 eV, changing with the thermal treatment. The X-ray Photoelectric Spectroscopy (XPS) measure was used to show the semiconductor growth evolution in the films. In the electrical measure, the resistance decreased with the increase of the temperature, showing the typical behavior of the semiconductors. / Mestre