Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T07:10:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Freire_ValderNogueira_D.pdf: 3348034 bytes, checksum: c6ea9fcdedfefc9538669e8332947930 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Utilizando uma Teoria Não-linear de Transporte obtido do operador estatístico de não-equilibrio de Zubarev, obtém-se as equações que governam a evolução do estado de não-equilibrio de semicondutores polares de gap direto altamente fotoexcitados submetidos a intensos campos elétricos contínuos. É demonstrada a possibilidade de existência de três diferentes tipos de comportamento dos transientes rápidos da mobilidade: (i) estrutura (i.e. existência de máximos e mínimos) sem overshoot em campos baixos, (ii) estrutura com overshoot em campos intermediários, (iii) evolução normal (nenhuma estrutura) em campos intensos. Um critério para existência destes transientes ultra-rápidos é deduzido e cálculos numéricos apropriados ao problema de transporte portadores no vale central do GaAs são efetuados, indicando condições para a sua confirmação experimental / Abstract: Using a Nonlinear Transport Theory derived from the nonequilibrium statistical operator in Zubarev's approach, the equations that govern the evolution of the nonequilibrium state of a highly photoexcited direct-gap polar semiconductor submitted to high electric DC fields is obtained. It is demonstrated the possibility of the existence of three differentiated types of behaviour of the ultrafast mobility transient: (i) structure (i.e. existence of maxima and minima) without overshoot at low fields, (ii) structure with overshoot at intermediate fields, (iii) normal evolution (no structure) at high fields. A criterion for the occurrence of this structured ultrafast mobility transient is established, and numerical calculations appropriated for carriers transport in the central valley of GaAs are performed, showing conditions for its realization / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

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Orientador: Jose Alexandre Diniz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T16:19:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Felicio_AlexandreGorni_M.pdf: 3627115 bytes, checksum: 94d240c3e9bde7ece4a7aaa2e987b0a9 (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através de implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2+) com baixa energia em substrato de silício com posterior oxidação térmica. Os filmes foram caracterizados por elipsometria (espessura), por espectrometria de absorção do infta-vermelho (FTIR) (ligações químicas) e por espectrometria de massa do íon secundário (SIMS) (distribuição de nitrogênio). Estes filmes foram utilizados como isolantes de porta de transistores nMOSFETs e capacitores MOS. Caracteristicas elétricas como mobilidade entre 390 cm ² /Vs a 530 cm²/vs, e inclinação (slope) na região de sub-limiar entre 7OmV/dec e 15OmV/dec foram obtidas nos nMOSFETs. Nos capacitores MOS foram feitas medidas de capacitância x tensão (C-V) (espessura) e de corrente x tensão (corrente de fuga). Através das curvas C-v foram obtidas espessuras equivalentes (EOT) entre 2.9nm e 15.7nm. Os filmes de oxinitreto com EOT entre 2.9 cm 4.3 cm apresentaram densidades de corrente de fuga entre 4.5mA/cm² e 50nA/cm² / Abstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy)films by low-energy molecular nitrogen (N21 into silicon substrate prior to thermal oxidation. The films were characterized by ellipsometry (thiclmess), infta-red absorption spectrometry (FTIR) (chemical bonds) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) (nitrogen distribution). These films have been used as gate insulators in nMOSFETs and MOS capacitors. NMOSFET electrical characteristics, such as field effect mobility between 390 cm²/Vs and 530 cm² /Vs, and sub-threshold slope between 70 mV/decade and 150 mV/decade, were obtained. MOS capacitors were used to obtain capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements. The Equivalent Oxide Thickness (EOT) ofthe films were obtained ftom C-V curves, resulting in values between 2.9nm and 15.7nm. SiOxNygate insulators with EOT between 2.9nm and 4.3nm have presented gate leakage current densities between 4,5mA/cm² and 50nA/cm² / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:48:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fernandes_LucianoSzezerbaty_M.pdf: 3859245 bytes, checksum: 6847fdd07b7fdfda7c549e8eeda8b270 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Este trabalho descreve o estudo realizado sobre a fabricação de sensores integrados no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), utilizando-se a Tecnologia Bipolar convencional para a fabricação de circuitos integrados. São analisados dois tipos de sensores térmicos que operam em um Degrau de Temperatura Constante (DTC). Um dos sensores é baseado na deteção de diferenças de temperaturas induzidas pelo fluxo sobre a superfície aquecida de um "chip" (sensor direcional). O outro é baseado na perda de calor para o fluxo. Ambos sensores são fabricados em lâminas de Si. São mostrados os resultados obtidos para um fluxo de Nitrogênio seco e apresentadas as curvas de calibração para o elemento sensor baseado na perda de calor. Também são discutidos os possíveis aperfeiçoamentos nos sensores desenvolvidos / Abstract: This work describes the study done about the production of integrated sensors at the Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), using conventional Bipolar Technology for IC fabrication. Two types of thermal sensors, both operating at a Constant-Temperature Step (CTS), are analysed. One of the sensors is based on the detection olsmall temperature-induced differences over the heated surface of a chip (directional sensor). The other one is based on the heat loss to the flux. Both sensors are made using Silícon wafers. Results obtained for a dry Nitrogen flux are given. Calibration measurements for the heat loss type sensor are presented and, also, possible improvements on the developed sensors are indicated. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Doctor en Ingeniería Eléctrica / Este trabajo presenta el diseño, construcción y caracterización de dispositivos para receptores radioastronómicos en las bandas Q (30-50GHz) y W (80-110GHz). Por un lado, el dispositivo desarrollado para la banda Q es de interés para la banda 1 del telescopio argentino-brasileño LLAMA (Long Latin American Array). Por otro lado, los componentes de banda W pueden ser utilizados en la banda 3 de LLAMA o en posibles mejoras para el Telescopio Austral de Ondas Milimétricas (SMWT) que es mantenido por nuestro grupo. Para la banda Q, se diseñó y construyó un amplificador de bajo ruido utilizando un esquema hibrido de integración. Se integró un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) y un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) obtenido comercialmente. Con este diseño una temperatura de ruido inferior a 20 K y una ganancia superior a 30 dB pueden ser obtenidas. En la banda W se desarrollaron varios componentes. En primer lugar, se empaquetaron amplificadores comerciales MMIC de las compañías OMMIC y HRL. Al ser medidos a 15K estos amplificadores de bajo ruido alcanzaron temperaturas de ruido menores a 100K y ganancias superiores a 17 dB. Dada su disponibilidad comercial se determinó que son apropiados para ser utilizados como segundo amplificador en un receptor. Segundo, utilizando diodos Schottky comerciales, se fabricaron mezcladores sub-armónicos que cubren la banda W extendida. Las técnicas de desarrollo han variado desde el uso de componentes discretos hasta el diseño de MMICs para reducir el tamaño de los mezcladores. Los componentes mencionados previamente han sido ensamblados en un módulo compacto que puede ser utilizado en la etapa de mezcla de frecuencias. Este módulo posee una temperatura de ruido menor a 800 K y ganancia superior a 2dB a temperatura ambiente. Finalmente, se construyó una antena de ranura cuyo perfil ha sido optimizado para mejorar sus principales características (reflexiones, ancho de banda, polarización cruzada y simetría de haz). Entre las antenas de su tipo, esta es la única que posee un perfil optimizado lo que ha permitido obtener el mejor funcionamiento alcanzado hasta el momento. / Este trabajo ha sido parcialmente financiado por el Proyecto Gemini-Conicyt 32130023, Centro Basal de Astronomía y Tecnologías Afines (CATA), "Programa de Formación de Capital Humano Avanzado" de CONICYT y el Comité Mixto ESO-Chile

Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015

Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice / Made available in DSpace on 2012-10-16T05:22:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T18:17:03Z : No. of bitstreams: 1 91741.pdf: 1577555 bytes, checksum: 73f6935850c9837522bbdc8d99791380 (MD5) / Este trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor").

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica / Made available in DSpace on 2012-10-23T10:53:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 247993.pdf: 2899393 bytes, checksum: 19b7879b0ad6513981437e9ffb46ca82 (MD5) / O presente trabalho propõe um multiplicador operando em quarto quadrantes baseado em células que exploram a relação existente entre a corrente de saturação de um transistor MOS e a transcondutância de fonte. A vantagem da topologia proposta é simplicidade, operação com baixa potência, alta linearidade e corrente de saída com baixa sensibilidade dentro de uma mesma geração tecnológica. Os resultados de simulação associados aos experimentais demonstram a viabilidade da topologia escolhida para operação em baixa potência e baixa-tensão. A funcionalidade do sistema foi verificada através de simulação e da extração de parâmetros do protótipo implementado em tecnologia TSMC 0.35 m. Os resultados experimentais conseguidos com o protótipo indicam consumo de 1 mA, largura de banda de 1MHz e distorção harmônica total de 1% para uma corrente de entrada de 80 % do seu valor máximo sendo que a área de silício ocupada pelo multiplicador foi ao redor de 10.000 m2.

Made available in DSpace on 2015-11-13T01:05:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 000476054-Texto+Completo-0.pdf: 3324667 bytes, checksum: 9b5561f04ee14590ab8784667acd8130 (MD5) Previous issue date: 2015 / Advances in CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) allowed the miniaturization of electronic components which, in turn, caused a number of benefits, such as increased density and operating frequency of integrated circuits (ICs). However, despite the benefits, the transistors size reduction generated several challenges to IC design. Among them we can mention the aging of ICs due to of Negative Bias Temperature Instability (NBTI) phenomenon. This phenomenon degrades PMOS transistors when they are exposed to high temperatures, fundamentally associated with the ICs workload. In this context, this thesis proposes a hardware-based methodology able to monitor levels of aging over the IC life time, as well as able to minimize these effects by the IC supply voltage adjustment. In other words, the proposed methodology aims to increase the robustness of ICs used in critical applications. / Avanços na tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) permitiram a miniaturização de componentes eletrônicos o que, por sua vez, trouxe consigo uma série de benefícios, tais como o aumento na densidade e na frequência de operação de Circuitos Integrados (CIs). Entretanto, apesar dos benefícios, a redução no tamanho dos transistores gerou uma série de desafios ao projeto de CIs. Dentre eles pode-se citar o envelhecimento dos CIs devido ao fenômeno do Negative Bias Temperature Instability (NBTI). Esse fenômeno degrada os transistores do tipo PMOS quando os mesmos são submetidos à elevadas temperaturas associadas fundamentalmente à funcionalidade dos CIs. Neste contexto, este trabalho propõe uma metodologia baseada em hardware capaz de monitorar níveis de envelhecimento ao longo da vida útil do CI, bem como uma forma de minimizar esses efeitos através do ajuste da tensão de alimentação CI. Em outras palavras a metodologia proposta visa aumentar a robustez de CIs utilizados em aplicações consideradas críticas.