This diplomas thesis deals with specific technologies and manufacture of BGA and QFN packages. Also summarizes the most used test methods for assessing the reliability for. Describes the making of equipment for soldering in a nitrogen atmosphere, followed by comparison solder joints of BGA and QFN forming in different atmosphere. Finally, summarizes knowledge about the process of soldering and desoldering lead-free solders for BGA packages, followed by experimental evaluation of the causes of malfunction of repaired samples.

The growth of ZnO single crystals and ZnO thin films on Si substrates by an open-system vapor phase method was studied in this thesis. The as-grown ZnO single crystals were investigated by means of photoluminescence (PL). Two unique emissions were observed in virgin and hydrogenated crystals. The up-to-now attempts for the p-type doping of ZnO were summarized and our doping studies were performed using nitrogen and antimony. The seed-free and open-system vapor phase method is a simple and low cost approach to grow good quality ZnO single crystals. The growth parameters, including flow rates of N2, H2, O2, and growth temperatures, have various influences on the crystal growth, and also on the optical properties of the as grown crystals. The as-grown crystals are c-axis oriented needle crystals, and the crystals typically have a maximum length of 40 mm and a maximum diameter of 1 mm. The needle-shaped crystals are n-type with main donors due to Al, Ga, and In impurities, as determined from the PL spectra. Two unidentified PL emission lines (P1 at 3.3643 eV and P2 at 3.3462 eV) are observed in our vapor phase grown ZnO single crystals. P1 is attributed to the recombination of an exciton bound to a shallow donor，which has a binding energy of 42.2 meV. Hydrogenation of the as-grown ZnO single crystal leads to the appearance of the P2 line and a great reduction of the P1 line. Subsequent isochronal annealing in the ambient atmosphere leads to gradual reduction of P2 and the reappearance of P1. The PL measurements indicate that hydrogen is involved in the defect origins of the P2 line. ZnO thin films were deposited on Si substrates by the vapor phase method. Three different types of configurations with alternative source materials and oxidizers were employed and compared. It is demonstrated that, methods with lower growth temperatures are easier to deposit homogenous ZnO films on Si substrate. Donor-acceptor-pair (DAP) transition at 3.245 eV and its phonon replicas were observed in the PL spectra of the thin films, which are grown by the hydrogen-free vapor phase method. The appearance of DAP transition indicates the presence of acceptor in the films. The long-standing challenge of p-type doping in ZnO is mainly attributed to the low valence band maximum (VBM) at the absolute energy scale, the spontaneous formation of compensating defects and the lack of appropriate acceptors with small ionization energy. Two attempts for the p-type doping of ZnO were performed by nitrogen diffusion into ZnO single crystals from plasma after the growth or by in-situ doping antimony during the growth of ZnO films. No hole conductivity could however be achieved in our doped samples. / In dieser Arbeit wurde das Wachstum von ZnO-Einkristallen und Dünnfilmschichten auf Si durch chemische Gasphasenabscheidung in einem offenen System untersucht. Die hergestellten ZnO-Einkristalle wurden mit Photolumineszenzmessungen (PL) untersucht. Es konnten sowohl in unbehandelten als auch in mit Wasserstoff behandelten Proben zwei charakteristische Linien beobachtet werden. Sowohl die bisherigen Versuche zur p-Typ Dotierung von ZnO als auch die in dieser Arbeit durchgeführten Versuche mit Stickstoff und Antimon werden zusammengefasst und präsentiert. Die Keimkristall-freie Gasphasenabscheidung (CVD) in offenen Systemen ist eine einfache und kostengünstige Methode zur Herstellung von qualitativ hochwertigen ZnO-Einkristallen. Die Wachstumsparameter, einschließlich der Flussraten von N2, H2 und O2 sowie der Wachstumstemperatur beeinflussen das Kristallwachstum sowie die optischen Eigenschaften der hergestellten Kristalle. Die hergestellten Kristalle wachsen typischerweise als entlang der c-Achse orientierte Nadeln mit Längen von bis zu 40 mm und Durchmessern von bis zu 1 mm. Die nadelförmigen Kristalle besitzen eine n-Typ Dotierung, welche hauptsächlich durch Verunreinigung mit Al, Ga und In verursacht wird. Zwei bisher nicht identifizierte PL-Linien (P1 bei 3,3643 eV und P2 bei 3,3462 eV) wurden in den hergestellten Kristallen beobachtet. P1 wird der Rekombination von Exzitonen an flachen Donatoren mit einer Bindungsenergie von 42,2 meV zugeordnet. Eine Wasserstoffbehandlung der hergestellten Kristalle führt zum Erscheinen der P2-Linie und einer starken Unterdrückung der P1-Linie. Anschließende isochronische Temperung in Luft führt zu einer schrittweisen Reduzierung der Intensität der P2-Linie und zu einer Verstärkung der P1-Linie. Photolumineszenzmessungen weisen auf eine Korrelation von P2 mit Wasserstoff hin. Zusätzlich wurden mit der CVD-Methode dünne ZnO-Schichten auf Si-Substraten abgeschieden. Drei unterschiedliche Konfigurationen mit verschiedenen Ausgangsmaterialien (ZnO-Pulver bw. Zn-Pulver) und verschiedenen Oxidationsmitteln (O2 bzw. Wasser) wurden untersucht und verglichen. Es wird gezeigt, dass mit den Konfigurationen mit geringerer Wachstumstemperatur am einfachsten homogene ZnO-Schichten auf Si abgeschieden werden können. Ein Donator-Akzeptor-Paar-Übergang (DAP) bei 3,245 eV und die dazugehörigen Phononenrepliken wurden in den Schichten beobachtet, welche in einer Wasserstoff-freien Konfiguration abgeschieden wurden. Diese DAP-Übergänge sind ein Hinweis auf die Anwesenheit von Akzeptoren. Die seit langem bestehende Herausforderung der p-Typ-Dotierung von ZnO hat ihre Wurzeln hauptsächlich in dem niedrig liegenden Valenzbandmaximum (VBM) auf der absoluten Energieskala, der spontanen Bildung von kompensierenden Defekten sowie dem Mangel an geeigneten Akzeptoren mit geringer Ionisierungsenergie. Zwei Versuche zur p-Typ-Dotierung von ZnO durch Behandlung der Kristalle mit N-Plasma bzw. durch in-situ Dotierung mit Sb während des Kristallwachstums wurden durchgeführt. Allerdings konnte damit keine nachweisbare Löcherleitung in den behandelten Proben erreicht werden.

Silicon based solar cells have been used as photovoltaic devices for decades due to reasonable cost and environment- friendly nature of silicon. But the conversion efficiency of silicon solar cell is limited; for instance, the maximum conversion efficiency of a crystalline silicon solar cell available in the market developed by Kaneka Corporation is 26 % [1]. In comparison, III-V compound semiconductor multi-junction solar cells are the most efficient solar cells with efficiency of 47.1% [2]. However, due to high-cost substrate materials, III-V solar cells are not the best option for large scale production in real life. Therefore, integration of III-V compound semiconductors on silicon substrate has been studied to obtain III-V/Si multi junction solar cells with high conversion efficiency with reasonable price. To this end, we studied epitaxial growth of on GaAs deposited on Si.This thesis presents the characterization results of the above epitaxial layer and fabrication of a single junction solar cell on GaAs coated Si substrate and its performance.In the first part of the project, epitaxial layer grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) on different kinds of substrates at different growth conditions are characterized to identify the optimized growth conditions and a suitable substrate. Samples are characterized by High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD) and photoluminescence (PL) to determine the composition of and its crystalline quality and by optical microscope to assess the surface morphology. Scanning Electron Microscope (SEM) is used to study the depth of the dry etched structures.The second part of the project deals with the fabrication process consisting of 21 steps to obtain a single junction solar cell structure on GaAs/Si. This process flow will be explained in some detail along with a brief description of several tools in cleanroom that have been used for this purpose.Finally, in the third part, devices are characterized to investigate their performance. Transmission Line Method (TLM) is used to obtain important parameters such as specific contact resistance. Current- voltage (I-V) relation of solar cell is investigated to acquire its efficiency. The lowest specific contact resistance measured in this project is for p-contact (for 4041DV- cell 8) and the highest efficiency measured is 1.64% (for 4041DV- cell 6).In conclusion, although the results obtained are far from the state-of-the art results, this work has laid the foundation for future work that can lead to a breakthrough in fabricating multi-junction tandem solar cell on silicon. / Kiselbaserade solceller har använts i årtionden på grund av dess rimliga kostnad och miljövänliga natur. Omvandlingseffektiviteten för kiselsolcell är begränsad; till exempel är den maximala omvandlingseffektiviteten för solceller av kristallin kisel utvecklad av Kaneka Corporation 26 % [1]. Som jämförelse är III-V sammansatta halvledare multi-junction solceller de mest effektiva solcellerna med en effektivitet på 47,1 % [2]. På grund av de höga substratmaterialen är III-V-solceller i realiteter inte det bästa alternativet för storskalig produktion. Därför har integration av III-V sammansatta halvledare på kiselsubstrat studerats för att erhålla III-V/Si multi junction solceller med hög omvandlingseffektivitet till rimligt pris. För detta ändamål studerade vi epitaxiell tillväxt av på GaAs avsatt på Si.Denna avhandling presenterar karaktäriseringsresultaten av ovanstående epitaxiella skikt och tillverkning av en enkel förbindelse solcell på GaAs-belagt Si-substrat och dess prestanda.I den första delen av projektet karaktäriseras epitaxiallager odlat med Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) på olika typer av substrat vid olika tillväxtförhållanden för att identifiera de optimerade tillväxtförhållandena och ett lämpligt substrat. Prover kännetecknas av högupplöst röntgendiffraktion (HRXRD) och fotoluminescens (PL) för att bestämma sammansättningen av och dess kristallina kvalitet och med optiskt mikroskop för att bedöma morfologin. Scanning Electron Microscope (SEM) används för att studera djupet av de torretsade strukturerna.Den andra delen av projektet behandlar tillverkningsprocessen som består av 21 steg för att erhålla en enda förbindelse solcellsstruktur på GaAs/Si. Detta processflöde kommer att förklaras i detalj tillsammans med en kort beskrivning av flera verktyg i renrum som har använts för detta ändamål.Slutligen, i den tredje delen, karaktäriseras enheter för att frilägga dess prestanda. Transmission Line Method (TLM) används för att erhålla viktiga parametrar som specifikt kontaktmotstånd. Förhållandet mellan ström och spänning (I-V) hos solcellen undersöks för att uppnå optimal effektivitet. Den lägsta specifikt kontaktmotstånd som uppmätts i detta projekt är för p-kontakt (för 4041DV-cell 8) och den högsta uppmätta effektiviteten är 1,64% (för 4041DV-cell 6).Sammanfattningsvis, även om de erhållna resultaten är långt ifrån de senaste resultaten inom forskning, lägger detta arbete grunden för framtida arbete som kan leda till ett genombrott i tillverkningen av multi-junction tandemsolcell på kisel.

Verbindungshalbleiter mit einer großen Bandlücke wie Galliumnitrid (GaN) sind aufgrund ihrer hervorragenden elektronischen Eigenschaften für die Halbleiterindustrie von großem Interesse. Die Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie, die auf dem physikalischen Gasphasentransport von Gallium basiert, ist eine alternative Methode der Gasphasenepitaxie von GaN. Im Mittelpunkt der vorliegenden Arbeit standen die Weiterentwicklung der Methode hinsichtlich der Verringerung der Kontamination und die Reduzierung der Versetzungsdichte in den GaN-Schichten. Dazu wurde eine neue Verdampfungszelle entwickelt und die komplexen, mehrstufigen Nukleations- und Wachstumsprozesse systematisch untersucht. Insgesamt wurden zu kommerziell verfügbaren GaN-Schichten vergleichbare Defektdichten erreicht. Zusätzlich wurde die Methode zur Abscheidung auf Saphir-Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 2 Zoll aufskaliert.

<p>Degradable polymers have gained an increased attention in the field of biomedical applications over the past decades, for example in tissue engineering. One way of improving the biocompatibility of these polymers is by chemical surface modification, however the risk of degradation during the modification procedure is a limiting factor. In some biomedical applications, for example in nerve guides, a patterned surface is desired to improve the cell attachment and proliferation.</p><p>In this thesis a new non-destructive, single-step, and solvent free method for surface modification of degradable polymers is described. Poly(L-lactide) (PLLA) substrates have been functionalized with one of the following vinyl monomers; N-vinylpyrrolidone (VP), acrylamide (AAm), or maleic anhydride (MAH) grafts. The substrates were subjected to a vapor phase atmosphere constituted of a mixture of a vinyl monomer and a photoinitiator (benzophenone) in a closed chamber at very low pressure and under UV irradiation. Poly(ε-caprolactone) (PCL), poly(lactide-co-glycolide) (PLGA), and poly(trimethylene carbonate) (PTMC) have been surface modified with VP using the same procedure to show the versatility of the method. The wettability of all of the four substrates increased after grafting. The surface compositions were confirmed by ATR-FTIR and XPS. The VP grafted PLLA, PTMC and PLGA substrates have been shown to be good substrates for the normal human cells i.e. keratinocytes and fibroblasts, to adhere and proliferate on. The topography of substrates with well defined nano patterns was preserved during grafting, since the grafted layer is very thin. We have also shown that the method is useful for a simultaneous chemical and topographical modification of substrates by masked vapor phase grafting. The surface topography was determined with SEM and AFM.</p> / <p>Intresset för användningen av nedbrytbara polymerer till biomedicinska applikationer som till exempel vävnads rekonstruktion har ökat avsevärt de senaste decennierna. Ett sätt att öka biokompatibiliteten hos dessa polymerer är genom kemisk ytmodifiering, men risken för nedbrytning under själva modifieringen är en begränsande faktor. I vissa biomedicinska applikationer, till exempel nervguider, är det önskvärt att ha en väldefinierad ytstruktur för att öka vidhäftningen och tillväxten av celler.</p><p>I den här avhandlingen presenteras en ny ickeförstörande, lösningsmedelsfri enstegsprocess för ytmodifiering av nedbrytbara polymerer. Substrat av poly(L-laktid) (PLLA) har ytfunktionaliserats med var och en av följande vinylmonomerer, N-vinylpyrrolidon (VP), akrylamid (AAm) eller maleinsyraanhydrid (MAH). Substraten har exponerats för en gasfasatmosfär av en blandning av en vinylmonomer och en fotoinitiator (bensofenon) i en tillsluten reaktor vid mycket lågt tryck och under UV-strålning. Metodens mångsidighet har även påvisats genom att ytmodifiera substrat av poly(ε-kaprolakton) (PCL), poly(laktid-co-glykolid) (PLGA) och poly(trimetylen karbonat) (PTMC) med VP. Vätbarheten ökade för alla fyra materialen efter ympning med en vinylmonomer. Ytsammansättningen fastställdes med ATR-FTIR och XPS. De VP ympade filmerna av PLLA, PLGA och PTMC visade sig vara bra substrat för mänskliga celler, i detta fall keratinocyter och fibroblaster, att vidhäfta och växa på. Yttopografin hos filmer med väldefinierade nanomönstrade ytor kunde bevaras efter ympning, tack vare att det ympade lagret är så tunt. Gasfas metoden har också visat sig användbar för att simultant ytmodifiera både kemiskt och topografiskt genom maskad gasfasympning. Yttopografin bestämdes med SEM och AFM.</p>

Degradable polymers have gained an increased attention in the field of biomedical applications over the past decades, for example in tissue engineering. One way of improving the biocompatibility of these polymers is by chemical surface modification, however the risk of degradation during the modification procedure is a limiting factor. In some biomedical applications, for example in nerve guides, a patterned surface is desired to improve the cell attachment and proliferation. In this thesis a new non-destructive, single-step, and solvent free method for surface modification of degradable polymers is described. Poly(L-lactide) (PLLA) substrates have been functionalized with one of the following vinyl monomers; N-vinylpyrrolidone (VP), acrylamide (AAm), or maleic anhydride (MAH) grafts. The substrates were subjected to a vapor phase atmosphere constituted of a mixture of a vinyl monomer and a photoinitiator (benzophenone) in a closed chamber at very low pressure and under UV irradiation. Poly(ε-caprolactone) (PCL), poly(lactide-co-glycolide) (PLGA), and poly(trimethylene carbonate) (PTMC) have been surface modified with VP using the same procedure to show the versatility of the method. The wettability of all of the four substrates increased after grafting. The surface compositions were confirmed by ATR-FTIR and XPS. The VP grafted PLLA, PTMC and PLGA substrates have been shown to be good substrates for the normal human cells i.e. keratinocytes and fibroblasts, to adhere and proliferate on. The topography of substrates with well defined nano patterns was preserved during grafting, since the grafted layer is very thin. We have also shown that the method is useful for a simultaneous chemical and topographical modification of substrates by masked vapor phase grafting. The surface topography was determined with SEM and AFM. / Intresset för användningen av nedbrytbara polymerer till biomedicinska applikationer som till exempel vävnads rekonstruktion har ökat avsevärt de senaste decennierna. Ett sätt att öka biokompatibiliteten hos dessa polymerer är genom kemisk ytmodifiering, men risken för nedbrytning under själva modifieringen är en begränsande faktor. I vissa biomedicinska applikationer, till exempel nervguider, är det önskvärt att ha en väldefinierad ytstruktur för att öka vidhäftningen och tillväxten av celler. I den här avhandlingen presenteras en ny ickeförstörande, lösningsmedelsfri enstegsprocess för ytmodifiering av nedbrytbara polymerer. Substrat av poly(L-laktid) (PLLA) har ytfunktionaliserats med var och en av följande vinylmonomerer, N-vinylpyrrolidon (VP), akrylamid (AAm) eller maleinsyraanhydrid (MAH). Substraten har exponerats för en gasfasatmosfär av en blandning av en vinylmonomer och en fotoinitiator (bensofenon) i en tillsluten reaktor vid mycket lågt tryck och under UV-strålning. Metodens mångsidighet har även påvisats genom att ytmodifiera substrat av poly(ε-kaprolakton) (PCL), poly(laktid-co-glykolid) (PLGA) och poly(trimetylen karbonat) (PTMC) med VP. Vätbarheten ökade för alla fyra materialen efter ympning med en vinylmonomer. Ytsammansättningen fastställdes med ATR-FTIR och XPS. De VP ympade filmerna av PLLA, PLGA och PTMC visade sig vara bra substrat för mänskliga celler, i detta fall keratinocyter och fibroblaster, att vidhäfta och växa på. Yttopografin hos filmer med väldefinierade nanomönstrade ytor kunde bevaras efter ympning, tack vare att det ympade lagret är så tunt. Gasfas metoden har också visat sig användbar för att simultant ytmodifiera både kemiskt och topografiskt genom maskad gasfasympning. Yttopografin bestämdes med SEM och AFM. / QC 20101014

In dieser Arbeit wurde die atomare Struktur von Si(100)- und Ge(100)-Oberflächen untersucht, die mit metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) für anschließende Heteroepitaxie von III-V-Halbleitern präpariert wurden. An der III-V/IV Grenzfläche werden atomare Doppelstufen auf der Substratoberfläche benötigt, um Antiphasenunordnung in den III-V-Schichten zu vermeiden. Die MOCVD-Prozessgasumgebung beeinflusst die Domänen- und Stufenbildung der Si- und Ge(100)-Oberfläche sehr stark. Deswegen wurden in situ Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) und Ultrahochvakuum-(UHV)-basierte oberflächensensitive Messmethoden verwendet, um die verschiedenen Oberflächen zu charakterisieren. In situ RAS ermöglicht die Identifizierung der Oberflächenstruktur und somit Kontrolle über die Oberflächenpräparation, insbesondere der Domänenbildung auf Si- und Ge(100). Beide Oberflächen wechselwirken stark mit dem H2-Prozessgas, was zu Monohydrid-Bedeckung während der Präparation führt und sogar zu Si-Abtrag während Präparation unter hohem H2-Druck. Die Erzeugung von Leerstellen auf den Terrassen bewirkt eine kinetisch bedingte Oberflächenstruktur, basierend auf Diffusion von Leerstellen und Atomen. Dadurch kommt es zu ungewöhnlichen DA-Doppelstufen auf verkippten Si(100)-Substraten während auf exakten Substraten ein schichtweiser Abtrag stattfindet. Unter niedrigem H2-Druck bildet sich eine energetisch bedingte Domänen- und Stufenstruktur. Während das H2-Prozessgas keinen direkten Einfluss auf die Stufen- und Domänenbildung von verkippten Ge(100)-Oberflächen zeigt, ist der Einfluss von Gruppe-V-Elemente entscheidend. Die As-terminierten Ge(100)-Oberflächen bilden eindomänige Oberflächen unterschiedlicher Dimerorientierung und Stufenstruktur abhängig von Temperatur und As-Quelle. Angebot von P an Ge(100)-Oberflächen durch Heizen in Tertiärbutylphosphin führt zu einer ungeordneten, P-terminierten Ge(100)-Oberfläche, die instabiler als die Ge(100):As-Oberfläche ist. / In this work, the atomic surface structure of Si(100) and Ge(100) surfaces prepared in metalorganic chemical vapor phase deposition (MOCVD) ambient was studied with regard to subsequent heteroepitaxy of III-V semiconductors. At the III-V/IV interface, double-layer steps on the substrate surface are required to avoid anti-phase disorder in the epitaxial film. The MOCVD process gas ambient strongly influences the domain and step formation of Si and Ge(100) surfaces. Therefore, in situ reflection anisotropy spectroscopy (RAS) and ultra-high vacuum-based (UHV) surface sensitive methods were applied to investigate the different surfaces. In situ RAS enabled identification of the surface structure and the crucial process steps, leading to complete control of Si and Ge(100) surface preparation. Both surfaces strongly interact with H2 process gas which leads to monohydride termination of the surfaces during preparation and Si removal during processing in high H2 pressure ambient. The generation of vacancies on the terraces induces a kinetically driven surface structure based on diffusion of vacancies and Si atoms leading to an energetically unexpected step structure on vicinal Si(100) substrates with DA-type double-layer steps, whereas Si layer-by-layer removal occurs on substrates with large terraces. Processing in low H2 pressure ambient leads to an energetically driven step and domain structure. In contrast, H2-annealed vicinal Ge(100) surfaces show no direct influence of the H2 ambient on the step structure. At the Ge(100) surface, group-V elements strongly influence step and domain formation. Ge(100):As surfaces form single domain surfaces with different majority domain and significantly different step structures depending on temperature and As source, respectively. In contrast, exposure to P by annealing in tertiarybutylphosphine leads to a very disordered P-terminated vicinal Ge(100) surface which is less stable compared to the Ge(100):As surfaces.

Diese Arbeit untersucht das Aufwachsen von dünnen GaP-Schichten auf Si(100)-Oberflächen mittels metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOVPE) und die damit verbundene Entstehung von Antiphasendomänen (APDs). Die Vermessung der Si(100)-Substratoberfläche, der III-V/Si(100)-Grenzfläche und der abgeschiedenen GaP-Filme mit oberflächenempfindlichen Messverfahren dient der Etablierung APD-freier III-V-Heteroepitaxie auf Si(100). Die Präparation reiner Si(100)-Oberflächen frei von Sauerstoff in der MOVPE-Umgebung konnte durch Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) belegt werden. Vorwiegend doppelgestufte Substrate wurden sowohl auf 0.1°, 2° als auch 6° fehlorientierten Substraten erzielt. Im Widerspruch zu etablierten Ergebnissen im Ultrahochvakuum richteten sich die Dimere auf 0.1° und 2° Proben senkrecht zu den Doppelstufenkanten aus, vermutlich durch den Einfluss des Wasserstoffs in der MOVPE. Infrarotspektroskopie (FTIR) belegte eine Monohydridterminierung infolge der Präparation, während in-situ Reflexions-Anisotropie-Spectroskopie (RAS) zeigte, dass diese bei höheren Prozesstemperaturen nicht vorliegt. Für die GaP-Heteroepitaxie auf diesen Substraten wurde ein optisches in-situ Messverfahren für die quantitative Bestimmung des APD-Gehaltes entwickelt, welches auf dem eingehenden Verständnis der Rekonstruktionen von GaP(100), der assozierten RAS-Signaturen und dem mit Rastertunnelmikroskopie (STM) und Beugung niedrigenergetischer Elektronen (LEED) etablierten mikroskopischen Verständnis der Oberflächen beruht. Die APD-Quantifizierung mittels RAS wurde durch empirische Korrektur von Interferenzeffekten und optische Modellrechnungen, die auch Rückschlüsse auf die Grenzflächenanisotropie erlauben, deutlich verbessert. Der Abgleich mit unterschiedlichsten Mikroskopiemethoden, basierend auf niedrigenergetischen Elektronen (LEEM), Elektronentransmission (TEM) und Rasterkraftverfahren (AFM) bestätigt die erzielten Ergebnisse. / The present work investigates the growth of thin, pseudomorphic GaP films by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on Si(100) surfaces by a variety of surface-sensitive methods and pays with specific attention to the substrate induced anti-phase disorder in this lattice matched model system for III-V/Si(100) heteroepitaxy. Thorough X-ray photoelectron spectroscopy investigations verified the preparation of clean Si(100) surfaces free of oxygen in the MOVPE ambient. Predominantly double-layer stepped Si(100) surfaces were obtained for 0.1°, 2°, and 6° misoriented substrates. In contrast to results established in ultra-high vacuum (UHV), double-layer steps with dimers oriented perpendicular to their edges were observed, which was attributed to the presence of hydrogen as a process gas in the MOVPE environment. A monohydride termination of Si(100) was determined after substrate preparation by Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR), while reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) showed the absence of hydrogen termination at higher temperatures. Optical in situ spectroscopy was established as a method for the quantitative evaluation of anti-phase disorder in GaP heteroepitaxy based on a detailed understanding of the GaP(100) surface reconstructions, of the development of the corresponding RAS signatures, and of the associated surface structure studied by scanning tunneling microscopy (STM) and low-energy electron diffraction (LEED). The in situ RAS quantification was greatly improved by empirical correction of thin film interference and optical model calculations, which also enable extraction of the GaP/Si(100) interface anisotropy. The characterization was supported by benchmarking to atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM) results as well as to low energy electron microscopy (LEEM), which was used for surface sensitive visualization of anti-phase domains on a mesoscopic length scale.