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Tuning the Properties of Molecular Magnets and Conductors Based on Lanthanide and Transition Metal Ions Bridged by TCNQ Derivatives or Cyanometallate Ligands by Varying the Dimensionality of the Structure and Metal Ion IdentityLopez Cruz, Nazario 2010 May 1900 (has links)
Research in the fields of molecular conductors and magnets over the past four decades has involved collaborative efforts of chemists and physicists whose common goal is to design useful materials composed of molecular building blocks. Of particular interest are materials whose properties can be tuned by electronic or steric changes in the molecular sub-units. The research on TCNQ derivatives described in this thesis was inspired by the observation that, although a vast amount of research has been directed at understanding binary M(TCNQ•-) materials, analogous compounds based on substituted TCNQ acceptors are surprisingly scarce. Single crystals of a new structure type for the M+(TCNQ)•- binary family were isolated from reactions of two dihalogenated TCNQ derivatives with Cu(I) ions, namely Cu(TCNQX2) (X = Cl, Br). The new 3-D compound Cu(TCNQCl2) exhibits the highest conductivity of the M+(TCNQ)•- series to date, despite the greater separation of TCNQCl2 units as compared to other derivatives. Compounds of lower dimensionality were also obtained, namely the 2-D Cu(TCNQBr2)(CH3CN) and 1-D Cu(TCNQI2)(CH3CN)2 phases. Several 2p-3d heterospin molecular magnets were also synthesized. For example a “magnetic sponge” material based on a 2-D hexagonal framework of composition {[Mn2(TCNQF4)(CH3OH)7.5(H2O)0.5]-(TCNQF4)2•7.5CH3OH}∞, as well as molecular magnets based on first row metal ions and TCNQF4 ligands of composition MII(TCNQF4)-•(TCNQF42-)0.5(CH3CN) (M = Mn, Co) were prepared. In addition, unprecedented isostructural 2-D frameworks based on combinations of first row metal ions with TCNQBr2 radicals of composition [M(TCNQBr2)2(H2O)2]∞ (M = Mn, Zn) were synthesized.
Lanthanide chemistry is also described in this dissertation. A series of mononuclear Ln-TCNQF4 heterospin complexes of composition {MIII[TCNQF4]2[H2O]x}(TCNQF4)(3H2O) (M = La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er and Yb) was also obtained which exhibit remarkable properties. In this family of compounds there exists an unprecedented subtle interplay between single molecule magnetic behavior and phonon bottleneck effect behavior for the Tb analogue. Magnetic ordering was observed for the Sm analogue. A homologous series of 1-D materials based on alternating lanthanide ions and hexacyanometallates of formula {[Ln(tptz)(H2O)4Fe(CN)6]•8H2O}∞ (Ln = Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb) was obtained and a detailed magnetic study provided incontrovertible evidence that the SmIII-[FeIII(CN)6]3- compound exhibits ferromagnetic and not antiferromagnetic coupling as had been reported for related 1-D chains.
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Data Quality Bench-Marking for High Resolution Bragg DataWolf, Hilke 15 December 2014 (has links)
No description available.
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2D molekulární systémy na površích / 2D molecular systems at surfacesKormoš, Lukáš January 2021 (has links)
Molekulárne systémy predstavujú jeden zo smerov súčasného výskumu nových nanoelektronických zariadení. Organické molekuly nachádzajú uplatnenie v rôznych aplikáciách, ako sú napríklad solárne články, displeje alebo kvantové počítače. Rast vysokokvalitných molekulárnych vrstiev s požadovanými vlastnosťami často vyžaduje využitie samousporiadavaných štruktúr, hlboké pochopenie rozhrania kovu a organických molekúl a tiež dynamiky rastu molekulárnych vrstiev. Predkladaná práca sa zaoberá predovšetkým samousporadanými štruktúrami bifenyl-dikarboxylovej kyseliny (BDA) na Cu (1 0 0) a Ag (1 0 0), ktoré boli skúmané v UHV s využitím STM, XPS a LEEM. V prípade BDA-Ag je podrobne opísaných niekoľko chemicky a štrukturálne odlišných molekulárnych fáz. Ďalej boli BDA a TCNQ molekuly skúmané na grafene pripravenom na Ir (1 1 1). Okrem toho sa organo-kovové systémy syntetizovali depozíciou atómov Ni a Fe s molekulami TCNQ a BDA. Záverečná časť tejto práce popisuje povrchovú syntézu grafénových nanoribonov (7-AGNR) na špecicky štrukturovanom substráte Au (16 14 15) z prekurzorových molekúl DBBA. Rekonštrukcia povrchu po raste bola analyzovaná pomocou STM a elektronické vlastnosti 7-AGNRs pomocou ARPES.
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Electrical and magnetic properties of organic semiconductors: Electrical conductivity and electron spin resonance studies of semiconducting, organic, charge transfer salts.Ahmad, Muhammad M. January 1978 (has links)
Charge transfer salts of Tetracyanoquinodimethane (TCNQ) were
synthesised and their electrical and magnetic properties were
investigated. These salts show unusual electrical and magnetic
behaviour in contrast to conventional organic compounds. These
salts have crystal structures which in general consist of TCNQ
radical ions stacked in chains, isolated from each other by the
diamagnetic cations. They are thus regarded as "one-dimensional"
electrical and magnetic systems. The ESR spectra of these salts are
attributed to triplet excitons showing that the spin-spin and electronelectron
correlation effects are important. In the ESR spectra
(Chapter III) of some TCNQ salts dipolar splitting is observed
confirming the spin-spin interaction. These triplet excitons are
regarded as bound electron-hole pairs. The experimentally determined
dipolar splitting tensors are presented in Chapter III and the intensity
data in Chapter IV. A large number of fine structure lines are
observed in the ESR spectra of Pyridinium-TCNQ and 4-Aminopyridinium-TCNQ
apart from regular triplet exciton lines (Chapter III). These lines
are attributed to the trapping of excitons on an extended formula
finit (TCNQ2 )n. In Chapter IV the temperature dependent magnetic
susceptibilities are discussed in terms of Heisenberg antiferromagnetism
and Pauli paramagnetism. In Chapter V temperature
dependent behaviour of electrical conductivity is discussed in terms
of an exciton band model, the lattice structure of the salts and
one-dimensional lattice consisting of defects giving rise to high and
low conducting segments. Low temperature electrical and magnetic
phases are discussed (Chapters IV and VII) in terms of a band and
hopping mechanisms.In Chapter VI self consistent field calculations are made with
reference to the tight binding one electron band theory using
simplified Roothaan equations considering CNDO approximations.
Theoretical results are related to experimental band gaps, spinspin
interactions and charge alteration.
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Computational Raman Spectroscopy of Heterogeneous Organic-Inorganic InterfacesAfroosheh, Sajjad January 2021 (has links)
No description available.
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Kelvin Probe Examination of Organic/Metallic SemiconductorsRoberts, Vincent 20 June 2012 (has links)
No description available.
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Organic light-emitting diodes with doped charge transport layers / Organische Leuchtdioden mit dotierten LadungsträgertransportschichtenBlochwitz, Jan 08 July 2001 (has links) (PDF)
Organische Farbstoffe mit einem konjugierten pi-Elektronen System zeigen überwiegend ein halbleitendes Verhalten. Daher sind sie potentielle Materialien für elektronische und optoelektronische Anwendungen. Erste Anwendungen in Flachbildschirmen sind bereits in (noch) geringen Mengen auf dem Markt. Die kontrollierte Dotierung anorganischer Halbleiter bereitete die Basis für den Durchbruch der bekannten Halbleitertechnologie. Die Kontrolle des Leitungstypes und der Lage des Fermi-Niveaus erlaubte es, stabile pn-Übergänge herzustellen. LEDs können daher mit Betriebsspannungen nahe dem thermodynamischen Limit betrieben werden (ca. 2.5V für eine Emission im grünen Spektralbereich). Im Gegensatz dazu bestehen organische Leuchtdioden (OLEDs) typischerweise aus einer Folge intrinsischer Schichten. Diese weisen eine ineffiziente Injektion aus Kontakten und eine relative geringe Leitfähigkeit auf, welche mit hohen ohmschen Verlusten verbunden ist. Andererseits besitzen organische Materialien einige technologische Vorteile, wie geringe Herstellungskosten, große Vielfalt der chemischen Verbindungen und die Möglichkeit sie auf flexible große Substrate aufzubringen. Sie unterscheiden sich ebenso in einigen fundamentalen physikalischen Parametern wie Brechungsindex, Dielektrizitätskonstante, Absorptionskoeffizient und Stokes-Verschiebung der Emissionswellenlänge gegenüber der Absorption. Das Konzept der Dotierung wurde für organische Halbleiter bisher kaum untersucht und angewandt. Unser Ziel ist die Erniedrigung der Betriebsspannung herkömmlicher OLEDs durch den Einsatz der gezielten Dotierung der Transportschichten mit organischen Molekülen. Um die verbesserte Injektion aus der Anode in die dotierte Löchertransportschicht zu verstehen, wurden UPS/XPS Messungen durchgeführt (ultraviolette und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie). Messungen wurden an mit F4-TCNQ dotiertem Zink-Phthalocyanin auf ITO und Gold-Kontakten durchgeführt. Die Schlussfolgerungen aus den Experimenten ist, das (i) die Fermi-Energie sich durch Dotierung dem Transportniveau (also dem HOMO im Falle der vorliegenden p-Dotierung) annähert, (ii) die Diffusionspannung an der Grenzfläche durch Dotierung entsprechend verändert wird, und (iii) die Verarmungszone am Kontakt zum ITO sehr dünn wird. Der Kontakt aus organischem Material und leitfähigem Substrat verhält sich also ganz analog zum Fall der Dotierung anorganischer Halbleiter. Es entsteht ein stark dotierter Schottky-Kontakt dessen schmale Verarmungszone leicht durchtunnelt werden kann (quasi-ohmscher Kontakt). Die Leistungseffizienz von OLEDs mit dotierten Transportschichten konnte sukzessive erhöht werden, vom einfachen 2-Schicht Design mit dotiertem Phthalocyanine als Löchertransportschicht, über einen 3-Schicht-Aufbau mit einer Elektronen-Blockschicht bis zu OLEDs mit dotierten 'wide-gap' Löchertransport-Materialien, mit und ohne zusätzlicher Schicht zur Verbesserung der Elektroneninjektion. Sehr effiziente OLEDs mit immer noch niedriger Betriebsspannung wurden durch die Dotierung der Emissionsschicht mit Molekülen erhöhter Photolumineszenzquantenausbeute (Laser-Farbstoffe) erreicht. Eine optimierte LED-Struktur weist eine Betriebsspannung von 3.2-3.2V für eine Lichtemission von 100cd/m2 auf. Diese Resultate entsprechen den zur Zeit niedrigsten Betriebsspannungen für OLEDs mit ausschließlich im Vakuum aufgedampften Schichten. Die Stromeffizienz liegt bei ca. 10cd/A, was einer Leistungseffizienz bei 100cd/m2 von 10lm/W entspricht. Diese hohe Leistungseffizienz war nur möglich durch die Verwendung einer Blockschicht zwischen der dotierten Transportschicht und der Lichtemissions-Schicht. Im Rahmen der Arbeit konnte gezeigt werden, dass die Dotierung die Betriebsspannungen von OLEDs senken kann und damit die Leistungseffizienz erhöht wird. Zusammen mit einer sehr dünnen Blockschicht konnte einen niedrige Betriebsspannung bei gleichzeitig hoher Effizienz erreicht werden (Blockschicht-Konzept). / Organic dyes with a conjugated pi-electron system usually exhibit semiconducting behavior. Hence, they are potential materials for electronic and optoelectronic devices. Nowadays, some applications are already commercial on small scales. Controlled doping of inorganic semiconductors was the key step for today's inorganic semiconductor technology. The control of the conduction type and Fermi-level is crucial for the realization of stable pn-junctions. This allows for optimized light emitting diode (LED) structures with operating voltages close to the optical limit (around 2.5V for a green emitting LED). Despite that, organic light emitting diodes (OLEDs) generally consist of a series of intrinsic layers based on organic molecules. These intrinsic organic charge transport layers suffer from non-ideal injection and noticeable ohmic losses. However, organic materials feature some technological advantages for device applications like low cost, an almost unlimited variety of materials, and possible preparation on large and flexible substrates. They also differ in some basic physical parameters, like the index of refraction in the visible wavelength region, the absorption coefficient and the Stokes-shift of the emission wavelength. Doping of organic semiconductors has only been scarcely addressed. Our aim is the lowering of the operating voltages of OLEDs by the use of doped organic charge transport layers. The present work is focused mainly on the p-type doping of weakly donor-type molecules with strong acceptor molecules by co-evaporation of the two types of molecules in a vacuum system. In order to understand the improved hole injection from a contact material into a p-type doped organic layer, ultraviolet photoelectron spectroscopy combined with X-ray photoelectron spectroscopy (UPS/XPS) was carried out. The experimental results of the UPS/XPS measurements on F4-TCNQ doped zinc-phthalocyanine (ZnPc) and their interpretation is given. Measurements were done on the typical transparent anode material for OLEDs, indium-tin-oxide (ITO) and on gold. The conclusion from these experiments is that (i) the Fermi-energy comes closer to the transport energy (the HOMO for p-type doping), (ii) the built-in potential is changed accordingly, and (iii) the depletion layer becomes very thin because of the high space charge density in the doped layer. The junction between a doped organic layer and the conductive substrate behaves rather similar to a heavily doped Schottky junction, known from inorganic semicondcutor physics. This behavior favors charge injection from the contact into the organic semiconductor due to tunneling through a very small Schottky barrier (quasi-ohmic contact). The performance of OLEDs with doped charge transport layers improves successively from a simple two-layer design with doped phthalocyanine as hole transport layer over a three-layer design with an electron blocking layer until OLEDs with doped amorphous wide gap materials, with and without additional electron injection enhancement and electron blocking layers. Based on the experience with the first OLEDs featuring doped hole transport layers, an ideal device concept which is based on realistic material parameters is proposed (blocking layer concept). Very high efficient OLEDs with still low operating voltage have been prepared by using an additional emitter dopant molecule with very high photoluminescence quantum yield in the recombination zone of a conventional OLED. An OLED with an operating voltage of 3.2-3.2V for a brightness of 100cd/m2 could be demonstrated. These results represent the lowest ever reported operating voltage for LEDs consisting of exclusively vacuum sublimed molecular layers. The current efficiency for this device is above 10cd/A, hence, the power efficiency at 100cd/m2 is about 10lm/W. This high power efficiency could be achieved by the use of a blocking layer between the transport and the emission layer.
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Organic light-emitting diodes with doped charge transport layersBlochwitz, Jan 12 July 2001 (has links)
Organische Farbstoffe mit einem konjugierten pi-Elektronen System zeigen überwiegend ein halbleitendes Verhalten. Daher sind sie potentielle Materialien für elektronische und optoelektronische Anwendungen. Erste Anwendungen in Flachbildschirmen sind bereits in (noch) geringen Mengen auf dem Markt. Die kontrollierte Dotierung anorganischer Halbleiter bereitete die Basis für den Durchbruch der bekannten Halbleitertechnologie. Die Kontrolle des Leitungstypes und der Lage des Fermi-Niveaus erlaubte es, stabile pn-Übergänge herzustellen. LEDs können daher mit Betriebsspannungen nahe dem thermodynamischen Limit betrieben werden (ca. 2.5V für eine Emission im grünen Spektralbereich). Im Gegensatz dazu bestehen organische Leuchtdioden (OLEDs) typischerweise aus einer Folge intrinsischer Schichten. Diese weisen eine ineffiziente Injektion aus Kontakten und eine relative geringe Leitfähigkeit auf, welche mit hohen ohmschen Verlusten verbunden ist. Andererseits besitzen organische Materialien einige technologische Vorteile, wie geringe Herstellungskosten, große Vielfalt der chemischen Verbindungen und die Möglichkeit sie auf flexible große Substrate aufzubringen. Sie unterscheiden sich ebenso in einigen fundamentalen physikalischen Parametern wie Brechungsindex, Dielektrizitätskonstante, Absorptionskoeffizient und Stokes-Verschiebung der Emissionswellenlänge gegenüber der Absorption. Das Konzept der Dotierung wurde für organische Halbleiter bisher kaum untersucht und angewandt. Unser Ziel ist die Erniedrigung der Betriebsspannung herkömmlicher OLEDs durch den Einsatz der gezielten Dotierung der Transportschichten mit organischen Molekülen. Um die verbesserte Injektion aus der Anode in die dotierte Löchertransportschicht zu verstehen, wurden UPS/XPS Messungen durchgeführt (ultraviolette und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie). Messungen wurden an mit F4-TCNQ dotiertem Zink-Phthalocyanin auf ITO und Gold-Kontakten durchgeführt. Die Schlussfolgerungen aus den Experimenten ist, das (i) die Fermi-Energie sich durch Dotierung dem Transportniveau (also dem HOMO im Falle der vorliegenden p-Dotierung) annähert, (ii) die Diffusionspannung an der Grenzfläche durch Dotierung entsprechend verändert wird, und (iii) die Verarmungszone am Kontakt zum ITO sehr dünn wird. Der Kontakt aus organischem Material und leitfähigem Substrat verhält sich also ganz analog zum Fall der Dotierung anorganischer Halbleiter. Es entsteht ein stark dotierter Schottky-Kontakt dessen schmale Verarmungszone leicht durchtunnelt werden kann (quasi-ohmscher Kontakt). Die Leistungseffizienz von OLEDs mit dotierten Transportschichten konnte sukzessive erhöht werden, vom einfachen 2-Schicht Design mit dotiertem Phthalocyanine als Löchertransportschicht, über einen 3-Schicht-Aufbau mit einer Elektronen-Blockschicht bis zu OLEDs mit dotierten 'wide-gap' Löchertransport-Materialien, mit und ohne zusätzlicher Schicht zur Verbesserung der Elektroneninjektion. Sehr effiziente OLEDs mit immer noch niedriger Betriebsspannung wurden durch die Dotierung der Emissionsschicht mit Molekülen erhöhter Photolumineszenzquantenausbeute (Laser-Farbstoffe) erreicht. Eine optimierte LED-Struktur weist eine Betriebsspannung von 3.2-3.2V für eine Lichtemission von 100cd/m2 auf. Diese Resultate entsprechen den zur Zeit niedrigsten Betriebsspannungen für OLEDs mit ausschließlich im Vakuum aufgedampften Schichten. Die Stromeffizienz liegt bei ca. 10cd/A, was einer Leistungseffizienz bei 100cd/m2 von 10lm/W entspricht. Diese hohe Leistungseffizienz war nur möglich durch die Verwendung einer Blockschicht zwischen der dotierten Transportschicht und der Lichtemissions-Schicht. Im Rahmen der Arbeit konnte gezeigt werden, dass die Dotierung die Betriebsspannungen von OLEDs senken kann und damit die Leistungseffizienz erhöht wird. Zusammen mit einer sehr dünnen Blockschicht konnte einen niedrige Betriebsspannung bei gleichzeitig hoher Effizienz erreicht werden (Blockschicht-Konzept). / Organic dyes with a conjugated pi-electron system usually exhibit semiconducting behavior. Hence, they are potential materials for electronic and optoelectronic devices. Nowadays, some applications are already commercial on small scales. Controlled doping of inorganic semiconductors was the key step for today's inorganic semiconductor technology. The control of the conduction type and Fermi-level is crucial for the realization of stable pn-junctions. This allows for optimized light emitting diode (LED) structures with operating voltages close to the optical limit (around 2.5V for a green emitting LED). Despite that, organic light emitting diodes (OLEDs) generally consist of a series of intrinsic layers based on organic molecules. These intrinsic organic charge transport layers suffer from non-ideal injection and noticeable ohmic losses. However, organic materials feature some technological advantages for device applications like low cost, an almost unlimited variety of materials, and possible preparation on large and flexible substrates. They also differ in some basic physical parameters, like the index of refraction in the visible wavelength region, the absorption coefficient and the Stokes-shift of the emission wavelength. Doping of organic semiconductors has only been scarcely addressed. Our aim is the lowering of the operating voltages of OLEDs by the use of doped organic charge transport layers. The present work is focused mainly on the p-type doping of weakly donor-type molecules with strong acceptor molecules by co-evaporation of the two types of molecules in a vacuum system. In order to understand the improved hole injection from a contact material into a p-type doped organic layer, ultraviolet photoelectron spectroscopy combined with X-ray photoelectron spectroscopy (UPS/XPS) was carried out. The experimental results of the UPS/XPS measurements on F4-TCNQ doped zinc-phthalocyanine (ZnPc) and their interpretation is given. Measurements were done on the typical transparent anode material for OLEDs, indium-tin-oxide (ITO) and on gold. The conclusion from these experiments is that (i) the Fermi-energy comes closer to the transport energy (the HOMO for p-type doping), (ii) the built-in potential is changed accordingly, and (iii) the depletion layer becomes very thin because of the high space charge density in the doped layer. The junction between a doped organic layer and the conductive substrate behaves rather similar to a heavily doped Schottky junction, known from inorganic semicondcutor physics. This behavior favors charge injection from the contact into the organic semiconductor due to tunneling through a very small Schottky barrier (quasi-ohmic contact). The performance of OLEDs with doped charge transport layers improves successively from a simple two-layer design with doped phthalocyanine as hole transport layer over a three-layer design with an electron blocking layer until OLEDs with doped amorphous wide gap materials, with and without additional electron injection enhancement and electron blocking layers. Based on the experience with the first OLEDs featuring doped hole transport layers, an ideal device concept which is based on realistic material parameters is proposed (blocking layer concept). Very high efficient OLEDs with still low operating voltage have been prepared by using an additional emitter dopant molecule with very high photoluminescence quantum yield in the recombination zone of a conventional OLED. An OLED with an operating voltage of 3.2-3.2V for a brightness of 100cd/m2 could be demonstrated. These results represent the lowest ever reported operating voltage for LEDs consisting of exclusively vacuum sublimed molecular layers. The current efficiency for this device is above 10cd/A, hence, the power efficiency at 100cd/m2 is about 10lm/W. This high power efficiency could be achieved by the use of a blocking layer between the transport and the emission layer.
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