Em nosso trabalho, analisamos duas epopéias coloniais do Brasil, a \"De Gestis Mendi de Saa\", de José de Anchieta, e \"Caramuru\", de Santa Rita Durão, buscando verificar suas semelhanças e diferenças no que tange a seu discurso religioso e a suas formas de representar o índio brasileiro. / In this dissertation I analysed two colonial brazilian epic poems, \"De Gestis Mendi de Saa\", by José de Anchieta, and \"Caramuru\", by Santa Rita Durão, searching to verify their similitudes and differences concerning their religious discurse and their ways of representing brazilian indians.

Orientador: Fernando Iikawa / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin. / Made available in DSpace on 2018-08-12T12:58:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gomes_PauloFreitas_D.pdf: 14344200 bytes, checksum: 55a7f7d3b644c0dc43151a411d53757b (MD5) Previous issue date: 2009 / Resumo: No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados por rf-sputtering, variando a concentração de Oxigênio e érbio durante o crescimento. O érbio é adicionado aos filmes cobrindo parcialmente a superfície do alvo de silício com pequenos cacos de érbio metálico. Medidas de espectroscopia Raman e microscopia eletrônica de alta resolução (HRTEM) fornecem o tamanho e densidade de nanocristais em cada amostra. Medidas de fotoluminescência (PL) dos nanocristais na temperatura ambiente mostram que o tamanho dos nanocristais varia com a concentração de oxigênio e temperatura de tratamento térmico. A dependência da PL dos nanocristais com a temperatura pode ser entendida considerando a competição entre processos radiativos e não-radiativos. Em amostras com érbio a taxa de recombinação não-radiativa é maior que nas amostras sem érbio. O estudo da PL dos nanocristais e dos íons Er3+ mostra que o Er3+ funciona como um centro de recombinação não-radiativa para a energia proveniente da recombinação de portadores nos nanocristais. Neste caso, parte da energia gerada nos nanocristais é transferida para os íons Er3+ ao invés de ser emitida na forma de fótons. Também é possível observar que a intensidade da PL do Er3+ depende da intensidade da PL dos nanocristais e é maior em amostras contendo nanocristais de ~3nm (que emitem em ~1,5eV), indicando que a transferência é ressonante (com a excitação 4I15/2 ---> 4I9/2 do Er3+ que corresponde a uma energia de 1,5eV). Os nanofios de ZnO com érbio são preparados por deposição vapor-liquid-solid (VLS) e por electrospinning. Em amostras preparadas por VLS, o érbio é depositado sobre os nanofios após sua preparação. No electrospinning um composto organometálico de érbio é adicionado ao polímero precursor. É observada luminescência de érbio quando as amostras são excitadas com um comprimento de onda ressonante com algum nível mais energético do Er3+. Nanocristais de E2O3 são observados por HRTEM na superfície dos nanofios preparados por VLS. Medidas de EXAFS revelam que a vizinhança do Er nessas amostras é idêntica à do óxido Er2O3, indicando que não ocorreu dopagem substitucional do ZnO. / Abstract: We present a study of erbium luminescence in silicon nanocrystals (nc-Si) and zinc oxide nanowires (nw-ZnO). Silicon nanocrystals are produced by annealing of amorphous sub-oxide thin films (SiOx) prepared by rf-sputtering varying the oxygen and erbium concentration during growth. Erbium is added by partially covering the silicon target surface with small pieces of metallic erbium. Raman spectroscopy and HRTEM measurements reveal the size and density of nanocrystals in each sample. Photoluminescence (PL) measurements at room temperature show that the nanocrystal size changes with oxygen concentration and annealing temperature. The PL dependence on the temperature can be understood considering a competition between radiative and non-radiative processes. In samples with erbium the non-radiative recombination rate is higher than in samples without erbium. The study of the nanocrystal and Er3+ PL show that Er3+ behaves as non-radiative recombination centers for excited carriers in the nanocrystals. Part of the energy from the nanocrystals is transferred to Er3+ instead of being emitted as light. The Er3+ PL intensity depends on the nanocrystal PL intensity and is higher in samples containing nanocrystals ~3nm (which emit at ~1.5eV), indicating that the energy transfer is resonant (with the 4I15/2 -----> 4I9/2 Er3+excitation at ~1.5eV) ZnO nanowires were prepared by vapor-liquid-solid (VLS) deposition and by electrospinning. In the VLS method erbium is deposited on the nanowires after growth. In the electrospinning method a metallorganic compound is added to the polymer precursor. Erbium PL is observed when the samples are excited by one of the Er3+ higher transitions. Er2O3 nano-crystals are observed by HRTEM on the surface of the nanowires prepared by VLS. EXAFS measurements in these samples show that the Erneighborhood is identical to that of E2O<>3 indicating that there was no substitutional / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Mônica Alonso Cotta / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-19T18:21:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_DouglasSoaresde_M.pdf: 3151118 bytes, checksum: 954bfe85e80e3ae53e5e5c87d10aa961 (MD5) Previous issue date: 2012 / Resumo: O estudo em nanofios semicondutores é crescente, seja pelo grande potencial de aplicações previsto para eles, seja para entender a dinâmica de formação dessas nanoestruturas. Entretanto, estes dois elementos estão ligados, pois é necessário entender o processo de síntese dos nanofios semicondutores para utilizar todo o seu potencial para aplicações. Neste trabalho, crescemos e estudamos nanofios de fosfeto de índio. Os nanofios foram crescidos pela técnica vapor-líquido-sólido em uma câmara de crescimento epitaxial por feixe químico (CBE). Através de microscopia eletrônica de varredura e microscopia eletrônica de transmissão, obtivemos dados para análise dos nossos resultados. Os parâmetros de crescimento utilizados foram escolhidos de forma que nossos nanofios apresentassem um número bastante significativo de falhas de empilhamento. Utilizamos também nanopartículas catalisadoras muito pequenas (~5nm). Nosso resultado principal foi uma nova morfologia para nanofios. Obtivemos nanofios com variações periódicas de diâmetro sem modificar os parâmetros durante o crescimento. Sendo a distância entre essas variações de diâmetro crescente com o inverso do fluxo do precursor de índio (Trimetil-índio) fornecido durante o crescimento. Análise por microscopia eletrônica de transmissão nos mostrou que essas oscilações periódicas de diâmetro estão associadas com um aumento muito grande no número de falhas de empilhamento e mudanças na fase cristalográfica, de wurtzita para blenda de zinco. Esta morfologia foi modelada por nós como a nanopartícula englobando parcialmente a lateral do nanofio periodicamente durante o crescimento. Nosso modelo é baseado em considerações sobre a competição entre as rotas de incorporação de índio durante o crescimento, as condições termodinâmicas para a nucleação na linha de três fases e estabilidade mecânica da nanopartícula sobre o nanofio durante o crescimento / Abstract: The study of semiconductor nanowires is growing, either due to the great potential for applications or to understand the dynamics of formation of these nanostructures. However, these two elements are linked since it is necessary to understand the synthesis of semiconductor nanowires in order to use all its potential for applications. In this work, we studied and grew nanowires of indium phosphide. These nanowires were grown by the vapor-liquid-solid method on a chemical beam epitaxy (CBE) chamber. They were studied by scanning and transmission electron microscopy. The growth parameters used were chosen so that our NWs presented a significant number of stacking faults and very small (~5nm) catalyst nanoparticles (NPs). Our main result was the observation of a new NW morphology. We have obtained NWs with periodical variations in diameter without any changes in growth parameters during the run. The distance between these oscillations depends almost linearly on the inverse of the Indium precursor flow (TMI) provided during growth. Analysis by transmission electron microscopy has shown that the periodic oscillations in diameter are associated with a very large increase of SF densities and crystallographic phase changes, from Wurtzite to Zinc Blende phase. We have modeled the formation of this morphology as the NP partly wetting the NW sidewalls periodically during growth. Our model is based in considerations of competition between the routes of incorporation of indium during growth, the thermodynamic conditions for nucleation at the three-phase line and mechanical stability of the NP on the NW during growth / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Monica Alonso Cotta / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-04T02:49:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bortoleto_JoseRobertoRibeiro_D.pdf: 16802950 bytes, checksum: 1ef2bf92db0b00f30e5db9c5e3e3f34d (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: Neste trabalho estudamos os mecanismos de crescimento durante a epitaxia de estruturas III-V baseadas na liga InP. Em particular, o principal objetivo foi correlacionar os mecanismos cinéticos durante a nucleação de nanoestruturas auto-formadas com as propriedades estruturais da camada que serve de substrato. Todas as amostras foram crescidas usando um sistema de epitaxia por feixe químico (CBE). De forma geral as amostras foram caracterizadas usando microscopia de força atômica (AFM), microscopia eletrônica de transmissão (TEM), difração de elétrons de alta energia (RHEED) e difração de raios-X. Na primeira parte deste trabalho correlacionamos as mudanças morfológicas nos filmes homoepitaxiais de InP com o padrão de RHEED exibido durante o crescimento epitaxial. Mostramos que as mudanças morfológicas de 3D para 2D com os parâmetros de crescimento estão diretamente relacionadas com as reconstruções superficiais 2x1 e 2x4, respectivamente. Além disso, indicamos que a formação de defeitos morfológicos é devido à dimerização In-P, através da ativação local do mecanismo de bias na difusão. Por outro lado, também investigamos o efeito dos parâmetros de crescimento (temperatura, taxa de crescimento e quantidade de material) na nucleação e auto-formação de ilhas de InP sobre InGaP/GaAs. Na segunda parte desta tese concentramos nossa atenção no efeito das propriedades da camada buffer de InGaP sobre nanoestruturas auto-formadas, principalmente sobre a sua organização espacial. Para tanto, em primeiro lugar, investigamos as propriedades de bulk da liga de InGaP e a dependência com os parâmetros de crescimento. Nossos resultados mostram que o InGaP exibe tanto ordenamento atômico de rede quanto modulação de composição. Estes dois fenômenos estão correlacionados com o tipo de reconstrução superficial. Em específico, a liga de InGaP apresenta ordenamento CuPtB quando a superfície exibe reconstrução superficial 2x1, conforme descrito na literatura. Por outro lado, a reconstrução superficial 2x4 desempenha um papel importante no fenômeno de modulação de composição. De fato, tanto a modulação de composição quanto a morfologia superficial do filme depende dos mecanismos cinéticos de superfície, que envolvem tanto os átomos adsorvidos de In quanto de Ga. Por fim mostramos que a modulação de composição na liga de InGaP pode organizar espacialmente a nucleação de ilhas de InP em uma rede quadrada. Além disso, mostramos que é possível criar redes bidimensionais de pontos quânticos de InAs/GaAs a partir do arranjo espacialmente ordenado das ilhas de InP/InGaP / Abstract: In this work we study the growth mechanisms during epitaxy of III-V structures based on InP. The main goal was to correlate the kinetic mechanisms during nucleation of self-assembled nanostructures with the bulk properties of the buffer layer. All samples were grown by chemical beam epitaxy (CBE) and characterized using atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM), reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and X-ray diffraction. In the first part of this work we correlate the morphological changes in homoepitaxial InP films with the RHEED pattern during growth process. We show that the morphological transition from 3D to 2D with growth parameters is related to changes in surface reconstruction, from 2x1 to 2x4. Moreover, we point out that the formation of morphological defects is due to mixed In-P dimerization, via the local activation of the diffusion bias mechanism. On the other hand, we also investigate the influence of the growth parameters (temperature, growth rate and amount of deposited material) on the nucleation and selfassembly of InP islands grown on InGaP/GaAs layers. In the second part of this work we concentrate our attention on the InGaP bulk properties, and their effect on the self-assembled InP nanostructures, mainly regarding their spatial ordering. In this way, we first investigate the dependence of InGaP bulk properties with the growth parameters. Our results show that our InGaP layers exhibit atomic ordering as well as compositional modulation. Both phenomena are correlated to the surface reconstruction exhibited by the InGaP surface during growth process. The InGaP alloy presents CuPtB atomic ordering when the RHEED pattern shows 2x1 reconstruction, in agreement with reports in literature. On the other hand, the 2x4-type reconstruction plays an important role in the compositional modulation phenomena. Actually, both compositional modulation and surface morphology of InGaP films depend on surface kinetic mechanisms, and thus on In and Ga adatom mobilities. At last we show that the compositional modulation in the InGaP alloy can be used to organize spatially the InP islands in a square lattice. Moreover, we point out that it is possible to produce bidimensional lattices of InAs/GaAs quantum dots starting from a template of laterally organized InP/InGaP nanostructures / Doutorado / Física da Matéria Condensada / Doutor em Ciências

Fundação de Amparo a Pesquisa no Estado do Rio Grande do Sul / The proposal of this work is separate the liquid crystal display (LCD) screen of cell phones in disuse, removing polymers which are adhered to the glass screen by using an appropriate solvent, and then perform the glass comminution to leaching the metal oxides that form part of the composition of the LCD screens of cell phones, as well as the screens of televisions, computers, digital clocks and other devices that have liquid crystal displays. With these proceedings, the polymeres, glass and metallic oxides are separated and can be recovered and reused, avoiding the consumption of non-renewable raw materials. Several tests are made under different conditions of temperature, time, ratio solute/solvent, particle size comminution and acid concentration in the leaching. The amount of indium and tin present in LCD screens, in the form of indium tin oxide (ITO) is analyzed in an apparatus for atomic absorption flame, which provides the same amount of the leaching solution. Compared with the amount of indium extracted in a solution of aqua regia 1:20, considered the condition of maximum extraction metal oxides, the quantity of indium recovered, in 1M sulfuric acid solution in 1:10 at 90ºC for 2 hours with those procedures was 98,74%. / A proposta deste trabalho é de separar, através de um desmantelamento manual, a tela de LCD de aparelhos celulares em desuso e, posteriormente, retirar os polímeros que ficam aderidos à superfície do vidro da tela com o uso de um solvente adequado, em seguida realizar a cominuição do vidro para a lixiviação dos óxidos metálicos que fazem parte da composição das telas de LCD de aparelhos de telefones celulares. Com estes procedimentos são separados polímeros, óxidos metálicos e o vidro, que podem ser recuperados e reutilizados, evitando o consumo de matérias-primas não renováveis. Foram testadas condições diferentes de temperatura, tempo, proporção soluto/solvente, tamanho de partículas cominuídas e concentração ácida nas lixiviações. A concentração de índio e de estanho presente nas soluções obtidas na lixiviação das telas de liquid crystal display (LCD) que contém óxido de estanho e índio (ITO) foi determinada pela técnica de absorção atômica (AAS). Em comparação com a quantidade de índio extraída em uma solução de água régia utilizando uma relação sólido-líquido de 1:20, considerada a condição de extração máxima dos óxidos metálicos, a quantidade de índio recuperada em solução de ácido sulfúrico 1M, na proporção 1:10, a 90ºC por 2 horas e sob agitação, foi de 98,74%.

Orientadora: Mônica Alonso Cotta / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-31T00:06:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AldelianeMariada_M.pdf: 11574559 bytes, checksum: 5c39733d3a4441b98e7edbef8adbd795 (MD5) Previous issue date: 2016 / Resumo: Este trabalho apresenta resultados de nossa investigação sobre as propriedades elétricas do biossensor do tipo transistor de efeito de campo (FET, do inglês Field Effect Transistor) baseado em fosfeto de índio (InP). A estrutura deste biossensor consiste em um filme fino de InP do tipo-n crescido por Epitaxia de Feixe Químico (CBE, do inglês Chemical Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP semi-isolante. No nosso biosensor, o contato da porta foi substituído por uma camada de biomoléculas carregadas de interesse para a detecção, funcionalizadas na camada de óxido do InP. O campo elétrico associado a estas biomoléculas pode modular o canal de condução. O sistema de interação específica utilizado foi a hibridização de fitas de ssDNA (single stranded DNA) complementares, onde os oligonucleotídeos receptores (probe) ssDNA foram imobilizados covalentemente na superfície da amostra. Este procedimento foi realizado através da oxidação com plasma de O2, seguida da funcionalização utilizando etanolamina e polietileno glicol (PEG), que serve como linker para a imobilização de receptores na superfície. As medidas elétricas de detecção foram feitas com as moléculas de target diluídas em buffer TRIS. A hibridização do DNA provoca um aumento na densidade de cargas na superfície, que consequentemente aumenta a largura da região de depleção no semicondutor, variando a resistência medida. A resposta do biossensor corresponde à variação da resistência em função da concentração de target. O biossensor apresentou sensibilidade para medidas de concentrações entre 10 pM e 30 pM, onde ocorre a saturação, e o tempo de resposta, no qual encontramos a estabilização do sinal medido, foi de aproximadamente 20 min. Variando a concentração de portadores e a espessura da camada semicondutora, verificamos alterações no limite de saturação (até ?M) e na sensibilidade do dispositivo. O controle destas propriedades, porém, mostrou-se limitado devido à variações na dopagem residual do semicondutor, e por isso discutimos aqui alternativas à geometria do dispositivo. Analisamos também a camada funcionalizada através de medidas de topografia e potencial de superfície usando métodos de microscopia de varredura por sonda (SPM, do inglês Scanning Probe Microscopy). Pudemos identificar a variação no potencial de superfície associada à imobilização do PEG e do DNA probe, mas não obtivemos resolução para o DNA target. Esta técnica permitiu porém verificar a estratificação de quatro níveis de potencial de superfície, no caso onde a funcionalização resultou em camadas mais espessas do que os valores típicos (~2 nm de espessura), em pequenas áreas do semicondutor / Abstract: This dissertation presents our results for the electrical properties investigation of Indium Phosphide (InP) based Field Effect Transistor (FET) biosensor. The structure of this biosensor consists of a thin n-type InP film grown by Chemical Beam Epitaxy (CBE) on a semi-insulating InP substrate. In our biosensor, the gate contact has been replaced by charged biomolecules of interest for detection, functionalized to the InP oxide layer. The electric field associated with these biomolecules provides the conduction channel modulation. The specific interaction system used here was the hybridization of single stranded-DNA (ssDNA) complementary oligonucleotides, for which the ssDNA receivers (probes) were covalently immobilized on the sample surface. The functionalization was carried out by oxidation with O2 plasma, followed by grafting biomolecules using ethanolamine and polyethylene glycol (PEG), which act as a linker for immobilizing the receptors on the surface. Electrical detection measurements were made with the target molecules diluted in TRIS buffer. DNA hybridization causes an increase in the surface charge density; consequently the semiconductor depletion width increases, affecting the measured resistance. The biosensor response function corresponds to the resistance variation as a function of target concentration. Our biosensor showed measured sensitivity to concentrations between 10 pM and 30 pM, for which signal saturation occurs. The response time, for which the measured signal stabilization was observed, was approximately 20 min. By varying the carrier concentration and the thickness of the semiconductor layer, we observed changes in the saturation limit (up ?M) and device sensitivity. The control of these properties, however, is limited due to variations in the residual doping of the semiconductor. Therefore we discuss here alternative device geometries. We also analyzed the functionalized layer by topography and surface potential measurements obtained using scanning probe microscopy (SPM) methods. We were able to identify the change in surface potential associated with the immobilization of PEG and probe DNA, but not for the target DNA. These techniques have however shown four surface potential levels in the case when the functionalization resulted in non-uniform layers, thicker than the typical values (~ 2 nm), in small areas of the semiconductor / Mestrado / Física / Mestra em Física / 165741/2014-7 / CNPQ

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / This PhD thesis describes our results on the application of indium(I) bromide in carbon-carbon bond forming reactions. Indium enolates, generated in situ from the reaction between indium(I) bromide and α,α-dichloroketones, react with carbonyl compounds and electron-deficient alkenes. Reactions of indium enolate with α,α-dichloroketones, in presence of extra InBr, leads to the formation of 1,4-diketones. The coupling with aldehydes leads alternatively, according as the stoichiometry, to the diastereoselective synthesis of (syn+anti)-2-chloro-3-hydroxy-propan-1-ones (which can be converted to the respective trans-epoxyketones), (E)-α,β-unsaturated ketones and cyclopropanes, upon a sequenced reaction mechanism. We also have developed a methodology for the preparation of cyclopropanes through the reaction of the indium enolate and other organoindium(III) compounds, derived from the reactions between InBr and α,α-dihalo carbonyl compounds and halo-acetonitriles, with electron-deficient alkenes. / Este trabalho descreve os resultados dos estudos realizados sobre aplicações de brometo de índio(I) em reações para formação de ligações carbono-carbono. A reação entre brometo de índio(I) e α,α-diclorocetonas produz, in situ, enolatos de índio que reagem com compostos carbonílicos e alcenos deficientes em elétrons. As reações do enolato de índio com outras moléculas de α,α-diclorocetonas, na presença de InBr em excesso, leva à formação de 1,4-dicetonas. O acoplamento com aldeídos leva alternativamente, conforme a estequiometria, à formação diastereosseletiva de (syn+anti)-α-cloro-β-hidróxi-cetonas (que podem ser convertidas às respectivas trans-epóxi-cetonas), cetonas (E)-α,β-insaturadas e ciclopropanos, segundo um mecanismo de reações sequenciais. Ainda foi desenvolvida uma metodologia para preparação de ciclopropanos através da reação do enolato de índio e de outros compostos organoíndio(III), derivados da reação entre InBr e vários compostos carbonílicos α,α-di-halogenados e halogeno-acetonitrilas, com alcenos deficientes em elétrons.

O óxido de índio dopado com estanho é um semicondutor degenerado de alta transparência no espectro visível e alta condutância elétrica. Por suas propriedades, ele é utilizado como eletrodo transparente em diversas aplicações. Algumas destas aplicações exigem que os filmes sejam depositados sobre substratos poliméricos, que degradam em temperaturas acima de 100 °C. Por este motivo, métodos de deposição que utilizam baixas temperaturas são necessários. O objetivo deste trabalho é o desenvolvimento de técnicas de deposição de filmes de óxido de índio dopado com estanho, em baixas temperaturas (< 100 °C), pelo método de magnetron sputtering de rádio fequência. Filmes foram obtidos sobre substratos de silício, vidro e policarbonato, e suas propriedades físicas, elétricas, ópticas, químicas e estruturais foram analisadas por perfilometria, elipsometria, curvas corrente-tensão, prova de quatro pontas, medidas de efeito Hall, difratometria de raios-X e espectrofotometria. Filmes depositados sobre silício e vidro tiveram resistividade elétrica mínima da ordem de 10^-4 Ohm.cm, enquanto a resistividade do filme obtido sobre policarbonato foi da ordem de 10^-3 Ohm.cm. A transmitância óptica média no espectro visível das amostras variou de 66 a 87 %. Do ponto de vista estrutural, as amostras tenderam a apresentar fase amorfa e cristalina, com orientação preferencial ao longo da direção [100]. De modo geral, as amostras obtidas de 75 a 125 W tiveram as melhores propriedades para serem utilizadas em aplicações que exijam eletrodos transparentes, considerando aspectos elétricos e ópticos. / Indium-tin oxide is a degenerate semiconductor that shows high transmittance in the visible region of the spectrum and high electrical conductance. Because of its properties, this material is used as transparent electrode in a wide variety of applications. Some of these applications demand the indium-tin oxide layer to be deposited over polymer substrates, which degrade at temperatures above 100 °C. Because of this degradation problem, deposition methods at low temperatures are needed. The purpose of this work is the development of low temperature (< 100 °C) indium-tin oxide deposition processes by radio frequency magnetron sputtering method. Thin films were deposited over silicon, glass and polycarbonate substrates, and their physical, electrical, optical, chemical and structural properties were analyzed by surface high step meter, ellipsometry, current-voltage curves, four-point probe analysis, Hall effect measurements, X-ray diffractometry and spectrophotometry. Films deposited over silicon and glass substrates showed minimal electrical resistivity in the order of 10^-4 Ohm.cm, while the resistivity of the film obtained over polycarbonate was in the order of 10^-3 Ohm.cm. The average transmittance in the visible spectrum varied over the range 66 to 87 %. According to the structural study, the films present both amorphous and crystalline phases, with crystallites showing preferential orientation along the [100] direction. In general, films deposited with power varying over the range 75 to 125 W showed the best results to be applied as transparent electrodes, considering electrical and optical aspects.

Made available in DSpace on 2016-04-28T20:38:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Luciano Diniz de Oliveira.pdf: 827141 bytes, checksum: 5f7f7dc7e129138be6d6b6c69f6f002f (MD5) Previous issue date: 2012-06-01 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / The aim of the present work is to understand the psychological process underlying the initiation of the pajé . This aim was pursued using Analytical Psychology as a theoretical background. The pajé is a figure of central importance within Indian societies and the process of his initiation is looked upon as an important phenomenon as regards Analytical Psychology, because it constitutes a process of conscience transformation. In order to achieve a better understanding of this issue aspects of native cultures as initiation rites and shamanism were analyzed on the basis of Analytical Psychology. An interview of a Kamaiurá pajé , enriched with Analytical Psychology concepts was also utilized / Este trabalho tem como objetivo compreender o ponto de vista psicológico do processo de iniciação do pajé. Para esta compreensão foi utilizado o referencial teórico da Psicologia Analítica. O pajé é uma figura central na dinâmica das sociedades indígenas e seu processo de iniciação é considerado um fenômeno importante para a Psicologia Analítica, uma vez que demonstra um processo de transformação da consciência. Para se compreender essa temática foram discutidos alguns aspectos da Psicologia Analítica no entendimento das culturas nativas assim como nos ritos de passagem e xamanismo. Foi utilizada também uma entrevista concedida por um pajé Kamaiurá, que foi amplificada com conceitos da Psicologia Analítica

Análise histórico-literária do poema épico De Gestis Mendi de Saa, escrito por José de Anchieta no século XVI. Sob a perspectiva de uma época de reforma e contra-reforma religiosa, procurou-se mostrar como as guerras figuradas, neste poema, pelo padre Anchieta imitam os discursos de autoridades como Santo Agostinho e Tomás de Aquino e o direito canônico vigente do Concílio de Trento. Neste embate de bandeira católica contra bandeira protestante em terras brasílicas, os índios serão figurados não como inimigos dos portugueses, mas, por serem pagãos, do próprio Deus de Roma que, por meio do herói desta epopéia, busca a inserção deles no mundo cristão. / A historical and literary analysis of the epic poem \"De Gestis Mendi de Saa\", written by José de Anchieta in the 16th century. Under a perspective of religious Reformation and Counter-reformation period, this work tried to demonstrate how the depicted wars in this poem by the priest José de Anchieta imitate the speeches of the medieval authorities - Saint Augustine and Saint Thomas Aquinas - and the canonical law of the Council of Trent time. In this struggle between catholic and protestant flags in Brazilian soil, the Indians are considered as non-enemies of the Portuguese, but for being gentile, also of the very roman God that by means of the hero of this epic pursues their insertion through the Christian world.