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11	Natalia Berger: „The Jewish Museum. History and Memory, Identity and Art from Vienna to the Bezalel National Museum, Jerusalem Warneck, Dorothea 17 June 2020 (has links) Berger, Natalia: The Jewish Museum. History and Memory, Identity and Art from Vienna to the Bezalel National Museum, Jerusalem [= Ben-Rafael, Eliezer/Gorny, Yosef/Liwerant, Judit Bokser (Hg.): Jewish Identities in a Changing World, Band 29], Leiden/Boston: Brill 2018, 584 S., ISBN: 978-90-04-35387-9, EUR 160,00. Besprochen von Dorothea Warneck. info:eu-repo/classification/ddc/290 ddc:290 info:eu-repo/classification/ddc/940 ddc:940
12	Organisationsempfehlungen für sächsische Gemeinden mit 5.000 bis 10.000 Einwohnern: Beratende Äußerung gem. § 88 Abs. 2 i. V. m. § 96 Abs. 1 Satz 3 SäHO; September 2020 10 November 2021 (has links) Die Kommunen stehen vor teils enormen personellen und organisatorischen Herausforderungen. Diese zu bewältigen, wird u. a. durch effiziente Strukturen begünstigt. Der SRH unterstützt Kommunen mit der vorliegenden Beratenden Äußerung und stellt ein Organisationsmodell als Fortschreibung bzw. Aktualisierung der Beratenden Äußerung aus dem Jahre 2005 „Organisationsmodell für Gemeinden mit 5.000 bis 10.000 Einwohnern“ zur Verfügung. Das vorliegende Organisationsmodell ermöglicht den Kommunen der Größenklasse 5.000 bis 10.000 Einwohner aufgabenbezogen individuell (z. B. hinsichtlich des Eigenerledigungsgrades, der Arbeitsmenge oder der Aufgabenerfüllungsintensität) die empfohlenen Sollwerte (VZÄ) als Orientierung für ihre Personalausstattung zu bestimmen. Gz.: 21-0444/35/11-2020/10982 Redaktionsschluss: 04. August 2020 Sachsen, Kommune, Personalplanung info:eu-repo/classification/ddc/320 ddc:320 info:eu-repo/classification/ddc/330 ddc:330
13	Assembly of optical transceivers for board-level optical interconnects Nieweglowski, Krzysztof, Bock, Karlheinz 30 August 2019 (has links) This paper demonstrates an approach for passive alignment and assembly of link components for board-level very-short range optical interconnects. This interchip optical link is based on planar polymeric multimode waveguides and glassbased electro-optical transceivers. The main aim of the work is the investigation of assembly processes of link components in order to fulfill the tolerance requirements using passive alignment. The optical characterization in regard to the optical coupling between link components will define the tolerances for the alignment process. This optical analysis is based on measurements of spatial coupling characteristics. The influence of assembly tolerances on the coupling efficiency is investigated. Flip-chip assembly of electro-optical devices on the glass interposer and of the glass interposer on optical overlay is presented to prove the implementation of the concept. info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620
14	Electro-optical integration for VCSEL-based board-level optical chip-to-chip communication Nieweglowski, Krzysztof, Tiedje, Tobias, Schöniger, David, Henker, Ronny, Ellinger, Frank, Bock, Karlheinz 09 September 2019 (has links) This paper discusses the technology development for integration of parallel optical interconnects on board-level, including the active and passive optical components as well as the electrical integrated circuitry. The inter-chip link is based on planar polymeric optical multimode waveguides with integrated out-of-plane coupling optics and optical transceiver subassemblies based on glass interposer. Integration of polymeric waveguides on flexible substrates will be shown since the realization of an overlay optical substrate enhances the yield and testability of the final hybrid electrooptical printed circuit board (EOPCB). Realized on-board waveguides feature low insertion loss (minimum attenuation coefficient of below 0.1 dB/cm). For short planar waveguides (Lwaveguide = 9 cm) error free transmission (BER < 10-12) up to 30 Gbit/s was achieved. The development of glass interposer passive optical coupling structures for VCSEL-based short-distance links will be described. info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620
15	Electronic Structure of Transition Metal Dichalcogenides and Molecular Semiconductors Ma, Jie 01 December 2022 (has links) Zweidimensionale (2D) Übergangsmetalldichalcogenide (TMDCs) gehören zu den attraktivsten neuen Materialien für optoelektronische Bauelemente der nächsten Generation. Um die überlegene Funktionalität der mit TMDCs verbundenen Bauelemente zu realisieren, ist ein umfassendes Verständnis ihrer elektronischen Struktur, einschließlich, aber nicht beschränkt auf die Auswirkungen von Defekten auf die elektronischen Eigenschaften und die Ausrichtung der Energieniveaus (ELA) an den TMDCs-Grenzflächen, unerlässlich, aber derzeit nicht ausreichend. Um einen tieferen Einblick in die elektronischen Eigenschaften von TMDCs und den damit verbundenen Grenzflächen in Kombination mit molekularen Halbleitern (MSCs) zu erhalten, untersuchen wir i) die fundamentale Bandstruktur von Monolagen (ML) TMDCs und die durch Schwefelfehlstellen (SVs) induzierte Renormierung der Bandstruktur, um eine solide Grundlage für ein besseres Verständnis der elektronischen Eigenschaften von polykristallinen dünnen Filmen zu schaffen, und ii) die optoelektronischen Eigenschaften ausgewählter MSC/ML-TMDCs-Grenzflächen. Darüber hinaus wird iii) der Einfluss des Substrats auf die elektronischen Eigenschaften einer MSC/ML-TMDC-Grenzfläche untersucht, um das Bauelementedesign zu steuern. Die Charakterisierung erfolgt hauptsächlich durch winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie (ARPES), ergänzt durch Photolumineszenz (PL), Raman-Spektroskopie, UV-Vis-Absorption, Rastertransmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Rasterkraftmikroskopie (AFM). Unsere Ergebnisse tragen zu einem besseren Verständnis der Auswirkungen von Defekten auf ML-TMDC und verwandte Grenzflächen mit MSCs bei, wobei auch die Auswirkungen der Substrate berücksichtigt werden, und sollten dazu beitragen, unser Verständnis des elektronischen Verhaltens in TMDC-verwandten Geräten zu verbessern. / Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDCs) are amongst the most attractive emerging materials for next-generation optoelectronic devices. To realize the superior functionality of the TMDCs related devices, a comprehensive understanding of their electronic structure, including but not limited to the impact of defects on the electronic properties and energy level alignment (ELA) at TMDCs interfaces, is essential but presently not sufficient. In an attempt to get a deep insight into the electronic properties of TMDCs and the related interfaces combined with molecular semiconductors (MSCs), we investigate i) the fundamental band structure of monolayer (ML) TMDCs and band structure renormalization induced by sulfur vacancies (SVs), in order to provide a solid foundation for a better understanding the electronic properties of polycrystalline thin films and ii) the optoelectronic properties of selected MSC/ML-TMDC interface. In addition, iii) the impact of the substrate on the electronic properties of the MSC/ML-TMDC interface is investigated for guiding device design. The characterization is mainly performed by using angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES), with complementary techniques including photoluminescence (PL), Raman spectroscopies, UV-vis absorption, scanning transmission electron microscopy (TEM), and atomic force microscopy (AFM) measurements. Our findings contribute to achieving a better understanding of the impact of defects on ML-TMDC and related interfaces with MSCs considering the substrates’ effect and should help refine our understanding of the electronic behavior in TMDC-related devices. optoelektronischen Eigenschaften Ausrichtung der Energieniveaus Schwefelfehlstellen Renormierung der Bandstruktur MSC/ML-TMDCs-Grenzflächen optoelectronic properties energy level alignment sulfur vacancies band structure renormalization MSC/ML-TMDC interface 541 Physikalische Chemie ddc:541
16	Photodissoziation von Halogenwasserstoff- und orientierten Wasserstoff-Edelgas-Halogen-Molekülen in Clusterumgebungen / Photodissociation of hydrogen halide and oriented hydrogen-rare gas-halogen molecules in cluster environments Nahler, Nils Hendrik 28 October 2002 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Photodissoziation Cluster Halogenwasserstoff Edelgas UV Photodissoziation HBr HI HCl große Ar/sub n/ Cluster adsorbiertes Molekül eingebettes Molekül mittlere Größe Größenverteilung Energieverteilung Käfigeffekt Adsorptionsort orientierte Moleküle Gasphase Xe/sub n/ asymmetrische Verteilung gepulste Laserstrahlung elektrostatisches Feld Ausrichtung Orientierung Polarisierbarkeit Dipolmoment HXeI HXeCl Anisotropieparameter Verzweigungsverhältnis polarisierte Laserstrahlung Flugzeitmassenspektrometer Spin-Bahn Aufspaltung 243 nm 193 nm photodissociation cluster hydrogen halide rare gas UV photodissociation HBr HI HCl large Ar/sub n/ clusters adsorbed molecule embedded molecule mean size size distribution kinetic energy distribution cage effect adsorption sites oriented molecules gas phase Xe/sub n/ asymmetric distribution pulsed laser electrostatic field alignment orientation polarizability dipole moment HXeI HXeCl anisotropy parameter branching ratio polarized laser light time-of-flight mass spectrometer spin-orbit state 243 nm 193 nm 33.30 SD

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