Em um trabalho anterior verificou-se que a formação de bolhas de He pressurizadas em um substrato Si é capaz de melhorar a qualidade cristalina de uma estrutura GaN/AlN crescida heteroepitaxialmente sobre Si. As bolhas atraem as discordâncias geradas na interface com o substrato Si e as redireciona para o mesmo, reduzindo a densidade de discordâncias na estrutura crescida. Porém, um sistema de bolhas com características similares e que apresente uma maior estabilidade térmica é mais adequado para esta finalidade de crescimento. Neste trabalho investigou-se sistemas contendo bolhas de Ne e He-Ne obtidos a partir de diferentes parâmetros de implantação e temperaturas de recozimento. Ne foi implantado a 350 e 450°C, e nas amostras co-implantadas com Ne e He também foi avaliada a ordem de implantação. Posteriormente, essas amostras foram submetidas a tratamentos térmicos rápidos desde 400 até 1000°C. As amostras foram caracterizadas por medidas de Retroespalhamento de Rutherford e Canalização (RBS/C), Detecção por Recuos Elásticos (ERD) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET). Foi observado um maior nível de danos residuais devido à implantação de Ne, mesmo tendo sido implantado a 350 ou 450ºC. Um maior nível de danos residuais leva a uma morfologia semelhante entre os sistemas Ne e He-Ne, onde são observadas apenas bolhas esféricas e sem a presença de campos de tensão nas imagens de MET. Quando é implantado apenas He, no mencionado trabalho anterior, as bolhas formadas são tipo placa e circundadas por campos de tensão. Porém, no caso co-implantado quando Ti(Ne) = 450ºC ou quando um recozimento a 1000ºC entre implantações (Ne implantado primeiro) é realizado, a redução dos danos residuais leva a um sistema que se assemelha ao He puro: ocorre a formação de bolhas híbridas mais pressurizadas e com morfologia mista entre elípticas e esféricas. / In a previous work it was observed that the formation of pressurized He bubbles in a Si substrate is able to improve the crystalline quality of a GaN/AlN structure heteroepitaxialy grown over Si. The bubbles attract the misfit dislocations generated at Si substrate and redirect them toward the substrate, reducing the dislocation density in the overgrown GaN layer. However, a bubbles system with similar properties and able to show higher thermal stability is more suitable for this grown purpose. In this work we have investigated systems containing Ne and He-Ne bubbles obtained from different implantation parameters and annealing temperatures. Ne implantation was performed at 350 and 450°C, and we also interchanged the implantation order at the He-Ne co-implanted systems. Subsequently, these samples were subjected to rapid thermal annealing from 400 to 1000°C. The samples were characterized by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling (RBS/C), Elastic Recoil Detection (ERD) and Transmission Electron Microscopy (TEM). It was observed a higher residual damage level due to Ne implantation, even though it was implanted at 350 or 450°C. A higher damage level brings to a similar morphology between Ne and He-Ne systems, in which are just observed spherical bubbles with no stress field in the TEM images. When just He is implanted, in the mentioned previous work, the formed bubbles are plate like ones with the presence of stress field around them. However, in the co-implanted case when Ti (Ne) = 450ºC or when a 1000ºC is performed between implantations (Ne first implanted), the reduction of the residual damage brings to a system which is more He pure like: it occurs the formation of more pressurized hybrid bubbles and with a combined morphology between elliptical and spherical ones.

DANTAS, Davi Soares. Estruturas de confinamento de baixa dimensionalidade em superfícies de hélio líquido suspensas. 2012. 73 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2012. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-10-21T21:20:12Z No. of bitstreams: 1 2012_dis_dsdantas.pdf: 7266499 bytes, checksum: 9ac270f80eddaf4378a655a66bd0d2e6 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-10-22T21:33:49Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2012_dis_dsdantas.pdf: 7266499 bytes, checksum: 9ac270f80eddaf4378a655a66bd0d2e6 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-10-22T21:33:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2012_dis_dsdantas.pdf: 7266499 bytes, checksum: 9ac270f80eddaf4378a655a66bd0d2e6 (MD5) Previous issue date: 2012 / The system of electrons on liquid helium (EoH) is one of the most ideal objects for investigating the fundamental principles of the physics of low dimensionality, since they do not have the inhomogeneities and impurities generally found on semiconductors. Besisdes, these systems are expected to have future technological applications as quantum bits, which are of fundamental importance as building blocks of future quantum computers. Usually, the low-dimensional confinements structures for EoH suggested in the literature are based on a planar surface, where the lateral confinement is induced by an external potential controlled by electrodes. In this work, we suggest an alternative way to produce lateral confinement in liquid helium surfaces, namely, we demonstrate that the shape of the surface can be designed to produce single and double quantum dots by adjusting the shape of a cavity in the substrate. The surface was calculated for four different shapes of substrate cavity: i) a cilyndrical cavity, generating a single quantum dot; ii) a ring-shaped cavity, generating a quantum ring; iii) two cubic cavities connected by a channel, creating a coupled double-dot structure; and iv) two channel-shaped cavities that intersect perpendicularly to each other, where a single dot is formed in the intersection point. The electron is then deposited and confined to move on each surface by an external electric field. Our results show that the electron energy levels in these systems can be tuned by varying the electric field and the bulk level, which are easily adjustably. The effect of an external magnetic field on the energy spectrum in one of these systems is also investigated. / O sistema de elétrons na superfície de hélio líquido é considerado um dos melhores objetos na investigação de príncipios fundamentais da Física de baixa dimensionalidade, uma vez que estes não apresentam heterogeneidades e impurezas geralmente encontradas em heteroestruturas semicondutoras. Além disso, espera-se que estes sistemas tenham uma aplicação tecnológica futura como extit{bits} quânticos, que são fundamentais na construção de blocos dos futuros computadores quânticos. Geralmente, as estruturas de confinamento de baixa dimensionalidade sugeridas para elétrons na superfície de hélio líquido na literatura são baseadas em superfícies planas, onde o confinamento lateral é induzido por um potencial externo controlado por eletrodos. No presente trabalho, é sugerida uma forma alternativa de produzir o confinamento lateral em superfícies de hélio líquido, isto é, é demonstrado que a forma da superfície pode ser projetada para produzir anéis, fios e pontos quânticos apenas variando a forma da cavidade do substrato no qual o hélio líquido se encontra suspenso. A superfície foi calculada para quatro formas diferentes de cavidade: i) uma cavidade cilíndrica, gerando um ponto quântico simples; ii) uma cavidade em forma de anel circular, gerando um anel quântico; iii) duas cavidades em forma de canais que se interceptam perpendicularmente, formando um ponto quântico simples no ponto de interceptação; e iv) duas cavidades retangulares conectadas por um canal estreito, gerando um ponto duplo. O elétron é então depositado sobre a superfície e confinado a se mover em cada superfície devido à ação de um campo elétrico externo. Os resultados apresentados aqui mostram que os níveis de energia para estes sistemas podem ser alterados através da variação do campo elétrico e do banho de hélio, que são facilmente ajustáveis. O efeito de um campo magnético externo é também investigado em um destes sistemas.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:15:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2279.pdf: 5355843 bytes, checksum: 5509e9a3eed14a9111bbc32b09b09896 (MD5) Previous issue date: 2009-01-28 / Financiadora de Estudos e Projetos / In disordered systems the pinning strength on the carriers due to impurities or defects is one of the most important mechanisms that produce insulator behavior. A transition to a metal phase should occur if a driving field is applied to the system. In the last three decades, such transition in two-dimensional systems has attracted much attention in light of the fascinating experimental observations. However, the physics behind these observations is at the moment not entirely understood. Experiments relating nonlinear behavior of the conductivity and the dynamical response in such systems in the presence of disorder have motivated several theoretical proposals and numerical calculations in order to establish a better understanding of these phenomena. In this work we have studied, by means of Langevin molecular dynamics simulation, a classical two-dimensional system of electrons on liquid helium films adsorbed on a solid substrate subject to an external electric field parallel to the surface of the helium, which produces a driving force. This system is an ideal prototype for the two-dimensional electron gas formed on semiconductor heterostructures. Also, electrons floating on a liquid helium surface have been one of the most promising candidates as a base for quantum computing. To simulate a pinning center we constrain our system by imposing an in-plane potential with lorentzian shape. Firstly, we analyze the influence of the film thickness and the kind of substrate on the drift electron velocity as a function of the external driven force, which is directly related with the dc conductivity. Secondly, the dependence with temperature and disorder strength of the depinning was considered in the extent of the scaling behavior. Our results are in excellent agreement with several experiments and should elucidate better the dynamical response phenomena in 2D electronic systems in the presence of pinning disorder. / Em sistemas desordenados, a intensidade do ancoramento sobre os portadores devido às impurezas ou defeitos é um dos mecanismos principais no aparecimento do comportamento isolante. Uma transição para um estado metálico deve ocorrer se um campo de arrasto externo for aplicado ao sistema. Nas últimas três décadas, tal transição em sistemas bidimensionais (2D) tem despertado muito interesse diante de fascinantes observações experimentais. Entretanto, a Física por trás de tais observações não está, até o momento, completamente entendida. Experimentos relatando comportamento não linear da condutividade e a resposta dinâmica de tais sistemas na presença de desordem motivaram várias abordagens teóricas e cálculos numéricos na busca por uma melhor compreensão destes fenômenos. Neste trabalho, estudamos, usando simulação por Dinâmica Molecular de Langevin, um sistema clássico 2D de elétrons sobre filmes de hélio líquido adsorvidos sobre um substrato sólido e submetido a um campo elétrico externo paralelo à superfície do hélio, o qual produz uma força de arrasto. Este sistema é um protótipo ideal para o gás de elétrons 2D formado em heteroestruturas semicondutoras. Além disso, elétrons sobre a superfície de hélio líquido têm sido um dos candidatos mais promissores como base para o computador quântico. Para simular um centro de ancoramento, o sistema é colocado na presença de uma barreira de potencial na forma de uma lorentziana. Em primeiro lugar, analisamos a influência da espessura do filme e do tipo do substrato na velocidade de arrasto dos elétrons como função da força externa, que está diretamente relacionada com a condutividade dc. Em segundo lugar, a dependência do desancoramento com a temperatura e intensidade da desordem foi considerada no âmbito do comportamento de escala. Nossos resultados estão em excelente acordo com vários experimentos e podem esclarecer melhor o fenômeno da resposta dinâmica em sistemas eletrônicos 2D na presença de desordem de ancoramento.

Made available in DSpace on 2015-06-17T19:34:23Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2015-02-25. Added 1 bitstream(s) on 2015-06-18T12:48:57Z : No. of bitstreams: 1 000830845.pdf: 995151 bytes, checksum: 5545c45a36a93dcf65ce6d1fac6a1eb7 (MD5) / Este trabalho é uma tentativa de aproximação, por várias frentes diferentes, de Agripina é Roma Manhattan, curta-metragem no formato super-8 realizado por Hélio Oiticica em 1972, durante sua estadia em Nova Iorque. Consequentemente, este trabalho se aproxima de outras produções cinematográficas do universo rico e singular do artista. / This work is an attempt to approach, by several different ways; to Agripina is Rome-Manhattan, shortcut super-8 movie made by Hélio Oiticica in 1972, along his stay in New York City. Consequently, this work also takes a closer look to other cinematographic productions in the rich and unique Oiticica's universe.

Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e Li em Zn, com energias que vão de 400 keV a 7 MeV, no primeiro caso, e de 300 keV a 5 MeV, no segundo. Usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford com amostras do tipo Au(100Å)\Zn\Au(100Å)\Si, com camadas de Zn de espessuras de 460 Å, 750 Å e 1500 Å. Sendo o Zn o metal de transição com o maior deslocamento de energia entre as camadas 4s e 3d, ele é o alvo ideal para estudar a relação entre o poder de freamento e a velocidade do íon a baixas energias. Para ambos os tipos de projétil consegue-se observar a relação de proporcionalidade entre a perda de energia e a velocidade do íon incidente, como previstos pelas teorias existentes. Por outro lado, encontrou-se que, para íons de He incidindo a baixas energias (E < 800keV) em Zn, a curva do poder de freamento está em perfeito acordo com os resultados obtidos utilizando o método de transmissão por N. Arista et al. Para altas energias (E > 800keV), os resultados estão em bom acordo com o cálculo feito pela subrotina RSTOP do programa Transport of Ions in Matter (TRIM). No caso dos íons de Li, as medições de perda de energia foram realizadas num alvo de Zn pela primeira vez. Esses resultados se mostraram em bom acordo com a previsão da subrotina RSTOP de Ziegler te al e com a fórmula universal de Kalbitzer. Esse acordo ocorre para todo o intervalo de energia estudado. / In this work, we present results on the stopping power of He and Li in Zn in the 0.4-7 MeV energy range He and in the 0.3-5 MeV for Li. We have used the Rutherford backscattering technique (RBS) with Au (100 Å)/Zn/Au (100 Å) films with Zn slabs of 460, 750, 1500 Å width. Since Zn is the transition metal with the larger energy gap between the 4s and 3d sub shells, it is the ideal candidate for studying the relationship between the stopping power and the ion velocity (at lower energies). In both cases it was possible to observe the direct proportionality between both quantities as anticipated by current theories. On the other hand, we found that, for lower energies (E < 800 keV), the stopping power measured in our laboratory is in perfect agreement with similar measurements performed using the transmission technique by N. Arista et al. For higher energies (E > 800 keV) the He results are in fair agreement with the RSTOP predictions. For the Li case, the stopping power measurements were the first ones done on a Zn target. The results are in good agreement with the RSTOP predictions as well as with the universal function by Kalbitzer et al. This is valid for all the measured energy range.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:22:29Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2007Bitstream added on 2014-06-13T18:49:21Z : No. of bitstreams: 1 maluf_mp_me_ia.pdf: 609021 bytes, checksum: 6493c387f0acaf156451aa9e87ea41d2 (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Esta dissertação teve por objetivo a discussão sobre o ato criador em Hélio Oiticica (1937-1980) e o legado da Antropofagia em sua obra no contexto cultural brasileiro das décadas de 1960 e 1970. Ampliar a compreensão das idéias das vanguardas Construtivistas dentro do Movimento Neoconcreto e seus desdobramentos nas proporções de Hélio, em especial a questão da participação do espectador; o sentido da coletividade de prazer, e lazer e da relação arte é vida. Investigar o comportamento de Oiticica frente ao mundo das artes sua posição política e ética, a aproximação de sua atitude criadora com o de outros artistas de sua geracão, e o contato com a marginalidade, para uma compreensão de sua presença diante do contexto histórico e cultural em que atuava. E ainda discutir o conceito de antiarte desenvolvido por Hélio, seu processo de desestatização por uma ética do ato criador da relação entre o artista e o espectador. Investigando se Oiticica chegou a criar uma antiarte genuinamente brasileira, sem submissão periférica e como isso se deu naquele momento histórico. Desenvolver leituras e aproximações sobre a atividade de Hélio Oiticica dentro do cenário brasileiro e mundial, de sua poética experimental para um aprofundamento das questões da arte de vanguarda brasileira, em busca de sua participação na historia das artes visuais e da cultura do Brasil. / This text has the main purpose to deepen the quarrel on the creative act in the Hélio Oiticica (1937-1980) and the lagacy of Anthropophagy in the brazilian cultural context of the decades of 1960 to 1970. To inside extend the understanding of the ideas of the Constructivist vanguards of the neo-concrete movement and its unfoldings in the Hélio proposals, special the question of the participation of the spectator; the direction of collective, pleasure and leisure and the relation art and life. To investigate the behavior of Oiticica front the world of the arts, its position politics and ethics, the a of approach of this creative attitude with the one of other artists of its generation, the contact with the marginality for an understanding of its presence ahead of the historical and cultural context where is acted. And still, to argue the concept of anti-art developed by Hélio, its breaking with the aesthetic for ethics of the creative act, the relation between the artist and spectador. Investiganting in Oiticica it arrived to creat a original brazilian antiart, without peripheral submission and this if it gave at that historical moment. To inside develop readings and approaches on the activity of Oiticica of the brazilian and word-wide cultural scene, of its poetical experimental one for a deepening of the question of the art of brazilian vanguard, in search of an interpretation of its participation in the history of the visual arts and the culture in Brazil.

Made available in DSpace on 2013-08-07T19:06:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 000430597-Texto+Completo-0.pdf: 523260 bytes, checksum: e6591f99e2ac537e5a51a7d60c6b430d (MD5) Previous issue date: 2011 / Introduction: Studies have demonstrated airways obstruction and decreased pulmonary diffusing capacity in infants with bronchopulmonary dysplasia (BPD); however, the pulmonary pathophysiology of this disease still remains poorly defined. The aim of this study was to compare functional residual capacity (FRC) and ventilation inhomogeneity indices between infants with BPD and fullterm healthy controls. Methods: A new technique is described to obtain multiple breath washout using slow augmented breathes, which enables the assessment of ventilation inhomogeneity using slopes of phase III (SIII), as well as lung clearance index (LCI) and measurement of FRC in sleeping infants. Results: Fullterm controls (n = 28) and BPD (n = 22) between 3 and 28 months corrected-age were evaluated. FRC increased, while LCI and SIII decreased with body length; however, there were no significant differences for FRC (183 vs. 172 ml; p = 0. 32), LCI (9. 3 vs. 9. 5; p = 0. 56), or SIII adjusted for expired volume (211 vs. 218; p = 0. 77) between controls and BPD. Conclusions: Ventilation within the lung becomes more homogenous with somatic growth early in life; however, there is no evidence that ventilation inhomogeneity is a significant component of the pulmonary pathophysiology of CLDI. / Introdução: Estudos têm demonstrado obstrução das vias aéreas e redução da capacidade de difusão em lactentes com displasia broncopulmonar (DBP). Entretanto, a fisiopatologia desta doença ainda não está bem definida. O objetivo deste estudo é comparar a capacidade residual functional (CRF) e a heterogeneidade da ventilação pulmonary entre lactentes com DBP e controles a termo sadios. Métodos: Uma nova técnica de multiple breath washout é descrita. Insuflações pulmonares lentas com volume aumentado permitiram a avaliação da heterogeneidade da ventilação através do slope da fase III (SIII) e do lung clearance index (LCI), assim como a aferição da CRF em lactentes sedados. Resultados: Foram avaliados lactentes controles a termo (n = 28) e com DBP (n = 22) entre 3 e 28 meses de idade corrigida. A CRF aumentou, enquanto que o LCI e o SIII diminuíram com o comprimento somático. Não houve diferenças significativas entre lactentes controles e com DBP para a CRF (183 vs. 172 ml; p = 0,32), o LCI (9,3 vs. 9,5; p = 0,56) e a SIII ajustada pelo volume expiatório (211 vs. 218; p = 0,77). Conclusão: A ventilação pulmonar se torna mais homogênea com o crescimento somático no início da vida. Contudo, não há evidêcia de que a heterogeneidade da ventilação seja um componente significativo da fisiopatologia da DBP.

Em um trabalho anterior verificou-se que a formação de bolhas de He pressurizadas em um substrato Si é capaz de melhorar a qualidade cristalina de uma estrutura GaN/AlN crescida heteroepitaxialmente sobre Si. As bolhas atraem as discordâncias geradas na interface com o substrato Si e as redireciona para o mesmo, reduzindo a densidade de discordâncias na estrutura crescida. Porém, um sistema de bolhas com características similares e que apresente uma maior estabilidade térmica é mais adequado para esta finalidade de crescimento. Neste trabalho investigou-se sistemas contendo bolhas de Ne e He-Ne obtidos a partir de diferentes parâmetros de implantação e temperaturas de recozimento. Ne foi implantado a 350 e 450°C, e nas amostras co-implantadas com Ne e He também foi avaliada a ordem de implantação. Posteriormente, essas amostras foram submetidas a tratamentos térmicos rápidos desde 400 até 1000°C. As amostras foram caracterizadas por medidas de Retroespalhamento de Rutherford e Canalização (RBS/C), Detecção por Recuos Elásticos (ERD) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET). Foi observado um maior nível de danos residuais devido à implantação de Ne, mesmo tendo sido implantado a 350 ou 450ºC. Um maior nível de danos residuais leva a uma morfologia semelhante entre os sistemas Ne e He-Ne, onde são observadas apenas bolhas esféricas e sem a presença de campos de tensão nas imagens de MET. Quando é implantado apenas He, no mencionado trabalho anterior, as bolhas formadas são tipo placa e circundadas por campos de tensão. Porém, no caso co-implantado quando Ti(Ne) = 450ºC ou quando um recozimento a 1000ºC entre implantações (Ne implantado primeiro) é realizado, a redução dos danos residuais leva a um sistema que se assemelha ao He puro: ocorre a formação de bolhas híbridas mais pressurizadas e com morfologia mista entre elípticas e esféricas. / In a previous work it was observed that the formation of pressurized He bubbles in a Si substrate is able to improve the crystalline quality of a GaN/AlN structure heteroepitaxialy grown over Si. The bubbles attract the misfit dislocations generated at Si substrate and redirect them toward the substrate, reducing the dislocation density in the overgrown GaN layer. However, a bubbles system with similar properties and able to show higher thermal stability is more suitable for this grown purpose. In this work we have investigated systems containing Ne and He-Ne bubbles obtained from different implantation parameters and annealing temperatures. Ne implantation was performed at 350 and 450°C, and we also interchanged the implantation order at the He-Ne co-implanted systems. Subsequently, these samples were subjected to rapid thermal annealing from 400 to 1000°C. The samples were characterized by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling (RBS/C), Elastic Recoil Detection (ERD) and Transmission Electron Microscopy (TEM). It was observed a higher residual damage level due to Ne implantation, even though it was implanted at 350 or 450°C. A higher damage level brings to a similar morphology between Ne and He-Ne systems, in which are just observed spherical bubbles with no stress field in the TEM images. When just He is implanted, in the mentioned previous work, the formed bubbles are plate like ones with the presence of stress field around them. However, in the co-implanted case when Ti (Ne) = 450ºC or when a 1000ºC is performed between implantations (Ne first implanted), the reduction of the residual damage brings to a system which is more He pure like: it occurs the formation of more pressurized hybrid bubbles and with a combined morphology between elliptical and spherical ones.

A pletismografia e o método de diluição do Hélio (He) por respirações múltiplas são considerados como padrões para mensurar os volumes pulmonares. O valor do método de diluição do He por respiração única, utilizado durante mensuração da capacidade de difusão pulmonar, para estimar os volumes pulmonares reais é alvo de controvérsias. Objetivo: Determinar se a capacidade pulmonar total (CPT) e o volume residual (VR) mensurados pelo método de diluição do He por respiração única (CPT He e VRHe) podem ser utilizados em substituição aos valores obtidos por pletismografia (CPT P e VRP) em indivíduos sem e com obstrução ao fluxo aéreo. Métodos: Estudo transversal retrospectivo. Foram estudados 169 indivíduos que realizaram espirometria e determinação de volumes pulmonares pela pletismografia e pelo método de diluição do He, sendo 27 indivíduos com espirometria normal, 93 portadores de distúrbio ventilatório obstrutivo (DVO) por doença pulmonar obstrutiva crônica e 49 indivíduos portadores de distúrbio ventilatório restritivo (DVR). Os valores da CPT e do VR mensurados pelos dois métodos foram comparados entre os grupos.Resultados: Os volumes pulmonares mensurados pela pletismog rafia foram maiores que os determinados pelo método de diluição do He em todos os grupos analisados. Nos indivíduos normais e com DVR, a diferença entre os métodos para a CPT variou de 0,56 L a 0,88 L e para a VR de 0,42 L a 0,75 L. Nos indivíduos portador es de DVO a diferença na CPT variou de 1,72 L a 3,17 L e no VR de 1,60 L a 2,95 L. O coeficiente de correlação nos 169 pacientes entre os valores obtidos pelos dois métodos foi de 0,71 para a CPT (p<0,001) e de 0,62 para o VR (p<0,001). A análise pelo méto do de Bland-Altman dos valores de volumes pulmonares obtidos pelos dois métodos mostrou uma maior discordância entre as medidas nos pacientes com DVO e volumes pulmonares maiores. Para predizer a CPTP e o VRP a partir da CPTHe e o VRHe foi utilizada uma equação de regressão para corrigir os valores de acordo com o grau de obstrução ao fluxo aéreo. A equação de regressão para predizer a diferença da CPT entre os dois métodos foi: Y = 4,489 – 0,043X, onde Y=Δ CPTP-H e X= VEF1/CVF e para predizer a diferença do VR foi: Y = 4,243 – 0,042X, onde Y=Δ RVP-H e X= VEF1/CVF. Conclusões: A pletismografia mensura volumes pulmonares maiores em comparação com o método de diluição do He por respiração única, independente do diagnóstico funcional pulmonar, sendo as maiores discrepâncias observadas nos pacientes com DVO. A correção dos valores da CPTHe e do VRHe para a gravidade da obstrução ao fluxo aéreo pode melhorar a acurácia de uma técnica relativamente rápida, mais simples e mais disponível.

A pletismografia e o método de diluição do Hélio (He) por respirações múltiplas são considerados como padrões para mensurar os volumes pulmonares. O valor do método de diluição do He por respiração única, utilizado durante mensuração da capacidade de difusão pulmonar, para estimar os volumes pulmonares reais é alvo de controvérsias. Objetivo: Determinar se a capacidade pulmonar total (CPT) e o volume residual (VR) mensurados pelo método de diluição do He por respiração única (CPT He e VRHe) podem ser utilizados em substituição aos valores obtidos por pletismografia (CPT P e VRP) em indivíduos sem e com obstrução ao fluxo aéreo. Métodos: Estudo transversal retrospectivo. Foram estudados 169 indivíduos que realizaram espirometria e determinação de volumes pulmonares pela pletismografia e pelo método de diluição do He, sendo 27 indivíduos com espirometria normal, 93 portadores de distúrbio ventilatório obstrutivo (DVO) por doença pulmonar obstrutiva crônica e 49 indivíduos portadores de distúrbio ventilatório restritivo (DVR). Os valores da CPT e do VR mensurados pelos dois métodos foram comparados entre os grupos.Resultados: Os volumes pulmonares mensurados pela pletismog rafia foram maiores que os determinados pelo método de diluição do He em todos os grupos analisados. Nos indivíduos normais e com DVR, a diferença entre os métodos para a CPT variou de 0,56 L a 0,88 L e para a VR de 0,42 L a 0,75 L. Nos indivíduos portador es de DVO a diferença na CPT variou de 1,72 L a 3,17 L e no VR de 1,60 L a 2,95 L. O coeficiente de correlação nos 169 pacientes entre os valores obtidos pelos dois métodos foi de 0,71 para a CPT (p<0,001) e de 0,62 para o VR (p<0,001). A análise pelo méto do de Bland-Altman dos valores de volumes pulmonares obtidos pelos dois métodos mostrou uma maior discordância entre as medidas nos pacientes com DVO e volumes pulmonares maiores. Para predizer a CPTP e o VRP a partir da CPTHe e o VRHe foi utilizada uma equação de regressão para corrigir os valores de acordo com o grau de obstrução ao fluxo aéreo. A equação de regressão para predizer a diferença da CPT entre os dois métodos foi: Y = 4,489 – 0,043X, onde Y=Δ CPTP-H e X= VEF1/CVF e para predizer a diferença do VR foi: Y = 4,243 – 0,042X, onde Y=Δ RVP-H e X= VEF1/CVF. Conclusões: A pletismografia mensura volumes pulmonares maiores em comparação com o método de diluição do He por respiração única, independente do diagnóstico funcional pulmonar, sendo as maiores discrepâncias observadas nos pacientes com DVO. A correção dos valores da CPTHe e do VRHe para a gravidade da obstrução ao fluxo aéreo pode melhorar a acurácia de uma técnica relativamente rápida, mais simples e mais disponível.