Global ETD Search

1	Stimulationsintensitäten in kognitiven Paradigmen Kaminski, Jakob 02 December 2015 (has links) (PDF) Die transkranielle Magnetstimulation (TMS) ist zu einer essentiellen Untersuchungsmethode der Neurowissenschaften geworden. Sie ermöglicht es, mittels eines kurzen, starken Magnetfeldes, Neuronen im Gehirn anzuregen und kurzfristig deren Aktivität zu modulieren. Diese Effekte sind allerdings nur bei Stimulation des motorischen Kortexes als motorisch evozierte Potentiale (MEP) an peripheren Muskeln direkt messbar. Hier lässt sich auch eine individuelle Reizschwelle (engl. motorthreshold, MT) bestimmen, die sich allerdings von Proband zu Proband stark unterscheidet. Bei Stimulation außerhalb des motorischen Kortexes, bei der durch Änderung der Aktivität einer umschriebenen Neuronengruppe, behaviorale Effekte erzeugt werden sollen, existiert ein solches direktes Maß der neuronalen Erregbarkeit nicht, weshalb häufig die Stimulationsintensität an die individuelle MT angepasst wird. Die vorliegenden Arbeit stellt, diese Anpassung der Intensität in Frage. Hierzu erhielten Probanden vor der Durchführung eines kognitiven Tests über einer mittels funktioneller Magnetresonanztomographie (fMRT) ermittelten Region des präfrontalen Kortex eine Stimulation. Die Intensität wurde hierbei einmal an die MT angepasst und einmal nicht. Erstmals konnte mittels einer Korrelationsanalyse gezeigt werden, dass es einen Zusammenhang zwischen der Sensitivität des präfrontalen Kortexes und der des Motorkortexes gibt. Dieser Zusammenhang kann zur nachträglichen Korrektur der behavioralen Daten genutzt werden, da die MT die zwischen den Probanden bestehenden relativen Unterschiede erklärt. Transkranielle Magnetsitumulation Motorschwelle Intensität Arbeitsgedächtnis funktionelle Magnetresonanztomographie transcranial magnetic stimulation motor threshold intensity working memory functional magnetiv resonance imaging ddc:610 ddc:150 Transkranielle magnetische Stimulation Intensität Arbeitsgedächtnis Funktionelle Kernspintomografie
2	Stimulationsintensitäten in kognitiven Paradigmen Kaminski, Jakob 08 October 2015 (has links) Die transkranielle Magnetstimulation (TMS) ist zu einer essentiellen Untersuchungsmethode der Neurowissenschaften geworden. Sie ermöglicht es, mittels eines kurzen, starken Magnetfeldes, Neuronen im Gehirn anzuregen und kurzfristig deren Aktivität zu modulieren. Diese Effekte sind allerdings nur bei Stimulation des motorischen Kortexes als motorisch evozierte Potentiale (MEP) an peripheren Muskeln direkt messbar. Hier lässt sich auch eine individuelle Reizschwelle (engl. motorthreshold, MT) bestimmen, die sich allerdings von Proband zu Proband stark unterscheidet. Bei Stimulation außerhalb des motorischen Kortexes, bei der durch Änderung der Aktivität einer umschriebenen Neuronengruppe, behaviorale Effekte erzeugt werden sollen, existiert ein solches direktes Maß der neuronalen Erregbarkeit nicht, weshalb häufig die Stimulationsintensität an die individuelle MT angepasst wird. Die vorliegenden Arbeit stellt, diese Anpassung der Intensität in Frage. Hierzu erhielten Probanden vor der Durchführung eines kognitiven Tests über einer mittels funktioneller Magnetresonanztomographie (fMRT) ermittelten Region des präfrontalen Kortex eine Stimulation. Die Intensität wurde hierbei einmal an die MT angepasst und einmal nicht. Erstmals konnte mittels einer Korrelationsanalyse gezeigt werden, dass es einen Zusammenhang zwischen der Sensitivität des präfrontalen Kortexes und der des Motorkortexes gibt. Dieser Zusammenhang kann zur nachträglichen Korrektur der behavioralen Daten genutzt werden, da die MT die zwischen den Probanden bestehenden relativen Unterschiede erklärt. info:eu-repo/classification/ddc/610 ddc:610 info:eu-repo/classification/ddc/150 ddc:150
3	How we remember the emotional intensity of past musical experiences Schäfer, Thomas, Zimmermann, Doreen, Sedlmeier, Peter 15 September 2014 (has links) (PDF) Listening to music usually elicits emotions that can vary considerably in their intensity over the course of listening. Yet, after listening to a piece of music, people are easily able to evaluate the music's overall emotional intensity. There are two different hypotheses about how affective experiences are temporally processed and integrated: (1) all moments' intensities are integrated, resulting in an averaged value; (2) the overall evaluation is built from specific single moments, such as the moments of highest emotional intensity (peaks), the end, or a combination of these. Here we investigated what listeners do when building an overall evaluation of a musical experience. Participants listened to unknown songs and provided moment-to-moment ratings of experienced intensity of emotions. Subsequently, they evaluated the overall emotional intensity of each song. Results indicate that participants' evaluations were predominantly influenced by their average impression but that, in addition, the peaks and end emotional intensities contributed substantially. These results indicate that both types of processes play a role: All moments are integrated into an averaged value but single moments might be assigned a higher value in the calculation of this average. Emotion Musik Technische Universität Chemnitz Publikationsfonds music intensity peak–end temporal integration duration neglect Technische Universität Chemnitz Publication funds ddc:150 Musik Intensität
4	How we remember the emotional intensity of past musical experiences Schäfer, Thomas, Zimmermann, Doreen, Sedlmeier, Peter 15 September 2014 (has links) Listening to music usually elicits emotions that can vary considerably in their intensity over the course of listening. Yet, after listening to a piece of music, people are easily able to evaluate the music's overall emotional intensity. There are two different hypotheses about how affective experiences are temporally processed and integrated: (1) all moments' intensities are integrated, resulting in an averaged value; (2) the overall evaluation is built from specific single moments, such as the moments of highest emotional intensity (peaks), the end, or a combination of these. Here we investigated what listeners do when building an overall evaluation of a musical experience. Participants listened to unknown songs and provided moment-to-moment ratings of experienced intensity of emotions. Subsequently, they evaluated the overall emotional intensity of each song. Results indicate that participants' evaluations were predominantly influenced by their average impression but that, in addition, the peaks and end emotional intensities contributed substantially. These results indicate that both types of processes play a role: All moments are integrated into an averaged value but single moments might be assigned a higher value in the calculation of this average. info:eu-repo/classification/ddc/150 ddc:150 Musik; Intensität
5	Ab-initio Studies of X-ray Scattering / Ab-initio Studien der Röntgenstreuung Debnarova, Andrea 28 August 2009 (has links) No description available. 530 Physik Mathematics and Computer Science Röntgenstreuung Zeitaufgelöste Röntgenstreuung Ab-initio-Berechnung Röntgen-Pulse Hoher Intensität Quantenchemie X-ray Scattering Time-resolved X-ray scattering Ab-initio Calculations High Intensity X-ray Pulses Quantum Chemistry 33.30 RTE 000: Physik der Moleküle
6	Raman-Spektroskopie an epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001) Fromm, Felix Jonathan 29 April 2015 (has links) (PDF) Die vorliegende Arbeit behandelt die Charakterisierung von epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001) mittels Raman-Spektroskopie. Nach der Einführung theoretischer sowie experimenteller Grundlagen werden das Wachstum von Graphen auf Siliziumkarbid (SiC) behandelt und die untersuchten Materialsysteme vorgestellt. Es wird gezeigt, dass das Raman-Spektrum von epitaktischem Graphen auf SiC (0001) neben den Phononenmoden des Graphens und des Substrats weitere Signale beinhaltet, welche der intrinsischen Grenzflächenschicht, dem Buffer-Layer, zwischen Graphen und SiC zugeordnet werden können. Das Raman-Spektrum dieser Grenzflächenschicht kann als Abbild der phononischen Zustandsdichte interpretiert werden. Fortführend werden verspannungsinduzierte Änderungen der Phononenenergien der G- und 2D-Linie im Raman-Spektrum von Graphen untersucht. Dabei werden starke Variationen des Verspannungszustands beobachtet, welche mit der Topographie der SiC-Oberfläche korreliert werden können und erlauben, Rückschlüsse auf Wachstumsmechanismen zu ziehen. Die Entwicklung einer neuen Messmethode, bei der das Raman-Spektrum von Graphen durch das SiC-Substrat aufgenommen wird, ermöglicht die detektierte Raman-Intensität um über eine Größenordnung zu erhöhen. Damit wird die Raman-spektroskopische Charakterisierung eines Graphen-Feldeffekttransistors mit top gate ermöglicht und ein umfassendes Bild des Einflusses der Ladungsträgerkonzentration und der Verspannung auf die Positionen der G- und 2D-Raman-Linien von quasifreistehendem Graphen auf SiC erarbeitet. Graphen Raman-Spektroskopie Siliziumkarbid epitaktisches Wachstum Buffer-Layer Verspannung Raman-Intensität Dotierung Feldeffekttransistor graphene Raman spectroscopy silicon carbide epitaxial growth buffer layer strain Raman intensity doping field effect transistor ddc:530 Kohlenstoff Halbleiter
7	Raman-Spektroskopie an epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001) Fromm, Felix Jonathan 17 April 2015 (has links) Die vorliegende Arbeit behandelt die Charakterisierung von epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001) mittels Raman-Spektroskopie. Nach der Einführung theoretischer sowie experimenteller Grundlagen werden das Wachstum von Graphen auf Siliziumkarbid (SiC) behandelt und die untersuchten Materialsysteme vorgestellt. Es wird gezeigt, dass das Raman-Spektrum von epitaktischem Graphen auf SiC (0001) neben den Phononenmoden des Graphens und des Substrats weitere Signale beinhaltet, welche der intrinsischen Grenzflächenschicht, dem Buffer-Layer, zwischen Graphen und SiC zugeordnet werden können. Das Raman-Spektrum dieser Grenzflächenschicht kann als Abbild der phononischen Zustandsdichte interpretiert werden. Fortführend werden verspannungsinduzierte Änderungen der Phononenenergien der G- und 2D-Linie im Raman-Spektrum von Graphen untersucht. Dabei werden starke Variationen des Verspannungszustands beobachtet, welche mit der Topographie der SiC-Oberfläche korreliert werden können und erlauben, Rückschlüsse auf Wachstumsmechanismen zu ziehen. Die Entwicklung einer neuen Messmethode, bei der das Raman-Spektrum von Graphen durch das SiC-Substrat aufgenommen wird, ermöglicht die detektierte Raman-Intensität um über eine Größenordnung zu erhöhen. Damit wird die Raman-spektroskopische Charakterisierung eines Graphen-Feldeffekttransistors mit top gate ermöglicht und ein umfassendes Bild des Einflusses der Ladungsträgerkonzentration und der Verspannung auf die Positionen der G- und 2D-Raman-Linien von quasifreistehendem Graphen auf SiC erarbeitet. info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530 Kohlenstoff; Halbleiter

1

Page generated in 0.0521 seconds